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1、2020 年半年度报告 1 / 208 公司代码：688396 公司简称：华润微 华润微电子有限公司华润微电子有限公司 20202020 年半年度报告年半年度报告 2020 年半年度报告 2 / 208 重要提示重要提示 一、一、本公司董事会本公司董事会及董事及董事、高级管理人员保证高级管理人员保证半半年度报告内容的真实、准确、完整，年度报告内容的真实、准确、完整， 不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、二、 重大风险提示重大风险提示 公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及
2、应对措施， 敬请查阅本报告第四节“经营情况讨论与分析”。 三、三、 公司公司全体董事出席全体董事出席董事会会议。董事会会议。 四、四、 本半年度报告本半年度报告未经审计未经审计。 五、五、 公司负责人公司负责人陈南翔陈南翔、 主管会计工作负责人、 主管会计工作负责人彭庆彭庆及会计机构负责人 （会计主管人员）及会计机构负责人 （会计主管人员） 邬成邬成忠忠声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、六、 经董事会审议的报告期利润分配预案或公积金转增股本预案经董事会审议的报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无 七、七、 是否是否存在
3、存在公司治理特殊安排等重要事项公司治理特殊安排等重要事项 适用 不适用 公司治理特殊安排情况： 本公司为红筹企业 本公司存在协议控制架构 本公司存在表决权差异安排 公司为一家根据开曼群岛公司法设立的公司，公司治理模式与适用中国法律 、法规及规范性文件的一般A股上市公司的公司治理模式存在一定差异。 八、八、 前瞻性陈述的风险声明前瞻性陈述的风险声明 适用 不适用 本报告中所涉及的未来计划、 发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质 承诺，敬请投资者注意投资风险。 九、九、 是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况 否 2020 年半年度
4、报告 3 / 208 十、十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？ 否 十一、十一、 其他其他 适用 不适用 2020 年半年度报告 4 / 208 目录目录 第一节 释义 .5 第二节 公司简介和主要财务指标 .9 第三节 公司业务概要 .13 第四节 经营情况的讨论与分析 .26 第五节 重要事项 .35 第六节 股份变动及股东情况 .52 第七节 优先股相关情况 .59 第八节 董事、高级管理人员和员工情况 .60 第九节 公司债券相关情况 .61 第十节 财务报告 .62 第十一节 备查文件目录 .208 2020 年半年度报告 5
5、 / 208 第一节第一节 释义释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 常用词语释义 本公司、公司、华润微电 子、CRM、华润微 指 China Resources Microelectronics Limited（华 润微电子有限公司）。在用以描述公司资产、业 务与财务情况时，根据文义需要，亦包括其各分 子公司 中国华润、实际控制人 指 中国华润有限公司，本公司的实际控制人 华润股份 指 华润股份有限公司 CRH、华润集团 指 China Resources (Holdings) Company Limited （华润（集团）有限公司） CRH (Micro)、 华润集
6、团 （微 电子）、控股股东 指 CRH (Microelectronics) Limited（华润集团（微 电子）有限公司），本公司的控股股东 无锡华微 指 无锡华润微电子有限公司 华润华晶 指 无锡华润华晶微电子有限公司 无锡华润上华 指 无锡华润上华科技有限公司 华润安盛 指 无锡华润安盛科技有限公司 华润矽科 指 无锡华润矽科微电子有限公司 迪思微电子 指 无锡迪思微电子有限公司 华润芯功率 指 无锡华润芯功率半导体设计有限公司 华晶综服 指 无锡华晶综合服务有限公司 华润矽威 指 华润矽威科技（上海）有限公司 华微控股 指 华润微电子控股有限公司 华润半导体 指 华润半导体（深圳）有限
7、公司 华润赛美科 指 华润赛美科微电子（深圳）有限公司 重庆华微 指 华润微电子（重庆）有限公司，原名为中航（重 庆）微电子有限公司，于 2017 年无偿划转至华微 控股 重庆润芯微 指 重庆润芯微电子有限公司 矽磐微电子 指 矽磐微电子（重庆）有限公司 杰群电子 指 杰群电子科技（东莞）有限公司 润科基金 指 润科（上海）股权投资基金合伙企业（有限合伙） 国务院国资委 指 国务院国有资产监督管理委员会 科技部 指 中华人民共和国科学技术部 财政部 指 中华人民共和国财政部 工业和信息化部、工信部 指 中华人民共和国工业和信息化部 中国证监会 指 中国证券监督管理委员会 上交所 指 上海证券交
8、易所 元、万元、亿元 指 人民币元、万元、亿元 本报告期、报告期 指 2020 年 1 月 1 日至 6 月 30 日 传感器 指 一种检测装置，能感受到被测量的信息，并按一 定规律变换为电信号或其他所需形式的信息输 2020 年半年度报告 6 / 208 出，以满足信息的传输、处理、存储、显示、记 录、控制等要求 光电耦合器 指 光电隔离器，是由发光二极管和光敏电阻组成的 电路 光罩、光掩模 指 制造芯片时，将电路印制在硅晶圆上所使用的模 具 分立器件 指 单一封装的半导体组件，具备电子特性功能，常 见的分立式半导体器件有二极管、三极管、光电 器件等 功放 指 功率放大器，在给定失真率条件下
9、，能产生最大 功率输出以驱动某一负载的放大器，包括 AB、D、 数字功放。 其中 AB 类功放通过晶体管放大电流从 而放大信号，D 类功放用脉冲宽度对模拟音频幅 度进行模拟，数字类功放用数字信号进行功率放 大 功率 IC 指 为了操作功率元器件，通常须将一个电压施加于 栅极。栅极驱动与达林顿驱动向功率器件施加电 压并提供驱动电流 功率半导体 指 功率器件与功率 IC 的统称 双极工艺 指 双极工艺是一种基于硅基的典型制造工艺，主要 用于双极型晶体管或集成电路的制备 数字芯片 指 基于数字逻辑设计和运行的，用于处理数字信号 的集成电路，包括微元件，存储器和逻辑芯片 模拟芯片 指 处理连续性模拟信
10、号的集成电路芯片。电学上的 模拟信号是指用电参数，如电流和电压，来模拟 其他自然物理量而形成的连续性的电信号 晶圆 指 半导体制作所用的圆形硅晶片。在硅晶片上可加 工制作各种电路元件结构，成为有特定电性功能 的集成电路产品 晶闸管 指 一种开关元件，能在高电压、大电流条件下工作 碳化硅、SiC 指 一种第三代宽禁带半导体材料， 具有禁带宽度大、 临界磁场高、电子饱和迁移速率较高、热导率极 高等性质 氮化镓、GaN 指 一种第三代半导体材料，具有禁带宽度大、临界 磁场高、电子迁移率与电子饱和迁移速率极高等 性质 屏蔽栅 MOS 指 在沟槽内栅多晶硅电极下面引入另一多晶硅电 极，并使之与源电极电气
11、相连，采用氧化层将上 下二个多晶硅电极隔开，具有导通电阻低、栅电 荷低、米勒电容低等特点 AC-DC 指 电源是输入为交流，输出为直流的电源模块。在 模块内部包含整流滤波电路、降压电路和稳压电 路 2020 年半年度报告 7 / 208 BCD 指 Bipolar-CMOS-DMOS 的简称， BCD 是一种单片集成 工艺技术。这种技术能够在同一芯片上制作双极 管 bipolar，CMOS 和 DMOS 器件，称为 BCD 工艺 BiCMOS 指 BiCMOS 技术是把双极型晶体管（BJT）和 CMOS 器 件同时集成在同一块芯片上的新型的工艺技术， 它集中了上述单、双极型器件的优点 BJT
12、指 Bipolar Junction Transistor，双极结型晶 体管， 是通过一定的工艺将两个 PN 结结合在一起 的器件，有 PNP 和 NPN 两种组合结构 BMS 指 电池管理系统，能够提高电池的利用率，防止电 池出现过度充电和过度放电 CDMOS 指 Complementary and Double-Diffusion MOS，互 补型 MOS 和双扩散型 MOS 集成工艺是将 LDMOS 功 率器件与传统的 CMOS 器件集成在同一块硅片上 的工艺 CMOS 指 Complementary Metal Oxide Semiconductor，互 补金属氧化物半导体， 互补式金
13、属氧化物半导体， 一种在同一电路设计上结合负信道及正信道的集 成电路 DC-DC 指 在直流电路中将一个电压值的电能变为另一个电 压值的电能的电源模块，其采用微电子技术，把 小型表面安装集成电路与微型电子元器件组装成 一体而构成 DMOS 指 双扩散金属氧化物半导体，主要有垂直双扩散金 属氧化物半导体场效应管 VDMOSFET 和横向双扩 散金属氧化物半导体场效应管 LDMOSFET EMI 指 Electromagnetic Interference，即电磁干扰。 指电磁波与电子元件作用后而产生的干扰现象 ESD 指 Electro-Static discharge，静电释放。静电防 护是电
14、子产品质量控制的一项重要内容 Fabless 指 无晶圆厂集成电路设计企业，只从事集成电路研 发和销售，而将晶圆制造、封装和测试环节分别 委托给专业厂商完成，也代指此种商业模式 FC 工艺 指 FLIP CHIP，倒装工艺，是一种新型封装工艺 FRD 指 快恢复二极管，是一种具有开关特性好、反向恢 复时间短特点的半导体二极管 IDM 指 IDM 模式是指包含芯片设计、晶圆制造、封装测 试在内全部或主要业务环节的经营模式 IGBT 指 绝缘栅双极型晶体管， 同时具备 MOSFET 和双极性 晶体管的优点，如输入阻抗高、易于驱动、电流 能力强、功率控制能力高、工作频率高等特点 IPM 指 智能功率
15、模块，由高速低功耗的管芯和优化的门 极驱动电路以及快速保护电路构成 2020 年半年度报告 8 / 208 LED 指 Lighting Emitting Diode，发光二极管，是一种 半导体固体发光器件 LV Trench MOS 、 Trench MOS、沟槽型 MOS 指 低压沟槽型 MOSFET，是低压 MOS 的一种，在体硅 表面刻蚀沟槽形成栅电极，将传统平面 MOS 沟道 由表面转移到体内 智能控制、MCU 指 微控制单元，是把中央处理器的频率与规格做适 当缩减，并将内存、计数器、USB 等周边接口甚 至驱动电路整合在单一芯片上，形成芯片级的计 算机 MEMS 指 微机电系统。指
16、集微型机构、微型传感器、微型 执行器以及信号处理和控制电路、直至接口、通 信和电源等于一体的微型器件或系统 MOSFET 指 金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种可以广 泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管 MTP 指 Multiple Times Programmable，是可编程逻辑器 件的一类，多次可编程 OTP 指 One Time Programmable，是可编程逻辑器件的一 类，一次性可编程 QFN 指 Quad Flat No-leadpackge，方形扁平无引脚封装 QFP 指 Quad Flat Package，方形扁平式封装 SBD 指 Schottky Barrier
17、 Diode，肖特基势垒二极管， 利用金属与半导体接触形成的金属半导体结原 理制作 Sensor Hub 指 智能传感集线器，是一种基于低功耗 MCU 和轻量 级 RTOS 操作系统之上的软硬件结合的解决方案 SoC 指 System-on-a-Chip，又称为芯片级系统，是在单 个芯片上集成 CPU、GPU 等整个电子系统的产品 SOP 指 Small Out-Line Package，小外形封装，是一种 常见的元器件形式，其变种包括 TSSOP、SSOP、 QSOP 等 Trench-FS 指 沟槽型场截止结构，沟槽型将表面沟道变为纵向 沟道，场截止指击穿时电场是穿通型的 Gartner
18、指 IT 领域领先的研究与顾问公司，研究范围覆盖硬 件设计、 制造到最下游终端应用的 IT 产业全环节 IC Insight 指 国外知名的半导体行业研究机构 2020 年半年度报告 9 / 208 第二节第二节 公司简介和主要财务指标公司简介和主要财务指标 一、一、 公司基本情况公司基本情况 公司的中文名称 华润微电子有限公司 公司的中文简称 华润微 公司的外文名称 China Resources Microelectronics Limited 公司的外文名称缩写 CRM 公司的法定代表人 陈南翔 公司注册地址 Conyers Trust Company (Cayman) Limited,
19、 Cricket Square, Hutchins Drive, PO Box 2681, Grand Cayman, KY1-1111, Cayman Islands 公司注册地址的邮政编码 KY1-1111 公司办公地址 地址一：江苏省无锡市梁溪路14号 地址二：上海市静安区市北智汇园汶水路299弄12号 公司办公地址的邮政编码 214061、200072 公司网址 电子信箱 crmic_hq_ir_ 报告期内变更情况查询索引 无 说明：公司注册地在开曼群岛，无法定代表人，公司负责人陈南翔。 二、二、 联系人和联系方式联系人和联系方式 董事会秘书（信息披露境内代表） 证券事务代表 姓名 吴
20、国屹 卢书锦 联系地址 江苏省无锡市梁溪路14号 江苏省无锡市梁溪路14号 电话 +86-510-81805086 +86-510-81805021 传真 +86-510-85872470 +86-510-85872470 电子信箱 crmic_hq_ir_ crmic_hq_ir_ 三、三、 信息披露及备置地点变更情况简介信息披露及备置地点变更情况简介 公司选定的信息披露报纸名称 中国证劵报、上海证劵报 证劵时报、证劵日报 登载半年度报告的中国证监会指定网站的网址 公司半年度报告备置地点 公司董事会办公室 报告期内变更情况查询索引 无 四、四、 公司股票公司股票/存托凭证简况存托凭证简况 (
21、一一) 公司股票简况公司股票简况 适用 不适用 公司股票简况 股票种类 股票上市交易 所及板块 股票简称 股票代码 变更前股票简称 人民币普通股（A股） 上海证劵交易 所科创板 华润微 688396 不适用 2020 年半年度报告 10 / 208 (二二) 公司公司存托凭证存托凭证简简况况 适用 不适用 五、五、 其他有关资料其他有关资料 适用 不适用 六、六、 公司主要会计数据和财务指标公司主要会计数据和财务指标 (一一) 主要会计数据主要会计数据 单位：元 币种：人民币 主要会计数据 本报告期 （16月） 上年同期 本报告期比 上年同期增 减(%) 营业收入 3,063,134,659.
22、40 2,640,023,964.75 16.03 归属于上市公司股东的净利润 403,093,311.78 164,349,402.18 145.27 归属于上市公司股东的扣除非 经常性损益的净利润 344,793,007.09 60,867,727.31 466.46 经营活动产生的现金流量净额 511,175,919.17 75,870,970.65 573.74 本报告期末 上年度末 本报告期末 比上年度末 增减(%) 归属于上市公司股东的净资产 10,035,788,852.59 5,423,131,165.33 85.06 总资产 15,000,825,144.39 10,095,
23、287,650.34 48.59 ( (二二) ) 主要财务指标主要财务指标 主要财务指标 本报告期 （16月） 上年同期 本报告期比上年同期 增减(%) 基本每股收益（元股） 0.3702 0.1870 97.97 稀释每股收益（元股） 0.3702 0.1870 97.97 扣除非经常性损益后的基本每 股收益（元股） 0.3166 0.0692 357.51 加权平均净资产收益率（%） 4.8795 3.5275 增加1.3520个百分点 扣除非经常性损益后的加权平 均净资产收益率（%） 4.1737 1.3064 增加2.8673个百分点 研发投入占营业收入的比例（% ） 7.41 8.
24、22 减少0.81个百分点 公司主要会计数据和财务指标的说明 适用 不适用 1、归属于上市公司股东的净利润、归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利 润同比均大幅增长，主要系公司营业收入同比增长 16.03%、同时制造与服务业务 板块产能利用率提升较大、固定成本有所减少、毛利率提升 6.63 个百分点所致。 2020 年半年度报告 11 / 208 2、经营活动产生的现金流量净额同比增加 573.74%， 主要系今年公司销售和回款良好 所致。 3、由于首次公开发行股票及超额配售，报告期末的总资产和归属于上市公司股东的 净资产比上年末大幅增加。 七、七、 境内外会计准则下会计数据差异境内外会计
25、准则下会计数据差异 适用 不适用 (一一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上 市公司股东的净资产差异情况市公司股东的净资产差异情况 适用 不适用 (二二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归归属于上属于上 市公司股东的净资产差异情况市公司股东的净资产差异情况 适用 不适用 (三三) 境内外会计准则差异的说明：境内外会计准则差异的说明： 适用 不适用 八、八、 非经常性损益项目和金额非经常性损益项目和金额
26、适用 不适用 单位:元 币种:人民币 非经常性损益项目 金额 附注（如适用） 非流动资产处置损益 -26,796.59 越权审批，或无正式批准文件，或偶发性的税收 返还、减免 计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业 务密切相关，符合国家政策规定、按照一定标准 定额或定量持续享受的政府补助除外 67,750,852.61 计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用费 企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资成 本小于取得投资时应享有被投资单位可辨认净资 产公允价值产生的收益 非货币性资产交换损益 委托他人投资或管理资产的损益 因不可抗力因素，如遭受自然灾害而计提的各项 资产减值准备 债务重组损
27、益 企业重组费用，如安置职工的支出、整合费用等 交易价格显失公允的交易产生的超过公允价值部 分的损益 同一控制下企业合并产生的子公司期初至合并日 的当期净损益 与公司正常经营业务无关的或有事项产生的损益 除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务 外，持有交易性金融资产、衍生金融资产、交易 性金融负债、衍生金融负债产生的公允价值变动 损益， 以及处置交易性金融资产、 衍生金融资产、 4,795,630.07 2020 年半年度报告 12 / 208 交易性金融负债、衍生金融负债和其他债权投资 取得的投资收益 单独进行减值测试的应收款项、合同资产减值准 备转回 对外委托贷款取得的损益 采用公允价
28、值模式进行后续计量的投资性房地产 公允价值变动产生的损益 根据税收、会计等法律、法规的要求对当期损益 进行一次性调整对当期损益的影响 受托经营取得的托管费收入 除上述各项之外的其他营业外收入和支出 7,892,012.41 其他符合非经常性损益定义的损益项目 少数股东权益影响额 -7,620,714.65 所得税影响额 -14,490,679.16 合计 58,300,304.69 九、九、 其他其他 适用 不适用 2020 年半年度报告 13 / 208 第三节第三节 公司业务概要公司业务概要 一、一、 报告期内公司所从事的主要业务、经营模式及行业情况说明报告期内公司所从事的主要业务、经营模
29、式及行业情况说明 (一一) 主要业务、主要产品或主要业务、主要产品或服务服务情况情况 公司是中国领先的拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化经营能 力的半导体企业，产品聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制领域，为客户提供 丰富的半导体产品与系统解决方案。公司产品设计自主、制造全程可控，在分立器件 及集成电路领域均已具备较强的产品技术与制造工艺能力，形成了先进的特色工艺和 系列化的产品线。 目前公司主营业务分为产品与方案、制造与服务两大业务板块。公司产品与方案 业务板块聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制领域。公司制造与服务业务板块 主要提供半导体开放式晶圆制造、封装测试和掩模制造
30、等服务。 (二二) 主要经营模式主要经营模式 详细情况请参见公司 2019 年年报披露部分。 (三三) 所处行业情况所处行业情况 公司的主营业务包括功率半导体、智能传感器及智能控制产品的设计、生产及销 售，以及提供开放式晶圆制造、封装测试和掩模制造等服务，属于半导体行业。 根据中国证监会 上市公司行业分类指引 （2012 年修订） ， 公司属于“制造业” 中的“计算机、通信和其他电子设备制造业”，行业代码“C39”。 半导体位于电子行业的中游，上游是电子材料和设备。半导体和被动元件以及模 组器件通过集成电路板连接，构成了智能手机、电脑等电子产品的核心部件，承担信 息的载体和传输功能是信息技术产
31、业的核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的 战略性、 基础性和先导性产业。 其发展程度是一个国家科技发展水平的核心指标之一， 影响着社会信息化进程。自 2000 年以来，我国政府颁布了一系列政策法规，将集成 电路产业确定为战略性新兴产业之一，大力支持集成电路行业的发展，如 2011 年国 务院颁布的进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策、2014 年国务院 颁布的国家集成电路产业发展推进纲要，2016 年国务院颁布的“十三五”国家 战略新兴产业发展规划、2017 年工信部颁布的物联网“十三五”规划等。国务 院 2019 年政府工作报告明确提出：“培育新一代信息技术、高端装备、生物医药
32、、 新能源汽车、新材料等新兴产业集群，壮大数字经济”。 随着 5G、物联网、人工智 能、汽车电子、半导体照明、可穿戴设备等下游新兴应用领域的兴起，全球电子产品 市场规模逐年扩大，带动了上游集成电路行业的加速发展。 全球集成电路行业市场规模大，且保持较快增速。根据 IBS 数据，到 2030 年，全 球集成电路产业规模预计达到 1 万亿美金，未来五年内，行业迎来一波快速增长，预 计 2022 年市场规模突破 5000 亿美元，2024 年将达到 6060 亿美元。随着 5G、AI、物 联网、自动驾驶、VR/AR 等新一轮科技逐渐走向产业化，未来十年中国半导体行业有 望迎来进口替代与成长的黄金时期
33、，逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足 轻重的地位。 2020 年半年度报告 14 / 208 根据 Gartner、IDC、IBS 等各市场研究机构前期预测，2020 年疫情之下的全球半 导体市场预期为负增长。同时我们也看到世界半导体贸易统计(协会) WSTS 6 月份最 新预测，2020 年全球半导体将实现 3.3%增长，2021 年实现 6.2%增长。 根据 SIA 数据，2020 年第一季度全球半导体市场销售额 1046 亿美元，同比增长 了 6.9%。中国集成电路产业 2020 年第一季度保持增长态势，根据 CSIA 统计，2020 年第一季度中国集成电路产业销售额 1472.
34、7 亿元，同比增长 15.6%，2020 年第一季 度国内集成电路产业受新冠疫情影响较小，依然保持较快速度增长。同时根据 CSIA 预计， 2020 年第三季度无论是全球半导体市场还是国内集成电路产业都会呈下降趋势， 如果全球新冠疫情得到控制，2020 年第四季度市场将好转。 针对功率半导体，根据 Omidia 4 月发布的功率分立器件和模块市场中期追踪报 告 ，新型冠状病毒疫情将导致智能手机和汽车电子等关键市场削减对功率半导体器 件的需求， 全球功率半导体市场在 2020 年将经历 6.9%的下降， 2020 年营收将从 2019 年的 463 亿美元下滑至 431 亿美元。 二、二、 核心
35、核心技术与研发技术与研发进展进展 1. 核心技术核心技术及其及其先进性先进性以及报告期内以及报告期内的变化情况的变化情况 1、主要核心技术 公司业务包括产品与方案业务及制造与服务业务两大业务板块，公司在主要的业 务领域均掌握了一系列具有自主知识产权的核心技术，大部分核心技术均为国内领先， 其中沟槽型 SBD 设计及工艺技术、光电耦合和传感系列芯片设计和制造技术及 BCD 工 艺技术国际领先。上述核心技术已成熟并广泛应用于公司产品的批量生产中。公司主 要核心技术情况如下： （1）产品及方案业务相关核心技术 序号序号 产品类别产品类别 核心技术名称核心技术名称 技术技术/ /产品特点产品特点 技术
36、技术 来源来源 1 MOSFET 沟槽栅 MOS 器件设 计及工艺技术 1）较优的单位面积导通电阻值及优值系数 （FOM） 2）抗短路能力强 3）可靠性高 自主 研发 平面栅 VDMOS 设计 及其工艺技术 1）较优的单位面积电阻及优值系数（FOM） 2）较优的雪崩耐量（UIS） 3）较低的 EMI 特性 自主 研发 多层外延超结 MOS 器件设计及工艺 技术 1）采用多层外延技术 2）较优的单位面积导通电阻值及优值系数 （FOM） 3）可靠性高、适用性强 自主 研发 2 IGBT IGBT 设计及工艺 技术 1）采用 Trench-FS 工艺及超薄晶圆加工技 术 2）导通电压低、开关损耗小
37、3）可靠性高、适用性强 自主 研发 3 功率二极 管 沟槽型 SBD 设计及 工艺技术 1）采用 8 英寸 Trench 结构 2）电压覆盖 45V-150V 3）多种金属势垒、满足不同性能要求 自主 研发 FRD 设计及制备技 1）采用重金属掺杂工艺 自主 2020 年半年度报告 15 / 208 序号序号 产品类别产品类别 核心技术名称核心技术名称 技术技术/ /产品特点产品特点 技术技术 来源来源 术 2）较快的反向恢复特性 3）较优的软度系数、高雪崩耐量 研发 4 物联网应 用专用 IC 烟雾报警 IC 的设 计技术 1）丰富的产品规格、多种控制方式 2）具有智能联网功能 3）通过美国
38、 UL 认证 自主 研发 MEMS 信号采样处 理设计技术 1）采用高精度 Delta-Sigma ADC 技术，功 耗低、灵敏度高 2）可同时处理多个、多种 MEMS 传感器，实 现 MEMS 传感器信号同步采样、信号实时处 理和校准 自主 研发 5 功率 IC 无线充专用 IC 的 设计技术 1）满足国际无线充电联盟（WPC）的 QI 标 准 2）高充电效率、低待机功耗、低 EMI 3）支持过温过压过流保护、异物检测和动 态电流调整 自主 研发 锂电管理系统专 用 IC 的设计技术 覆盖绝大多数锂电系统的应用需求， 包括单 节锂电保护、2-7 节锂电硬件保护、5-8 节 以及 10 节及以
39、上锂电保护模拟前端 自主 研发 LED驱动IC的设计 和制造技术 1）采用公司特色 700V 工艺 2）产品规格齐全 3）性能稳定、可靠性高 自主 研发 通用开关电源控 制技术及高可靠 三端稳压电路的 设计、工艺及测试 技术 1）采用公司特色工艺 2）产品规格齐全 3）产品可靠稳定、一致性好 自主 研发 6 光电耦合 及传感 光电耦合和传感 系列芯片设计和 制造技术 1）采用公司特色工艺 2）较优的重复峰值电压及产品开关速度 3）高抗干扰能力、高光耦隔离电压、高产 品可靠性 自主 研发 7 SiC SiC JBS 系列产品 设计和制造技术 1）采用公司自主的 SiC 工艺和封装技术 2）国内首
40、条商用 6 英寸 SiC 晶圆生产线 3）抗浪涌能力强，系统性能与国际一线品 牌同一水准 自主 研发 （2）制造与服务相关核心技术 序号序号 工艺类别工艺类别 核心技术名称核心技术名称 技术技术/ /工艺特点工艺特点 技术技术 来源来源 1 BCD 工艺 技术 硅基高压 BCD 工艺 技术、硅基高密度 BCD 工艺技术、 SOI 基 BCD 工艺技术 1）覆盖 1.0-0.18m 的各个技术节点 2）支持超大范围的工作电压 5V-700V 3）低导通电阻、高可靠性 4）同步提供 200-600V SOI 基 BCD 工艺选 自主 研发 2020 年半年度报告 16 / 208 序号序号 工艺类
41、别工艺类别 核心技术名称核心技术名称 技术技术/ /工艺特点工艺特点 技术技术 来源来源 项 2 MEMS 工艺 技术 麦克风 MEMS 工艺 技术、压力 MEMS 工艺技术、光电传 感器工艺技术、温 湿度 MEMS 工艺技 术 1）提供完整的标准 MEMS 工艺模块，能够 灵活调整组合 2）提供多样化的表面或体硅加工技术及客 制化的平台 3）丰富的平台组合，包含压力、麦克风、 光电、温湿度等 MEMS 工艺制程 自主 研发 3 功率封装 技术 IPM 模块封装工艺 技术 提供金属框架、铝基板（IMS）和陶瓷基板 三种 IPM 封装技术解决方案 自主 研发 PQFN/PDFN 封装工 艺技术
42、1）齐全的封装类型 2）多种工艺组合，满足不同器件性能的需 要 3）掌握主流的功率封装先进工艺技术，包 括超薄芯片封装、铝丝和铝带键合、 CopperClipBond 技术和倒装（FC）技术等 自主 研发 4 面板级扇 出封装技 术 单层板双面散热 封装技术 1）提供完整的面板级扇出封装产品结构设 计，仿真与加工方案 2）双面散热工艺，有效降低器件工作温度 3）产品适用于大电流，降寄生，高散热产 品 合作 研发 超薄产品封装技 术 封装产品厚度 300um，产品厚度可自由调 整，不受设备与治具限制 自主 研发 2. 报告期内获得的研发成报告期内获得的研发成果果 报告期内，公司加大技术研发的投入
43、力度，通过配置先进设备、引入高端人才、 加强对外合作、充分利用产业链一体化的生产能力及技术资源，提升公司在相关领域 的自主创新能力和研发水平， 巩固和保持公司产品和技术的领先地位， 取得较好成效。 截至 2020 年 6 月底，公司境内专利申请 2,648 项，PCT 国际专利申请 410 项，境 外专利申请 311 项；公司已获得授权并维持有效的专利共计 1,483 项，其中境内专利 1,303 项、境外专利 180 项。 报告期内，公司主要取得的研发成果如下： (1). 公司充分利用 IDM 模式优势和在功率器件领域雄厚的技术积累开展 SiC 功率器 件研发，向市场发布第一代 SiC 工业
44、级肖特基二极管(1200V、650V)系列产品， 国内首条6英寸商用SiC晶圆生产线正式量产。 产品可广泛应用于太阳能、 UPS、 充电桩、储能和车载电源等领域。 (2). 公司中低压功率 SGT MOSFET 产品实现关键核心技术突破，器件性能达到对标产 品的国际先进水平。 (3). 报告期内， 公司完成 5A-43A 系列化超结 MOS 器件产品的开发，多颗产品实现批 2020 年半年度报告 17 / 208 量生产。 (4). 公司向市场推出了 30V 系列新一代沟槽栅 MOS 产品，整体性能达到国内领先水 平。 (5). 公司多芯片封装集成 IPM 模块实现批量销售，同时向家电市场推出
45、多颗不同电 流和电压的系列化产品。 (6). 公司推出全新的 MOS 系列产品，该产品具有电流密度高、开关速度快、浪涌 能力强、制造成本低等多种优势，可以广泛用于 LED 电源、适配器、充电器等 领域。 (7). 公司自主研发的采用国产 32 位 CPU IP 的 MCU 产品实现客户导入，并持续开发 系列化产品方案。 (8). 公司成功推出适用于电动自行车、 平衡车的 7 节、 10 节硬件保护产品 PT6007B、 PT6010，并实现全系列硬件保护产品，支持铁锂电池应用。 (9). 公司完成光电高压可控硅成品平台研发，推出过零触发和随机相位触发等多颗 产品。 (10). 公司光电 MEMS 传感器工艺平台从 6 英寸升级到 8 英寸，实现批量生产；MEMS 硅麦克风工艺平台从 6 英寸升级到 8 英寸，首颗代表产品参数达标；整体提升 了公司 MEMS 工艺技术水平