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1、泓域咨询/嘉兴功率器件项目投资计划书嘉兴功率器件项目投资计划书xx（集团）有限公司目录第一章 市场分析7一、 功率半导体行业概述7二、 MOSFET器件概述8第二章 项目概述14一、 项目概述14二、 项目提出的理由16三、 项目总投资及资金构成19四、 资金筹措方案19五、 项目预期经济效益规划目标20六、 项目建设进度规划20七、 环境影响20八、 报告编制依据和原则20九、 研究范围22十、 研究结论23十一、 主要经济指标一览表23主要经济指标一览表24第三章 项目背景及必要性26一、 功率MOSFET的行业发展趋势26二、 中国半导体行业发展概况27三、 功率器件应用发展机遇28四、
2、 全面打造现代化高品质大城市，高水平建设城乡融合发展示范区33五、 创新驱动35第四章 建筑技术方案说明37一、 项目工程设计总体要求37二、 建设方案38三、 建筑工程建设指标39建筑工程投资一览表40第五章 建设方案与产品规划42一、 建设规模及主要建设内容42二、 产品规划方案及生产纲领42产品规划方案一览表43第六章 SWOT分析说明44一、 优势分析（S）44二、 劣势分析（W）45三、 机会分析（O）46四、 威胁分析（T）46第七章 法人治理52一、 股东权利及义务52二、 董事54三、 高级管理人员59四、 监事61第八章 项目进度计划63一、 项目进度安排63项目实施进度计划
3、一览表63二、 项目实施保障措施64第九章 节能可行性分析65一、 项目节能概述65二、 能源消费种类和数量分析66能耗分析一览表66三、 项目节能措施67四、 节能综合评价68第十章 劳动安全评价69一、 编制依据69二、 防范措施72三、 预期效果评价74第十一章 工艺技术说明75一、 企业技术研发分析75二、 项目技术工艺分析78三、 质量管理79四、 设备选型方案80主要设备购置一览表81第十二章 投资计划方案82一、 投资估算的依据和说明82二、 建设投资估算83建设投资估算表85三、 建设期利息85建设期利息估算表85四、 流动资金87流动资金估算表87五、 总投资88总投资及构成
4、一览表88六、 资金筹措与投资计划89项目投资计划与资金筹措一览表90第十三章 经济效益及财务分析91一、 基本假设及基础参数选取91二、 经济评价财务测算91营业收入、税金及附加和增值税估算表91综合总成本费用估算表93利润及利润分配表95三、 项目盈利能力分析96项目投资现金流量表97四、 财务生存能力分析99五、 偿债能力分析99借款还本付息计划表100六、 经济评价结论101第十四章 招标、投标102一、 项目招标依据102二、 项目招标范围102三、 招标要求103四、 招标组织方式103五、 招标信息发布107第十五章 总结分析108第十六章 补充表格110建设投资估算表110建设
5、期利息估算表110固定资产投资估算表111流动资金估算表112总投资及构成一览表113项目投资计划与资金筹措一览表114营业收入、税金及附加和增值税估算表115综合总成本费用估算表116固定资产折旧费估算表117无形资产和其他资产摊销估算表118利润及利润分配表118项目投资现金流量表119第一章 市场分析一、 功率半导体行业概述1、功率半导体介绍功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。近年来，随着国民经济的快速发展，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，市场规模呈现稳健增长态势
6、。功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类，其中功率分立器件主要包括功率二极管、晶闸管、高压晶体管、MOSFET、IGBT等产品。在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产
7、品大部分已实现国产化，而功率MOSFET特别是超级结MOSFET、IGBT等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。2、功率MOSFET的技术发展情况随着社会电气化程度的不断提高，功率器件的性能也需要不断提高以满足更高的要求。对于功率MOSFET而言，技术驱动的性能提升主要包括三个方面：更高的开关频率、更高的功率密度以及更低的功耗。为了实现更高的性能指标，功率器件主要经历了工艺进步、器件结构改进与使用宽禁带材料等几个方面的演进。在制造工艺上，线宽制程从10微米缩减至0.15-0.35微米，提升了功率器件的密度、品质因数（FOM）以及开关效率。在器件
8、结构改进方面，功率器件经历了平面（Planar）、沟槽（Trench）、超级结（SuperJunction）等器件结构的变化，进一步提高了器件的功率密度和工作频率。在材料方面，新兴的第三代半导体功率器件采用了碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)材料，进一步提升了器件的开关特性、降低了功耗，也改善了其高温特性。二、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球
9、MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体
10、行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。2019年，中国MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别
11、占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，因此在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技
12、术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增
13、加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测，2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MO
14、SFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长，全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019
15、年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目，被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域，IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在1700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率
16、为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十，市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚，未来进口替代空间巨大，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。第二章 项目概述一、 项目概述（一）项目基本情况1、项目名称：嘉兴功率器件项目2、承办单位名称：xx（集团）有限公司3、项目性质：扩建4、项目建设地点：xx园区5、项目联系人：蔡xx（二）主办单位基本情况展望未来，公司将围绕企业发展目标的实现，
17、在“梦想、责任、忠诚、一流”核心价值观的指引下，围绕业务体系、管控体系和人才队伍体系重塑，推动体制机制改革和管理及业务模式的创新，加强团队能力建设，提升核心竞争力，努力把公司打造成为国内一流的供应链管理平台。面对宏观经济增速放缓、结构调整的新常态，公司在企业法人治理机构、企业文化、质量管理体系等方面着力探索，提升企业综合实力，配合产业供给侧结构改革。同时，公司注重履行社会责任所带来的发展机遇，积极践行“责任、人本、和谐、感恩”的核心价值观。多年来，公司一直坚持坚持以诚信经营来赢得信任。经过多年的发展，公司拥有雄厚的技术实力，丰富的生产经营管理经验和可靠的产品质量保证体系，综合实力进一步增强。公
18、司将继续提升供应链构建与管理、新技术新工艺新材料应用研发。集团成立至今，始终坚持以人为本、质量第一、自主创新、持续改进，以技术领先求发展的方针。公司自成立以来，坚持“品牌化、规模化、专业化”的发展道路。以人为本，强调服务，一直秉承“追求客户最大满意度”的原则。多年来公司坚持不懈推进战略转型和管理变革，实现了企业持续、健康、快速发展。未来我司将继续以“客户第一，质量第一，信誉第一”为原则，在产品质量上精益求精，追求完美，对客户以诚相待，互动双赢。（三）项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xx园区，占地面积约18.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条
19、件完备，非常适宜本期项目建设。（四）产品规划方案根据项目建设规划，达产年产品规划设计方案为：xx件功率器件/年。二、 项目提出的理由2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。经济实力走向全省前列。全市地区生产总值突破5500亿元，财政总收入突破1000亿元，规上工业总产值突破10000亿元，在全省和长三角城市群的位次持续上升。常住人口有望突破500万人，增量居全省第三，人均地区生产总值突破
20、10万元。工业规模和质量实现双提升，一批总投资百亿级标志性项目相继落户，两次列入办公厅促进工业稳增长和转型升级成效明显市。国家高新技术企业和省科技型中小企业总数突破6000家，上市公司和总市值分别突破65家、6000亿元。创新要素资源加速集聚。积极争取科技金融试点，全方位推进G60科创走廊嘉兴段建设，实施创新驱动发展战略的使命感明显增强。大院名校加速集聚，浙江大学国际联合学院（海宁校区）建成启用，浙江清华柔电院、未来技术研究院、南湖研究院、南湖实验室等一批高能级创新载体相继落地。嘉兴学院“创大”工作持续推进，普通高校（含校区）达到10所，在校学生达到7.79万人。嘉善县、嘉兴南湖高新技术产业园
21、区荣获国家双创示范基地。大力实施人才新政、科技新政，人才规模快速扩张，企业创新主体地位进一步确立。改革开放迈出新步伐。以“最多跑一次”改革为牵引，深化政府数字化转型，打造长三角营商环境最优城市。实施户籍新政，深化要素配置市场化改革，大力推动开发区（园区）整合提升。以“一带一路”为统领，对外开放水平明显提高，入围中国（浙江）自由贸易试验区联动创新区，获批国家跨境电商综合试验区，嘉兴港首次进入全球百强港。确立全面融入长三角一体化发展首位战略，嘉善县整体纳入长三角生态绿色一体化发展示范区，杭嘉、嘉湖、甬嘉一体化加快推进，海宁杭海新区建设成效明显，浙江省全面接轨上海示范区建设取得实质性进展。交通枢纽地
22、位初步确立，通苏嘉甬、嘉兴至枫南、嘉善至西塘、沪平城际等铁路前期有序推进，杭海城际铁路基本建成，嘉绍通道、杭州湾跨海大桥北接线（二期）建成通车，京杭运河嘉兴段等航道改造工程基本建成。城乡区域协调发展。深入实施中心城市品质提升工程，积极打造以南湖为核心的文化中心和以高铁新城为核心的商务中心，城市快速路、有轨电车等重大项目建设有序推进，“九水连心”景观水系概念初步形成。城镇化步伐不断加快，常住人口城镇化率突破65%。深入实施乡村振兴战略，国家城乡融合发展试验区建设取得初步成果，秀洲试点先行启动。全面完成全国农村集体产权制度改革整市试点任务，成为浙江省首个村级年经常性收入超百万元全覆盖的地市。现代化
23、网络型田园城市基本建成，成为全省唯一强化市域统筹、推进市域一体化改革试点市。生态建设打了翻身仗。持续深入开展水、气、废等系列共治，全面启动国家生态文明建设示范市创建，大力推进全域大花园建设，“绿水青山就是金山银山”理念在嘉兴得到生动实践。推进省级以上园区循环化改造，省级资源循环利用示范城市（基地）试点基本实现全覆盖。实施河（湖）长制，鼓励市民参与环境治理，美丽河湖建设和水系综合整治持续推进，河流类及以上水质的市控断面占比升至91.8%，劣五类水质断面实现清零，成功捧得“大禹鼎”。市区PM2.5浓度下降到28微克/立方米，跨入达标城市行列。实行固废闭环管理，处置能力明显提升，基本实现“危险废物不
24、出市、一般固废不出县”。生活垃圾分类广泛开展，禁限塑工作有序推进，生态文明理念广为传播和践行。治理体系不断健全。创新基层治理体制机制，自治、法治、德治“三治融合”写入党的十九大报告并在全国推广。新时代“网格连心、组团服务”持续深化，一体化社会治理综合指挥服务体系率先建成。深入开展扫黑除恶专项斗争，首获综治领域最高奖项“长安杯”。平安创建持续推进，荣获首批一星平安金鼎。全国市域社会治理现代化试点扎实推进。网络综合治理体系不断健全，管网、治网和用网能力持续提升。加快社会信用体系建设，城市信用水平保持全国地级市前列。“法治嘉兴”建设更加深入，重点领域地方立法不断加强，合法性审查制度有效落实。民主法治
25、村（社区）创建工作位居全省前列。持续推进文明城市创建，实现全国文明城市“四连冠”和省文明县（市、区）全覆盖。全国双拥模范城实现“四连冠”。推进新型智慧城市标杆市建设，桐乡成为全国首个建成国际互联网数据专用通道的县级市。三、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资7506.92万元，其中：建设投资6209.64万元，占项目总投资的82.72%；建设期利息88.07万元，占项目总投资的1.17%；流动资金1209.21万元，占项目总投资的16.11%。四、 资金筹措方案（一）项目资本金筹措方案项目总投资7506.92万元，根据资金筹措方案
26、，xx（集团）有限公司计划自筹资金（资本金）3912.06万元。（二）申请银行借款方案根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额3594.86万元。五、 项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入（SP）：13500.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：11385.84万元。3、项目达产年净利润（NP）：1539.59万元。4、财务内部收益率（FIRR）：14.28%。5、全部投资回收期（Pt）：6.46年（含建设期12个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：6184.53万元（产值）。六、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需12个月的时
27、间。七、 环境影响本项目污染物主要为废水、废气、噪声和固废等，通过污染防治措施后，各污染物均可达标排放，并且保持相应功能区要求。本项目符合各项政策和规划，本项目各种污染物采取治理措施后对周围环境影响较小。从环境保护角度，本项目建设是可行的。八、 报告编制依据和原则（一）编制依据1、国民经济和社会发展第十三个五年计划纲要；2、投资项目可行性研究指南；3、相关财务制度、会计制度；4、投资项目可行性研究指南；5、可行性研究开始前已经形成的工作成果及文件；6、根据项目需要进行调查和收集的设计基础资料；7、可行性研究与项目评价；8、建设项目经济评价方法与参数；9、项目建设单位提供的有关本项目的各种技术资
28、料、项目方案及基础材料。（二）编制原则1、项目建设必须遵循国家的各项政策、法规和法令，符合国家产业政策、投资方向及行业和地区的规划。2、采用的工艺技术要先进适用、操作运行稳定可靠、能耗低、三废排放少、产品质量好、安全卫生。3、以市场为导向，以提高竞争力为出发点，产品无论在质量性能上，还是在价格上均应具有较强的竞争力。4、项目建设必须高度重视环境保护、工业卫生和安全生产。环保、消防、安全设施和劳动保护措施必须与主体装置同时设计，同时建设，同时投入使用。污染物的排放必须达到国家规定标准，并保证工厂安全运行和操作人员的健康。5、将节能减排与企业发展有机结合起来，正确处理企业发展与节能减排的关系，以企
29、业发展提高节能减排水平，以节能减排促进企业更好更快发展。6、按照现代企业的管理理念和全新的建设模式进行规划建设，要统筹考虑未来的发展，为今后企业规模扩大留有一定的空间。7、以经济救益为中心，加强项目的市场调研。按照少投入、多产出、快速发展的原则和项目设计模式改革要求，尽可能地节省项目建设投资。在稳定可靠的前提下，实事求是地优化各成本要素，最大限度地降低项目的目标成本，提高项目的经济效益，增强项目的市场竞争力。8、以科学、实事求是的态度，公正、客观的反映本项目建设的实际情况，工程投资坚持“求是、客观”的原则。九、 研究范围投资必要性：主要根据市场调查及分析预测的结果，以及有关的产业政策等因素，论
30、证项目投资建设的必要性；技术的可行性：主要从事项目实施的技术角度，合理设计技术方案，并进行比选和评价；财务可行性：主要从项目及投资者的角度,设计合理财务方案,从企业理财的角度进行资本预算，评价项目的财务盈利能力，进行投资决策，并从融资主体的角度评价股东投资收益、现金流量计划及债务清偿能力；组织可行性：制定合理的项目实施进度计划、设计合理组织机构、选择经验丰富的管理人员、建立良好的协作关系、制定合适的培训计划等，保证项目顺利执行；经济可行性：主要是从资源配置的角度衡量项目的价值，评价项目在实现区域经济发展目标、有效配置经济资源、增加供应、创造就业、改善环境、提高人民生活等方面的效益；风险因素及对
31、策：主要是对项目的市场风险、技术风险、财务风险、组织风险、法律风险、经济及社会风险等因素进行评价，制定规避风险的对策，为项目全过程的风险管理提供依据。十、 研究结论本期项目技术上可行、经济上合理，投资方向正确，资本结构合理，技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。十一、 主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积12000.00约18.00亩1.1总建筑面积19712.941.2基底面积7560.001.3投资强度万元/亩327.302总投资万元7506.922.1建设投资万元6209.642.1.1工程费用万元5304.
32、502.1.2其他费用万元759.222.1.3预备费万元145.922.2建设期利息万元88.072.3流动资金万元1209.213资金筹措万元7506.923.1自筹资金万元3912.063.2银行贷款万元3594.864营业收入万元13500.00正常运营年份5总成本费用万元11385.846利润总额万元2052.797净利润万元1539.598所得税万元513.209增值税万元511.4210税金及附加万元61.3711纳税总额万元1085.9912工业增加值万元3915.4213盈亏平衡点万元6184.53产值14回收期年6.4615内部收益率14.28%所得税后16财务净现值万元7
33、32.79所得税后第三章 项目背景及必要性一、 功率MOSFET的行业发展趋势1、工艺进步、器件结构改进所带来的变化采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能，从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进，当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此，高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围，实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断
34、扩大市场应用领域的趋势。具体而言，沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET；屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET；超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓，具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点，在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先，由于新能源汽车、5G等新技术的应用及需求迅速增加，第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高温下更好的表现，SiCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。根据Yole的数据，2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元
35、，预计到2025年将增长至15.53亿美元，复合增长率为38%。第三代半导体材料仍然处于产业化起步阶段，国内已发布多个政策积极推进第三代半导体行业的发展，例如2019年国务院发布长江三角洲区域一体化发展规划纲要，提出要加快培育一批第三代半导体企业。2、功率器件集成化趋势除了MOSFET功率器件在结构及工艺方面的优化外，终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂；在小功率应用场景中，功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体
36、积。目前，工业领域仍是功率模块的主要应用领域。随着新能源汽车、5G技术的兴起，功率器件模块化趋势将愈发显著。根据Omdia预测，2020-2024年分立器件市场增速为2.8%，而功率模块市场增速为9.2%，高于分立器件市场增速。二、 中国半导体行业发展概况我国本土半导体行业起步较晚。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下，中国半导体行业不断发展。步入21世纪以来，我国半导体产业市场规模得到快速增长。2020年，中国半导体产业市场规模达8,848亿元，比上年增长17.01%。2013-2020年中国半导体市场规模的复合增长率达19.73%，显著高于同期世界半导体市场的增速。随着近年国家集成
37、电路产业发展推进纲要中国制造2025国家信息化发展战略纲要等重要文件的出台，以及社会各界对半导体行业的发展、产业链重构的日益重视，我国半导体行业正站在国产化的起跑线上。随着5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技逐渐走向产业化，未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期，逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。在贸易摩擦等宏观环境不确定性增加的背景下，加速进口替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度，中国半导体行业发展迎来了历史性的机遇。三、 功率器件应用发展机遇受益于新能源汽车和5G产业的高速发展，充电桩、5G通讯基站及车规级等市场对于高性能功率
38、器件的需求将不断增加，高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。1、充电桩（1）发展机遇2020年，充电桩被列入国家七大“新基建”领域之一。2020年5月两会期间，政府工作报告中强调“建设充电桩，推广新能源汽车，激发新消费需求、助力产业升级”。公安部交通管理局公布数据显示，截至2020年6月新能源汽车保有量有417万辆，与2019年年底相比增加36万辆，增长率达到9.45%。伴随新能源汽车保有量的高速增长，新能源充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长，截止2019年12月，全国充电基础设施累计数量为121.9万个，其中公共桩51.6万个，私人桩70.
39、3万个，充电场站建设数量达到3.6万座。公共充电桩由政府机关等具有公共服务性质的机构置办，服务对象面向所有电动汽车车主。2015年至2019年，全国公共充电桩的数量由5.8万个增长至51.6万个，复合年增长率达到了72.9%。近几年来，我国充电站同样有快速发展，充电站保有量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座，复合年增长率为140.64%。充电站密度越来越高，电动汽车车主充电便利性也得到了大幅改善。“新基建”对充电桩的建设驱动主要在以下几方面：驱动公共桩建设提质且区域均衡发展，直流桩占比将持续提升，省份间差异有望缩小。推动优质场站建设，完善配套设施申报流程办理。推动小区、
40、商场等停车位充电桩建设。促进对运营商的建设与充电运营流程支持。（2）超级结MOSFET功率器件迎来快速发展机遇充电桩按充电能力分类，以处理不同的用例场景。公共充电桩包括交流桩和直流桩，交流充电桩需要借助车载充电机，充电速度较慢，一辆纯电动汽车（普通电池容量）完全放电后通过交流充电桩充满通常需要8个小时。直流充电桩俗称“快充”，固定安装在电动汽车外，与交流电网连接，通常仅需要不到2-3小时即可将一辆纯电动汽车电池充满。目前我国公共交流桩主要分为单相交流桩和三相交流桩。单相交流桩的建设更广泛，对应的充电功率分为3.5kW和7kW，其中，公共交流桩充电功率以7kW为主。三相交流桩的主要功率为21kW
41、、40kW和80kW，但整体数量较少。从2016-2019年新增公共交流桩平均功率来看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流桩主要使用三相维也纳输入整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的领先解决方案使用了超级结MOSFET。公共直流充电桩一般输入电压为380V。根据2016-2019年新增公共直流桩平均功率数据，公共直流桩充电功率在逐渐提高。其中2017年上涨幅度最大，从69.23kW提高到91.65kW，而到了2019年虽然维持上涨趋势，但由于目前市场的公共直流桩充电功率已经基本上能够满足电动汽车的充电需求，故2019年新增公共直流桩平
42、均充电功率小幅提高，达到115.76kW。预计未来新增的公共直流桩充电功率普遍在120kW左右。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计，100kW的充电桩需要功率器件价值量在200-300美元，预计随着充电桩的不断建设，功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展
43、机遇。 2、5G基站（1）5G建设规模2020年12月15日在2021中国信通院ICT+深度观察报告会上，工业和信息化部发言人指出，中国已累计建成5G基站71.8万个，推动共建共享5G基站33万个。2020年12月28日，工信部部长肖亚庆在2021年全国工业和信息化工作会议上表示，2021年将有序推进5G网络建设及应用，加快主要城市5G覆盖，推进共建共享，新建5G基站60万个以上。（2）5G基站拉动功率半导体需求5G建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1）5G基站功率更高、建设更为密集，带来更大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；以及4）云计
44、算拉动计算用功率半导体用量。MIMO即多进多出，指在发送端和接收端都使用多根天线、在收发之间构成多个信道的天线系统，可以极大地提高信道容量。MassiveMIMO即大规模天线，可以在不增加频谱资源和天线发送功率的情况下，提升系统信道容量和信号覆盖范围。数量上，传统网络天线的通道数为2/4/8个，而MassiveMIMO通道数可以达到64/128/256个。信号覆盖维度上，传统MIMO为2D覆盖，信号只能在水平方向移动，不能在垂直方向移动，类似与平面发射。而MassiveMIMO的信号辐射状是电磁波束，可以利用垂直维度空域。5G网络主要部署在高频频段，即毫米波频段（mmWave）。因接收功率与波
45、长的平方成正比，毫米波的信号衰减严重，而发射功率又受到限制，所以5G网络部署需要增加发射天线和接收天线的数量，使用MassiveMIMO技术。根据英飞凌的统计，传统MIMO天线需要的功率半导体价值大约为25美元，而过渡为MassvieMIMO天线阵列后，所需的MOSFET等功率半导体价值增加至100美元，达到原来的4倍。与云计算相比，雾计算所采用的架构呈分布式，更接近网络边缘。雾计算将数据、数据处理和应用程序集中在网络边缘的设备中，数据的存储及处理更依赖本地设备，本地运算设备的增加带动MOSFET用量提升。四、 全面打造现代化高品质大城市，高水平建设城乡融合发展示范区顺应县域经济向城市经济、都
46、市区经济转型趋势，全面对接全省大都市区建设，坚定不移走以人为核心的新型城镇化道路，着力提升城市能级，深化实施城乡融合发展战略，推动中心城市、县级城区、新市镇和美丽乡村的合理布局、协调发展，成为乡村振兴示范地、统筹城乡一体化发展典范、现代品质城市经典。（一）以高铁新城为引领打造现代化高品质大城市。建设现代化国际范高铁新城。强化嘉兴高铁新城与上海虹桥商务区的双节点定位，努力成为虹桥国际开放枢纽副中心。对标国际最先进理念，强化站城一体设计，集聚发展科技办公、高端研发、医疗健康、会议会展、数字经济等多种业态，高水平规划建设产城高度融合的现代化未来新城。突出高铁新城示范引领，加强与嘉善高铁新城区、桐乡高铁新城等城市新兴增长极和平湖九龙山、海盐南北湖风景区、海宁盐官音乐小镇、桐乡乌镇等的协同联动，加强优势功能集成，带动市域整体发展。（二）建设美丽宜居镇村体系优化镇村规划布局。强化城乡一体化规划设计，科学安排农田保护、生态涵养、城镇建设、村落分布等空间布局，统筹推进产业发展和基础设施、公共服务等建设。综合村庄自然演变规律、人口结构、集聚特点和现状分布，编制多规合一的村庄规划，优化和适度减少村庄布点。完善镇村建筑设计标准体系，加强镇村规划设计、项目建设运营等专业人才队伍建设，提升镇村规划建