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1、泓域咨询/榆林碳化硅衬底设备项目商业计划书榆林碳化硅衬底设备项目商业计划书xx集团有限公司目录第一章 总论9一、 项目定位及建设理由9二、 项目名称及建设性质9三、 项目承办单位9四、 项目建设选址11五、 项目生产规模11六、 建筑物建设规模11七、 项目总投资及资金构成11八、 资金筹措方案12九、 项目预期经济效益规划目标12十、 项目建设进度规划13十一、 项目综合评价13主要经济指标一览表13第二章 背景及必要性16一、 大尺寸大势所趋，衬底是SiC产业化降本的核心16二、 竞争格局：国内外差距逐步缩小，国产替代可期17三、 SiC衬底设备：与传统晶硅差异较小，工艺调教为核心壁垒19
2、四、 促进区域协调发展20五、 精准施策稳实体20六、 项目实施的必要性21第三章 公司基本情况22一、 公司基本信息22二、 公司简介22三、 公司竞争优势23四、 公司主要财务数据24公司合并资产负债表主要数据25公司合并利润表主要数据25五、 核心人员介绍25六、 经营宗旨27七、 公司发展规划27第四章 市场分析29一、 新能源车带来百亿级市场空间，光伏逆变器应用前景可期29二、 第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越31三、 衬底为技术壁垒最高环节，价值量占比46%32第五章 创新发展34一、 企业技术研发分析34二、 项目技术工艺分析36三、 质量管理38四、 创新发展总
3、结39第六章 运营模式分析40一、 公司经营宗旨40二、 公司的目标、主要职责40三、 各部门职责及权限41四、 财务会计制度44第七章 SWOT分析说明52一、 优势分析（S）52二、 劣势分析（W）53三、 机会分析（O）54四、 威胁分析（T）54第八章 法人治理60一、 股东权利及义务60二、 董事63三、 高级管理人员68四、 监事71第九章 发展规划分析74一、 公司发展规划74二、 保障措施75第十章 建设内容与产品方案78一、 建设规模及主要建设内容78二、 产品规划方案及生产纲领78产品规划方案一览表78第十一章 项目风险分析81一、 项目风险分析81二、 公司竞争劣势86第
4、十二章 建设进度分析87一、 项目进度安排87项目实施进度计划一览表87二、 项目实施保障措施88第十三章 建筑工程可行性分析89一、 项目工程设计总体要求89二、 建设方案89三、 建筑工程建设指标90建筑工程投资一览表91第十四章 投资方案分析93一、 投资估算的编制说明93二、 建设投资估算93建设投资估算表95三、 建设期利息95建设期利息估算表96四、 流动资金97流动资金估算表97五、 项目总投资98总投资及构成一览表98六、 资金筹措与投资计划99项目投资计划与资金筹措一览表100第十五章 项目经济效益102一、 基本假设及基础参数选取102二、 经济评价财务测算102营业收入、
5、税金及附加和增值税估算表102综合总成本费用估算表104利润及利润分配表106三、 项目盈利能力分析107项目投资现金流量表108四、 财务生存能力分析110五、 偿债能力分析110借款还本付息计划表111六、 经济评价结论112第十六章 总结分析113第十七章 附表附录115建设投资估算表115建设期利息估算表115固定资产投资估算表116流动资金估算表117总投资及构成一览表118项目投资计划与资金筹措一览表119营业收入、税金及附加和增值税估算表120综合总成本费用估算表121固定资产折旧费估算表122无形资产和其他资产摊销估算表123利润及利润分配表123项目投资现金流量表124报告说
6、明据CASAResearch数据，2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的占比为10%，预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%，2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年（2020-2030年）10倍大赛道，预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW，CAGR达24%-26%；全球新增装机需求达1246-1491GW，CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大，产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理，2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产，主要为衬底产能的扩张，其
7、中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划，分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。根据谨慎财务估算，项目总投资13706.21万元，其中：建设投资10848.25万元，占项目总投资的79.15%；建设期利息112.04万元，占项目总投资的0.82%；流动资金2745.92万元，占项目总投资的20.03%。项目正常运营每年营业收入24100.00万元，综合总成本费用19163.99万元，净利润3608.12万元，财务内部收益率19.68%，财务净现值4573.09万元，全部投资回收期5.77年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，
8、投资回收期合理。通过分析，该项目经济效益和社会效益良好。从发展来看公司将面向市场调整产品结构，改变工艺条件以高附加值的产品代替目前产品的产业结构。本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 总论一、 项目定位及建设理由相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器
9、件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。二、 项目名称及建设性质（一）项目名称榆林碳化硅衬底设备项目（二）项目建设性质本项目属于新建项目三、 项目承办单位（一）项目承办单位名称xx集团有限公司（二）项目联系人覃xx（三）项目建设单位概况公司始终坚持“人本、诚信、创新、共赢”的经营理念，以“市场为导向、顾客为中心”的企业服务宗旨，竭诚为国内外客户提供优质产品和一流服务，欢迎各界人士光临指导和洽谈业务。公司全面推行“政府、市场、投资、消费、经营、企业”六位一体合作共赢
10、的市场战略，以高度的社会责任积极响应政府城市发展号召，融入各级城市的建设与发展，在商业模式思路上领先业界，对服务区域经济与社会发展做出了突出贡献。 公司自成立以来，坚持“品牌化、规模化、专业化”的发展道路。以人为本，强调服务，一直秉承“追求客户最大满意度”的原则。多年来公司坚持不懈推进战略转型和管理变革，实现了企业持续、健康、快速发展。未来我司将继续以“客户第一，质量第一，信誉第一”为原则，在产品质量上精益求精，追求完美，对客户以诚相待，互动双赢。企业履行社会责任，既是实现经济、环境、社会可持续发展的必由之路，也是实现企业自身可持续发展的必然选择；既是顺应经济社会发展趋势的外在要求，也是提升企
11、业可持续发展能力的内在需求；既是企业转变发展方式、实现科学发展的重要途径，也是企业国际化发展的战略需要。遵循“奉献能源、创造和谐”的企业宗旨，公司积极履行社会责任，依法经营、诚实守信，节约资源、保护环境，以人为本、构建和谐企业，回馈社会、实现价值共享，致力于实现经济、环境和社会三大责任的有机统一。公司把建立健全社会责任管理机制作为社会责任管理推进工作的基础，从制度建设、组织架构和能力建设等方面着手，建立了一套较为完善的社会责任管理机制。四、 项目建设选址本期项目选址位于xx（以选址意见书为准），占地面积约32.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件
12、完备，非常适宜本期项目建设。五、 项目生产规模项目建成后，形成年产xxx套碳化硅设备的生产能力。六、 建筑物建设规模本期项目建筑面积37544.88，其中：生产工程24469.12，仓储工程7282.59，行政办公及生活服务设施3390.22，公共工程2402.95。七、 项目总投资及资金构成（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资13706.21万元，其中：建设投资10848.25万元，占项目总投资的79.15%；建设期利息112.04万元，占项目总投资的0.82%；流动资金2745.92万元，占项目总投资的20.03%。（二）建
13、设投资构成本期项目建设投资10848.25万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用9648.09万元，工程建设其他费用950.89万元，预备费249.27万元。八、 资金筹措方案本期项目总投资13706.21万元，其中申请银行长期贷款4572.90万元，其余部分由企业自筹。九、 项目预期经济效益规划目标（一）经济效益目标值（正常经营年份）1、营业收入（SP）：24100.00万元。2、综合总成本费用（TC）：19163.99万元。3、净利润（NP）：3608.12万元。（二）经济效益评价目标1、全部投资回收期（Pt）：5.77年。2、财务内部收益率：19.68%。3、财务净
14、现值：4573.09万元。十、 项目建设进度规划本期项目按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设，本期项目建设期限规划12个月。十一、 项目综合评价本项目生产线设备技术先进，即提高了产品质量，又增加了产品附加值，具有良好的社会效益和经济效益。本项目生产所需原料立足于本地资源优势，主要原材料从本地市场采购，保证了项目实施后的正常生产经营。综上所述，项目的实施将对实现节能降耗、环境保护具有重要意义，本期项目的建设，是十分必要和可行的。主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积21333.00约32.00亩1.1总建筑面积37544.881.2基底面积13653.121.3投资强度
15、万元/亩328.152总投资万元13706.212.1建设投资万元10848.252.1.1工程费用万元9648.092.1.2其他费用万元950.892.1.3预备费万元249.272.2建设期利息万元112.042.3流动资金万元2745.923资金筹措万元13706.213.1自筹资金万元9133.313.2银行贷款万元4572.904营业收入万元24100.00正常运营年份5总成本费用万元19163.996利润总额万元4810.837净利润万元3608.128所得税万元1202.719增值税万元1043.1710税金及附加万元125.1811纳税总额万元2371.0612工业增加值万元
16、8114.7013盈亏平衡点万元9529.51产值14回收期年5.7715内部收益率19.68%所得税后16财务净现值万元4573.09所得税后第二章 背景及必要性一、 大尺寸大势所趋，衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中，衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右，数倍于传统硅基半导体，核心降本方式包括：提升材料使用率（向大尺寸发展）、降低制造成本（提升良率）、提升生产效率（更成熟的长晶工艺）。（一）提升材料使用率（向大尺寸发展）目前行业内公司主要量产产品尺寸
17、集中在4英寸（半绝缘型）及6英寸（导电型）。行业龙头美国科锐（已改名Wolfspeed）已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低（6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍）。衬底的尺寸越大，边缘的浪费就越小，有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时，随着晶体尺寸的扩大，其生长难度工艺呈几何级增长。（二）降低制造成本（提升良率）长晶端：SiC包含200多种同质异构结构的晶型，但只有4H型（4H-SiC）等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内（类似黑匣子），极易发生不同晶型的转化，任意生长条件的波动都会影响晶体的生长
18、、参数很难精确调控，很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右（传统硅基在90%以上），有较大提升空间。机加工端：碳化硅硬度与金刚石接近（莫氏硬度达9.5），切割、研磨、抛光技术难度大，工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右，仍有提升空间。（三）提升生产效率（更成熟的长晶工艺）SiC长晶的速度极为缓慢，行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm，较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺（如液相法）的延伸。二、 竞争格局：国内外差距逐步缩小，国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局：海外龙头垄断、实现6
19、英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。（一）导电型SiC衬底全球市场：美国科锐公司（Wolfspeed）占据了60%以上的市场份额，基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括：美国二六（II-VI）、德国SiCrystalAG、道康宁（DowCorning）、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司：总体处于发展初期，主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年，天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。（二）半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐（WOLFSPEED）、贰
20、陆公司（II-VI）依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三，2020年市占率达30%。国内外差距缩小，进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早，各尺寸量产推出时间方面，国内与全球行业龙头企业存在差距：以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例，在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右，SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体，国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中，可观察到国内企业已迎头赶上，国内外差距正在缩小（举例：天岳6英寸衬底与龙头量产
21、时间差距已小于4英寸，预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小）。目前海外龙头已向8吋发力（下游客户车规级为主），国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力（下游客户工业级为主）。三、 SiC衬底设备：与传统晶硅差异较小，工艺调教为核心壁垒SiC衬底设备主要包括：长晶炉、切片机、研磨机、抛光机、清洗设备等。与传统传统晶硅设备具相通性、但工艺难度更高，设备+工艺合作研发是关键。长晶炉：主要由衬底制造厂商自研开发，可基本实现国产化（与传统晶硅级长晶炉有相同性，炉子结构不是非常复杂），市场没有形成商业性的独立第三方企业。因为长晶环节主要用的PVT（物理气相传输）的技术路线，温度很高，不
22、可实施监控，难点不在设备本身，而是在工艺本身。因为基本上每家衬底厂商工艺不一样，也是各家的核心机密所在，只有衬底制造企业内部通过对“设备+工艺”合作研发效率更高。主要设备厂商包括：Wolfspeed,Aymont,Aixtron，LHT，中国电科二所，山东天岳，天科合达，中科院硅酸盐所，中国电科四十六所等。切片机：碳化硅的切割和传统硅的切割方式相似，但因为碳化硅属于硬质材料（莫氏硬度达9.5，除金刚石以外世界上第二硬的材料），切割难度非常大，切一刀可能需几百个小时，对系统设备的稳定性很高，国内设备很难满足这个要求。目前日本高鸟的切片机设备（金刚石多线切割机）占据80%以上市场份额。其他公司包括
23、MeryerBurger、NTC、中国电科四十五所、湖南宇晶、苏州郝瑞特等。研磨、抛光、SMT设备：和传统硅机台基本类似，主要差别在于研磨盘和研磨液。国内外主要企业包括：日本不二越、韩国NTS、美国斯德堡、中电科四十五所、湖南宇晶、苏州赫瑞特等。四、 促进区域协调发展高质量完成市县两级国土空间规划编制，设立市域协调发展专项资金，建立跨区域生态补偿、要素调配、差别化考核机制。加快榆横一体化，稳步推进佳县撤县设区、靖边和绥德撤县设市，支持定边、绥德开展省级县域经济发展试点，支持南部县区发展“飞地经济”。推进区域重大基础设施建设，建成靖边、神木通用机场，力争府谷、定边民用机场开工；加快佳米高速、大锦
24、高速、清汾高速、G338府谷过境线、G20子洲县城段南迁等项目前期工作，建成靖边县城东过境等国省干道；加快黄河东线引水、蒋家窑则水库、王圪堵水库靖边供水工程建设，推进西线引黄充水管网提升改造，确保“绥米子”三县供水工程4月底通水到户。五、 精准施策稳实体全面执行中省稳岗返还、阶段性税收减免、贷款延期还本付息等优惠政策，开展政策兑现专项行动，适时出台援企惠企新措施，对冲中省政策退坡影响。强化重点行业企业监测调度，原煤产量保持正增长，原油、天然气、发电量分别达到1050万吨、240亿方和1360亿度以上。推广中小企业融资服务平台，完善尽职免责机制，解决政府性融资担保公司不愿担保、不敢担保问题；修订
25、金融机构考核办法，引导银行加大信贷投放。加强新生代企业家培育。各级干部要大胆与企业家交朋友，亲而有度、清而有为，为企业办实事、解难题。六、 项目实施的必要性（一）提升公司核心竞争力项目的投资，引入资金的到位将改善公司的资产负债结构，补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力，降低公司财务费用水平，提升公司盈利能力，促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持，提高公司核心竞争力。第三章 公司基本情况一、 公司基本信息1、公司名称：xx集团有限公司2、法定代表人：覃xx3、注册资本：570万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxx
26、x5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2010-6-237、营业期限：2010-6-23至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事碳化硅设备相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介公司自成立以来，坚持“品牌化、规模化、专业化”的发展道路。以人为本，强调服务，一直秉承“追求客户最大满意度”的原则。多年来公司坚持不懈推进战略转型和管理变革，实现了企业持续、健康、快速发展。未来我司将继续以“客户第一，质量第一，信誉第一”为原则，在产品质
27、量上精益求精，追求完美，对客户以诚相待，互动双赢。企业履行社会责任，既是实现经济、环境、社会可持续发展的必由之路，也是实现企业自身可持续发展的必然选择；既是顺应经济社会发展趋势的外在要求，也是提升企业可持续发展能力的内在需求；既是企业转变发展方式、实现科学发展的重要途径，也是企业国际化发展的战略需要。遵循“奉献能源、创造和谐”的企业宗旨，公司积极履行社会责任，依法经营、诚实守信，节约资源、保护环境，以人为本、构建和谐企业，回馈社会、实现价值共享，致力于实现经济、环境和社会三大责任的有机统一。公司把建立健全社会责任管理机制作为社会责任管理推进工作的基础，从制度建设、组织架构和能力建设等方面着手，
28、建立了一套较为完善的社会责任管理机制。三、 公司竞争优势（一）公司具有技术研发优势，创新能力突出公司在研发方面投入较高，持续进行研究开发与技术成果转化，形成企业核心的自主知识产权。公司产品在行业中的始终保持良好的技术与质量优势。此外，公司目前主要生产线为使用自有技术开发而成。（二）公司拥有技术研发、产品应用与市场开拓并进的核心团队公司的核心团队由多名具备行业多年研发、经营管理与市场经验的资深人士组成，与公司利益捆绑一致。公司稳定的核心团队促使公司形成了高效务实、团结协作的企业文化和稳定的干部队伍，为公司保持持续技术创新和不断扩张提供了必要的人力资源保障。（三）公司具有优质的行业头部客户群体公司
29、凭借出色的技术创新、产品质量和服务，树立了良好的品牌形象，获得了较高的客户认可度。公司通过与优质客户保持稳定的合作关系，对于行业的核心需求、产品变化趋势、最新技术要求的理解更为深刻，有利于研发生产更符合市场需求产品，提高公司的核心竞争力。（四）公司在行业中占据较为有利的竞争地位公司经过多年深耕，已在技术、品牌、运营效率等多方面形成竞争优势；同时随着行业的深度整合，行业集中度提升，下游客户为保障其自身原材料供应的安全与稳定，在现有竞争格局下对于公司产品的需求亦不断提升。公司较为有利的竞争地位是长期可持续发展的有力支撑。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年
30、12月2018年12月资产总额5920.534736.424440.40负债总额3323.262658.612492.45股东权益合计2597.272077.821947.95公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入12086.919669.539065.18营业利润2849.712279.772137.28利润总额2486.771989.421865.08净利润1865.081454.761342.86归属于母公司所有者的净利润1865.081454.761342.86五、 核心人员介绍1、覃xx，中国国籍，无永久境外居留权，1961年出生，本科学历，高级工程师
31、。2002年11月至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事。2、覃xx，中国国籍，1977年出生，本科学历。2018年9月至今历任公司办公室主任，2017年8月至今任公司监事。3、江xx，中国国籍，无永久境外居留权，1970年出生，硕士研究生学历。2012年4月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。4、何xx，中国国籍，无永久境外居留权，1971年出生，本科学历，中级会计师职称。2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司财务经理。2017年3月至今任公司董事、副总经理、财务总监。5、王xx，中国
32、国籍，无永久境外居留权，1959年出生，大专学历，高级工程师职称。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技术顾问；2004年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任公司董事、副总经理、总工程师。6、于xx，中国国籍，1978年出生，本科学历，中国注册会计师。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司独立董事。7、汪xx，中国国籍，1976年出生，本科学历。2003年5月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司执行董事、总经
33、理；2004年4月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理。2018年3月起至今任公司董事长、总经理。8、袁xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958年出生，本科学历，高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长；2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理；2019年3月至今任公司董事。六、 经营宗旨凭借专业化、集约化的经营策略，发挥公司各方面的优势，创造良好的经济效益，为全体股东提供满意的经济回报。七、 公司发展规划根据公司的发展规划，未来几年内公司的资产规模、业务规模、人员规模、资金运用规模都
34、将有较大幅度的增长。随着业务和规模的快速发展，公司的管理水平将面临较大的考验，尤其在公司迅速扩大经营规模后，公司的组织结构和管理体系将进一步复杂化，在战略规划、组织设计、资源配置、营销策略、资金管理和内部控制等问题上都将面对新的挑战。另外，公司未来的迅速扩张将对高级管理人才、营销人才、服务人才的引进和培养提出更高要求，公司需进一步提高管理应对能力，才能保持持续发展，实现业务发展目标。公司将采取多元化的融资方式，来满足各项发展规划的资金需求。在未来融资方面，公司将根据资金、市场的具体情况，择时通过银行贷款、配股、增发和发行可转换债券等方式合理安排制定融资方案，进一步优化资本结构，筹集推动公司发展
35、所需资金。公司将加快对各方面优秀人才的引进和培养，同时加大对人才的资金投入并建立有效的激励机制，确保公司发展规划和目标的实现。一方面，公司将继续加强员工培训，加快培育一批素质高、业务强的营销人才、服务人才、管理人才；对营销人员进行沟通与营销技巧方面的培训，对管理人员进行现代企业管理方法的教育。另一方面，不断引进外部人才。对于行业管理经验杰出的高端人才，要加大引进力度，保持核心人才的竞争力。其三，逐步建立、完善包括直接物质奖励、职业生涯规划、长期股权激励等多层次的激励机制，充分调动员工的积极性、创造性，提升员工对企业的忠诚度。公司将严格按照公司法等法律法规对公司的要求规范运作，持续完善公司的法人
36、治理结构，建立适应现代企业制度要求的决策和用人机制，充分发挥董事会在重大决策、选择经理人员等方面的作用。公司将进一步完善内部决策程序和内部控制制度，强化各项决策的科学性和透明度，保证财务运作合理、合法、有效。公司将根据客观条件和自身业务的变化，及时调整组织结构和促进公司的机制创新。第四章 市场分析一、 新能源车带来百亿级市场空间，光伏逆变器应用前景可期2021年特斯拉全球销量达93.6万辆，主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆（其中，美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆）。假设2022年Model3/
37、ModelY产量150万辆，单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆，则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片，目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年，供给端产能吃紧。同时，目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上，共48颗SiCMOSFET，对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等，单车SiC器件使用量将达到100-150颗，市场需求将进一步扩大（单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底）。新能源车需求快速爆发，SiC产能吃紧，全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数
38、据，2021年全球电动汽车销量有望达631万辆（占总销量约6%），同比增长101%。对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年，市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信、轨交等领域，市场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中，基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右，是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代，光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上，就必须使用碳化硅功率器件。据中国汽车工业信息网，使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光
39、伏逆变器，转换效率可从96%提升至99%以上，能量损耗降低50%以上，设备循环寿命提升50倍，从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。据CASAResearch数据，2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的占比为10%，预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%，2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年（2020-2030年）10倍大赛道，预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW，CAGR达24%-26%；全球新增装机需求达1246-1491GW，CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年
40、市场空间达261亿元。行业供需缺口较大，产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理，2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产，主要为衬底产能的扩张，其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划，分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。二、 第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代：1、第一代元素半导体材料：硅（Si）和锗(Ge)；为半导体最常用的材料，起源于20世纪50年代，奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等
41、；是4G时代的大部分通信设备的材料，起源于20世纪90年代，奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中，碳化硅（SiC）为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件，适用于600V以上高压场景，包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一：由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10
42、倍；电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在：耐高压特性：更低的阻抗、禁带宽度更宽，能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更高的效率；耐高频特性：SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，能有效提高元件的开关速度（大约是Si的3-10倍），适用于更高频率和更快的开关速度；耐高温特性：SiC相较硅拥有更高的热导率，能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低
43、损耗等独特优势，将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。三、 衬底为技术壁垒最高环节，价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节，以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节，是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底：价值量占比46%，为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺，核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底，分别用于功率和射频器件领域。外延：价值量占比23%。本质
44、是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为：导电型SiC衬底用于SiC外延，进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延，进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造：价值量占比约20%（包括设计+制造+封装）。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块（SiC二级管和SiCMOSFET构成）、SiC混合模块（SiC二级管和SiCIGBT构成）。4)应用：半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。第五章 创新发展一、 企业技
45、术研发分析（一）核心技术取得专利情况或其他技术保护措施公司针对核心技术申请了专利保护，公司针对知识产权保护，制定了完善的知识产权管理制度并建立了完善的标准化的控制程序，对公司知识产权的管理、获取、维护、运用、风险管理、争议处理等均进行规范化、流程化进行管理，并获得知识产权管理体系认证证书。此外，公司制定了保密管理制度，与核心技术人员签订了保密与竞业禁止协议，约定了技术保密的相关事项，以保证公司的技术机密不被泄露。公司自设立以来即高度重视研发工作，将技术创新作为公司发展的核心竞争力，每年投入大量的资源开展新产品、新工艺、新技术的研发工作。（二）公司技术研发组织架构研发创新部主要负责公司技术研发、
46、技术支持、知识产权管理、技术信息调查与收集以及对外技术交流和合作等相关工作。公司总经理李民全面主持研发创新部工作，与核心技术人员一起负责公司新产品、新技术的研发，包括市场调研、可行性论证、成本分析、技术设计、设备设置、工艺编制、以及新产品开发实施过程中的监督、控制，跟踪和掌握国际、国内同类技术发展趋势，组织部门内部技术论证会等，其他研发人员协助核心技术人员完成新产品的技术开发工作。（三）产品研发流程公司拥有自己的研发队伍，搭建了企业自主创新的硬件平台，建立了专业试验链，可根据市场和客户的需求和反馈，利用积累的材料配方研究、老化机理研究、材料老化性能测试、设备设置及工艺编制等方面的研究数据，改进原产品，并进行新产品、新设备、新工艺的研发。（四）创新机制公司自成立以来始终高度重视产品技术开发和技术应用工作，坚持自主研发为主。在自主研发方面，公司拥有一支应用创新经验丰富、敏捷高效的研发团队，以前沿