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1、泓域咨询/成都碳化硅项目商业计划书成都碳化硅项目商业计划书xxx（集团）有限公司报告说明半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代：1、第一代元素半导体材料：硅（Si）和锗(Ge)；为半导体最常用的材料，起源于20世纪50年代，奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等；是4G时代的大部分通信设备的材料，起源于20世纪90年代，奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中，碳化硅（SiC）为第三代半
2、导体材料核心。核心用于功率+射频器件，适用于600V以上高压场景，包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。根据谨慎财务估算，项目总投资19234.97万元，其中：建设投资16052.08万元，占项目总投资的83.45%；建设期利息199.43万元，占项目总投资的1.04%；流动资金2983.46万元，占项目总投资的15.51%。项目正常运营每年营业收入35000.00万元，综合总成本费用27481.52万元，净利润5497.10万元，财务内部收益率22.53%，财务净现值11753.71万元，全部投资回收期5.35年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回
3、收期合理。此项目建设条件良好，可利用当地丰富的水、电资源以及便利的生产、生活辅助设施，项目投资省、见效快；此项目贯彻“先进适用、稳妥可靠、经济合理、低耗优质”的原则，技术先进，成熟可靠，投产后可保证达到预定的设计目标。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。目录第一章 项目绪论9一、 项目名称及投资人9二、 项目建设背景9三、 结论分析10主要经济指标一览表12第二章 公司基本情况15一、 公司基本信息15二、 公司简介15三、 公司竞争优势16四、 公司主要财务数据1
4、7公司合并资产负债表主要数据17公司合并利润表主要数据17五、 核心人员介绍18六、 经营宗旨20七、 公司发展规划20第三章 项目投资背景分析22一、 衬底为技术壁垒最高环节，价值量占比46%22二、 受益新能源车爆发，SiC产业化黄金时代将来临23三、 第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越24四、 积极融入更好服务新发展格局26五、 加快推动成渝地区双城经济圈建设28六、 项目实施的必要性31第四章 行业发展分析33一、 竞争格局：国内外差距逐步缩小，国产替代可期33二、 新能源车带来百亿级市场空间，光伏逆变器应用前景可期34三、 大尺寸大势所趋，衬底是SiC产业化降本的核心3
5、6第五章 运营管理模式39一、 公司经营宗旨39二、 公司的目标、主要职责39三、 各部门职责及权限40四、 财务会计制度44第六章 创新驱动47一、 企业技术研发分析47二、 项目技术工艺分析49三、 质量管理50四、 创新发展总结51第七章 法人治理结构53一、 股东权利及义务53二、 董事55三、 高级管理人员59四、 监事62第八章 SWOT分析说明65一、 优势分析（S）65二、 劣势分析（W）66三、 机会分析（O）67四、 威胁分析（T）67第九章 发展规划75一、 公司发展规划75二、 保障措施76第十章 风险评估79一、 项目风险分析79二、 公司竞争劣势86第十一章 建设规
6、模与产品方案87一、 建设规模及主要建设内容87二、 产品规划方案及生产纲领87产品规划方案一览表87第十二章 项目实施进度计划89一、 项目进度安排89项目实施进度计划一览表89二、 项目实施保障措施90第十三章 建筑工程方案分析91一、 项目工程设计总体要求91二、 建设方案92三、 建筑工程建设指标92建筑工程投资一览表92第十四章 投资估算及资金筹措94一、 投资估算的编制说明94二、 建设投资估算94建设投资估算表96三、 建设期利息96建设期利息估算表97四、 流动资金98流动资金估算表98五、 项目总投资99总投资及构成一览表99六、 资金筹措与投资计划100项目投资计划与资金筹
7、措一览表101第十五章 项目经济效益分析103一、 经济评价财务测算103营业收入、税金及附加和增值税估算表103综合总成本费用估算表104固定资产折旧费估算表105无形资产和其他资产摊销估算表106利润及利润分配表108二、 项目盈利能力分析108项目投资现金流量表110三、 偿债能力分析111借款还本付息计划表112第十六章 项目综合评价说明114第十七章 附表附件115主要经济指标一览表115建设投资估算表116建设期利息估算表117固定资产投资估算表118流动资金估算表119总投资及构成一览表120项目投资计划与资金筹措一览表121营业收入、税金及附加和增值税估算表122综合总成本费用
8、估算表122固定资产折旧费估算表123无形资产和其他资产摊销估算表124利润及利润分配表125项目投资现金流量表126借款还本付息计划表127建筑工程投资一览表128项目实施进度计划一览表129主要设备购置一览表130能耗分析一览表130第一章 项目绪论一、 项目名称及投资人（一）项目名称成都碳化硅项目（二）项目投资人xxx（集团）有限公司（三）建设地点本期项目选址位于xxx（以最终选址方案为准）。二、 项目建设背景2021年特斯拉全球销量达93.6万辆，主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆（其中，美国工厂100万辆+中国
9、工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆）。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆，单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆，则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片，目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年，供给端产能吃紧。同时，目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上，共48颗SiCMOSFET，对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等，单车SiC器件使用量将达到100-150颗，市场需求将进一步扩大（单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底）。新能源车需求快速爆发，SiC产能
10、吃紧，全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据，2021年全球电动汽车销量有望达631万辆（占总销量约6%），同比增长101%。有机衔接新时代成都“三步走”战略目标，力争到2035年，高水平实现社会主义现代化，创新型城市建设进入世界先进行列，成为美丽中国建设实践范例，世界文化名城影响力显著提升。基本公共服务、基础设施、人民生活达到东部地区水平，共同富裕走在全国前列，超大城市治理体系和治理能力现代化基本实现，成为具有国际影响力的活跃增长极和强劲动力源，全面建成践行新发展理念的公园城市示范区、泛欧泛亚有重要影响力的国际门户枢纽城市。到2050年，建成泛欧泛亚区域性的经济中心、
11、科技创新中心、金融中心、贸易中心、文化中心，成为创新驱动、全龄友好、生活富裕、生态宜居的公园城市样板，全面建成社会主义现代化新天府，成为充分体现中国特色、时代特征、成都特质的可持续发展世界城市。三、 结论分析（一）项目选址本期项目选址位于xxx（以最终选址方案为准），占地面积约47.00亩。（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形成年产xxx吨碳化硅材料的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划12个月。（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资19234.97万元，其中：建设投资16052.08万元，占项目总投资的83.45%；建
12、设期利息199.43万元，占项目总投资的1.04%；流动资金2983.46万元，占项目总投资的15.51%。（五）资金筹措项目总投资19234.97万元，根据资金筹措方案，xxx（集团）有限公司计划自筹资金（资本金）11094.98万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额8139.99万元。（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：35000.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：27481.52万元。3、项目达产年净利润（NP）：5497.10万元。4、财务内部收益率（FIRR）：22.53%。5、全部投资回收期（Pt）：5.35年（含建设期12个月）。6、达产年盈亏平
13、衡点（BEP）：13571.39万元（产值）。（七）社会效益综上所述，本项目能够充分利用现有设施，属于投资合理、见效快、回报高项目；拟建项目交通条件好；供电供水条件好，因而其建设条件有明显优势。项目符合国家产业发展的战略思想，有利于行业结构调整。本项目实施后，可满足国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级发展，为社会提供更多的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积31333.00约47.00亩1.1总建筑面积45808.621.2基底面积1785
14、9.811.3投资强度万元/亩318.982总投资万元19234.972.1建设投资万元16052.082.1.1工程费用万元13403.952.1.2其他费用万元2199.832.1.3预备费万元448.302.2建设期利息万元199.432.3流动资金万元2983.463资金筹措万元19234.973.1自筹资金万元11094.983.2银行贷款万元8139.994营业收入万元35000.00正常运营年份5总成本费用万元27481.526利润总额万元7329.477净利润万元5497.108所得税万元1832.379增值税万元1575.1610税金及附加万元189.0111纳税总额万元35
15、96.5412工业增加值万元12162.8413盈亏平衡点万元13571.39产值14回收期年5.3515内部收益率22.53%所得税后16财务净现值万元11753.71所得税后第二章 公司基本情况一、 公司基本信息1、公司名称：xxx（集团）有限公司2、法定代表人：邱xx3、注册资本：1060万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2011-6-67、营业期限：2011-6-6至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事碳化硅材料相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依
16、批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介经过多年的发展，公司拥有雄厚的技术实力，丰富的生产经营管理经验和可靠的产品质量保证体系，综合实力进一步增强。公司将继续提升供应链构建与管理、新技术新工艺新材料应用研发。集团成立至今，始终坚持以人为本、质量第一、自主创新、持续改进，以技术领先求发展的方针。未来，在保持健康、稳定、快速、持续发展的同时，公司以“和谐发展”为目标，践行社会责任，秉承“责任、公平、开放、求实”的企业责任，服务全国。三、 公司竞争优势（一）公司具有技术研发优势，创新能力突出公司在研发方面投入较高，持续进行研究开发与技术成果转化，形成企
17、业核心的自主知识产权。公司产品在行业中的始终保持良好的技术与质量优势。此外，公司目前主要生产线为使用自有技术开发而成。（二）公司拥有技术研发、产品应用与市场开拓并进的核心团队公司的核心团队由多名具备行业多年研发、经营管理与市场经验的资深人士组成，与公司利益捆绑一致。公司稳定的核心团队促使公司形成了高效务实、团结协作的企业文化和稳定的干部队伍，为公司保持持续技术创新和不断扩张提供了必要的人力资源保障。（三）公司具有优质的行业头部客户群体公司凭借出色的技术创新、产品质量和服务，树立了良好的品牌形象，获得了较高的客户认可度。公司通过与优质客户保持稳定的合作关系，对于行业的核心需求、产品变化趋势、最新
18、技术要求的理解更为深刻，有利于研发生产更符合市场需求产品，提高公司的核心竞争力。（四）公司在行业中占据较为有利的竞争地位公司经过多年深耕，已在技术、品牌、运营效率等多方面形成竞争优势；同时随着行业的深度整合，行业集中度提升，下游客户为保障其自身原材料供应的安全与稳定，在现有竞争格局下对于公司产品的需求亦不断提升。公司较为有利的竞争地位是长期可持续发展的有力支撑。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额6296.145036.914722.11负债总额3302.312641.852476.73股东权益合计2993.832395.
19、062245.37公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入17882.3714305.9013411.78营业利润3998.633198.902998.97利润总额3541.132832.902655.85净利润2655.852071.561912.21归属于母公司所有者的净利润2655.852071.561912.21五、 核心人员介绍1、邱xx，1974年出生，研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx有限责任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限责任公司销售部副经理。2011年3月至今历任公司监事、销售部副部长、部长；2019年8月至
20、今任公司监事会主席。2、田xx，1957年出生，大专学历。1994年5月至2002年6月就职于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2018年3月至今任公司董事。3、向xx，中国国籍，1978年出生，本科学历，中国注册会计师。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司独立董事。4、吴xx，中国国籍，无永久境外居留权，1971年出生，本科学历，中级会计师职称。2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司财务经理。2017年3月至今任公司董
21、事、副总经理、财务总监。5、魏xx，中国国籍，1976年出生，本科学历。2003年5月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2004年4月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理。2018年3月起至今任公司董事长、总经理。6、黎xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958年出生，本科学历，高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长；2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理；2019年3月至今任公司董事。7、邵x
22、x，中国国籍，无永久境外居留权，1970年出生，硕士研究生学历。2012年4月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。8、闫xx，中国国籍，无永久境外居留权，1959年出生，大专学历，高级工程师职称。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技术顾问；2004年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任公司董事、副总经理、总工程师。六、 经营宗旨以市场经济为导向，立足主业，引进新项目、开发新技术、开辟新市场，以求高信誉、高效率、高效益，为用户提供一流的产品和服务，为股东和投资者获得更多的利益，实现社会效益和经济效益的最大化。七、 公司
23、发展规划根据公司的发展规划，未来几年内公司的资产规模、业务规模、人员规模、资金运用规模都将有较大幅度的增长。随着业务和规模的快速发展，公司的管理水平将面临较大的考验，尤其在公司迅速扩大经营规模后，公司的组织结构和管理体系将进一步复杂化，在战略规划、组织设计、资源配置、营销策略、资金管理和内部控制等问题上都将面对新的挑战。另外，公司未来的迅速扩张将对高级管理人才、营销人才、服务人才的引进和培养提出更高要求，公司需进一步提高管理应对能力，才能保持持续发展，实现业务发展目标。公司将采取多元化的融资方式，来满足各项发展规划的资金需求。在未来融资方面，公司将根据资金、市场的具体情况，择时通过银行贷款、配
24、股、增发和发行可转换债券等方式合理安排制定融资方案，进一步优化资本结构，筹集推动公司发展所需资金。公司将加快对各方面优秀人才的引进和培养，同时加大对人才的资金投入并建立有效的激励机制，确保公司发展规划和目标的实现。一方面，公司将继续加强员工培训，加快培育一批素质高、业务强的营销人才、服务人才、管理人才；对营销人员进行沟通与营销技巧方面的培训，对管理人员进行现代企业管理方法的教育。另一方面，不断引进外部人才。对于行业管理经验杰出的高端人才，要加大引进力度，保持核心人才的竞争力。其三，逐步建立、完善包括直接物质奖励、职业生涯规划、长期股权激励等多层次的激励机制，充分调动员工的积极性、创造性，提升员
25、工对企业的忠诚度。公司将严格按照公司法等法律法规对公司的要求规范运作，持续完善公司的法人治理结构，建立适应现代企业制度要求的决策和用人机制，充分发挥董事会在重大决策、选择经理人员等方面的作用。公司将进一步完善内部决策程序和内部控制制度，强化各项决策的科学性和透明度，保证财务运作合理、合法、有效。公司将根据客观条件和自身业务的变化，及时调整组织结构和促进公司的机制创新。第三章 项目投资背景分析一、 衬底为技术壁垒最高环节，价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节，以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节，是未来SiC大规模产业化
26、推进的核心。衬底：价值量占比46%，为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺，核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底，分别用于功率和射频器件领域。外延：价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为：导电型SiC衬底用于SiC外延，进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延，进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造：价值量占比约20%（包括设计+制造+封装）。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块（SiC二级管和SiCMO
27、SFET构成）、SiC混合模块（SiC二级管和SiCIGBT构成）。4)应用：半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。二、 受益新能源车爆发，SiC产业化黄金时代将来临据Yole统计，2020年SiC碳化硅功率器件市场规模约7.1亿美元，预计2026年将增长至45亿美元，2020-2026年CAGR近36%。其中，新能源汽车是SiC功率器件下游最重要的应用市场,预计需求于2023年开始快速爆发。新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、D
28、C/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(OBC)等核心电控领域，以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快速爆发，以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增效，产业化进程有望提速。应用端：解决电动车续航痛点。据Wolfspeed测算，将纯电动汽车逆变器中的功率组件改成SiC时,可显著降低电力电子系统的体积、重量和成本，提升车辆5%-10%的续航。据英飞凌测算，SiC器件整体损耗相比Si基器件降低80%以上，导通及开关损耗减小，有助于增加电动车续航里程。成本端：单车可节省400-800美元的电池成本，与新增200美元的SiC器件成本抵消后，能够实现至少200-600美元的单车成本下降。客
29、户端：特斯拉等车企已相继布局。Model3是行业第一家采用SiC逆变器的车型，开启了电动汽车使用SiC先河，单车总共有48个SiCMOSFET裸片，由意法半导体和英飞凌提供。其他车企包括比亚迪汉、丰田Mirai等也相继开始采用SiC逆变器。目前各大车企已在碳化硅领域纷纷布局，成本是决定SiC何时在新能源车大批量使用的关键因素。2017年，特斯拉Model3成为第一家使用SiC逆变器的车型，其逆变器总重量下降至4.8kg（较此前减少约84%），续航能力提升6%（逆变器和永磁电机组合的效率高达97%，此前为82%）。预计未来续航里程500公里以上的高端SUV车和轿车有望均应用到SiC功率器件，小型
30、SUV和中型轿车可能在2024-2025年后开始应用一部分SiC（随着SiC衬底产能大规模释放、成本下降），低端车可能会再随这之后。三、 第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代：1、第一代元素半导体材料：硅（Si）和锗(Ge)；为半导体最常用的材料，起源于20世纪50年代，奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等；是4G时代的大部分通信设备的材料，起源于20世纪90年代，奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化
31、镓（Ga2O3）等，近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中，碳化硅（SiC）为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件，适用于600V以上高压场景，包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一：由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在：耐高压特性：更低的阻抗、禁带宽度更宽，能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更高的效率；耐高频特性：
32、SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，能有效提高元件的开关速度（大约是Si的3-10倍），适用于更高频率和更快的开关速度；耐高温特性：SiC相较硅拥有更高的热导率，能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。四、 积极融入更好服务新发展
33、格局坚持服务国家战略赋能城市发展，充分发挥国家中心城市对畅通国民经济循环的引领支撑作用，不断增强国际门户枢纽城市辐射、集散和资源配置功能，提升城市发展战略优势，在形成新发展格局中率先突破。提高全球资源配置能力。发挥“一带一路”、长江经济带和西部陆海新通道重要节点的区位优势，用好“双机场”和国际铁路港的比较优势，畅通全球人流、物流、资金流、技术流、信息流循环。完善立体大通道体系，建强亚蓉欧航空枢纽和泛欧泛亚陆港枢纽“双支撑”，加快构建“欧盟成渝日韩”“成渝东盟”开放通道，推动中欧班列（成渝）高质量发展，高效联通国际主要市场。增强促进双循环的综合运输能力，构建“四向多廊”全球物流网络，提升航空枢纽
34、客货量级和货运能力，积极培育货运基地航空公司，完善国际多式联运集疏系统。打造国际供应链枢纽，鼓励发展高铁货运、智慧仓配、跨境电商物流等新模式新业态，构筑面向“一带一路”供应链核心节点和供应链资源配置中心。提高科技创新策源能力。坚持服务国家重大战略、城市未来发展、企业成长需要、市民生命健康，构建以西部（成都）科学城“一核四区”为主平台、高品质科创空间多点支撑的创新供给网络，打造科技自立自强的创新策源新高地。增强原始创新能力，布局建设世界一流重大科技基础设施集群、前沿科学交叉研究平台，组织实施国家重大科技项目，强化战略性、前沿性技术创新。增强产业创新能力，聚焦集成电路、航空装备、生物医药等优势领域
35、，推进创新链与产业链深度融合，加速科技成果向现实生产力转化。增强创新成果保护能力，建立完善全市全链条知识产权保护体系，加快建设知识产权保护典范城市。增强开放创新能力，健全与“一带一路”沿线国家科技合作机制，构建国际科技交流合作平台，办好“一带一路”科技交流大会，主动融入全球创新网络。提高高端要素集成能力。聚焦推动高质量发展，强化高端人才集聚、多维信息交互、优质资本运筹、前沿技术转化等核心功能，加快形成全球性大规模集聚高端先进要素的引力场。增强人才要素吸引力，打造多要素汇集的协同应用场景，巩固提升创新创业资源优势、人才获取成本优势、宜业宜居环境优势，加快建设国际人才枢纽。增强信息要素交互力，打造
36、“一带一路”重要信息通信节点、数据中心和国际信息港，推动信息资源整合共享，加快建设国际性区域通信枢纽。增强技术要素集聚力，健全技术交易服务体系，提升产业项目与技术资源供需对接水平，打造成渝地区一体化技术交易市场。增强资本要素运筹力，建设知识产权融资服务平台，发展壮大科技和产业投资基金规模，提升各类基金专业化规范化运营水平，提高直接融资比重。提高投资消费辐射能力。坚持引进来、走出去并重，做优做强成都创造、成都服务、成都消费、成都休闲“四大品牌”，推动国家中心城市经济边界持续拓展、区域带动力全面提升。增强“成都创造”投资辐射力，聚焦先进制造业重点领域，培育若干以成都为中心、有能力在全国全球协同配置
37、资源要素和组织生产销售的区域生态圈。增强“成都服务”投资辐射力，加快培育“在成都、链欧亚、通全球”的生产性服务业集群，打造国家先进生产性服务业标杆城市、全球服务资源配置战略枢纽。增强“成都消费”“成都休闲”消费辐射力，提高西南生活中心美誉度，拓展“买全球、卖全球”消费供给网络，加快建设服务于扩大内需、畅通循环的国际消费中心城市。五、 加快推动成渝地区双城经济圈建设坚持以发挥优势、彰显特色、协同发展为导向唱好“双城记”，全面提高经济集聚度、区域连接性和整体协同性，全面提升成都发展能级和综合竞争力，加快培育壮大成都都市圈，打造带动全国高质量发展的重要增长极和新的动力源。（一）推动形成成渝相向发展新
38、格局坚定不移推动成都跨越龙泉山发展，发挥成都东部新区及淮州新城、简阳城区等协同区在成德眉资同城化中的产业协作引领作用，带动川南和川东北地区共同发展。协同建设现代产业体系，共建高水平汽车产业基地，共同培育世界级电子信息、装备制造产业集群，合力打造数字产业新高地和西部金融中心。共建协同创新体系，实施成渝科技创新合作计划，打造“一带一路”科技创新合作区和国际技术转移中心，合力打造科技创新高地。共建开放合作体系，合力建设西部陆海新通道，依托成都国际铁路港经济开发区打造“一带一路”进出口商品集散中心、对外交往中心。强化公共服务共建共享。共建巴蜀文化旅游走廊。有序推进引大济岷、沱江团结枢纽重大水利工程建设
39、。合力建设现代基础设施网络。（二）推动形成成德眉资同城化发展新格局坚持以体制机制创新为突破，探索行政区与经济区适度分离，创建成德眉资同城化综合试验区，加快建设经济发达、生态优良、生活幸福的现代化都市圈。加快推动交通网络同城化，构建区域空港物流、轨道交通、高快速路“三张网”。协同推进产业生态圈建设，加快推动“三区三带”发展，推进区域内产业供需适配和本地配套。有序推进公共服务共享，按常住人口规模和布局均衡配置公共服务。推进功能平台相互开放，发挥国家级新区旗舰作用，联动共建国际铁路港、国际空港、总部商务区等合作平台和大科学装置、重大公共技术平台。推进生态环境联防共治，加快修复龙泉山、龙门山生态，推进
40、沱江、岷江流域水生态治理，深化大气污染源头防控协作，合力建强长江上游生态屏障。（三）推动形成区域错位发展新格局坚定不移实施主体功能区战略，深入推进“东进、南拓、西控、北改、中优”，构建“一心三轴多中心”总体空间结构。“东进”区域立足成渝相向发展，高起点规划建设以先进制造业和生产性服务业基地为战略支撑的现代化未来新城。“南拓”区域率先建设高质量发展先行区和公园城市示范区，加快建设全市综合性副中心，整体形成“两区一城”协同发展格局。“西控”区域以国家城乡融合发展试验区为统揽，提升农商文旅体融合发展水平，建设具备高端绿色成长基因的生物经济示范带。“北改”区域以强功能提高要素资源集成力、优形态提高人口
41、经济承载力为着眼点，加快建设成都都市圈重要的经济增长极、链接欧亚的陆港门户枢纽、产贸结合的高质量发展先行区。“中优”区域以场景营造和片区开发为牵引，加快推进城市有机更新，积极发展都市工业和现代服务业，打造高能级高品质生活城区。（四）推动形成“两区一城”协同发展新格局坚持互利共生、开放协同、相互成就、整体成势，建设具有强大国际竞争力和区域带动力的高能级共同体，建成成渝相向发展的战略支撑。协同打造创新策源地和成果转化区，做强“一核”创新策源功能，促进“四区”创新成果转移转化。协同培育现代产业集群，坚持战略导向做强优势产业链，聚焦未来产业构建创新生态链，推动“三网一智造”集成共享发展。协同共建公共服
42、务供给体系，统筹布局教育、医疗等重大功能设施，组建城市一体化运营服务商联盟，健全公共服务域内共享机制。协同共享开放平台，推动自贸试验区和自主创新示范区联动发展，积极争设自贸试验区成都东部新区新片区，支持天府新区创建内陆开放型经济试验区，联动国际铁路港开拓海外市场。构建高效协同密切合作的制度体系。六、 项目实施的必要性（一）现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业，公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度，产品销售形势良好，产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展，公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管
43、理等手段，不断挖掘产能潜力，但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设，公司将有效克服产能不足对公司发展的制约，为公司把握市场机遇奠定基础。（二）公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级，公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动，不断研发新产品，提升产品精密化程度，将产品质量水平提升到同类产品的领先水准，提高生产的灵活性和适应性，契合关键零部件国产化的需求，才能在与国外企业的竞争中获得优势，保持公司在领域的国内领先地位。第四章 行业发展分析一、 竞争格局：国内外差距逐步缩小，国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局：海外龙头垄断、实现6英寸规模化
44、供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。（一）导电型SiC衬底全球市场：美国科锐公司（Wolfspeed）占据了60%以上的市场份额，基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括：美国二六（II-VI）、德国SiCrystalAG、道康宁（DowCorning）、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司：总体处于发展初期，主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年，天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。（二）半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐（WOLFSPEED）、贰陆公司（I
45、I-VI）依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三，2020年市占率达30%。国内外差距缩小，进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早，各尺寸量产推出时间方面，国内与全球行业龙头企业存在差距：以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例，在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右，SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体，国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中，可观察到国内企业已迎头赶上，国内外差距正在缩小（举例：天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已
46、小于4英寸，预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小）。目前海外龙头已向8吋发力（下游客户车规级为主），国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力（下游客户工业级为主）。二、 新能源车带来百亿级市场空间，光伏逆变器应用前景可期2021年特斯拉全球销量达93.6万辆，主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆（其中，美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆）。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆，单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆，则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片，目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年，供给端产能吃紧。同时，目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上，共48颗SiCMOSFET，对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等，单车SiC器件使