2022年存储器及其接口 .pdf

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1、存储器的种类、特性和结构一、分类按元件组成:半导体M ,磁性材料存储器(磁芯),激光存储器按工作性质:内存储器:速度快,容量小(64K? 8Gbyte)外存储器:速度慢,容量大(20MB ? 640GB)二、半导体存储分类RAM SRAM 静态DRAM 动态IRAM 集成动态ROM 掩膜 ROM PROM 可编程EPROM 可改写E PROM 可电擦除三、内存储器性能指标1. 容量M 可容纳的二进制信息量,总位数。总位数 =字数字长bit,byte,word 2. 存取速度内存储器从接受地址码,寻找内存单元开始,到它取出或存入数据为止所需的时间,TA。TA越小,计算机内存工作速度愈高,半导体M

2、 存储时间为几十 ns? 几百 ns ns=mus 3.功耗维持功耗操作功耗CMOS NMOS TTL ECL (低功耗 .集成度高)(高速 .昂贵 .功耗高)4、可靠性平均故障间隔时间MTBF (Mean Time Between Failures )越长,可靠性越高.跟抗电磁场和温度变化的能力有关. 5、集成度位/片1K 位 /片? 1M 位/片名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 1 页,共 10 页 - - - - - - - - - 在一块芯片上能集成多少个基本存

3、储电路(即一个二进制位)四、存储器的基本结构随机存储器RAM 或读写存储器一、基本组成结构存储矩阵寄存二进制信息的基本存储单元的集合体,为便于读写,基本存储单元都排列成一定的阵列,且进行编址。N1位结构:常用于较大容量的SRAM , DRAM N4 N8 字结构常用于较小容量的静态SRAM 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 2 页,共 10 页 - - - - - - - - - 2、地址译码器它接收来自CPU 的地址信号,产生地址译码信号。选中存储矩阵中某一个或几个基

4、本存储单元进行读/写操作两种编址方式:单译码编址方式. 双译码编址方式(字结构 M )(复合译码)存储容量名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 3 页,共 10 页 - - - - - - - - - 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 4 页,共 10 页 - - - - - - - - - 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - -

5、- - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 5 页,共 10 页 - - - - - - - - - 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 6 页,共 10 页 - - - - - - - - - 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 7 页,共 10 页 - - - - - - - - - 名师

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