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1、泓域咨询/承德碳化硅衬底设备项目商业计划书承德碳化硅衬底设备项目商业计划书xx有限公司目录第一章 项目概况8一、 项目名称及投资人8二、 项目建设背景8三、 结论分析10主要经济指标一览表11第二章 公司基本情况14一、 公司基本信息14二、 公司简介14三、 公司竞争优势15四、 公司主要财务数据16公司合并资产负债表主要数据16公司合并利润表主要数据17五、 核心人员介绍17六、 经营宗旨19七、 公司发展规划19第三章 项目背景、必要性21一、 大尺寸大势所趋，衬底是SiC产业化降本的核心21二、 受益新能源车爆发，SiC产业化黄金时代将来临22三、 衬底为技术壁垒最高环节，价值量占比4
2、6%24四、 大力发展主导产业构建特色鲜明现代产业体系25五、 优化产业发展格局25六、 项目实施的必要性27第四章 行业发展分析29一、 第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越29二、 竞争格局：国内外差距逐步缩小，国产替代可期30第五章 SWOT分析33一、 优势分析（S）33二、 劣势分析（W）34三、 机会分析（O）35四、 威胁分析（T）35第六章 创新发展41一、 企业技术研发分析41二、 项目技术工艺分析43三、 质量管理44四、 创新发展总结45第七章 运营模式47一、 公司经营宗旨47二、 公司的目标、主要职责47三、 各部门职责及权限48四、 财务会计制度51第八
3、章 发展规划59一、 公司发展规划59二、 保障措施60第九章 法人治理结构63一、 股东权利及义务63二、 董事68三、 高级管理人员73四、 监事75第十章 建筑工程方案77一、 项目工程设计总体要求77二、 建设方案78三、 建筑工程建设指标79建筑工程投资一览表79第十一章 项目进度计划81一、 项目进度安排81项目实施进度计划一览表81二、 项目实施保障措施82第十二章 风险防范83一、 项目风险分析83二、 项目风险对策85第十三章 产品规划与建设内容87一、 建设规模及主要建设内容87二、 产品规划方案及生产纲领87产品规划方案一览表87第十四章 投资估算89一、 投资估算的编制
4、说明89二、 建设投资估算89建设投资估算表91三、 建设期利息91建设期利息估算表92四、 流动资金93流动资金估算表93五、 项目总投资94总投资及构成一览表94六、 资金筹措与投资计划95项目投资计划与资金筹措一览表96第十五章 项目经济效益评价98一、 经济评价财务测算98营业收入、税金及附加和增值税估算表98综合总成本费用估算表99固定资产折旧费估算表100无形资产和其他资产摊销估算表101利润及利润分配表103二、 项目盈利能力分析103项目投资现金流量表105三、 偿债能力分析106借款还本付息计划表107第十六章 项目总结分析109第十七章 附表附录110营业收入、税金及附加和
5、增值税估算表110综合总成本费用估算表110固定资产折旧费估算表111无形资产和其他资产摊销估算表112利润及利润分配表113项目投资现金流量表114借款还本付息计划表115建设投资估算表116建设投资估算表116建设期利息估算表117固定资产投资估算表118流动资金估算表119总投资及构成一览表120项目投资计划与资金筹措一览表121报告说明根据谨慎财务估算，项目总投资9419.56万元，其中：建设投资7399.90万元，占项目总投资的78.56%；建设期利息86.46万元，占项目总投资的0.92%；流动资金1933.20万元，占项目总投资的20.52%。项目正常运营每年营业收入19400.
6、00万元，综合总成本费用15654.42万元，净利润2738.23万元，财务内部收益率21.99%，财务净现值2655.36万元，全部投资回收期5.50年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代：1、第一代元素半导体材料：硅（Si）和锗(Ge)；为半导体最常用的材料，起源于20世纪50年代，奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等；是4G时代的大部分通信设备的材料，起源于20世纪90年代，奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料：碳化硅（SiC）、氮化
7、镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中，碳化硅（SiC）为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件，适用于600V以上高压场景，包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 项目概况一、 项目名称及投资人（一）项目名称承德碳化硅衬底设备项目（二）项目投资人xx有限公司（三）建设地点本期项目选址位于xxx（待定）。二、 项目建设背景对应20
8、25年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年，市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信、轨交等领域，市场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中，基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右，是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代，光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上，就必须使用碳化硅功率器件。未来五年，围绕建设“生态强市、魅力承德”，努力在生态文明建设、经济质量效益、改革开放创新、社会文明程度、人民生活品质、安全发展保障等方面取得显著成绩。生态文明建设显著进步。国土空间开发格局
9、得到优化，“两区”建设取得重大进展，“三河共治”取得明显成效，全域水源涵养能力不断提升，大气环境质量持续改善，探索实践“绿水青山就是金山银山”的路径模式取得重大进展，绿色发展的产业体系和体制机制基本形成。经济质量效益显著增强。高质量发展体系更加完善，科技进步贡献率明显上升，产业基础高级化、产业链现代化水平大幅提升，“33”主导产业和县域“12”特色产业达到中高端水平，城乡区域发展协调性明显增强，综合经济实力达到新水平，发展质量和效益明显提升。改革开放创新水平显著提升。国家可持续发展议程创新示范区建设取得显著成效，重要领域和关键环节改革取得突破性进展，要素市场化配置机制更加健全，公平竞争制度更加
10、健全，营商环境更加优化，“两个融入”取得突破性进展，京津冀交通产业生态一体化更加完善，“同城化”发展更加深入，开发区能级大幅提升，初步形成开放型经济发展新高地。三、 结论分析（一）项目选址本期项目选址位于xxx（待定），占地面积约26.00亩。（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形成年产xx套碳化硅设备的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划12个月。（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资9419.56万元，其中：建设投资7399.90万元，占项目总投资的78.56%；建设期利息86.46万元，占项目总投资的0.92%；流动
11、资金1933.20万元，占项目总投资的20.52%。（五）资金筹措项目总投资9419.56万元，根据资金筹措方案，xx有限公司计划自筹资金（资本金）5890.40万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额3529.16万元。（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：19400.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：15654.42万元。3、项目达产年净利润（NP）：2738.23万元。4、财务内部收益率（FIRR）：21.99%。5、全部投资回收期（Pt）：5.50年（含建设期12个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：7934.40万元（产值）。（七）社会效益此项目建设条
12、件良好，可利用当地丰富的水、电资源以及便利的生产、生活辅助设施，项目投资省、见效快；此项目贯彻“先进适用、稳妥可靠、经济合理、低耗优质”的原则，技术先进，成熟可靠，投产后可保证达到预定的设计目标。本项目实施后，可满足国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级发展，为社会提供更多的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积17333.00约26.00亩1.1总建筑面积26853.261.2基底面积9706.481.3投资强度万元/亩264.162总投资万
13、元9419.562.1建设投资万元7399.902.1.1工程费用万元6276.692.1.2其他费用万元994.002.1.3预备费万元129.212.2建设期利息万元86.462.3流动资金万元1933.203资金筹措万元9419.563.1自筹资金万元5890.403.2银行贷款万元3529.164营业收入万元19400.00正常运营年份5总成本费用万元15654.426利润总额万元3650.977净利润万元2738.238所得税万元912.749增值税万元788.4010税金及附加万元94.6111纳税总额万元1795.7512工业增加值万元5924.8313盈亏平衡点万元7934.4
14、0产值14回收期年5.5015内部收益率21.99%所得税后16财务净现值万元2655.36所得税后第二章 公司基本情况一、 公司基本信息1、公司名称：xx有限公司2、法定代表人：付xx3、注册资本：1380万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2011-11-187、营业期限：2011-11-18至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事碳化硅设备相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、
15、公司简介公司坚持诚信为本、铸就品牌，优质服务、赢得市场的经营理念，秉承以人为本，始终坚持 “服务为先、品质为本、创新为魄、共赢为道”的经营理念，遵循“以客户需求为中心，坚持高端精品战略，提高最高的服务价值”的服务理念，奉行“唯才是用，唯德重用”的人才理念，致力于为客户量身定制出完美解决方案，满足高端市场高品质的需求。公司注重发挥员工民主管理、民主参与、民主监督的作用，建立了工会组织，并通过明确职工代表大会各项职权、组织制度、工作制度，进一步规范厂务公开的内容、程序、形式，企业民主管理水平进一步提升。围绕公司战略和高质量发展，以提高全员思想政治素质、业务素质和履职能力为核心，坚持战略导向、问题导
16、向和需求导向，持续深化教育培训改革，精准实施培训，努力实现员工成长与公司发展的良性互动。三、 公司竞争优势（一）公司具有技术研发优势，创新能力突出公司在研发方面投入较高，持续进行研究开发与技术成果转化，形成企业核心的自主知识产权。公司产品在行业中的始终保持良好的技术与质量优势。此外，公司目前主要生产线为使用自有技术开发而成。（二）公司拥有技术研发、产品应用与市场开拓并进的核心团队公司的核心团队由多名具备行业多年研发、经营管理与市场经验的资深人士组成，与公司利益捆绑一致。公司稳定的核心团队促使公司形成了高效务实、团结协作的企业文化和稳定的干部队伍，为公司保持持续技术创新和不断扩张提供了必要的人力
17、资源保障。（三）公司具有优质的行业头部客户群体公司凭借出色的技术创新、产品质量和服务，树立了良好的品牌形象，获得了较高的客户认可度。公司通过与优质客户保持稳定的合作关系，对于行业的核心需求、产品变化趋势、最新技术要求的理解更为深刻，有利于研发生产更符合市场需求产品，提高公司的核心竞争力。（四）公司在行业中占据较为有利的竞争地位公司经过多年深耕，已在技术、品牌、运营效率等多方面形成竞争优势；同时随着行业的深度整合，行业集中度提升，下游客户为保障其自身原材料供应的安全与稳定，在现有竞争格局下对于公司产品的需求亦不断提升。公司较为有利的竞争地位是长期可持续发展的有力支撑。四、 公司主要财务数据公司合
18、并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额3100.092480.072325.07负债总额1433.881147.101075.41股东权益合计1666.211332.971249.66公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入14651.8811721.5010988.91营业利润3623.022898.422717.26利润总额3225.702580.562419.27净利润2419.271887.031741.87归属于母公司所有者的净利润2419.271887.031741.87五、 核心人员介绍1、付xx，中国国籍，
19、无永久境外居留权，1970年出生，硕士研究生学历。2012年4月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。2、孙xx，中国国籍，1976年出生，本科学历。2003年5月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2004年4月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理。2018年3月起至今任公司董事长、总经理。3、黄xx，中国国籍，1977年出生，本科学历。2018年9月至今历任公司办公室主任，2017年8月至今任公司监事。4、龚xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958年出生，本科学历
20、，高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长；2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理；2019年3月至今任公司董事。5、沈xx，中国国籍，无永久境外居留权，1961年出生，本科学历，高级工程师。2002年11月至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事。6、高xx，中国国籍，无永久境外居留权，1971年出生，本科学历，中级会计师职称。2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司财务经理。2017年3月至今任公司董事、副总经理、财务
21、总监。7、赵xx，中国国籍，无永久境外居留权，1959年出生，大专学历，高级工程师职称。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技术顾问；2004年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任公司董事、副总经理、总工程师。8、赵xx，1974年出生，研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx有限责任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限责任公司销售部副经理。2011年3月至今历任公司监事、销售部副部长、部长；2019年8月至今任公司监事会主席。六、 经营宗旨公司通过整合资源，实现产品化、智能化和平台化。七、 公司发展规划根据公司的
22、发展规划，未来几年内公司的资产规模、业务规模、人员规模、资金运用规模都将有较大幅度的增长。随着业务和规模的快速发展，公司的管理水平将面临较大的考验，尤其在公司迅速扩大经营规模后，公司的组织结构和管理体系将进一步复杂化，在战略规划、组织设计、资源配置、营销策略、资金管理和内部控制等问题上都将面对新的挑战。另外，公司未来的迅速扩张将对高级管理人才、营销人才、服务人才的引进和培养提出更高要求，公司需进一步提高管理应对能力，才能保持持续发展，实现业务发展目标。公司将采取多元化的融资方式，来满足各项发展规划的资金需求。在未来融资方面，公司将根据资金、市场的具体情况，择时通过银行贷款、配股、增发和发行可转
23、换债券等方式合理安排制定融资方案，进一步优化资本结构，筹集推动公司发展所需资金。公司将加快对各方面优秀人才的引进和培养，同时加大对人才的资金投入并建立有效的激励机制，确保公司发展规划和目标的实现。一方面，公司将继续加强员工培训，加快培育一批素质高、业务强的营销人才、服务人才、管理人才；对营销人员进行沟通与营销技巧方面的培训，对管理人员进行现代企业管理方法的教育。另一方面，不断引进外部人才。对于行业管理经验杰出的高端人才，要加大引进力度，保持核心人才的竞争力。其三，逐步建立、完善包括直接物质奖励、职业生涯规划、长期股权激励等多层次的激励机制，充分调动员工的积极性、创造性，提升员工对企业的忠诚度。
24、公司将严格按照公司法等法律法规对公司的要求规范运作，持续完善公司的法人治理结构，建立适应现代企业制度要求的决策和用人机制，充分发挥董事会在重大决策、选择经理人员等方面的作用。公司将进一步完善内部决策程序和内部控制制度，强化各项决策的科学性和透明度，保证财务运作合理、合法、有效。公司将根据客观条件和自身业务的变化，及时调整组织结构和促进公司的机制创新。第三章 项目背景、必要性一、 大尺寸大势所趋，衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中，衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000
25、美金/片左右，数倍于传统硅基半导体，核心降本方式包括：提升材料使用率（向大尺寸发展）、降低制造成本（提升良率）、提升生产效率（更成熟的长晶工艺）。（一）提升材料使用率（向大尺寸发展）目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸（半绝缘型）及6英寸（导电型）。行业龙头美国科锐（已改名Wolfspeed）已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低（6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍）。衬底的尺寸越大，边缘的浪费就越小，有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时，随着晶体尺寸的扩大，其生长难度工艺呈几何级增长。（二）降低制造成本（提升良率）长晶端：SiC包含20
26、0多种同质异构结构的晶型，但只有4H型（4H-SiC）等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内（类似黑匣子），极易发生不同晶型的转化，任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控，很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右（传统硅基在90%以上），有较大提升空间。机加工端：碳化硅硬度与金刚石接近（莫氏硬度达9.5），切割、研磨、抛光技术难度大，工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右，仍有提升空间。（三）提升生产效率（更成熟的长晶工艺）SiC长晶的速度极为缓慢，行业平均水平每小时仅能生长0.
27、2-0.3mm，较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺（如液相法）的延伸。二、 受益新能源车爆发，SiC产业化黄金时代将来临据Yole统计，2020年SiC碳化硅功率器件市场规模约7.1亿美元，预计2026年将增长至45亿美元，2020-2026年CAGR近36%。其中，新能源汽车是SiC功率器件下游最重要的应用市场,预计需求于2023年开始快速爆发。新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(OBC)等核心电控领域，以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求
28、快速爆发，以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增效，产业化进程有望提速。应用端：解决电动车续航痛点。据Wolfspeed测算，将纯电动汽车逆变器中的功率组件改成SiC时,可显著降低电力电子系统的体积、重量和成本，提升车辆5%-10%的续航。据英飞凌测算，SiC器件整体损耗相比Si基器件降低80%以上，导通及开关损耗减小，有助于增加电动车续航里程。成本端：单车可节省400-800美元的电池成本，与新增200美元的SiC器件成本抵消后，能够实现至少200-600美元的单车成本下降。客户端：特斯拉等车企已相继布局。Model3是行业第一家采用SiC逆变器的车型，开启了电动汽车使用SiC先河，单车总
29、共有48个SiCMOSFET裸片，由意法半导体和英飞凌提供。其他车企包括比亚迪汉、丰田Mirai等也相继开始采用SiC逆变器。目前各大车企已在碳化硅领域纷纷布局，成本是决定SiC何时在新能源车大批量使用的关键因素。2017年，特斯拉Model3成为第一家使用SiC逆变器的车型，其逆变器总重量下降至4.8kg（较此前减少约84%），续航能力提升6%（逆变器和永磁电机组合的效率高达97%，此前为82%）。预计未来续航里程500公里以上的高端SUV车和轿车有望均应用到SiC功率器件，小型SUV和中型轿车可能在2024-2025年后开始应用一部分SiC（随着SiC衬底产能大规模释放、成本下降），低端车
30、可能会再随这之后。三、 衬底为技术壁垒最高环节，价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节，以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节，是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底：价值量占比46%，为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺，核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底，分别用于功率和射频器件领域。外延：价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为：导电型SiC衬底用于SiC外延，进而生产功率器件用于电动汽
31、车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延，进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造：价值量占比约20%（包括设计+制造+封装）。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块（SiC二级管和SiCMOSFET构成）、SiC混合模块（SiC二级管和SiCIGBT构成）。4)应用：半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。四、 大力发展主导产业构建特色鲜明现代产业体系坚持以供给侧结构性改革为主线，紧紧围绕特色化、集约集群化、现代化方向，抢抓“高铁新时代”“数字经济
32、”新机遇，瞄准双循环经济新需求，紧盯国家稳定产业链供应链系列政策措施，做大做强3大优势产业，培育壮大3大支撑产业，加快发展县域“12”特色产业，重点实施“五大工程”，保持制造业比重基本稳定，拓展产业新链条，壮大特色产业集群。“十四五”末，主导产业高质量创新发展取得重大进展，发展战略格局更加清晰，主导产业增加值占全市地区生产总值比重力争达到60。五、 优化产业发展格局立足资源禀赋、产业优势和功能定位，围绕主导产业发展需要，加快构建“一核三带多节点”产业空间格局，明确县域“12”特色产业布局，推动重点产业集聚发展。构建“一核三带多集群”产业空间格局。一核：即中部创新产业核心区。以承德高新区、双桥区
33、、双滦区、承德县等中部城区为主，重点发展高端服务业、大数据、智能制造、特色装备、钒钛新材料及制品、生物健康等产业，打造高端创新产业发展核心区。三带：京哈高铁沿线产业带，以兴隆县、承德高新区、承德县、平泉市等京哈高铁沿线地区为主，重点发展京郊科研服务、大数据、智能制造、绿色食品等产业，打造高铁沿线五个“微中心”。环京津产业带，以丰宁县、兴隆县、滦平县、宽城县、营子区等环京津地区为主，重点发展京郊服务、特色装备、绿色食品及生物健康、现代物流、钒钛新材料及制品、新型建材等产业，打造融入京津、服务京津的协同发展示范带。北部生态产业带，以围场县、丰宁县、隆化县、御道口牧场管理区等北部生态区为主，重点发展
34、文旅康养、清洁能源、绿色食品及生物健康等产业，打造生态文明与绿色产业协调发展示范带。多集群：以全市重点打造的高新区、经开区、特色产业园区为重点，以“一核”为依托，以“三带”为骨架，突出产业关联配套、上下游有效衔接、产业要素有机融合，培育壮大一批主业突出、特色鲜明、市场竞争力强的特色产业集群。明确县域“12”特色产业布局。深入开展县域特色产业振兴行动，全域发展文化旅游产业，支持双桥区发展现代高端服务业、楼宇经济，双滦区发展生产性服务业、钒钛制品及特色制造产业，营子区发展绿色食品、钒钛新材料及制品产业，围场县发展食品医药、能源环保产业，丰宁县发展食品医药、清洁能源及特色装备制造产业，隆化县发展食品
35、医药、钒钛新材料及制品产业，承德县发展大数据电子信息、特色装备制造产业，平泉市发展食品医药、特色装备制造产业，滦平县发展食品医药、现代物流产业，宽城县发展钒钛新材料及制品、新型建材产业，兴隆县发展食品医药、科技创新产业，承德高新区发展大数据、生命医学大健康、智能装备制造产业，御道口牧场管理区发展食品医药、清洁能源产业。通过壮大特色产业集群，支撑和活跃全局，推动县域经济高质量发展。到2025年，县域经济地区生产总值突破1500亿元，各县（市、区）均建成销售收入超百亿元园区1个。六、 项目实施的必要性（一）现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业，公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知
36、名度，产品销售形势良好，产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展，公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段，不断挖掘产能潜力，但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设，公司将有效克服产能不足对公司发展的制约，为公司把握市场机遇奠定基础。（二）公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级，公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动，不断研发新产品，提升产品精密化程度，将产品质量水平提升到同类产品的领先水准，提高生产的灵活性和适应性，契合关键零部件国产化的需求，才能
37、在与国外企业的竞争中获得优势，保持公司在领域的国内领先地位。第四章 行业发展分析一、 第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代：1、第一代元素半导体材料：硅（Si）和锗(Ge)；为半导体最常用的材料，起源于20世纪50年代，奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等；是4G时代的大部分通信设备的材料，起源于20世纪90年代，奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，近10年世界各国陆续布局、产业化
38、进程快速崛起。其中，碳化硅（SiC）为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件，适用于600V以上高压场景，包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一：由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在：耐高压特性：更低的阻抗、禁带宽度更宽，能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更高的效率；耐高频特性：SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，能有效提高
39、元件的开关速度（大约是Si的3-10倍），适用于更高频率和更快的开关速度；耐高温特性：SiC相较硅拥有更高的热导率，能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。二、 竞争格局：国内外差距逐步缩小，国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局：海外龙
40、头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。（一）导电型SiC衬底全球市场：美国科锐公司（Wolfspeed）占据了60%以上的市场份额，基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括：美国二六（II-VI）、德国SiCrystalAG、道康宁（DowCorning）、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司：总体处于发展初期，主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年，天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。（二）半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐（WOLFS
41、PEED）、贰陆公司（II-VI）依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三，2020年市占率达30%。国内外差距缩小，进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早，各尺寸量产推出时间方面，国内与全球行业龙头企业存在差距：以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例，在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右，SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体，国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中，可观察到国内企业已迎头赶上，国内外差距正在缩小（举例：天岳6英寸
42、衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸，预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小）。目前海外龙头已向8吋发力（下游客户车规级为主），国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力（下游客户工业级为主）。第五章 SWOT分析一、 优势分析（S）（一）公司具有技术研发优势，创新能力突出公司在研发方面投入较高，持续进行研究开发与技术成果转化，形成企业核心的自主知识产权。公司产品在行业中的始终保持良好的技术与质量优势。此外，公司目前主要生产线为使用自有技术开发而成。（二）公司拥有技术研发、产品应用与市场开拓并进的核心团队公司的核心团队由多名具备行业多年研发、经营管理与市场经验的资深人士组成，与公
43、司利益捆绑一致。公司稳定的核心团队促使公司形成了高效务实、团结协作的企业文化和稳定的干部队伍，为公司保持持续技术创新和不断扩张提供了必要的人力资源保障。（三）公司具有优质的行业头部客户群体公司凭借出色的技术创新、产品质量和服务，树立了良好的品牌形象，获得了较高的客户认可度。公司通过与优质客户保持稳定的合作关系，对于行业的核心需求、产品变化趋势、最新技术要求的理解更为深刻，有利于研发生产更符合市场需求产品，提高公司的核心竞争力。（四）公司在行业中占据较为有利的竞争地位公司经过多年深耕，已在技术、品牌、运营效率等多方面形成竞争优势；同时随着行业的深度整合，行业集中度提升，下游客户为保障其自身原材料
44、供应的安全与稳定，在现有竞争格局下对于公司产品的需求亦不断提升。公司较为有利的竞争地位是长期可持续发展的有力支撑。二、 劣势分析（W）（一）资本实力相对不足近年来，随着公司订单迅速增加，生产规模不断扩大，各类产品市场逐步打开，公司对流动资金需求增大；随着产品技术水平的提升，公司对先进生产设备及研发项目的投资需求也持续增加。公司规模和业务的不断扩大对公司的资本实力提出了更高的要求。公司急需改变以往主要靠自有资金的发展模式，转向利用多种融资方式相结合模式，以求增强资本实力，更进一步地扩大产能、自主创新、持续发展。（二）规模效益不明显历经多年发展，行业整合不断加速。公司已在同行业企业中占据了较为优势
45、的市场地位。但与行业的龙头厂商相比，公司的规模效益仍存在提升空间。因此，公司拟通过加大优势项目投资，扩大产能规模，促进公司向规模经济化方向进一步发展。三、 机会分析（O）（一）不断提升技术研发实力是巩固行业地位的必要措施公司长期积累已取得了较丰富的研发成果。随着研究领域的不断扩大，公司产品不断往精密化、智能化方向发展，投资项目的建设，将支持公司在相关领域投入更多的人力、物力和财力，进一步提升公司研发实力，加快产品开发速度，持续优化产品结构，满足行业发展和市场竞争的需求，巩固并增强公司在行业内的优势竞争地位，为建设国际一流的研发平台提供充实保障。（二）公司行业地位突出，项目具备实施基础公司自成立
46、之日起就专注于行业领域，已形成了包括自主研发、品牌、质量、管理等在内的一系列核心竞争优势，行业地位突出，为项目的实施提供了良好的条件。在生产方面，公司拥有良好生产管理基础，并且拥有国际先进的生产、检测设备；在技术研发方面，公司系国家高新技术企业，拥有省级企业技术中心，并与科研院所、高校保持着长期的合作关系，已形成了完善的研发体系和创新机制，具备进一步升级改造的条件；在营销网络建设方面，公司通过多年发展已建立了良好的营销服务体系，营销网络拓展具备可复制性。四、 威胁分析（T）（一）技术风险1、技术更新的风险行业属于高新技术产业，对行业新进入者存在着较高的技术壁垒。公司需要自行研制工艺以保证产成品的稳定性。作为新兴行业，其生产技术和产品性能处于快速革新中，随着技术的不断更新换代，如果公司在技术革新和研发成果应用等方面不能与时俱进，将可能被其他具有新产品、新技术的公司赶超，从而影响公司发展前景。2、人才流失的风险行业