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1、泓域咨询/临汾MOSFET功率器件项目商业计划书临汾MOSFET功率器件项目商业计划书xxx有限公司目录第一章 项目绪论9一、 项目概述9二、 项目提出的理由11三、 项目总投资及资金构成12四、 资金筹措方案12五、 项目预期经济效益规划目标12六、 项目建设进度规划13七、 环境影响13八、 报告编制依据和原则13九、 研究范围14十、 研究结论15十一、 主要经济指标一览表15主要经济指标一览表15第二章 项目建设背景及必要性分析17一、 全球半导体行业发展概况17二、 功率器件应用发展机遇17三、 强化机遇意识22四、 聚焦省域副中心城市定位，全力推动区域协调发展22第三章 行业发展分
2、析25一、 功率半导体行业概述25二、 MOSFET器件概述26第四章 选址可行性分析32一、 项目选址原则32二、 建设区基本情况32三、 持续激发市场主体活力35四、 项目选址综合评价35第五章 建设内容与产品方案36一、 建设规模及主要建设内容36二、 产品规划方案及生产纲领36产品规划方案一览表36第六章 运营模式38一、 公司经营宗旨38二、 公司的目标、主要职责38三、 各部门职责及权限39四、 财务会计制度42第七章 SWOT分析说明48一、 优势分析（S）48二、 劣势分析（W）50三、 机会分析（O）50四、 威胁分析（T）51第八章 进度规划方案57一、 项目进度安排57项
3、目实施进度计划一览表57二、 项目实施保障措施58第九章 项目节能说明59一、 项目节能概述59二、 能源消费种类和数量分析60能耗分析一览表61三、 项目节能措施61四、 节能综合评价62第十章 环境保护方案64一、 环境保护综述64二、 建设期大气环境影响分析64三、 建设期水环境影响分析66四、 建设期固体废弃物环境影响分析66五、 建设期声环境影响分析66六、 环境影响综合评价67第十一章 投资估算68一、 投资估算的依据和说明68二、 建设投资估算69建设投资估算表73三、 建设期利息73建设期利息估算表73固定资产投资估算表75四、 流动资金75流动资金估算表76五、 项目总投资7
4、7总投资及构成一览表77六、 资金筹措与投资计划78项目投资计划与资金筹措一览表78第十二章 经济效益及财务分析80一、 经济评价财务测算80营业收入、税金及附加和增值税估算表80综合总成本费用估算表81固定资产折旧费估算表82无形资产和其他资产摊销估算表83利润及利润分配表85二、 项目盈利能力分析85项目投资现金流量表87三、 偿债能力分析88借款还本付息计划表89第十三章 风险评估分析91一、 项目风险分析91二、 项目风险对策93第十四章 招投标方案95一、 项目招标依据95二、 项目招标范围95三、 招标要求95四、 招标组织方式98五、 招标信息发布101第十五章 项目综合评价说明
5、102第十六章 附表附录104主要经济指标一览表104建设投资估算表105建设期利息估算表106固定资产投资估算表107流动资金估算表108总投资及构成一览表109项目投资计划与资金筹措一览表110营业收入、税金及附加和增值税估算表111综合总成本费用估算表111固定资产折旧费估算表112无形资产和其他资产摊销估算表113利润及利润分配表114项目投资现金流量表115借款还本付息计划表116建筑工程投资一览表117项目实施进度计划一览表118主要设备购置一览表119能耗分析一览表119报告说明根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年
6、复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。根据谨慎财务估算，项目总投资30471.21万元，其中：建设投资25018.15万元，占项目总投资的82.10%；建设期利息343.05万元，占项目总投资的1
7、.13%；流动资金5110.01万元，占项目总投资的16.77%。项目正常运营每年营业收入61000.00万元，综合总成本费用48527.54万元，净利润9112.96万元，财务内部收益率23.94%，财务净现值16553.48万元，全部投资回收期5.23年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。项目产品应用领域广泛，市场发展空间大。本项目的建立投资合理，回收快，市场销售好，无环境污染，经济效益和社会效益良好，这也奠定了公司可持续发展的基础。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报
8、告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 项目绪论一、 项目概述（一）项目基本情况1、项目名称：临汾MOSFET功率器件项目2、承办单位名称：xxx有限公司3、项目性质：扩建4、项目建设地点：xx（以选址意见书为准）5、项目联系人：许xx（二）主办单位基本情况公司不断建设和完善企业信息化服务平台，实施“互联网+”企业专项行动，推广适合企业需求的信息化产品和服务，促进互联网和信息技术在企业经营管理各个环节中的应用，业通过信息化提高效率和效益。搭建信息化服务平台，培育产业链，打造创新链，提升价值链，促进带动产业链上下游企业协同发展。公司在发展中始终坚持以创新为源动力，不断投入巨资引入先进研发
9、设备，更新思想观念，依托优秀的人才、完善的信息、现代科技技术等优势，不断加大新产品的研发力度，以实现公司的永续经营和品牌发展。公司按照“布局合理、产业协同、资源节约、生态环保”的原则，加强规划引导，推动智慧集群建设，带动形成一批产业集聚度高、创新能力强、信息化基础好、引导带动作用大的重点产业集群。加强产业集群对外合作交流，发挥产业集群在对外产能合作中的载体作用。通过建立企业跨区域交流合作机制，承担社会责任，营造和谐发展环境。公司坚持诚信为本、铸就品牌，优质服务、赢得市场的经营理念，秉承以人为本，始终坚持 “服务为先、品质为本、创新为魄、共赢为道”的经营理念，遵循“以客户需求为中心，坚持高端精品
10、战略，提高最高的服务价值”的服务理念，奉行“唯才是用，唯德重用”的人才理念，致力于为客户量身定制出完美解决方案，满足高端市场高品质的需求。（三）项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xx（以选址意见书为准），占地面积约77.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）产品规划方案根据项目建设规划，达产年产品规划设计方案为：xxx件MOSFET功率器件/年。二、 项目提出的理由第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓，具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点，在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先，由于
11、新能源汽车、5G等新技术的应用及需求迅速增加，第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高温下更好的表现，SiCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。根据Yole的数据，2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元，预计到2025年将增长至15.53亿美元，复合增长率为38%。第三代半导体材料仍然处于产业化起步阶段，国内已发布多个政策积极推进第三代半导体行业的发展，例如2019年国务院发布长江三角洲区域一体化发展规划纲要，提出要加快培育一批第三代半导体企业。高质量转型发展迈出坚实步伐。开发区建设势头强劲。新获批古县、曲沃、乡宁3个省级开发
12、区，新增数量全省第一，现有省级开发区11个、产业集聚区7个。建成标准化厂房45万平方米，储备土地1.43万亩，出让标准地17宗1322亩。襄汾标准地改革经验成为全省典型。项目建设强力推进。举办3期“三个一批”活动，省市重点项目完成投资242亿元，完成率109%。编制产业地图、招商图谱，成立上海、西安等外地临汾商会，赴北京、上海等地开展招商活动，累计签约项目199个、总投资1162亿元。产业发展提质增效。完成60万吨以下煤矿减量重组。2019、2020两年压减焦化产能1090万吨，占全省的27%。规划建设翼城千亿级钢材铸造煤化工产业集群。装备制造业增加值同比增长20%。优炫软件、百度标注、人民网
13、数据中心等一批信创产业项目落地临汾。三、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资30471.21万元，其中：建设投资25018.15万元，占项目总投资的82.10%；建设期利息343.05万元，占项目总投资的1.13%；流动资金5110.01万元，占项目总投资的16.77%。四、 资金筹措方案（一）项目资本金筹措方案项目总投资30471.21万元，根据资金筹措方案，xxx有限公司计划自筹资金（资本金）16468.99万元。（二）申请银行借款方案根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额14002.22万元。五、 项目预期经济效益规
14、划目标1、项目达产年预期营业收入（SP）：61000.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：48527.54万元。3、项目达产年净利润（NP）：9112.96万元。4、财务内部收益率（FIRR）：23.94%。5、全部投资回收期（Pt）：5.23年（含建设期12个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：25129.25万元（产值）。六、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需12个月的时间。七、 环境影响本期项目采用国内领先技术，把可能产生污染的各环节控制在生产工艺过程中，使外排的“三废”量达到最低限度，项目投产后不会给当地环境造成新污染。八、 报告编制依据
15、和原则（一）编制依据1、一般工业项目可行性研究报告编制大纲;2、建设项目经济评价方法与参数(第三版);3、建设项目用地预审管理办法;4、投资项目可行性研究指南;5、产业结构调整指导目录。（二）编制原则1、严格遵守国家和地方的有关政策、法规，认真执行国家、行业和地方的有关规范、标准规定；2、选择成熟、可靠、略带前瞻性的工艺技术路线，提高项目的竞争力和市场适应性；3、设备的布置根据现场实际情况，合理用地；4、严格执行“三同时”原则，积极推进“安全文明清洁”生产工艺，做到环境保护、劳动安全卫生、消防设施和工程建设同步规划、同步实施、同步运行，注意可持续发展要求，具有可操作弹性；5、形成以人为本、美观
16、的生产环境，体现企业文化和企业形象；6、满足项目业主对项目功能、盈利性等投资方面的要求；7、充分估计工程各类风险，采取规避措施，满足工程可靠性要求。九、 研究范围本报告对项目建设的背景及概况、市场需求预测和建设的必要性、建设条件、工程技术方案、项目的组织管理和劳动定员、项目实施计划、环境保护与消防安全、项目招投标方案、投资估算与资金筹措、效益评价等方面进行综合研究和分析，为有关部门对工程项目决策和建设提供可靠和准确的依据。十、 研究结论此项目建设条件良好，可利用当地丰富的水、电资源以及便利的生产、生活辅助设施，项目投资省、见效快；此项目贯彻“先进适用、稳妥可靠、经济合理、低耗优质”的原则，技术
17、先进，成熟可靠，投产后可保证达到预定的设计目标。十一、 主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积51333.00约77.00亩1.1总建筑面积102993.151.2基底面积31826.461.3投资强度万元/亩318.822总投资万元30471.212.1建设投资万元25018.152.1.1工程费用万元22299.172.1.2其他费用万元2062.142.1.3预备费万元656.842.2建设期利息万元343.052.3流动资金万元5110.013资金筹措万元30471.213.1自筹资金万元16468.993.2银行贷款万元14002.224营业收入万元610
18、00.00正常运营年份5总成本费用万元48527.546利润总额万元12150.617净利润万元9112.968所得税万元3037.659增值税万元2682.1610税金及附加万元321.8511纳税总额万元6041.6612工业增加值万元20648.0713盈亏平衡点万元25129.25产值14回收期年5.2315内部收益率23.94%所得税后16财务净现值万元16553.48所得税后第二章 项目建设背景及必要性分析一、 全球半导体行业发展概况半导体是电子产品的核心，信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点，全球半导体行业
19、具有一定的周期性，景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。根据全球半导体贸易组织统计，全球半导体行业2019年市场规模达到4,123亿美元，较2018年下降约12.1%。过去五年，随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展，以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起，带动了整个半导体行业规模增长。二、 功率器件应用发展机遇受益于新能源汽车和5G产业的高速发展，充电桩、5G通讯基站及车规级等市场对于高性能功率器件的需求将不断增加，高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。1、充电桩（1）发展机遇2020年，充电
20、桩被列入国家七大“新基建”领域之一。2020年5月两会期间，政府工作报告中强调“建设充电桩，推广新能源汽车，激发新消费需求、助力产业升级”。公安部交通管理局公布数据显示，截至2020年6月新能源汽车保有量有417万辆，与2019年年底相比增加36万辆，增长率达到9.45%。伴随新能源汽车保有量的高速增长，新能源充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长，截止2019年12月，全国充电基础设施累计数量为121.9万个，其中公共桩51.6万个，私人桩70.3万个，充电场站建设数量达到3.6万座。公共充电桩由政府机关等具有公共服务性质的机构置办，服务对象面向所有电动汽车车主。2015年至2019年，全国
21、公共充电桩的数量由5.8万个增长至51.6万个，复合年增长率达到了72.9%。近几年来，我国充电站同样有快速发展，充电站保有量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座，复合年增长率为140.64%。充电站密度越来越高，电动汽车车主充电便利性也得到了大幅改善。“新基建”对充电桩的建设驱动主要在以下几方面：驱动公共桩建设提质且区域均衡发展，直流桩占比将持续提升，省份间差异有望缩小。推动优质场站建设，完善配套设施申报流程办理。推动小区、商场等停车位充电桩建设。促进对运营商的建设与充电运营流程支持。（2）超级结MOSFET功率器件迎来快速发展机遇充电桩按充电能力分类，以处理不同的用例
22、场景。公共充电桩包括交流桩和直流桩，交流充电桩需要借助车载充电机，充电速度较慢，一辆纯电动汽车（普通电池容量）完全放电后通过交流充电桩充满通常需要8个小时。直流充电桩俗称“快充”，固定安装在电动汽车外，与交流电网连接，通常仅需要不到2-3小时即可将一辆纯电动汽车电池充满。目前我国公共交流桩主要分为单相交流桩和三相交流桩。单相交流桩的建设更广泛，对应的充电功率分为3.5kW和7kW，其中，公共交流桩充电功率以7kW为主。三相交流桩的主要功率为21kW、40kW和80kW，但整体数量较少。从2016-2019年新增公共交流桩平均功率来看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流桩主要使用三相
23、维也纳输入整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的领先解决方案使用了超级结MOSFET。公共直流充电桩一般输入电压为380V。根据2016-2019年新增公共直流桩平均功率数据，公共直流桩充电功率在逐渐提高。其中2017年上涨幅度最大，从69.23kW提高到91.65kW，而到了2019年虽然维持上涨趋势，但由于目前市场的公共直流桩充电功率已经基本上能够满足电动汽车的充电需求，故2019年新增公共直流桩平均充电功率小幅提高，达到115.76kW。预计未来新增的公共直流桩充电功率普遍在120kW左右。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的
24、功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计，100kW的充电桩需要功率器件价值量在200-300美元，预计随着充电桩的不断建设，功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展机遇。 2、5G基站（1）5G建设规模2020年12月15日在2021中国信通院ICT+深度观察报告会上，工业和信息化部发言人指出，中国已累计建成5
25、G基站71.8万个，推动共建共享5G基站33万个。2020年12月28日，工信部部长肖亚庆在2021年全国工业和信息化工作会议上表示，2021年将有序推进5G网络建设及应用，加快主要城市5G覆盖，推进共建共享，新建5G基站60万个以上。（2）5G基站拉动功率半导体需求5G建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1）5G基站功率更高、建设更为密集，带来更大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；以及4）云计算拉动计算用功率半导体用量。MIMO即多进多出，指在发送端和接收端都使用多根天线、在收发之间构成多个信道的天线系统，可以极大地提高信道容量。Mass
26、iveMIMO即大规模天线，可以在不增加频谱资源和天线发送功率的情况下，提升系统信道容量和信号覆盖范围。数量上，传统网络天线的通道数为2/4/8个，而MassiveMIMO通道数可以达到64/128/256个。信号覆盖维度上，传统MIMO为2D覆盖，信号只能在水平方向移动，不能在垂直方向移动，类似与平面发射。而MassiveMIMO的信号辐射状是电磁波束，可以利用垂直维度空域。5G网络主要部署在高频频段，即毫米波频段（mmWave）。因接收功率与波长的平方成正比，毫米波的信号衰减严重，而发射功率又受到限制，所以5G网络部署需要增加发射天线和接收天线的数量，使用MassiveMIMO技术。根据英
27、飞凌的统计，传统MIMO天线需要的功率半导体价值大约为25美元，而过渡为MassvieMIMO天线阵列后，所需的MOSFET等功率半导体价值增加至100美元，达到原来的4倍。与云计算相比，雾计算所采用的架构呈分布式，更接近网络边缘。雾计算将数据、数据处理和应用程序集中在网络边缘的设备中，数据的存储及处理更依赖本地设备，本地运算设备的增加带动MOSFET用量提升。三、 强化机遇意识要辩证地看待机遇和挑战，善于在危机中育先机、于变局中开新局。抢抓构建新发展格局的“窗口期”，在竞争中乘势入局，赢得发展先机；抢抓疫情等重大危机带来的“反转期”，把握发展主动权，重塑竞争新优势；抢抓重大科技突破带来的“裂
28、变期”，将智慧、数字、算法与现有产业深度融合，推动经济发展质量变革、效率变革；抢抓转型综改、能源革命、黄河流域生态保护和高质量发展的“红利期”，把握政策时度效，打造要素集聚新高地；抢抓我市区域空间布局、全方位开放、绿色崛起的“转型期”，聚焦“六新”突破，加快发展新兴产业、未来产业；抢抓资源驱动向创新驱动转换的“演变期”，以碳达峰、碳中和倒逼传统产业改造升级，为转型赢得时间和空间。四、 聚焦省域副中心城市定位，全力推动区域协调发展深化区域战略合作。积极对接太原都市区，按照“主动对接、主副联动、优势互补、协同开发”的思路，加强项目沟通、资源共享、渠道共建，形成“双赢”格局，引领辐射带动晋南区域协调
29、发展。深度融入晋陕豫黄河金三角区域合作，把基础设施、产业发展、生态环保、卫生健康、公共服务等方面的合作推向更高水平。主动加强与成渝、京津冀等区域的互动，宽领域、深层次开展对接合作，导入发展资源，打造中西部地区高质量承接产业转移优选地。优化市域空间结构。高标准编制省域副中心城市发展战略规划，着力构建“一轴双翼、三城多点”的城市空间结构。“一轴”即“一市四区”和霍州组成的发展主轴，重点是同步建设、同频共振，充分发挥城市带辐射引领作用；“双翼”即沿黄、沿太岳两大板块，重点是协调联动，实现区域性合作、组团式发展；“三城”即市区主城、东城、西城三大核心区域，重点是强化品质塑造，打造示范样板；“多点”即大
30、县城、特色小镇、美丽乡村形成的多点支撑，重点是加强经济互补，实现以城带乡、以乡促城。强化三大板块协同。沿汾板块突出转型核心区作用，加快煤、焦、钢、电、铸造等传统产业升级“创A”；重点发展装备制造、新材料、生物医药、信创等“六新”产业、新兴产业和未来产业；积极发展智慧物流、电子商务、绿色金融等现代服务业；持续发挥粮食主产区作用，大力发展现代农业。沿黄板块突出高水平保护，大力发展玉露香梨、苹果、红枣、养殖、花卉等农业特色产业；加快发展沿黄现代文旅产业；重点发展煤成气、风电、太阳能等新能源产业，注重发展储能、清洁用能产业。沿太岳板块突出发展低碳绿色循环经济，承接煤、焦、化工等传统产业升级转移，拓展延
31、伸产业链；大力发展新能源、新材料、新产品；打造全国知名特色中药材集散地，持续做大药茶产业；打造城郊经济，做强康养、民宿等产业。三大板块错位发展、互促共融，形成全市域高质量转型和协同提升的新局面。第三章 行业发展分析一、 功率半导体行业概述1、功率半导体介绍功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。近年来，随着国民经济的快速发展，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，市场规模呈现稳健增长态势。功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类，其中功率分立器件主要包括功率二极管、晶闸管、
32、高压晶体管、MOSFET、IGBT等产品。在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET特别是超级结MOSFET、IGBT等高端分立器件产品由
33、于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。2、功率MOSFET的技术发展情况随着社会电气化程度的不断提高，功率器件的性能也需要不断提高以满足更高的要求。对于功率MOSFET而言，技术驱动的性能提升主要包括三个方面：更高的开关频率、更高的功率密度以及更低的功耗。为了实现更高的性能指标，功率器件主要经历了工艺进步、器件结构改进与使用宽禁带材料等几个方面的演进。在制造工艺上，线宽制程从10微米缩减至0.15-0.35微米，提升了功率器件的密度、品质因数（FOM）以及开关效率。在器件结构改进方面，功率器件经历了平面（Planar）、沟槽（Trench）、超级结（SuperJu
34、nction）等器件结构的变化，进一步提高了器件的功率密度和工作频率。在材料方面，新兴的第三代半导体功率器件采用了碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)材料，进一步提升了器件的开关特性、降低了功耗，也改善了其高温特性。二、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至73.
35、88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其
36、中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。2019年，中国MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起
37、，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，因此在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结
38、构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率
39、密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测，2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管
40、BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长，全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比
41、达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目，被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域，IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在1700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十，
42、市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚，未来进口替代空间巨大，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。第四章 选址可行性分析一、 项目选址原则节约土地资源，充分利用空闲地、非耕地或荒地，尽可能不占良田或少占耕地；应充分利用天然地形，选择土地综合利用率高、征地费用少的场址。二、 建设区基本情况临汾是山西省下辖地级市，省域副中心城市，位于山西省西南部，东倚太岳，与长治、晋城为邻；西临黄河，与陕西延安、渭南隔河相望；北起韩信岭，与晋中、吕梁毗
43、连；南与运城市接壤，因地处汾水之滨而得名；地处半干旱、半湿润季风气候区，属温带大陆性气候，四季分明，雨热同期；辖1个市辖区、14个县，代管2个县级市。面积2.03万平方公里。根据第七次人口普查数据，截至2020年11月1日零时，临汾市常住人口为3976481人。临汾市历史悠久，是华夏民族的重要发祥地之一和黄河文明的摇篮，有“华夏第一都”之称；该市是华北地区重要的粮棉生产基地，盛产小麦、棉花等，素有“棉麦之乡”和“膏腴之地”美誉；该市已形成多元产业体系，是山西省新型能源和工业基地建设的重要组成部分；该市自然资源丰富，是中国三大优质主焦煤基地之一；该市非物质文化种类繁多，有蒲州梆子、威风锣鼓等多种
44、民间艺术形式，被誉为“梅花之乡”、“剪纸之乡”和“锣鼓之乡”。十三五”时期，我们始终牢记领袖嘱托、勇担时代使命、奋力攻坚克难，全市地区生产总值从1070.3亿元增长到1505.2亿元，年均增长4.1%；城乡居民人均可支配收入年均增长6.2%、8%，持续高于经济增速，综合实力跃上新的台阶，经济社会发展取得新的成就。五年来，我们深度调整产业结构，压减煤炭、焦化、钢铁产能1815万吨、1457万吨、252万吨，煤焦钢先进产能占比大幅提高；装备制造业、高技术产业分别增长136.5%、136.3%，产业核心竞争力显著增强。我们全力推进精准脱贫，全市10个贫困县全部“摘帽”，7个非贫困县整体脱贫，662个
45、贫困村全部退出，27万余名贫困人口在现行标准下全部脱贫，历史性地解决了千百年来的绝对贫困问题。我们大力改善生态环境，市区及周边10公里范围重污染企业全部“清零”，“一城三区”海拔600米以下区域基本实现“无煤化”，全市国考断面优良水体比例33.3%，改善率全省第一。我们持续加强基础建设，霍永高速永和至永和关段、吉河高速、长临高速通车运营；尧都机场航线从4条增至17条，通达全国26个大中城市；中部引黄、禹门口提水东扩等大水网涉临骨干工程加快推进；中心城市、大县城、特色乡镇、美丽乡村建设步伐加快，城乡面貌焕然一新。我们坚定不移改善民生，城镇新增就业26.5万人，转移农村劳动力就业25.5万人；城乡
46、居民最低生活保障标准每人每月提高208元、225元；各级各类教育普及程度明显提高，全生命周期健康服务体系初步形成，多层次社会保障制度实现全覆盖，公共文化服务体系日益完善，法治临汾、平安临汾建设扎实推进，群众的获得感、幸福感、安全感进一步提升。经济发展更优质，地区生产总值年均增长8.5%左右，工业增加值占GDP比重达42%，培育形成35个战略性支柱产业集群和5个以上战略性新兴产业集群。城市能级更提升，到2025年全市城镇化率达到68%左右，省域副中心城市效应不断显现，区域发展战略地位持续增强。生态环境更优美，主体功能区制度逐步完善，低碳绿色生产生活方式基本形成，环保约束性指标完成省下达的指标任务。创新改革更深入，基本构建起创新活力充分涌流、创业潜力有效激发、创造动力竞相迸发的一流创新生态，各领域改革取得明显成效。对外开放更全面，发挥临汾在“一带一路”大商圈中的重要节点作用，经济外向度、区域合作水平大幅提高。社会发展更文明，公共文化服务体系和文化产业体系更加健全，学习型社会基本建成，人民物质生活和精神生活得到全面提升。民生福祉更厚实，居民收入增长和经济发展同步，人民对美好生活的需求得到更好满足。社会治理更完善，基层治理能力全面提升，突发公共事件应急能力显著增强，自然灾害防