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1、泓域咨询/济南碳化硅项目商业计划书济南碳化硅项目商业计划书xx（集团）有限公司报告说明SiCMOSFET可简化直流充电桩AC/DC及DC/DC电路结构，减少器件数量实现充电效率提升。根据英飞凌，在DC/DC中，使用4颗1200VSiCMOSFET替代8颗650V硅基MOSFET，在同样功率下，可将原来的两相全桥LLC电路简化为单相全桥LLC电路，所用器件数量减少50%，提升电路整体效率。同样在AC/DC中，使用SiCMOSFET可将三相Vienna整流器拓扑电路简化为两相结构，器件数量减少50%实现效率提升。同时，SiCMOSFET的整体损耗也更小。综上，SiC方案能使得整体充电器体积更小、功
2、率密度更高、充电效率更高，更好的满足快充要求。根据谨慎财务估算，项目总投资61692.73万元，其中：建设投资46246.37万元，占项目总投资的74.96%；建设期利息1124.55万元，占项目总投资的1.82%；流动资金14321.81万元，占项目总投资的23.21%。项目正常运营每年营业收入122800.00万元，综合总成本费用105941.03万元，净利润12265.12万元，财务内部收益率11.68%，财务净现值-2872.28万元，全部投资回收期7.29年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。本项目符合国家产业发展政策和行业技术进步要求，符合市场要求，
3、受到国家技术经济政策的保护和扶持，适应本地区及临近地区的相关产品日益发展的要求。项目的各项外部条件齐备，交通运输及水电供应均有充分保证，有优越的建设条件。，企业经济和社会效益较好，能实现技术进步，产业结构调整，提高经济效益的目的。项目建设所采用的技术装备先进，成熟可靠，可以确保最终产品的质量要求。本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。目录第一章 项目总论9一、 项目定位及建设理由9二、 项目名称及建设性质9三、 项目承办单位9四、 项目建设选址11五、 项目生产规模11六、 建筑物建设规模11七、 项目总投资及
4、资金构成11八、 资金筹措方案12九、 项目预期经济效益规划目标12十、 项目建设进度规划13十一、 项目综合评价13主要经济指标一览表13第二章 建设单位基本情况16一、 公司基本信息16二、 公司简介16三、 公司竞争优势17四、 公司主要财务数据19公司合并资产负债表主要数据19公司合并利润表主要数据19五、 核心人员介绍20六、 经营宗旨21七、 公司发展规划21第三章 背景、必要性分析27一、 射频：5G推动GaN-on-SiC需求提升27二、 碳化硅材料：全球加速扩产“跑马圈地”，关注稀缺的有效产能27三、 主逆变器：800V系统下SiCMOSFET大显身手，降低主逆变器损耗及体积
5、30四、 全面塑造强省会高质量发展新优势32五、 项目实施的必要性35第四章 行业发展分析36一、 乘碳中和之东风，2025年市场规模有望较2020年翻5倍36二、 工控：SiC模块有望在轨交、智能电网、风电等领域实现全方位渗透37三、 SiC较IGBT具备耐高压、低损耗和高频三大核心优势38第五章 运营管理40一、 公司经营宗旨40二、 公司的目标、主要职责40三、 各部门职责及权限41四、 财务会计制度44第六章 发展规划51一、 公司发展规划51二、 保障措施55第七章 法人治理结构58一、 股东权利及义务58二、 董事62三、 高级管理人员68四、 监事71第八章 创新发展74一、 企
6、业技术研发分析74二、 项目技术工艺分析76三、 质量管理78四、 创新发展总结79第九章 SWOT分析说明80一、 优势分析（S）80二、 劣势分析（W）82三、 机会分析（O）82四、 威胁分析（T）83第十章 产品规划方案89一、 建设规模及主要建设内容89二、 产品规划方案及生产纲领89产品规划方案一览表89第十一章 建筑工程方案92一、 项目工程设计总体要求92二、 建设方案93三、 建筑工程建设指标93建筑工程投资一览表94第十二章 风险分析96一、 项目风险分析96二、 公司竞争劣势101第十三章 进度规划方案102一、 项目进度安排102项目实施进度计划一览表102二、 项目实
7、施保障措施103第十四章 投资估算及资金筹措104一、 编制说明104二、 建设投资104建筑工程投资一览表105主要设备购置一览表106建设投资估算表107三、 建设期利息108建设期利息估算表108固定资产投资估算表109四、 流动资金110流动资金估算表111五、 项目总投资112总投资及构成一览表112六、 资金筹措与投资计划113项目投资计划与资金筹措一览表113第十五章 项目经济效益评价115一、 经济评价财务测算115营业收入、税金及附加和增值税估算表115综合总成本费用估算表116固定资产折旧费估算表117无形资产和其他资产摊销估算表118利润及利润分配表120二、 项目盈利能
8、力分析120项目投资现金流量表122三、 偿债能力分析123借款还本付息计划表124第十六章 项目总结126第十七章 补充表格128主要经济指标一览表128建设投资估算表129建设期利息估算表130固定资产投资估算表131流动资金估算表132总投资及构成一览表133项目投资计划与资金筹措一览表134营业收入、税金及附加和增值税估算表135综合总成本费用估算表135固定资产折旧费估算表136无形资产和其他资产摊销估算表137利润及利润分配表138项目投资现金流量表139借款还本付息计划表140建筑工程投资一览表141项目实施进度计划一览表142主要设备购置一览表143能耗分析一览表143第一章
9、项目总论一、 项目定位及建设理由碳化硅为第三代半导体材料，碳化硅器件较传统硅基器件可具备耐高压、低损耗和高频三大优势。碳化硅具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，广泛应用于新能源汽车、光伏、工控、射频通信等领域。SiCMOSFET较IGBT可同时具备耐高压、低损耗和高频三大优势。此外，据Wolfspeed研究显示，相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减少至原来的1/10。在新能源汽车方面，基于上述性能优势，碳化硅可助力新能源汽车实现轻量化及降低损耗，增加续航里程，特斯拉、比亚迪等车企
10、已率先开始应用SiC方案。二、 项目名称及建设性质（一）项目名称济南碳化硅项目（二）项目建设性质本项目属于扩建项目三、 项目承办单位（一）项目承办单位名称xx（集团）有限公司（二）项目联系人王xx（三）项目建设单位概况经过多年的发展，公司拥有雄厚的技术实力，丰富的生产经营管理经验和可靠的产品质量保证体系，综合实力进一步增强。公司将继续提升供应链构建与管理、新技术新工艺新材料应用研发。集团成立至今，始终坚持以人为本、质量第一、自主创新、持续改进，以技术领先求发展的方针。本公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。公司坚持“责任+爱心”的服务理念，将
11、诚信经营、诚信服务作为企业立世之本，在服务社会、方便大众中赢得信誉、赢得市场。“满足社会和业主的需要，是我们不懈的追求”的企业观念，面对经济发展步入快车道的良好机遇，正以高昂的热情投身于建设宏伟大业。公司将依法合规作为新形势下实现高质量发展的基本保障，坚持合规是底线、合规高于经济利益的理念，确立了合规管理的战略定位，进一步明确了全面合规管理责任。公司不断强化重大决策、重大事项的合规论证审查，加强合规风险防控，确保依法管理、合规经营。严格贯彻落实国家法律法规和政府监管要求，重点领域合规管理不断强化，各部门分工负责、齐抓共管、协同联动的大合规管理格局逐步建立，广大员工合规意识普遍增强，合规文化氛围
12、更加浓厚。公司秉承“诚实、信用、谨慎、有效”的信托理念，将“诚信为本、合规经营”作为企业的核心理念，不断提升公司资产管理能力和风险控制能力。四、 项目建设选址本期项目选址位于xx（以选址意见书为准），占地面积约99.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。五、 项目生产规模项目建成后，形成年产xxx吨碳化硅的生产能力。六、 建筑物建设规模本期项目建筑面积143409.78，其中：生产工程96224.44，仓储工程30810.78，行政办公及生活服务设施12965.00，公共工程3409.56。七、 项目总投资及资金构成（一
13、）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资61692.73万元，其中：建设投资46246.37万元，占项目总投资的74.96%；建设期利息1124.55万元，占项目总投资的1.82%；流动资金14321.81万元，占项目总投资的23.21%。（二）建设投资构成本期项目建设投资46246.37万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用40019.51万元，工程建设其他费用4947.13万元，预备费1279.73万元。八、 资金筹措方案本期项目总投资61692.73万元，其中申请银行长期贷款22949.82万元，其余部分由企
14、业自筹。九、 项目预期经济效益规划目标（一）经济效益目标值（正常经营年份）1、营业收入（SP）：122800.00万元。2、综合总成本费用（TC）：105941.03万元。3、净利润（NP）：12265.12万元。（二）经济效益评价目标1、全部投资回收期（Pt）：7.29年。2、财务内部收益率：11.68%。3、财务净现值：-2872.28万元。十、 项目建设进度规划本期项目按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设，本期项目建设期限规划24个月。十一、 项目综合评价经初步分析评价，项目不仅有显著的经济效益，而且其社会救益、生态效益非常显著，项目的建设对提高农民收入、维护社会稳定，构
15、建和谐社会、促进区域经济快速发展具有十分重要的作用。项目在社会经济、自然条件及投资等方面建设条件较好，项目的实施不但是可行而且是十分必要的。主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积66000.00约99.00亩1.1总建筑面积143409.781.2基底面积41580.001.3投资强度万元/亩449.562总投资万元61692.732.1建设投资万元46246.372.1.1工程费用万元40019.512.1.2其他费用万元4947.132.1.3预备费万元1279.732.2建设期利息万元1124.552.3流动资金万元14321.813资金筹措万元61692.733.1自筹资金万
16、元38742.913.2银行贷款万元22949.824营业收入万元122800.00正常运营年份5总成本费用万元105941.036利润总额万元16353.497净利润万元12265.128所得税万元4088.379增值税万元4212.3310税金及附加万元505.4811纳税总额万元8806.1812工业增加值万元31321.0713盈亏平衡点万元60740.20产值14回收期年7.2915内部收益率11.68%所得税后16财务净现值万元-2872.28所得税后第二章 建设单位基本情况一、 公司基本信息1、公司名称：xx（集团）有限公司2、法定代表人：王xx3、注册资本：900万元4、统一社
17、会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2011-8-257、营业期限：2011-8-25至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事碳化硅相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介公司将依法合规作为新形势下实现高质量发展的基本保障，坚持合规是底线、合规高于经济利益的理念，确立了合规管理的战略定位，进一步明确了全面合规管理责任。公司不断强化重大决策、重大事项的合规论证审查，加强合规风险防控，确保依法管
18、理、合规经营。严格贯彻落实国家法律法规和政府监管要求，重点领域合规管理不断强化，各部门分工负责、齐抓共管、协同联动的大合规管理格局逐步建立，广大员工合规意识普遍增强，合规文化氛围更加浓厚。公司秉承“诚实、信用、谨慎、有效”的信托理念，将“诚信为本、合规经营”作为企业的核心理念，不断提升公司资产管理能力和风险控制能力。三、 公司竞争优势（一）工艺技术优势公司一直注重技术进步和工艺创新，通过引入国际先进的设备，不断加大自主技术研发和工艺改进力度，形成较强的工艺技术优势。公司根据客户受托产品的品种和特点，制定相应的工艺技术参数，以满足客户需求，已经积累了丰富的工艺技术。经过多年的技术改造和工艺研发，
19、公司已经建立了丰富完整的产品生产线，配备了行业先进的设备，形成了门类齐全、品种丰富的工艺，可为客户提供一体化综合服务。（二）节能环保和清洁生产优势公司围绕清洁生产、绿色环保的生产理念，依托科技创新，注重从产品结构和工艺技术的优化来减少三废排放，实现污染的源头和过程控制，通过引进智能化设备和采用自动化管理系统保障清洁生产，提高三废末端治理水平，保障环境绩效。经过持续加大环保投入，公司已在节能减排和清洁生产方面形成了较为明显的竞争优势。（三）智能生产优势近年来，公司着重打造 “智慧工厂”，通过建立生产信息化管理系统和自动输送系统，将企业的决策管理层、生产执行层和设备运作层进行有机整合，搭建完整的现
20、代化生产平台，智能系统的建设有利于公司的订单管理和工艺流程的优化，在确保满足客户的各类功能性需求的同时缩短了产品交付期，提高了公司的竞争力，增强了对客户的服务能力。（四）区位优势公司地处产业集聚区，在集中供气、供电、供热、供水以及废水集中处理方面积累了丰富的经验，能源配套优势明显。产业集群效应和配套资源优势使公司在市场拓展、技术创新以及环保治理等方面具有独特的竞争优势。（五）经营管理优势公司拥有一支敬业务实的经营管理团队，主要高级管理人员长期专注于印染行业，对行业具有深刻的洞察和理解，对行业的发展动态有着较为准确的把握，对产品趋势具有良好的市场前瞻能力。公司通过自主培养和外部引进等方式，建立了
21、一支团结进取的核心管理团队，形成了稳定高效的核心管理架构。公司管理团队对公司的品牌建设、营销网络管理、人才管理等均有深入的理解，能够及时根据客户需求和市场变化对公司战略和业务进行调整，为公司稳健、快速发展提供了有力保障。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额21603.6317282.9016202.72负债总额9458.997567.197094.24股东权益合计12144.649715.719108.48公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入91800.4673440.3768850.35
22、营业利润16794.6713435.7412596.00利润总额13563.9610851.1710172.97净利润10172.977934.927324.54归属于母公司所有者的净利润10172.977934.927324.54五、 核心人员介绍1、王xx，中国国籍，1978年出生，本科学历，中国注册会计师。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司独立董事。2、范xx，1957年出生，大专学历。1994年5月至2002年6月就职于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2018年3月至今任公司董
23、事。3、宋xx，中国国籍，1977年出生，本科学历。2018年9月至今历任公司办公室主任，2017年8月至今任公司监事。4、谭xx，1974年出生，研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx有限责任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限责任公司销售部副经理。2011年3月至今历任公司监事、销售部副部长、部长；2019年8月至今任公司监事会主席。5、高xx，中国国籍，无永久境外居留权，1959年出生，大专学历，高级工程师职称。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技术顾问；2004年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任公司
24、董事、副总经理、总工程师。6、孔xx，中国国籍，无永久境外居留权，1961年出生，本科学历，高级工程师。2002年11月至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事。7、覃xx，中国国籍，无永久境外居留权，1970年出生，硕士研究生学历。2012年4月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。8、秦xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958年出生，本科学历，高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长；2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理；2019年3月至今任公司董事。六、 经
25、营宗旨加强经济合作和技术交流，采用先进适用的科学技术和科学经营管理方法，提高产品质量，发展新产品，并在质量、价格等方面具有国际市场上的竞争能力，提高经济效益，使投资者获得满意的利益。七、 公司发展规划（一）公司未来发展战略公司秉承“不断超越、追求完美、诚信为本、创新为魂”的经营理念，贯彻“安全、现代、可靠、稳定”的核心价值观，为客户提供高性能、高品质、高技术含量的产品和服务，致力于发展成为行业内领先的供应商。未来公司将通过持续的研发投入和市场营销网络的建设进一步巩固公司在相关领域的领先地位，扩大市场份额；另一方面公司将紧密契合市场需求和技术发展方向进一步拓展公司产品类别，加大研发推广力度，进一
26、步提升公司综合实力以及市场地位。（二）扩产计划经过多年的发展，公司在相关领域领域积累了丰富的生产经验和技术优势，随着公司业务规模逐年增长，产能瓶颈日益显现。因此，产能提升计划是实现公司整体发展战略的重要环节。公司将以全球行业持续发展及逐渐向中国转移为依托，提高公司生产能力和生产效率，满足不断增长的客户需求，巩固并扩大公司在行业中的竞争优势，提高市场占有率和公司影响力。在产品拓展方面，公司计划在扩宽现有产品应用领域的同时，不断丰富产品类型，持续提升产品质量和附加值，保持公司产品在行业中的竞争地位。（三）技术研发计划公司未来将继续加大技术开发和自主创新力度，在现有技术研发资源的基础上完善技术中心功
27、能，规范技术研究和产品开发流程，引进先进的设计、测试等软硬件设备，提高公司技术成果转化能力和产品开发效率，提升公司新产品开发能力和技术竞争实力，为公司的持续稳定发展提供源源不断的技术动力。公司将本着中长期规划和近期目标相结合、前瞻性技术研究和产品应用开发相结合的原则，以研发中心为平台，以市场为导向，进行技术开发和产品创新，健全和完善技术创新机制，从人、财、物和管理机制等方面确保公司的持续创新能力，努力实现公司新技术、新产品、新工艺的持续开发。（四）技术研发计划公司将以新建研发中心为契机，在对现有产品的技术和工艺进行持续改进、提高公司的研发设计能力、满足客户对产品差异化需求的同时，顺应行业技术发
28、展，不断研发新工艺、新技术，不断提升产品自动化程度，在充分满足下游领域对产品质量要求不断提高的同时，强化公司自主创新能力，巩固公司技术的行业先进地位，强化公司的综合竞争实力。积极实施知识产权保护自主创新、自主知识产权和自主品牌是公司今后持续发展的关键。自主知识产权是自主创新的保障，公司未来三年将重点关注专利的保护，依靠自主创新技术和自主知识产权，提高盈利水平。公司计划在未来三年内大量引进或培养技术研发、技术管理等专业人才，以培养技术骨干为重点建设内容，建立一支高、中、初级专业技术人才合理搭配的人才队伍，满足公司快速发展对人才的需要。公司将采用各种形式吸引优秀的科技人员。包括：提高技术人才的待遇
29、；通过与高校、科研机构联合，实行对口培训等形式，强化技术人员知识更新；积极拓宽人才引进渠道，实行就地取才、内部挖掘和面向社会广揽人才相结合。确保公司产品的高技术含量，充分满足客户的需求，使公司在激烈的市场竞争中立于不败之地。公司将加强与高等院校、研发机构的合作与交流，整合产、学、研资源优势，通过自主研发与合作开发并举的方式，持续提升公司技术研发水平，提升公司对重大项目的攻克能力，提高自身研发技术水平，进一步强化公司在行业内的影响力。（五）市场开发规划公司根据自身技术特点与销售经验，制定了如下市场开发规划：首先，公司将以现有客户为基础，在努力提升产品质量的同时，以客户需求为导向，在各个方面深入了
30、解客户需求，以求充分满足客户的差异化需求，从而不断增加现有客户订单；其次，公司将在稳定与现有客户合作关系的同时，凭借公司成熟的业务能力及优质的产品质量逐步向新的客户群体拓展，挖掘新的销售市场；最后，公司将不断完善营销网络建设，提升公司售后服务能力，从而提升公司整体服务水平，实现整体业务的协同及平衡发展。（六）人才发展规划人才是公司发展的核心资源，为了实现公司总体战略目标，公司将健全人力资源管理体系，制定科学的人力资源开发计划，进一步建立完善的培训、薪酬、绩效和激励机制，最大限度的发挥人才潜力，为公司的可持续发展提供人才保障。公司将立足于未来发展需要，进一步加快人才引进。通过专业化的人力资源服务
31、和评估机制，满足公司的发展需要。一方面，公司将根据不同部门职能，有针对性的招聘专业化人才：管理方面，公司将建立规范化的内部控制体系，根据需要招聘行业内专业的管理人才，提升公司整体管理水平；技术方面，公司将引进行业内优秀人才，提升公司的技术创新能力，增加公司核心技术储备，并加速成果转化，确保公司技术水平的领先地位。另一方面，公司将建立人才梯队，以培养管理和技术骨干为重点，有计划地吸纳各类专业人才进入公司，形成高、中、初级人才的塔式人才结构，为公司的长远发展储备力量。培训是企业人力资源整合的重要途径，未来公司将强化现有培训体系的建设，建立和完善培训制度，针对不同岗位的员工制定科学的培训计划，并根据
32、公司的发展要求及员工的发展意愿，制定员工的职业生涯规划。公司将采用内部交流课程、外聘专家授课及先进企业考察等多种培训方式提高员工技能。人才培训的强化将大幅提升员工的整体素质，使员工队伍进一步适应公司的快速发展步伐。公司将制定具有市场竞争力的薪酬结构，制定和实施有利于人才成长和潜力挖掘的激励政策。根据员工的服务年限及贡献，逐步提高员工待遇，激发员工的创造性和主动性，为员工提供广阔的发展空间，全力打造团结协作、拼搏进取、敬业爱岗、开拓创新的员工队伍，从而有效提高公司凝聚力和市场竞争力。第三章 背景、必要性分析一、 射频：5G推动GaN-on-SiC需求提升5G发展推动碳化硅基氮化镓器件需求增长，市
33、场空间广阔。微波射频器件中功率放大器直接决定移动终端和基站无线通讯距离、信号质量等关键参数，5G通讯高频、高速、高功率特点对其性能有更高要求。以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具备碳化硅高导热性能和氮化镓高频段下大功率射频输出优势，在功率放大器上的应用可满足5G通讯对高频性能、高功率处理能力要求。当前5G新建基站仍使用LDMOS功率放大器，但随5G技术进一步发展，MIMO基站建立需使用氮化镓功率放大器，氮化镓射频器件在功率放大器中渗透率将持续提升。据Yole和Wolfspeed预测，2024年碳化硅基氮化镓功率器件市场有望突破20亿美元，2027年进一步增长至35亿美元。根据预测，受益5G通讯
34、快速发展，通讯频段向高频迁移，基站和通信设备需要支持高频性能的PA，碳化硅基氮化镓射频器件相比硅基LDMOS和GaAs的优势将逐步凸显，2020年全球碳化硅射频器件市场规模为8.92亿美元，预计到2025年将增长至21.21亿美元，对应CAGR为18.9%，和Yole和Wolfspeed预测基本一致。二、 碳化硅材料：全球加速扩产“跑马圈地”，关注稀缺的有效产能SiC衬底和外延技术壁垒较高，存在长晶速度慢、扩径难度高、杂质控制难度高等难点。目前行业处于寡头垄断局面，Wolfspeed占据全球SiC材料超过60%市场份额（根据Yole）。2020年SiC材料市场规模5.92亿美元，2025年将达
35、29.90亿美元，CAGR为38.2%。1）目前全球SiC材料处于跑马圈地阶段，海内外加速扩产，国内远期规划年产能超400万片/年，建议关注重复建设问题；2）虽然国内产能规划量很大，但是由于良率及衬底质量原因，国内有效产能仍然稀缺，尤其是导电型衬底，中长期行业能达到45%-50%毛利率，建议关注具备优质产能的龙头。碳化硅为第三代半导体材料，碳化硅器件较传统硅基器件可具备耐高压、低损耗和高频三大优势。碳化硅具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，广泛应用于新能源汽车、光伏、工控、射频通信等领域。SiCMOSFET较I
36、GBT可同时具备耐高压、低损耗和高频三大优势。此外，据Wolfspeed研究显示，相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减少至原来的1/10。在新能源汽车方面，基于上述性能优势，碳化硅可助力新能源汽车实现轻量化及降低损耗，增加续航里程，特斯拉、比亚迪等车企已率先开始应用SiC方案。全球碳化硅市场处于高速成长阶段，25年市场规模有望较20年翻5倍。2020年全球SiC器件市场规模达11.84亿美元，预计到2025年有望增长至59.79亿美元，对应CAGR为38.2%。根据测算，在碳中和趋势下，受益于SiC在新能源汽车、光伏、风电、工控等领域的持续渗透，SiC功率器件市
37、场规模有望从2020年的2.92亿美元增长至2025年的38.58亿美元，对应CAGR为67.6%；5G、国防驱动GaN-on-SiC射频器件加速渗透，逐步取代硅基LDMOS，SiC射频器件市场规模有望从2020年的8.92亿美元增长至2025年的21.21亿美元，对应CAGR为18.9%。下游SiC功率及射频器件高速增长的需求也将带动SiC材料市场规模快速成长，预计将由2020年的5.92亿美元增长至2025年的29.90亿美元，对应CAGR为38.2%。碳化硅加速渗透的核心驱动力为新能源汽车。根据测算，2020年全球新能源汽车SiC器件及模块市场规模为2.7亿美元，预计到2025年达30.
38、1亿美元，对应CAGR为62.3%，占全球碳化硅器件市场规模将达到50%。目前应用碳化硅的包括特斯拉、比亚迪中高端车型等，主要场景为主逆变器/OBC，预计至2025年SiC渗透率有望达38/43%，其主要驱动力为1）特斯拉、比亚迪、蔚来、小鹏等头部新能源车厂的“示范效应”；2）碳化硅器件价格下降后带来系统经济效益；3）800V架构有望成为重要催化剂，1200VSiC在高压下较IGBT性能优势更为明显。衬底和外延SiC为产业链核心环节，国内有效产能不足致中短期供不应求态势。据CASAResearch数据显示，在传统硅基器件中，硅片前道处理附加价值量达到80%，衬底和外延环节仅占11%；而在碳化硅
39、器件的成本构成中，衬底和外延占比分别为50%和25%，合计达到75%，为产业链中价值量最高环节。国内厂商国产碳化硅衬底质量在部分参数上比肩国际龙头，但在单晶性能一致性、成品率、成本等方面仍存在不小差距，此外积极进行衬底迭代，开始研发8英寸衬底。Wolfspeed、ROHM等海外龙头厂商加速扩产，国内厂商远期规划年产能超过420万片。但在另一方面，受衬底良率及质量等因素影响，国内实际产能尤其是导电型衬底或严重不足，中短期内全球SiC衬底市场仍将维持供不应求的态势。三、 主逆变器：800V系统下SiCMOSFET大显身手，降低主逆变器损耗及体积目前已有多家车企在主逆变器中采用SiCMOSFET方案
40、替代IGBT方案，如特斯拉Model3、比亚迪汉高性能版等。Model3共用到48颗意法半导体的SiCMOSFET，如果仍采用ModelX的英飞凌的IGBT，则需要54-60颗。即使成本上升370美金左右（按照艾睿供应商网站价格计算，实际大批量采购价格更低），但特斯拉考虑到损耗降低及体积节约等因素而选择SiC方案。800V架构下SiCMOSFET在新能源车的主逆变器中渗透率将进一步提升。考虑到成本因素，会率先在中高端车型上使用。1）损耗更低：根据ST的数据，800V系统下，1200VSiCMOSFET较IGBT总损耗更低，在常用的25%负载下，SiCMOSFET损耗最多低于IGBT80%，在1
41、00%负载下，SiCMOSFET损耗最多低于IGBT60%。2）高压下性能优势更加明显：在400V左右的直流母线电压下，需要最大工作电压在650V左右的IGBT模块或单管。在800V的系统电压下，功率器件耐压需要提高到1200V以上。英飞凌、赛美控、罗姆、富士电机等均推出了1200V的车规级IGBT，但对比之下，SiC器件在高压下性能更好。根据ST的数据，在400V电压平台下，SiCMOSFET能够比IGBT器件拥有2-4%的效率提升；而在750V电压平台下其提升幅度则可增大至3.5-8%。对比市场上的领先SiCMOSFET和IGBT器件参数可知，1200VSiC产品优势较650V产品优势更加
42、明显，主要体现为损耗降低幅度更大。3）耐高温：SiC的结温更高，能够在超过175度的高温下正常工作，较IGBT更加适合高温环境。4）体积节约：根据ST，在10kHz工作频率和800V架构的情况下，对于一个210kW的逆变器，若采用全SiCMOSFET方案替代原先IGBT及二极管方案：1）使用总功率器件体积可从600mm2缩小5倍至120mm2；2）开关损耗和总损耗分别缩小为原来的3.9/1.9倍。3）损耗的降低使得PCU（电源控制单元）的尺寸得以减少，相对应的冷却系统体积也将得以简化。四、 全面塑造强省会高质量发展新优势强化创新在现代化建设全局中的核心地位，加快科技自立自强，高效集聚创新要素，
43、健全完善科技创新体系，不断优化创新生态，加快科技成果转化，打造科技创新重要策源地。（一）争创综合性国家科学中心加快推进齐鲁科创大走廊建设，高水平建设中科院济南科创城，推进超高速电磁驱动试验、载人航天微重力试验、大气环境模拟系统等大科学装置建设。全力参与国家重点研发计划和科技创新2030重大项目，主动承接实施大科学计划、大科学工程。加快建设量子信息科学国家实验室济南基地，推动济南人工智能与网络安全、济南微生态医学、济南粒子科学与应用技术山东省实验室向高端前沿发展，争取纳入国家实验室体系，建设一批国家、省重点实验室，构建多层次实验室体系。高水平建设山东产业技术研究院、山东高等技术研究院、山东省工业
44、技术研究院、山东区块链研究院等新型研发机构。支持驻济高校提高创新能力，加快建设高水平研究型大学。大力引进大院名校，积极筹建空天信息大学，推进科研院所、高校、企业科研力量优化配置和资源共享。（二）提升企业自主创新能力建立以企业为主体、市场为导向的协同创新体系，推进创新链产业链协同发展，促进各类创新要素向企业集聚，开展创新竞赛活动。健全多渠道投入机制，支持企业增加研发投入，建立国有企业研发投入刚性增长机制。推进产学研深度融合，鼓励企业牵头组建创新联合体，承担国家、省重大科技项目。发挥大企业引领支撑作用，支持创新型中小微企业成长为重要创新发源地，加强共性技术平台建设，推动实现产业链上中下游、大中小微
45、企业融通创新，加快培育更多“专精特新”企业。创建一批国家、省产业创新中心、技术创新中心、制造业创新中心，打造高水平科技创新基地。（三）加速科技成果转化围绕加快建设国家科技成果转移转化示范区，创新科技成果转移转化机制，建立健全科技成果转化平台体系，推动项目、技术、人才、资金一体化配置，打通成果转移转化通道。加快推进高校基础研究和前沿技术领域成果的熟化转化，鼓励建设科技成果转化应用型大学科技园。建设一批产业中试、检验检测、成果熟化转化基地，支持中科院系等专业团队在济开展科技成果转移转化。推进山东省技术成果交易中心建设，打造辐射全省、链接全国的技术转移枢纽。用好“科创中国”科技经济融通平台，加强科技
46、供给与产业需求对接。（四）加快建设人才强市牢固确立人才引领发展的战略地位，完善普惠化与个性化相结合的人才政策体系，着力打造最优引才环境、最优发展平台、最优金融服务。持续实施泉城系列重点人才工程，梯次培养、精准引进各领域高端人才。发挥国家科技领军人才创新创业济南基地、国家海外人才离岸创新创业基地作用，打造高层次人才服务载体。像尊重科学家一样尊重企业家，依法保护企业家合法权益，激励企业家干事创业，培育具有国际视野和现代经营管理理念的企业家群体。推进产业工人队伍建设改革，弘扬“工匠精神”，壮大高技能人才队伍。发挥多元评价主体作用，健全以创新能力、质量、实效、贡献为导向的人才评价体系。建设国家级人力资源服务产业园，构建“一园多区”的产业发展空间布局，拓展人才价值金融兑价应用场景，打造“人才特区”和全国人力资本产业高地。建设青年友好型城市，建立健全针对青年人才的普惠性政策，支持高校毕业生在济落户就业创业，让更多优秀青年人才选择济南、扎根济南、书写