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1、泓域咨询/恩施MOSFET功率器件项目招商引资方案恩施MOSFET功率器件项目招商引资方案xxx集团有限公司报告说明2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据谨慎财务估算，项目总投资21497.30万元，其中：建设投资17800.37万元，占项目总投资的82.80%；建设期利息504.87万元，占项目总投资的2.35%；流动资金3192.06万元，占项目总投资的14.85%。项目正常运
2、营每年营业收入37300.00万元，综合总成本费用32403.14万元，净利润3557.62万元，财务内部收益率10.00%，财务净现值-2.63万元，全部投资回收期7.46年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。通过分析，该项目经济效益和社会效益良好。从发展来看公司将面向市场调整产品结构，改变工艺条件以高附加值的产品代替目前产品的产业结构。本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。目录第一章 背景、必要性分析9一、 功率半导体市场规模与竞争格局9二、 功率器件应用发展机遇9三、 中国
3、半导体行业发展概况14四、 提升县城承载能力15第二章 项目概况18一、 项目名称及投资人18二、 编制原则18三、 编制依据19四、 编制范围及内容19五、 项目建设背景20六、 结论分析22主要经济指标一览表24第三章 行业、市场分析26一、 功率半导体行业概述26二、 MOSFET器件概述27第四章 选址方案分析33一、 项目选址原则33二、 建设区基本情况33三、 培育壮大新兴产业37四、 优化区域布局提高新型城镇化水平38五、 项目选址综合评价40第五章 建筑物技术方案42一、 项目工程设计总体要求42二、 建设方案42三、 建筑工程建设指标46建筑工程投资一览表46第六章 发展规划
4、分析48一、 公司发展规划48二、 保障措施52第七章 法人治理结构56一、 股东权利及义务56二、 董事61三、 高级管理人员65四、 监事67第八章 SWOT分析说明70一、 优势分析（S）70二、 劣势分析（W）72三、 机会分析（O）72四、 威胁分析（T）74第九章 项目环境保护78一、 编制依据78二、 环境影响合理性分析79三、 建设期大气环境影响分析81四、 建设期水环境影响分析82五、 建设期固体废弃物环境影响分析82六、 建设期声环境影响分析83七、 建设期生态环境影响分析84八、 清洁生产85九、 环境管理分析86十、 环境影响结论87十一、 环境影响建议87第十章 原辅
5、材料分析89一、 项目建设期原辅材料供应情况89二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理89第十一章 节能方案91一、 项目节能概述91二、 能源消费种类和数量分析92能耗分析一览表93三、 项目节能措施93四、 节能综合评价94第十二章 安全生产95一、 编制依据95二、 防范措施96三、 预期效果评价102第十三章 人力资源配置103一、 人力资源配置103劳动定员一览表103二、 员工技能培训103第十四章 投资估算及资金筹措106一、 投资估算的依据和说明106二、 建设投资估算107建设投资估算表111三、 建设期利息111建设期利息估算表111固定资产投资估算表113四、 流动资金1
6、13流动资金估算表114五、 项目总投资115总投资及构成一览表115六、 资金筹措与投资计划116项目投资计划与资金筹措一览表116第十五章 项目经济效益118一、 基本假设及基础参数选取118二、 经济评价财务测算118营业收入、税金及附加和增值税估算表118综合总成本费用估算表120利润及利润分配表122三、 项目盈利能力分析123项目投资现金流量表124四、 财务生存能力分析126五、 偿债能力分析126借款还本付息计划表127六、 经济评价结论128第十六章 项目招标方案129一、 项目招标依据129二、 项目招标范围129三、 招标要求130四、 招标组织方式132五、 招标信息发
7、布134第十七章 项目风险防范分析135一、 项目风险分析135二、 项目风险对策137第十八章 总结139第十九章 补充表格141营业收入、税金及附加和增值税估算表141综合总成本费用估算表141固定资产折旧费估算表142无形资产和其他资产摊销估算表143利润及利润分配表144项目投资现金流量表145借款还本付息计划表146建设投资估算表147建设投资估算表147建设期利息估算表148固定资产投资估算表149流动资金估算表150总投资及构成一览表151项目投资计划与资金筹措一览表152第一章 背景、必要性分析一、 功率半导体市场规模与竞争格局根据Omdia预测，2019年全球功率半导体市场规
8、模约为464亿美元，预计至2024年市场规模将增长至522亿美元，2019-2024的年化复合增长率为2.4%。在功率半导体领域，国际厂商优势明显，全球前十大功率半导体公司均为海外厂商，包括英飞凌（Infineon）、德州仪器（TexasInstruments）、安森美（ONSemiconductor）、意法半导体（STMicroelectronics）等。行业整体集中度较低，2019年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%，前十大企业市场份额合计为51.93%。目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大的功率半导体消费国，2019
9、年市场规模达到177亿美元，增速为-3.3%，占全球市场比例高达38%。预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长，2024年市场规模有望达到206亿美元，2019-2024年的年化复合增长率达3.1%。二、 功率器件应用发展机遇受益于新能源汽车和5G产业的高速发展，充电桩、5G通讯基站及车规级等市场对于高性能功率器件的需求将不断增加，高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。1、充电桩（1）发展机遇2020年，充电桩被列入国家七大“新基建”领域之一。2020年5月两会期间，政府工作报告中强调“建设充电桩，推广新能源汽车，激发新消费需求、助力产业升级”
10、。公安部交通管理局公布数据显示，截至2020年6月新能源汽车保有量有417万辆，与2019年年底相比增加36万辆，增长率达到9.45%。伴随新能源汽车保有量的高速增长，新能源充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长，截止2019年12月，全国充电基础设施累计数量为121.9万个，其中公共桩51.6万个，私人桩70.3万个，充电场站建设数量达到3.6万座。公共充电桩由政府机关等具有公共服务性质的机构置办，服务对象面向所有电动汽车车主。2015年至2019年，全国公共充电桩的数量由5.8万个增长至51.6万个，复合年增长率达到了72.9%。近几年来，我国充电站同样有快速发展，充电站保有量已由2015
11、年1,069座增加到2019年的35,849座，复合年增长率为140.64%。充电站密度越来越高，电动汽车车主充电便利性也得到了大幅改善。“新基建”对充电桩的建设驱动主要在以下几方面：驱动公共桩建设提质且区域均衡发展，直流桩占比将持续提升，省份间差异有望缩小。推动优质场站建设，完善配套设施申报流程办理。推动小区、商场等停车位充电桩建设。促进对运营商的建设与充电运营流程支持。（2）超级结MOSFET功率器件迎来快速发展机遇充电桩按充电能力分类，以处理不同的用例场景。公共充电桩包括交流桩和直流桩，交流充电桩需要借助车载充电机，充电速度较慢，一辆纯电动汽车（普通电池容量）完全放电后通过交流充电桩充满
12、通常需要8个小时。直流充电桩俗称“快充”，固定安装在电动汽车外，与交流电网连接，通常仅需要不到2-3小时即可将一辆纯电动汽车电池充满。目前我国公共交流桩主要分为单相交流桩和三相交流桩。单相交流桩的建设更广泛，对应的充电功率分为3.5kW和7kW，其中，公共交流桩充电功率以7kW为主。三相交流桩的主要功率为21kW、40kW和80kW，但整体数量较少。从2016-2019年新增公共交流桩平均功率来看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流桩主要使用三相维也纳输入整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的领先解决方案使用了超级结MOSFET。公共直
13、流充电桩一般输入电压为380V。根据2016-2019年新增公共直流桩平均功率数据，公共直流桩充电功率在逐渐提高。其中2017年上涨幅度最大，从69.23kW提高到91.65kW，而到了2019年虽然维持上涨趋势，但由于目前市场的公共直流桩充电功率已经基本上能够满足电动汽车的充电需求，故2019年新增公共直流桩平均充电功率小幅提高，达到115.76kW。预计未来新增的公共直流桩充电功率普遍在120kW左右。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体
14、应用于充电桩的功率因数校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计，100kW的充电桩需要功率器件价值量在200-300美元，预计随着充电桩的不断建设，功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展机遇。 2、5G基站（1）5G建设规模2020年12月15日在2021中国信通院ICT+深度观察报告会上，工业和信息化部发言人指出，中国已累计建成5G基站71.8万个，推动共建共享5G基站33万个。2020年12月28日，工信部部长肖亚庆在2021年全国工业和信息化工作会议上表示，20
15、21年将有序推进5G网络建设及应用，加快主要城市5G覆盖，推进共建共享，新建5G基站60万个以上。（2）5G基站拉动功率半导体需求5G建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1）5G基站功率更高、建设更为密集，带来更大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；以及4）云计算拉动计算用功率半导体用量。MIMO即多进多出，指在发送端和接收端都使用多根天线、在收发之间构成多个信道的天线系统，可以极大地提高信道容量。MassiveMIMO即大规模天线，可以在不增加频谱资源和天线发送功率的情况下，提升系统信道容量和信号覆盖范围。数量上，传统网络天线的通道数为2/
16、4/8个，而MassiveMIMO通道数可以达到64/128/256个。信号覆盖维度上，传统MIMO为2D覆盖，信号只能在水平方向移动，不能在垂直方向移动，类似与平面发射。而MassiveMIMO的信号辐射状是电磁波束，可以利用垂直维度空域。5G网络主要部署在高频频段，即毫米波频段（mmWave）。因接收功率与波长的平方成正比，毫米波的信号衰减严重，而发射功率又受到限制，所以5G网络部署需要增加发射天线和接收天线的数量，使用MassiveMIMO技术。根据英飞凌的统计，传统MIMO天线需要的功率半导体价值大约为25美元，而过渡为MassvieMIMO天线阵列后，所需的MOSFET等功率半导体价
17、值增加至100美元，达到原来的4倍。与云计算相比，雾计算所采用的架构呈分布式，更接近网络边缘。雾计算将数据、数据处理和应用程序集中在网络边缘的设备中，数据的存储及处理更依赖本地设备，本地运算设备的增加带动MOSFET用量提升。三、 中国半导体行业发展概况我国本土半导体行业起步较晚。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下，中国半导体行业不断发展。步入21世纪以来，我国半导体产业市场规模得到快速增长。2020年，中国半导体产业市场规模达8,848亿元，比上年增长17.01%。2013-2020年中国半导体市场规模的复合增长率达19.73%，显著高于同期世界半导体市场的增速。随着近年国家集成电
18、路产业发展推进纲要中国制造2025国家信息化发展战略纲要等重要文件的出台，以及社会各界对半导体行业的发展、产业链重构的日益重视，我国半导体行业正站在国产化的起跑线上。随着5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技逐渐走向产业化，未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期，逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。在贸易摩擦等宏观环境不确定性增加的背景下，加速进口替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度，中国半导体行业发展迎来了历史性的机遇。四、 提升县城承载能力推进以县城为重要载体的城镇化建设，优化城镇布局、完善城镇功能、提升城镇品质、统筹城乡发展，促
19、进城镇更高质量更高层次协调发展。优化城镇布局。坚持规划引领，科学布局生产生活生态空间，推动人口集中、产业集聚、功能集成、要素集约，构建彰显山区地形特点、民族文化特色的高质量发展城镇体系。树立全周期管理理念，统筹推进高起点规划、高品质建设、高标准管理、高效率服务，合理确定城市规模、人口密度、空间结构。注重因地制宜、强化规划实施，保护好丹霞地貌、保护好山体水体，做到依山傍水、依山就势规划建设。严控过密过高建筑，保护城市天际线、水岸线、绿地线。提升城镇品质。按照利川市城区5A、其他县城4A、乡镇集镇A级以上景区标准，打造一批特色鲜明的山水园林城、民族风情城、精品旅游城。促进公共服务设施提标扩面，优化
20、医疗、教育、养老、文体、社会福利和社区服务等设施布局，提升县城公共服务能力。促进环境卫生设施提级扩能，完善垃圾、污水收集处理体系，建设高标准公厕。促进市政公用设施提挡升级，实施路网、水网、电网、地下管网、油气网、互联网基础设施“六网提升工程”。促进产业培育设施提质增效，补齐产业园区设施短板，完善物流配送体系，建设一批专业化贸易零售市场。推动城市管理科学化、精细化、人性化，持续推进市容环境综合治理和拆违控违，加强城镇老旧小区和管网改造，推进城市更新。加强历史文化名镇、街区、建筑的保护和利用，推动民族风情元素与城镇建筑风貌融合。广泛开展“智慧城市”、“智慧社区”建设，推动数字技术在公共服务、生活服
21、务和社会治理领域全面融合。开展“擦亮小城镇”建设美丽城镇行动，形成一批配套完善、宜居宜业、特色鲜明的美丽城镇。统筹城乡发展。统筹城乡规划建设，建立健全促进城乡融合发展的体制机制和政策体系，推动人才、资本等要素在城乡间双向流动和平等交换，形成工农互促、城乡互补、全面融合、共同繁荣的新型城乡发展格局。统筹规划道路、供水、供电、通信、防洪和垃圾污水处理等城乡基础设施，推动向城郊村和中心镇延伸。加快公共服务向农村延伸、社会事业向农村覆盖，促进城乡基本公共服务均等化。深化户籍制度改革，引导农民就地就近城镇化。第二章 项目概况一、 项目名称及投资人（一）项目名称恩施MOSFET功率器件项目（二）项目投资人
22、xxx集团有限公司（三）建设地点本期项目选址位于xx（以最终选址方案为准）。二、 编制原则1、政策符合性原则：报告的内容应符合国家产业政策、技术政策和行业规划。2、循环经济原则：树立和落实科学发展观、构建节约型社会。以当地的资源优势为基础，通过对本项目的工艺技术方案、产品方案、建设规模进行合理规划，提高资源利用率，减少生产过程的资源和能源消耗延长生产技术链，减少生产过程的污染排放，走出一条有市场、科技含量高、经济效益好、资源消耗低、环境污染少、资源优势得到充分发挥的新型工业化路子，实现可持续发展。3、工艺先进性原则：按照“工艺先进、技术成熟、装置可靠、经济运行合理”的原则，积极应用当今的各项先
23、进工艺技术、环境技术和安全技术，能耗低、三废排放少、产品质量好、经济效益明显。4、提高劳动生产率原则：近一步提高信息化水平，切实达到提高产品的质量、降低成本、减轻工人劳动强度、降低工厂定员、保证安全生产、提高劳动生产率的目的。5、产品差异化原则：认真分析市场需求、了解市场的区域性差别、针对产品的差异化要求、区异化的特点，来设计不同品种、不同的规格、不同质量的产品以满足不同用户的不同要求，以此来扩大市场占有率，寻求经济效益最大化，提高企业在国内外的知名度。三、 编制依据1、承办单位关于编制本项目报告的委托；2、国家和地方有关政策、法规、规划；3、现行有关技术规范、标准和规定；4、相关产业发展规划
24、、政策；5、项目承办单位提供的基础资料。四、 编制范围及内容1、项目背景及市场预测分析；2、建设规模的确定；3、建设场地及建设条件；4、工程设计方案；5、节能；6、环境保护、劳动安全、卫生与消防；7、组织机构与人力资源配置；8、项目招标方案；9、投资估算和资金筹措；10、财务分析。五、 项目建设背景2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十，市占率分别为4.71%、3.65%。总体来看，“十四五”时期我州发展仍然是机遇大于挑战，希望多于困难。从区域发展的大势看，国家加快构建以国内大循环
25、为主体、国内国际双循环相互促进的新发展格局，深入实施“一带一路”、长江经济带、新一轮西部大开发、武汉城市群、成渝地区双城经济圈等重大战略，我省大力推进“宜荆荆恩”宜荆荆恩：宜昌、荆州、荆门、恩施。城市群建设，将使区域交通格局、产业布局、城市功能等发生深刻变化，有利于我州发挥承东启西、连南接北的良好区位优势，在新一轮高水平对外开放和区域合作中提升发展位势。从产业发展的趋势看，新一轮科技革命和产业变革深入发展，绿色发展已成为经济发展的重要趋势，产业转型升级更加注重绿色、低碳，有利于我州更好保护和利用生态资源，把生态优势转化为经济优势、发展优势、竞争优势，推动人与自然和谐、经济与生态相融，加快实现绿
26、色崛起。从自身发展的态势看，近年来我州持续加强党的建设，党领导经济工作的能力明显提高，全州上下抓发展、抓经济的共识高度凝聚，有力推动了我州经济高质量发展，经济结构出现重大变化，以“4N”产业集群为重点的现代产业体系初具雏形，旧产能加快出清，新产业加快培育，新动能加速成长，经济发展的实力和韧性更加强劲，州域经济稳中向好趋优的态势更加明显，同时沿江高铁宜昌至涪陵段建设、机场迁建将大力改善我州发展条件，有利于我州抢抓新一轮产业链供应链调整重构机遇，进一步扩大传统优势产业，依托承接产业转移平台吸引更多新兴产业布局，实现加快发展、后发赶超。同时，要清醒认识到我州发展还面临着难题和挑战，主要是州域经济缺龙
27、头引领的短板明显，各县（市）产业趋同、同质化严重，发展不平衡不充分仍然是最大的州情；工业化水平低，产业基础薄弱，创新能力较弱；城乡发展差距较大，农业产业现代化水平不高，社会事业发展欠账较多；少数干部思想不解放，开放意识、干事能力、专业水平还有待提升。六、 结论分析（一）项目选址本期项目选址位于xx（以最终选址方案为准），占地面积约49.00亩。（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形成年产xxx件MOSFET功率器件的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划24个月。（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资21497.30万元，其
28、中：建设投资17800.37万元，占项目总投资的82.80%；建设期利息504.87万元，占项目总投资的2.35%；流动资金3192.06万元，占项目总投资的14.85%。（五）资金筹措项目总投资21497.30万元，根据资金筹措方案，xxx集团有限公司计划自筹资金（资本金）11193.88万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额10303.42万元。（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：37300.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：32403.14万元。3、项目达产年净利润（NP）：3557.62万元。4、财务内部收益率（FIRR）：10.00%。5、全部投资回
29、收期（Pt）：7.46年（含建设期24个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：19801.26万元（产值）。（七）社会效益项目产品应用领域广泛，市场发展空间大。本项目的建立投资合理，回收快，市场销售好，无环境污染，经济效益和社会效益良好，这也奠定了公司可持续发展的基础。本项目实施后，可满足国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级发展，为社会提供更多的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积32667.00约49.00亩1.1总建筑面积52731.8
30、31.2基底面积18293.521.3投资强度万元/亩358.162总投资万元21497.302.1建设投资万元17800.372.1.1工程费用万元15670.152.1.2其他费用万元1587.492.1.3预备费万元542.732.2建设期利息万元504.872.3流动资金万元3192.063资金筹措万元21497.303.1自筹资金万元11193.883.2银行贷款万元10303.424营业收入万元37300.00正常运营年份5总成本费用万元32403.146利润总额万元4743.507净利润万元3557.628所得税万元1185.889增值税万元1278.0210税金及附加万元153
31、.3611纳税总额万元2617.2612工业增加值万元9440.5713盈亏平衡点万元19801.26产值14回收期年7.4615内部收益率10.00%所得税后16财务净现值万元-2.63所得税后第三章 行业、市场分析一、 功率半导体行业概述1、功率半导体介绍功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。近年来，随着国民经济的快速发展，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，市场规模呈现稳健增长态势。功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类，其中功率分立器件主要包括功率二极管、晶闸
32、管、高压晶体管、MOSFET、IGBT等产品。在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET特别是超级结MOSFET、IGBT等高端分立器件产
33、品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。2、功率MOSFET的技术发展情况随着社会电气化程度的不断提高，功率器件的性能也需要不断提高以满足更高的要求。对于功率MOSFET而言，技术驱动的性能提升主要包括三个方面：更高的开关频率、更高的功率密度以及更低的功耗。为了实现更高的性能指标，功率器件主要经历了工艺进步、器件结构改进与使用宽禁带材料等几个方面的演进。在制造工艺上，线宽制程从10微米缩减至0.15-0.35微米，提升了功率器件的密度、品质因数（FOM）以及开关效率。在器件结构改进方面，功率器件经历了平面（Planar）、沟槽（Trench）、超级结（Super
34、Junction）等器件结构的变化，进一步提高了器件的功率密度和工作频率。在材料方面，新兴的第三代半导体功率器件采用了碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)材料，进一步提升了器件的开关特性、降低了功耗，也改善了其高温特性。二、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至7
35、3.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额
36、，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。2019年，中国MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年
37、代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，因此在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面
38、栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高
39、功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测，2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三
40、极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长，全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计
41、占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目，被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域，IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在1700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前
42、十，市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚，未来进口替代空间巨大，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。第四章 选址方案分析一、 项目选址原则1、符合城乡建设总体规划，应符合当地工业项目占地使用规划的要求，并与大气污染防治、水资源和自然生态保护相一致。2、项目选址应避开自然保护区、风景名胜区、生活饮用水源地和其它特别需要保护的敏感性目标。3、节约土地资源，充分利用空闲地、非耕地或荒地，尽可能不占良田或少占耕地。4、项目选址选择应提供足
43、够的场地以满足工艺及辅助生产设施的建设需要。5、项目选址应具备良好的生产基础条件，水源、电力、运输等生产要素供应充裕，能源供应有可靠的保障。6、项目选址应靠近交通主干道，具备便利的交通条件，有利于原料和产成品的运输。通讯便捷，有利于及时反馈市场信息。7、地势平缓，便于排除雨水和生产、生活废水。8、应与居民区及环境污染敏感点有足够的防护距离。二、 建设区基本情况恩施土家族苗族自治州（简称恩施州）位于湖北省西南部，东连荆楚，南接潇湘，西临渝黔，北靠神农架，国土面积2.4万平方公里，辖恩施、利川两市和建始、巴东、宣恩、来凤、咸丰、鹤峰六县。恩施州于1983年8月19日建州，是共和国最年轻的自治州，也
44、是湖北省唯一的少数民族自治州。恩施州属亚热带季风性山地湿润气候。冬少严寒，夏无酷暑，雨量充沛，四季分明；海拔落差大，小气候特征明显，垂直差异突出，一山有四季，十里不同天。境内年均气温16.2，年平均降水量1600毫米。地处武汉和重庆两大火炉之间，是最适宜人类居住的地区之一。被称为动植物黄金分割线的北纬30度穿越恩施州腹地，同时受秦岭和大巴山阻隔，使这一区域免遭第四纪冰川的洗劫，成为动植物的避难所。这里动植物种类繁多，有215科、900余属、3000余种植物和500多种陆生脊柱动物，其中有40余种植物和77种动物属于国家级珍稀保护动植物，是华中地区重要的动植物基因库。少数民族与汉族在这里和睦相处
45、，共同进步，构成了恩施民族的多样性。恩施州是多民族居住地，有土家族、苗族、侗族、汉族、回族、蒙古族、彝族、纳西族、壮族等29个民族，少数民族人口占总人口的54%。各民族习俗相互影响，文化相互交融，发展互相促进，共同组成了一个团结和睦的大家庭。经济持续快速发展，2019年，地区生产总值达到1159.4亿元，突破千亿元大关，“十三五”前四年平均增长6.7；地方一般公共预算收入达到80.65亿元，是“十二五”末的1.2倍；固定资产投资年均增长13.4；社会消费品零售总额达到763.78亿元，是“十二五”末的1.56倍。2020年受新冠肺炎疫情和历史罕见的灾情汛情影响，地区生产总值、地方一般公共预算收
46、入、固定资产投资、社会消费品零售总额等主要经济指标出现不同程度下滑，但成效好于预期。三次产业结构由2015年的18.3：30.1：51.6调整为2020年的18.1：22.6：59.3。“4N”产业集群“4N”产业集群：重点建设生态文化旅游、硒食品精深加工、生物医药、清洁能源四大产业集群，发展电子信息、现代物流和大数据等N个新兴产业。初见雏形，生态文化旅游、硒食品精深加工、生物医药、清洁能源等四大产业集群持续发展壮大，以立讯精密、达翔电子为龙头的电子信息产业快速发展。全州市场主体达到32.8万户，是“十二五”末的1.8倍。“18”高新技术产业园区发展迅速，联动创建机制逐步形成，产业互补力逐步增强。全州建成国家级和省级科技企业孵化器4家、众创空间7家，州级以上创新创业平台达到113个。展望2035年，全州综合实力大幅跃升，经济总量突破4000亿元，力争在2020年基础上翻两番，人均GDP接近全省平均水平，建成全国先进自治州。建成“富裕恩施”，现代化经济体系基本建成，县域经济充满活力，基本实现新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化。建成“绿色恩施”，重点生态功