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1、泓域咨询/杭州碳化硅衬底项目申请报告目录第一章 行业、市场分析7一、 宽禁带半导体材料简介7二、 半导体材料行业概述9三、 碳化硅衬底类型9第二章 项目绪论11一、 项目名称及项目单位11二、 项目建设地点11三、 可行性研究范围11四、 编制依据和技术原则12五、 建设背景、规模13六、 项目建设进度14七、 环境影响14八、 建设投资估算14九、 项目主要技术经济指标15主要经济指标一览表15十、 主要结论及建议17第三章 项目投资背景分析18一、 碳化硅材料产业链18二、 行业发展态势及面临的机遇23三、 碳化硅半导体行业的战略意义26四、 强化科技自立自强，打造面向世界的创新策源地27
2、第四章 建设规模与产品方案32一、 建设规模及主要建设内容32二、 产品规划方案及生产纲领32产品规划方案一览表32第五章 项目选址分析34一、 项目选址原则34二、 建设区基本情况34三、 强化高端产业引领，建设具有国际竞争力的现代产业体系37四、 实施扩大内需战略，形成国内大循环的强劲动力源40五、 项目选址综合评价42第六章 SWOT分析说明43一、 优势分析（S）43二、 劣势分析（W）45三、 机会分析（O）45四、 威胁分析（T）46第七章 发展规划52一、 公司发展规划52二、 保障措施53第八章 法人治理55一、 股东权利及义务55二、 董事57三、 高级管理人员62四、 监事
3、65第九章 劳动安全评价67一、 编制依据67二、 防范措施70三、 预期效果评价74第十章 项目节能分析75一、 项目节能概述75二、 能源消费种类和数量分析76能耗分析一览表76三、 项目节能措施77四、 节能综合评价78第十一章 工艺技术设计及设备选型方案80一、 企业技术研发分析80二、 项目技术工艺分析83三、 质量管理84四、 设备选型方案85主要设备购置一览表86第十二章 进度计划方案87一、 项目进度安排87项目实施进度计划一览表87二、 项目实施保障措施88第十三章 投资计划方案89一、 投资估算的依据和说明89二、 建设投资估算90建设投资估算表94三、 建设期利息94建设
4、期利息估算表94固定资产投资估算表96四、 流动资金96流动资金估算表97五、 项目总投资98总投资及构成一览表98六、 资金筹措与投资计划99项目投资计划与资金筹措一览表99第十四章 经济收益分析101一、 基本假设及基础参数选取101二、 经济评价财务测算101营业收入、税金及附加和增值税估算表101综合总成本费用估算表103利润及利润分配表105三、 项目盈利能力分析105项目投资现金流量表107四、 财务生存能力分析108五、 偿债能力分析109借款还本付息计划表110六、 经济评价结论110第十五章 项目风险评估112一、 项目风险分析112二、 项目风险对策114第十六章 项目总结
5、分析117第十七章 附表119主要经济指标一览表119建设投资估算表120建设期利息估算表121固定资产投资估算表122流动资金估算表123总投资及构成一览表124项目投资计划与资金筹措一览表125营业收入、税金及附加和增值税估算表126综合总成本费用估算表126利润及利润分配表127项目投资现金流量表128借款还本付息计划表130本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 行业、市场分析一、 宽禁带半导体材料简介常见的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）等元素半导
6、体及砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等化合物半导体材料。从被研究和规模化应用的时间先后顺序来看，上述半导体材料被业内通俗地划分为三代。第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体为代表，其典型应用是集成电路，主要应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。第二代半导体材料是以砷化镓为代表，砷化镓材料的电子迁移率约是硅的6倍,具有直接带隙，故其器件相对硅基器件具有高频、高速的光电性能，因此被广泛应用于光电子和微电子领域，是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。第三代半导体材料是指以
7、碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，此外，还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力。值得注意的是，前述三代半导体材料各有利弊，并无绝对的替代关系，而是在特定的应用场景中存在各自的比较优势。1、碳化硅根据中国战略性新兴产业：新材料（第三代半导体材料），与硅相比，碳化硅拥有更为优越的电气特性：耐高压：击穿电场强度大，是硅的10倍，用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度
8、，并大大降低器件的导通损耗。耐高温：半导体器件在较高的温度下，会产生载流子的本征激发现象，造成器件失效。禁带宽度越大，器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍，可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度一般不能超过300，而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600以上。同时，碳化硅的热导率比硅更高，高热导率有助于碳化硅器件的散热，在同样的输出功率下保持更低的温度，碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低，有助于实现设备的小型化。实现高频的性能：碳化硅的饱和电子漂移速率大，是硅的2倍，这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。基于这些优良的特性，碳化硅衬底
9、的使用极限性能优于硅衬底，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，已应用于射频器件及功率器件。2、氮化镓氮化镓具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、耐辐照等突出优点。氮化镓器件已有众多应用：在光电子器件领域，氮化镓器件作为LED照明光源已广泛应用，还可制备成氮化镓基激光器；在微波射频器件方面，氮化镓器件可用于有源相控阵雷达、无线电通信、基站、卫星等军事或者民用领域；氮化镓也可用于功率器件，其比传统器件具有更低的电源损耗。二、 半导体材料行业概述半导体是指在常温下导电性能介于绝缘体与导体之间的材料。常见的半导体包括硅、锗等元素半导体及砷化镓、碳化硅、氮化镓等
10、化合物半导体。半导体可以分为四类产品，分别是集成电路、光电子器件、分立器件和传感器。半导体是电子产品的核心，是信息产业的基石，亦被称为现代工业的“粮食”。半导体产品广泛应用于移动通信、计算机、电力电子、医疗电子、工业电子、军工航天等行业。半导体行业是现代经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业，具有技术难度高、投资规模大、产业链环节长、产品种类多、更新迭代快、下游应用广泛的特点。半导体制造产业链包含设计、制造和封装测试环节，半导体材料和设备属于芯片制造、封测的支撑性行业。三、 碳化硅衬底类型衬底电学性能决定了下游芯片功能与性能的优劣，为使材料能满足不同芯片的功能要求，需要制备电学性能不同的碳化
11、硅衬底。按照电学性能的不同，碳化硅衬底可分为两类：根据工信部发布的重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版），一类是具有高电阻率（电阻率105cm）的半绝缘型碳化硅衬底，另一类是低电阻率（电阻率区间为1530mcm）的导电型碳化硅衬底。第二章 项目绪论一、 项目名称及项目单位项目名称：杭州碳化硅衬底项目项目单位：xxx有限责任公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx，占地面积约82.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围投资必要性：主要根据市场调查及分析预测的结果，以及有关的产业政策等因素，论
12、证项目投资建设的必要性；技术的可行性：主要从事项目实施的技术角度，合理设计技术方案，并进行比选和评价；财务可行性：主要从项目及投资者的角度,设计合理财务方案,从企业理财的角度进行资本预算，评价项目的财务盈利能力，进行投资决策，并从融资主体的角度评价股东投资收益、现金流量计划及债务清偿能力；组织可行性：制定合理的项目实施进度计划、设计合理组织机构、选择经验丰富的管理人员、建立良好的协作关系、制定合适的培训计划等，保证项目顺利执行；经济可行性：主要是从资源配置的角度衡量项目的价值，评价项目在实现区域经济发展目标、有效配置经济资源、增加供应、创造就业、改善环境、提高人民生活等方面的效益；风险因素及对
13、策：主要是对项目的市场风险、技术风险、财务风险、组织风险、法律风险、经济及社会风险等因素进行评价，制定规避风险的对策，为项目全过程的风险管理提供依据。四、 编制依据和技术原则（一）编制依据1、中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要；2、中国制造2025；3、建设项目经济评价方法与参数及使用手册（第三版）；4、项目公司提供的发展规划、有关资料及相关数据等。（二）技术原则1、严格遵守国家和地方的有关政策、法规，认真执行国家、行业和地方的有关规范、标准规定；2、选择成熟、可靠、略带前瞻性的工艺技术路线，提高项目的竞争力和市场适应性；3、设备的布置根据现场实际情况，合
14、理用地；4、严格执行“三同时”原则，积极推进“安全文明清洁”生产工艺，做到环境保护、劳动安全卫生、消防设施和工程建设同步规划、同步实施、同步运行，注意可持续发展要求，具有可操作弹性；5、形成以人为本、美观的生产环境，体现企业文化和企业形象；6、满足项目业主对项目功能、盈利性等投资方面的要求；7、充分估计工程各类风险，采取规避措施，满足工程可靠性要求。五、 建设背景、规模（一）项目背景功率器件又被称为电力电子器件，是构成电力电子变换装置的核心器件。功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积54667.00（折合约82.00亩
15、），预计场区规划总建筑面积88403.07。其中：生产工程63645.52，仓储工程8599.12，行政办公及生活服务设施9952.63，公共工程6205.80。项目建成后，形成年产xx吨碳化硅衬底的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xxx有限责任公司将项目工程的建设周期确定为12个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响本期项目采用国内领先技术，把可能产生污染的各环节控制在生产工艺过程中，使外排的“三废”量达到最低限度，项目投产后不会给当地环境造成新污染。八、 建设投资估算（一）项目总投资构成分
16、析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资36731.46万元，其中：建设投资27835.75万元，占项目总投资的75.78%；建设期利息289.66万元，占项目总投资的0.79%；流动资金8606.05万元，占项目总投资的23.43%。（二）建设投资构成本期项目建设投资27835.75万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用25018.23万元，工程建设其他费用2174.29万元，预备费643.23万元。九、 项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入82300.00万元，综合总成本费用65814.
17、60万元，纳税总额7630.46万元，净利润12074.30万元，财务内部收益率24.96%，财务净现值21469.11万元，全部投资回收期5.28年。（二）主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积54667.00约82.00亩1.1总建筑面积88403.071.2基底面积30066.851.3投资强度万元/亩332.242总投资万元36731.462.1建设投资万元27835.752.1.1工程费用万元25018.232.1.2其他费用万元2174.292.1.3预备费万元643.232.2建设期利息万元289.662.3流动资金万元8606.053资金筹措万元3
18、6731.463.1自筹资金万元24908.623.2银行贷款万元11822.844营业收入万元82300.00正常运营年份5总成本费用万元65814.606利润总额万元16099.077净利润万元12074.308所得税万元4024.779增值税万元3219.3610税金及附加万元386.3311纳税总额万元7630.4612工业增加值万元25758.6513盈亏平衡点万元26873.99产值14回收期年5.2815内部收益率24.96%所得税后16财务净现值万元21469.11所得税后十、 主要结论及建议经初步分析评价，项目不仅有显著的经济效益，而且其社会救益、生态效益非常显著，项目的建设
19、对提高农民收入、维护社会稳定，构建和谐社会、促进区域经济快速发展具有十分重要的作用。项目在社会经济、自然条件及投资等方面建设条件较好，项目的实施不但是可行而且是十分必要的。第三章 项目投资背景分析一、 碳化硅材料产业链1、下游产业链情况以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场。在碳化硅衬底上，主要使用化学气相沉积法（CVD法）在衬底表面生成所需的薄膜材料，即形成外延片，进一步制成器件。（1）半绝缘型碳化硅衬底半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成氮化
20、镓射频器件。（2）导电型碳化硅衬底导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片，并在外延层上制造各类功率器件。2、半绝缘型碳化硅衬底在射频器件上的应用（1）主要应用情况及其优势射频器件在无线通讯中扮演信号转换的角色，是无线通信设备的基础性零部件，主要包括功率放大器、滤波器、开关、低噪声放大器、双工器等。半绝缘型碳化硅衬底制备的氮化镓射频器件主要为面向通信基站以及雷达应用的功率放大器。目前主流的射频器件有砷化镓、硅基LDMOS、碳化硅基氮化镓等不同类型。根据AnalogDialog
21、ue，砷化镓器件已在功率放大器上得到广泛应用；硅基LDMOS器件也已在通讯领域应用多年，但其主要应用于小于4GHz的低频率领域；碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势，有望开启其广泛应用。氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件，因此成为4G/5G移动通讯系统、新一代有源相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。氮化镓射频器件正在取代LDMOS在通信宏基站、雷达及其他宽带领域的应用。随着信息技术产业对数据流量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长，氮化镓器件在基站中应用越来越广泛。根据Yole预测，至2025年，功率在3W以上的射频器件市场中，砷化镓器件市场份额基本维持不
22、变的情况下，氮化镓射频器件有望替代大部分硅基LDMOS份额，占据射频器件市场约50%的份额。目前，氮化镓射频器件主要基于碳化硅、硅等异质衬底外延材料制备的，并在未来一段时期也是主要选择。相比较硅基氮化镓，碳化硅基氮化镓外延主要优势在其材料缺陷和位错密度低。碳化硅基氮化镓材料外延生长技术相对成熟，且碳化硅衬底导热性好，适合于大功率应用，同时衬底电阻率高降低了射频损耗，因此碳化硅基氮化镓射频器件成为目前市场的主流。根据Yole报告，90%左右的氮化镓射频器件采用碳化硅衬底制备。（2）主要应用领域的发展情况碳化硅基氮化镓射频器件已成功应用于众多领域，以无线通信基础设施和国防应用为主。无线通信基础设施
23、方面，5G具有大容量、低时延、低功耗、高可靠性等特点，要求射频器件拥有更高的线性和更高的效率。相比砷化镓和硅基LDMOS射频器件，以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能，成为5G基站功率放大器的主流选择。在国防军工领域，碳化硅基氮化镓射频器件已经代替了大部分砷化镓和部分硅基LDMOS器件，占据了大部分市场。对于需要高频高输出的卫星通信应用，氮化镓器件也有望逐步取代砷化镓的解决方案。根据Yole报告，随着通信基础建设和军事应用的需求发展，全球氮化镓射频器件市场规模将持续增长，预计从2019年的
24、7.4亿美元增长至2025年的20亿美元，期间年均复合增长率达到18%。半绝缘型碳化硅衬底的需求量有望因此获益而持续增长。3、导电型碳化硅衬底在功率器件上的应用（1）主要应用情况及其优势功率器件又被称为电力电子器件，是构成电力电子变换装置的核心器件。功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大地提
25、高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，对高效能源转换领域产生重大而深远的影响，主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。（2）主要应用领域的发展情况电动汽车行业是未来市场空间巨大的新兴市场，全球范围内新能源车的普及趋势明朗。随着电动汽车的发展，对功率半导体器件需求量日益增加，成为功率半导体器件新的经济增长点。得益于碳化硅功率器件的高可靠性及高效率特性，在车载级的电机驱动器、OBC及DC/DC部分，碳化硅器件的使用已经比较普遍。对于非车载充电桩产品，由于成本的原因，目前使用比例还相对较低，但部分厂商已开始利用碳化硅器件的优势，通过降低冷却等系统的整体成本找到了利基市场。目
26、前，碳化硅功率器件已被国际知名车企应用在其电动汽车上。电动驱动系统中，主逆变器负责控制电动机，是汽车的关键元器件，特斯拉Model3的主逆变器采用了意法半导体生产的24个碳化硅MOSFET功率模块，是全球第一家将碳化硅MOSFET应用于商用车主逆变器的OEM厂商。2020年12月，丰田汽车推出并公开发售“Mirai”燃料电池电动汽车，是丰田汽车首次开始使用碳化硅功率器件。根据碳化硅器件特点和电动汽车的发展趋势，碳化硅器件是未来电动汽车的必然之选。光伏逆变器曾普遍采用硅器件，经过40多年的发展，转换效率和功率密度等已接近理论极限。碳化硅器件具有低损耗、高开关频率、高适用性、降低系统散热要求等优点
27、，将在光伏新能源领域得到广泛应用。例如，在住宅和商业设施光伏系统中的组串逆变器里，碳化硅器件在系统级层面带来成本和效能的好处。阳光电源等光伏逆变器龙头企业已将碳化硅器件应用至其组串式逆变器中。碳化硅功率器件在轨道交通行业得到重要应用。未来轨道交通对电力电子装置，比如牵引变流器、电力电子电压器等提出了更高的要求。采用碳化硅功率器件可以大幅度提高这些装置的功率密度和工作效率，将有助于明显减轻轨道交通的载重系统。目前，受限于碳化硅功率器件的电流容量，碳化硅混合模块将首先开始替代部分硅IGBT模块。未来随着碳化硅器件容量的提升，全碳化硅模块将在轨道交通领域发挥更大的作用。目前碳化硅器件已经在中低压配电
28、网开始了应用。未来更高电压、更大容量、更低损耗的柔性输变电将对万伏级以上的碳化硅功率器件具有重大需求。碳化硅功率器件在智能电网的主要应用包括高压直流输电换流阀、柔性直流输电换流阀、灵活交流输电装置、高压直流断路器、电力电子变压器等装置中。根据Yole报告，2019年碳化硅功率器件的市场规模为5.41亿美元，受益于电动汽车/充电桩、光伏新能源等市场需求驱动，预计2025年将增长至25.62亿美元，复合年增长率约30%。碳化硅衬底的需求有望因此获益并取得快速增长。二、 行业发展态势及面临的机遇1、碳化硅市场需求旺盛，全球迎来扩产潮随着碳化硅器件在5G通信、电动汽车、光伏新能源、轨道交通、智能电网等
29、行业的应用，碳化硅器件市场需求迅速增长，全球碳化硅行业呈现产能供给不足的情况。为了保证衬底供给，满足以电动汽车为代表的客户未来的增长需求，各大厂商纷纷开始扩产。据CASAResearch整理，2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产，主要为衬底产能的扩张，其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划，分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。随着下游市场的超预期发展，产业链的景气程度有望持续向好，碳化硅衬底产业也将直接受益于行业发展。2、碳化硅器件成本降低，行业应用的替代前景向好2019年是碳化硅产业快速发展的关键年份。与同类硅基产品相比，虽然碳
30、化硅基器件价格仍然较高，但是由于其优越的性能及价格持续走低，其综合成本优势逐渐显现，客户认可度持续提高。行业正在通过多种措施降低碳化硅器件成本：在衬底方面，通过增大碳化硅衬底尺寸、升级制备技术、扩大衬底产能等，共同推动碳化硅衬底成本的降低；在制造方面，随着市场的开启，各大器件供应商扩产制造，随着规模扩大和制造技术不断成熟，也带来制造成本的降低；在市场方面，主要的产品供应商与大客户通过签订长期合作合同对市场进行锁定，供需双方共同推进市场渗透并形成良性循环。未来碳化硅器件的价格有望持续下降，其行业应用将快速发展。3、国外对宽禁带半导体实行严格的技术保护，自主可控势在必行由于宽禁带半导体的军事用途使
31、得国外对中国实行技术禁运和封锁，国内碳化硅产业的持续发展对核心技术国产自主化、实现供应链安全可控提出了迫切的需求。自主可控趋势加速了宽禁带半导体器件的国产化替代进程，为宽禁带半导体行业带来了发展新机遇。在宽禁带半导体领域，下游应用企业已在调整供应链，支持国内企业。数家国内宽禁带半导体企业的上中游产品陆续获得了下游用户验证机会，进入了多个关键厂商供应链，逐步开始了以销促产的良性发展。4、积极的宽禁带半导体产业政策近年来从国家到地方相继制定了一系列产业政策来推动宽禁带半导体产业的发展。2020年8月，国务院印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策，提出聚焦高端芯片、集成电路装备等关
32、键核心技术研发，在新一代半导体技术等领域推动各类创新平台建设；2021年3月，十三届全国人大四次会议通过的中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要，提出要大力发展碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体产业。此外，上海、广东、湖南、山东等多省市均出台了相关政策支持碳化硅等半导体产业发展。我国宽禁带半导体行业迎来了前所未有的发展契机，有助于我国宽禁带半导体行业技术水平的提高和规模的快速发展。三、 碳化硅半导体行业的战略意义碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，可大幅降低产品功耗
33、、提高能量转换效率并减小产品体积。目前，碳化硅半导体主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，在民用、军用领域均具有明确且可观的市场前景。同时，我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，随着国家“新基建”战略的实施，碳化硅半导体将在5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心等新基建领域发挥重要作用。因此，以碳化硅为代表的宽禁带半导体是面向经济主战场、面向国家重大需求的战略性行业。全球宽禁带半导体行业目前总体处于发展初期阶段，相比硅和砷化镓等半导体而言，在宽禁带半导体领域我国和国际巨头公司
34、之间的整体技术差距相对较小。另外，由于宽禁带半导体的下游工艺制程具有更高的包容性和宽容度，下游制造环节对设备的要求相对较低，投资额相对较小，制约宽禁带半导体行业快速发展的关键之一在上游材料端。因此，我国若能在宽禁带半导体行业上游衬底材料行业实现突破，将有望在半导体行业实现换道超车。四、 强化科技自立自强，打造面向世界的创新策源地坚持创新在现代化建设全局中的核心地位，以积极创建综合性国家科学中心为重点，全力增强创新策源力、技术供给力、成果转化力，打造国际一流的“互联网+”、生命健康和新材料科创高地，构建具有全球影响力的全域创新创业体系。（一）打造全球人才蓄水池1、集聚全球高端创新人才深入实施“全
35、球英才杭聚工程”，优化完善顶尖人才和团队支持模式，探索与国际接轨的人才政策，持续办好杭州国际人才大会、海外高层次人才创新创业大赛、云栖大会、2050大会、梦溪论坛、侨界精英峰会、中国（杭州）国际人力资源峰会、中国国际软件博览会，调整优化市级人才计划，创新改进遴选方式，精准招引全球顶尖人才和高水平创新创业团队。坚持“高精尖缺”并重，加强基础研究和应用基础研究人才培养，注重引进文化艺术、哲学社会科学人才。创新“候鸟型”高层次人才引进和使用机制，柔性集聚国内外高端智力。2、壮大优秀青年人才队伍深入实施“青年人才弄潮工程”，建立阶梯式支持机制，建设全球青年人才中心，支持更多青年人才成为领军人才。3、建
36、设创新型杭商队伍实施“杭商名家”计划，培育新生代企业家，全面拓展企业家和企业高层次管理人才全球视野，提升战略思维和创新能力。4、培育新时代“杭州工匠”深化全国首批产教融合试点，建设一批产教融合联盟和人才培育基地，推行企业新型学徒制和现代学徒制。5、建设最优人才生态城市加快建设人才管理改革试验区，扩大人才“引育留用管”自主权，创新突破薪酬分配、科研经费管理等人才政策。（二）创建综合性国家科学中心1、建设综合性国家科学中心核心承载区面向世界科技前沿与国家重大战略需求，构建部门协同、省市联动创建机制，高规格开展综合性国家科学中心创建工作。2、增强重大战略科技力量支撑持续深化“名校名院名所”工程，全力
37、支持浙江大学“双一流”建设、西湖大学建设高水平研究型大学，加快建设中法航空大学、国科大杭州高等研究院，积极引进国内外知名高校和科研院所。3、加强重点领域基础研究鼓励高校、科研院所、新型研发机构、行业龙头企业等积极参与“尖峰计划”，围绕量子信息、人工智能、新一代通信与智能网络、精准医疗、新药创制、前沿新材料、高端制造等领域，开展前沿基础研究，加强原始创新探索，攻克一批重大科学问题。力争在网络空间安全主动防御、大数据计算、脑认知与脑机交互、干细胞与再生医学、量子信息、传感材料与器件等研究领域取得一批重大原始创新成果。加大基础研究投入，提升基础研究投入占全社会研发投入比例。4、强化关键核心技术攻坚坚
38、持以服务提升关键核心技术进口替代能力为方向，以通用芯片、人工智能与融合应用、区块链、新一代网络通信技术、空天信息技术、先进制造与智能装备等为重点，积极争取国家、省重点研发计划、重大科技项目。（三）健全以企业为主体的技术创新体系1、增强企业创新主体功能健全科技企业梯次培育机制，滚动实施“双倍增”行动，大力培育高新技术企业和科技型中小企业，壮大具有产业链控制能力和国际竞争力“头部企业”队伍。2、促进创新链产业链协同融合聚焦新一代信息技术、创新药物、高端医疗器械、关键战略材料等重点领域，支持龙头企业牵头与高校院所、上下游企业组建创新联合体，搭建产业共性技术和关键技术供给平台，加快建设一批具有国际先进
39、水平功能型研发转化平台，促进基础研究、应用研究与产业化对接融通，加快产业链关键环节协同创新。3、建设科技成果转化示范区建设科技成果交易中心和大数据交易市场，推动科技大市场“上脑上云”，建设杭州中科国家技术转移中心等高水平技术转移机构，鼓励社会力量发展科技转让平台，打造面向全球的技术转移枢纽。（四）完善全域一流创新创业生态1、加大科创政策支持力度完善科技治理体系，成立创新委员会，全面构建“产学研用金、才政介美云”十联动的区域创新生态。2、健全知识产权大保护格局加快建设知识产权强市，争取设立杭州知识产权法院，严格知识产权司法保护和行政执法，有效执行惩罚性赔偿制度。3、营造创新创业活跃氛围加快国家双
40、创示范基地建设，建设一批科技孵化器、众创空间、创新技术联盟及产业创新服务综合体，制定双创平台扶持管理政策，引导众创空间和孵化器向专业化、国际化发展，加快构建全链条科技服务体系，打造全市域科技大孵化器，梯次布局“重大平台+特色小镇+孵化器+众创空间”金字塔平台矩阵。第四章 建设规模与产品方案一、 建设规模及主要建设内容（一）项目场地规模该项目总占地面积54667.00（折合约82.00亩），预计场区规划总建筑面积88403.07。（二）产能规模根据国内外市场需求和xxx有限责任公司建设能力分析，建设规模确定达产年产xx吨碳化硅衬底，预计年营业收入82300.00万元。二、 产品规划方案及生产纲领
41、本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平，并参考市场需求预测情况确定，同时，把产量和销量视为一致，本报告将按照初步产品方案进行测算。产品规划方案一览表序号产品（服务）名称单位单价（元）年设计产量产值1碳化硅衬底吨xxx2碳化硅衬底吨xxx3碳化硅衬底吨xxx4.吨5.吨6.吨合计xx82300.00以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场。在
42、碳化硅衬底上，主要使用化学气相沉积法（CVD法）在衬底表面生成所需的薄膜材料，即形成外延片，进一步制成器件。第五章 项目选址分析一、 项目选址原则节约土地资源，充分利用空闲地、非耕地或荒地，尽可能不占良田或少占耕地；应充分利用天然地形，选择土地综合利用率高、征地费用少的场址。二、 建设区基本情况杭州是浙江省省会和经济、文化、科教中心，长江三角洲中心城市，重要的风景旅游城市，首批国家历史文化名城。杭州地处长江三角洲南翼、杭州湾西端，是“丝绸之路经济带”和“21世纪海上丝绸之路”的延伸交点和“网上丝绸之路”战略枢纽城市。市域界于北纬29 11-30* 34和东经118 20-120 37之间。杭州
43、山水相依、湖城合璧，江、河、湖、海、溪五水共导，风景如画，堪称“人间天堂。全市丘陵山地占总面积的65.6%，集中分布在西部、中部和南部;平原占26.4%，主要分布在东北部;江、河、湖、水库占8.0%。森林覆盖率达66.8%，居全国省会城市第一。“十三五”时期，杭州在全省的龙头地位不断巩固，在全国的战略地位日益提高，在国际上的美誉度持续提升，为开启高水平现代化新征程奠定了坚实基础。全市经济社会发展取得标志性突破，全市生产总值超1.6万亿元、人均生产总值超2万美元、常住人口超1000万。创新创业能级实现质的提升，杭州城西科创大走廊创新策源功能显著增强，杭州钱塘新区整合设立，国家新一代人工智能创新发
44、展试验区获批，全国双创周主会场活动成功举办，人才净流入率保持全国第一。对外开放格局实现全面扩展，G20杭州峰会成功举办，亚运会进入“杭州时间”，跨境电商综试区和电子世界贸易平台（eWTP）杭州实验区加快建设，中国（浙江）自由贸易试验区杭州片区落地。杭州都市圈实现跨省扩容，杭绍甬一体化加快发展，梦想小镇走进上海和合肥。营商环境建设走在全国前列，“最多跑一次”改革、“移动办事之城”建设取得重大进展，“万家民营企业评营商环境”排行全国第一，成为“营商环境最佳口碑城市”。社会治理模式实现数字变革，全国首创“城市大脑”，率先上线健康码和企业复工数字平台，首创“亲清在线”端对端政策兑现数字平台，被授予“新
45、时代数字治理标杆城市”。“美丽杭州”建设取得新成果，成为省会城市中首个国家生态市，淳安特别生态功能区获批设立，推动西湖西溪一体化，启动建设“湿地水城”。文化兴盛行动深入实施，良渚古城遗址成功申遗，成为“全球15个旅游最佳实践样本城市”、国家文化和旅游消费示范城市。人民获得感幸福感全面提升，“美好教育”成果丰硕，“健康杭州”全面升级，被授予全国唯一“幸福示范标杆城市”。当今世界正经历百年未有之大变局，全球经贸领域力量对比发生变化，世界经济“东升西降”的特征日趋明显，新一轮科技革命和产业变革深入发展，新冠疫情影响广泛深远，不确定性不稳定性明显增加。我国发展仍处于重要战略机遇期，但机遇和挑战都有新的
46、发展变化，经济长期向好的基本面没有改变，进入高质量发展阶段。浙江处于实现新的更大发展的关键突破期，正在全力争创社会主义现代化先行省。“十四五”时期是“亚运会、大都市、现代化”的重要窗口期，我市发展具有良好基础和独特优势，“一带一路”建设、长三角一体化发展等国家战略深入实施赋予新的历史机遇，同时发展不平衡不充分问题仍然突出，高质量发展的科技“硬核”支撑不够有力，城乡区域发展还不协调，城市国际化水平有待提升，公共卫生、生态环境、民生保障、社会治理等领域仍存在短板弱项。综合来看，面对外部环境和自身条件的深刻变化，必须胸怀“两个大局”，切实增强责任意识、机遇意识、争先意识和风险意识，奋发有为办好自己的事，在危机中育先机，于变局中开新局。城市综合能级、核心竞争力、国际美誉度大幅提升，城市治理现代化水平大幅提升，基本建成社会主义现代化国际大都市，为到本世纪中叶建成具有全球影响力的独特韵味别样精彩世界名城打下坚实基础，中