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1、泓域咨询/遵义MOSFET功率器件项目投资计划书目录第一章 绪论7一、 项目名称及项目单位7二、 项目建设地点7三、 可行性研究范围7四、 编制依据和技术原则8五、 建设背景、规模9六、 项目建设进度10七、 环境影响10八、 建设投资估算10九、 项目主要技术经济指标11主要经济指标一览表11十、 主要结论及建议13第二章 项目建设背景及必要性分析14一、 功率MOSFET的行业发展趋势14二、 中国半导体行业发展概况15三、 激发全社会创新活力16四、 项目实施的必要性17第三章 行业、市场分析19一、 功率半导体市场规模与竞争格局19二、 MOSFET器件概述19三、 功率器件应用发展机
2、遇24第四章 项目投资主体概况29一、 公司基本信息29二、 公司简介29三、 公司竞争优势30四、 公司主要财务数据31公司合并资产负债表主要数据31公司合并利润表主要数据31五、 核心人员介绍32六、 经营宗旨33七、 公司发展规划33第五章 产品规划与建设内容36一、 建设规模及主要建设内容36二、 产品规划方案及生产纲领36产品规划方案一览表37第六章 建筑技术分析38一、 项目工程设计总体要求38二、 建设方案38三、 建筑工程建设指标40建筑工程投资一览表40第七章 运营管理模式42一、 公司经营宗旨42二、 公司的目标、主要职责42三、 各部门职责及权限43四、 财务会计制度46
3、第八章 法人治理54一、 股东权利及义务54二、 董事56三、 高级管理人员60四、 监事63第九章 进度计划65一、 项目进度安排65项目实施进度计划一览表65二、 项目实施保障措施66第十章 原辅材料成品管理67一、 项目建设期原辅材料供应情况67二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理67第十一章 劳动安全评价69一、 编制依据69二、 防范措施72三、 预期效果评价76第十二章 技术方案77一、 企业技术研发分析77二、 项目技术工艺分析80三、 质量管理81四、 设备选型方案82主要设备购置一览表82第十三章 项目节能说明84一、 项目节能概述84二、 能源消费种类和数量分析85能耗分
4、析一览表85三、 项目节能措施86四、 节能综合评价87第十四章 项目投资分析88一、 投资估算的编制说明88二、 建设投资估算88建设投资估算表90三、 建设期利息90建设期利息估算表91四、 流动资金92流动资金估算表92五、 项目总投资93总投资及构成一览表93六、 资金筹措与投资计划94项目投资计划与资金筹措一览表95第十五章 项目经济效益97一、 基本假设及基础参数选取97二、 经济评价财务测算97营业收入、税金及附加和增值税估算表97综合总成本费用估算表99利润及利润分配表101三、 项目盈利能力分析101项目投资现金流量表103四、 财务生存能力分析104五、 偿债能力分析105
5、借款还本付息计划表106六、 经济评价结论106第十六章 风险防范108一、 项目风险分析108二、 项目风险对策110第十七章 项目招标、投标分析113一、 项目招标依据113二、 项目招标范围113三、 招标要求114四、 招标组织方式116五、 招标信息发布118第十八章 总结分析119第十九章 附表121主要经济指标一览表121建设投资估算表122建设期利息估算表123固定资产投资估算表124流动资金估算表125总投资及构成一览表126项目投资计划与资金筹措一览表127营业收入、税金及附加和增值税估算表128综合总成本费用估算表128利润及利润分配表129项目投资现金流量表130借款还
6、本付息计划表132第一章 绪论一、 项目名称及项目单位项目名称：遵义MOSFET功率器件项目项目单位：xxx集团有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xxx，占地面积约49.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围1、项目背景及市场预测分析；2、建设规模的确定；3、建设场地及建设条件；4、工程设计方案；5、节能；6、环境保护、劳动安全、卫生与消防；7、组织机构与人力资源配置；8、项目招标方案；9、投资估算和资金筹措；10、财务分析。四、 编制依据和技术原则（一）编制依据1、国家和地方关于促进产业结构
7、调整的有关政策决定；2、建设项目经济评价方法与参数；3、投资项目可行性研究指南；4、项目建设地国民经济发展规划；5、其他相关资料。（二）技术原则坚持以经济效益为中心，社会效益和不境效益为重点指导思想，以技术先进、经济可行为原则，立足本地、面向全国、着眼未来，实现企业高质量、可持续发展。1、优化规划方案，尽可能减少工程项目的投资额，以求得最好的经济效益。2、结合厂址和装置特点，总图布置力求做到布置紧凑，流程顺畅，操作方便，尽量减少用地。3、在工艺路线及公用工程的技术方案选择上，既要考虑先进性，又要确保技术成熟可靠，做到先进、可靠、合理、经济。4、结合当地有利条件，因地制宜，充分利用当地资源。5、
8、根据市场预测和当地情况制定产品方向，做到产品方案合理。6、依据环保法规，做到清洁生产，工程建设实现“三同时”，将环境污染降低到最低程度。7、严格执行国家和地方劳动安全、企业卫生、消防抗震等有关法规、标准和规范。做到清洁生产、安全生产、文明生产。五、 建设背景、规模（一）项目背景MIMO即多进多出，指在发送端和接收端都使用多根天线、在收发之间构成多个信道的天线系统，可以极大地提高信道容量。MassiveMIMO即大规模天线，可以在不增加频谱资源和天线发送功率的情况下，提升系统信道容量和信号覆盖范围。数量上，传统网络天线的通道数为2/4/8个，而MassiveMIMO通道数可以达到64/128/2
9、56个。信号覆盖维度上，传统MIMO为2D覆盖，信号只能在水平方向移动，不能在垂直方向移动，类似与平面发射。而MassiveMIMO的信号辐射状是电磁波束，可以利用垂直维度空域。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积32667.00（折合约49.00亩），预计场区规划总建筑面积55247.03。其中：生产工程34031.43，仓储工程8816.56，行政办公及生活服务设施7682.05，公共工程4716.99。项目建成后，形成年产xxx件MOSFET功率器件的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xxx集团有限公司将项目工程的建设周期确定为24个月，其工作内容包括：项目前
10、期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响本期工程项目符合当地发展规划，选用生产工艺技术成熟可靠，符合当地产业结构调整规划和国家的产业发展政策；项目建成投产后，在全面采取各项污染防治措施和加强企业环境管理的前提下，对产生的各类污染物都采取了切实可行的治理措施，严格控制在国家规定的排放标准内，所以，本期工程项目建设不会对区域生态环境产生明显的影响。八、 建设投资估算（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资24890.16万元，其中：建设投资19841.14万元，占项目总投资的79.71%；
11、建设期利息491.01万元，占项目总投资的1.97%；流动资金4558.01万元，占项目总投资的18.31%。（二）建设投资构成本期项目建设投资19841.14万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用17058.84万元，工程建设其他费用2228.69万元，预备费553.61万元。九、 项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入44200.00万元，综合总成本费用37050.13万元，纳税总额3466.71万元，净利润5223.75万元，财务内部收益率14.31%，财务净现值273.42万元，全部投资回收期6.78年。（二）主要数据及技术
12、指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积32667.00约49.00亩1.1总建筑面积55247.031.2基底面积20580.211.3投资强度万元/亩395.492总投资万元24890.162.1建设投资万元19841.142.1.1工程费用万元17058.842.1.2其他费用万元2228.692.1.3预备费万元553.612.2建设期利息万元491.012.3流动资金万元4558.013资金筹措万元24890.163.1自筹资金万元14869.473.2银行贷款万元10020.694营业收入万元44200.00正常运营年份5总成本费用万元37050.136利润总额万元6
13、965.007净利润万元5223.758所得税万元1741.259增值税万元1540.5910税金及附加万元184.8711纳税总额万元3466.7112工业增加值万元12122.8913盈亏平衡点万元17551.46产值14回收期年6.7815内部收益率14.31%所得税后16财务净现值万元273.42所得税后十、 主要结论及建议由上可见，无论是从产品还是市场来看，本项目设备较先进，其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强，具有良好的社会效益及一定的抗风险能力，因而项目是可行的。第二章 项目建设背景及必要性分析一、 功率MOSFET的行业发展趋势1、工艺进步、器件结构改进所
14、带来的变化采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能，从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进，当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此，高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围，实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言，沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET；屏蔽栅MOSFET将进一步替
15、代沟槽MOSFET；超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓，具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点，在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先，由于新能源汽车、5G等新技术的应用及需求迅速增加，第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高温下更好的表现，SiCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。根据Yole的数据，2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元，预计到2025年将增长至15.53亿美元，复合增长率为38%。第三代半导体材料仍然处于产业化起步阶段，国
16、内已发布多个政策积极推进第三代半导体行业的发展，例如2019年国务院发布长江三角洲区域一体化发展规划纲要，提出要加快培育一批第三代半导体企业。2、功率器件集成化趋势除了MOSFET功率器件在结构及工艺方面的优化外，终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂；在小功率应用场景中，功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前，工业领域仍是功率模块的主要应用领域。随着新能源汽车、5G技术的兴起，功率器件模块化趋势将愈发显著
17、。根据Omdia预测，2020-2024年分立器件市场增速为2.8%，而功率模块市场增速为9.2%，高于分立器件市场增速。二、 中国半导体行业发展概况我国本土半导体行业起步较晚。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下，中国半导体行业不断发展。步入21世纪以来，我国半导体产业市场规模得到快速增长。2020年，中国半导体产业市场规模达8,848亿元，比上年增长17.01%。2013-2020年中国半导体市场规模的复合增长率达19.73%，显著高于同期世界半导体市场的增速。随着近年国家集成电路产业发展推进纲要中国制造2025国家信息化发展战略纲要等重要文件的出台，以及社会各界对半导体行业的发展
18、、产业链重构的日益重视，我国半导体行业正站在国产化的起跑线上。随着5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技逐渐走向产业化，未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期，逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。在贸易摩擦等宏观环境不确定性增加的背景下，加速进口替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度，中国半导体行业发展迎来了历史性的机遇。三、 激发全社会创新活力实施“引人聚才智汇遵义”行动，培养和引进一批创新型、应用型、技能型人才和团队。健全以创新能力、质量、实效、贡献为导向的科技人才评价体系，着力释放各类人才创新活力。实施知识更新工程、技能提升行动，
19、壮大高水平工程师、高技能人才和创新型企业家队伍。健全柔性引才政策，加大人才引进保障服务，大力吸引“候鸟型”专家、“星期天”工程师和技艺精湛的能工巧匠。深化科技体制机制改革，推进项目、人才、资金一体化配置。完善科研人员职务发明成果权益分享机制。完善科技评价机制，优化科技奖励项目。加大财政科技经费投入。加强知识产权保护。加强科普工作，开展科创赛会活动，营造崇尚创新的社会氛围。四、 项目实施的必要性（一）现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业，公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度，产品销售形势良好，产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展，公
20、司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段，不断挖掘产能潜力，但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设，公司将有效克服产能不足对公司发展的制约，为公司把握市场机遇奠定基础。（二）公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级，公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动，不断研发新产品，提升产品精密化程度，将产品质量水平提升到同类产品的领先水准，提高生产的灵活性和适应性，契合关键零部件国产化的需求，才能在与国外企业的竞争中获得优势，保持公司在领域的国内领先地位。第三章 行业、市场分析一、 功率半导体市场规模
21、与竞争格局根据Omdia预测，2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元，预计至2024年市场规模将增长至522亿美元，2019-2024的年化复合增长率为2.4%。在功率半导体领域，国际厂商优势明显，全球前十大功率半导体公司均为海外厂商，包括英飞凌（Infineon）、德州仪器（TexasInstruments）、安森美（ONSemiconductor）、意法半导体（STMicroelectronics）等。行业整体集中度较低，2019年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%，前十大企业市场份额合计为51.93%。目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在
22、取得突破。同时，中国也是全球最大的功率半导体消费国，2019年市场规模达到177亿美元，增速为-3.3%，占全球市场比例高达38%。预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长，2024年市场规模有望达到206亿美元，2019-2024年的年化复合增长率达3.1%。二、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美
23、元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、
24、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。2019年，中国MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.9
25、3%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，因此在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的
26、电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远
27、小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测，2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概
28、述IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长，全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名
29、第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目，被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域，IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在1700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.5
30、7%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十，市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚，未来进口替代空间巨大，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。三、 功率器件应用发展机遇受益于新能源汽车和5G产业的高速发展，充电桩、5G通讯基站及车规级等市场对于高性能功率器件的需求将不断增加，高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。1、充电桩（1）发展机遇2020年，充电桩被列入国家七大“新基建”领域
31、之一。2020年5月两会期间，政府工作报告中强调“建设充电桩，推广新能源汽车，激发新消费需求、助力产业升级”。公安部交通管理局公布数据显示，截至2020年6月新能源汽车保有量有417万辆，与2019年年底相比增加36万辆，增长率达到9.45%。伴随新能源汽车保有量的高速增长，新能源充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长，截止2019年12月，全国充电基础设施累计数量为121.9万个，其中公共桩51.6万个，私人桩70.3万个，充电场站建设数量达到3.6万座。公共充电桩由政府机关等具有公共服务性质的机构置办，服务对象面向所有电动汽车车主。2015年至2019年，全国公共充电桩的数量由5.8万个增
32、长至51.6万个，复合年增长率达到了72.9%。近几年来，我国充电站同样有快速发展，充电站保有量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座，复合年增长率为140.64%。充电站密度越来越高，电动汽车车主充电便利性也得到了大幅改善。“新基建”对充电桩的建设驱动主要在以下几方面：驱动公共桩建设提质且区域均衡发展，直流桩占比将持续提升，省份间差异有望缩小。推动优质场站建设，完善配套设施申报流程办理。推动小区、商场等停车位充电桩建设。促进对运营商的建设与充电运营流程支持。（2）超级结MOSFET功率器件迎来快速发展机遇充电桩按充电能力分类，以处理不同的用例场景。公共充电桩包括交流桩和直
33、流桩，交流充电桩需要借助车载充电机，充电速度较慢，一辆纯电动汽车（普通电池容量）完全放电后通过交流充电桩充满通常需要8个小时。直流充电桩俗称“快充”，固定安装在电动汽车外，与交流电网连接，通常仅需要不到2-3小时即可将一辆纯电动汽车电池充满。目前我国公共交流桩主要分为单相交流桩和三相交流桩。单相交流桩的建设更广泛，对应的充电功率分为3.5kW和7kW，其中，公共交流桩充电功率以7kW为主。三相交流桩的主要功率为21kW、40kW和80kW，但整体数量较少。从2016-2019年新增公共交流桩平均功率来看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流桩主要使用三相维也纳输入整流器（PowerF
34、actorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的领先解决方案使用了超级结MOSFET。公共直流充电桩一般输入电压为380V。根据2016-2019年新增公共直流桩平均功率数据，公共直流桩充电功率在逐渐提高。其中2017年上涨幅度最大，从69.23kW提高到91.65kW，而到了2019年虽然维持上涨趋势，但由于目前市场的公共直流桩充电功率已经基本上能够满足电动汽车的充电需求，故2019年新增公共直流桩平均充电功率小幅提高，达到115.76kW。预计未来新增的公共直流桩充电功率普遍在120kW左右。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主
35、。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计，100kW的充电桩需要功率器件价值量在200-300美元，预计随着充电桩的不断建设，功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展机遇。 2、5G基站（1）5G建设规模2020年12月15日在2021中国信通院ICT+深度观察报告会上，工业和信息化部发言人指出，中国已累计建成5G基站71.8万个，推动共建共
36、享5G基站33万个。2020年12月28日，工信部部长肖亚庆在2021年全国工业和信息化工作会议上表示，2021年将有序推进5G网络建设及应用，加快主要城市5G覆盖，推进共建共享，新建5G基站60万个以上。（2）5G基站拉动功率半导体需求5G建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1）5G基站功率更高、建设更为密集，带来更大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；以及4）云计算拉动计算用功率半导体用量。MIMO即多进多出，指在发送端和接收端都使用多根天线、在收发之间构成多个信道的天线系统，可以极大地提高信道容量。MassiveMIMO即大规模天线，可
37、以在不增加频谱资源和天线发送功率的情况下，提升系统信道容量和信号覆盖范围。数量上，传统网络天线的通道数为2/4/8个，而MassiveMIMO通道数可以达到64/128/256个。信号覆盖维度上，传统MIMO为2D覆盖，信号只能在水平方向移动，不能在垂直方向移动，类似与平面发射。而MassiveMIMO的信号辐射状是电磁波束，可以利用垂直维度空域。5G网络主要部署在高频频段，即毫米波频段（mmWave）。因接收功率与波长的平方成正比，毫米波的信号衰减严重，而发射功率又受到限制，所以5G网络部署需要增加发射天线和接收天线的数量，使用MassiveMIMO技术。根据英飞凌的统计，传统MIMO天线需
38、要的功率半导体价值大约为25美元，而过渡为MassvieMIMO天线阵列后，所需的MOSFET等功率半导体价值增加至100美元，达到原来的4倍。与云计算相比，雾计算所采用的架构呈分布式，更接近网络边缘。雾计算将数据、数据处理和应用程序集中在网络边缘的设备中，数据的存储及处理更依赖本地设备，本地运算设备的增加带动MOSFET用量提升。第四章 项目投资主体概况一、 公司基本信息1、公司名称：xxx集团有限公司2、法定代表人：夏xx3、注册资本：1240万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2012-10-167、营业期限：2012-10
39、-16至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事MOSFET功率器件相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介公司满怀信心，发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越，回报社会” 的企业宗旨，以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。经过多年的发展，公司拥有雄厚的技术实力，丰富的生产经营管理经验和可靠的产品质量保证体系，综合实力进一步增强。公司将继续提升供应链构建与管理、新技术新工艺新材料应用研发。集
40、团成立至今，始终坚持以人为本、质量第一、自主创新、持续改进，以技术领先求发展的方针。三、 公司竞争优势（一）公司具有技术研发优势，创新能力突出公司在研发方面投入较高，持续进行研究开发与技术成果转化，形成企业核心的自主知识产权。公司产品在行业中的始终保持良好的技术与质量优势。此外，公司目前主要生产线为使用自有技术开发而成。（二）公司拥有技术研发、产品应用与市场开拓并进的核心团队公司的核心团队由多名具备行业多年研发、经营管理与市场经验的资深人士组成，与公司利益捆绑一致。公司稳定的核心团队促使公司形成了高效务实、团结协作的企业文化和稳定的干部队伍，为公司保持持续技术创新和不断扩张提供了必要的人力资源
41、保障。（三）公司具有优质的行业头部客户群体公司凭借出色的技术创新、产品质量和服务，树立了良好的品牌形象，获得了较高的客户认可度。公司通过与优质客户保持稳定的合作关系，对于行业的核心需求、产品变化趋势、最新技术要求的理解更为深刻，有利于研发生产更符合市场需求产品，提高公司的核心竞争力。（四）公司在行业中占据较为有利的竞争地位公司经过多年深耕，已在技术、品牌、运营效率等多方面形成竞争优势；同时随着行业的深度整合，行业集中度提升，下游客户为保障其自身原材料供应的安全与稳定，在现有竞争格局下对于公司产品的需求亦不断提升。公司较为有利的竞争地位是长期可持续发展的有力支撑。四、 公司主要财务数据公司合并资
42、产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额10967.458773.968225.59负债总额4565.963652.773424.47股东权益合计6401.495121.194801.12公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入19941.4115953.1314956.06营业利润3694.292955.432770.72利润总额3078.112462.492308.58净利润2308.581800.691662.18归属于母公司所有者的净利润2308.581800.691662.18五、 核心人员介绍1、夏xx，中国国籍，无
43、永久境外居留权，1958年出生，本科学历，高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长；2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理；2019年3月至今任公司董事。2、龚xx，中国国籍，1977年出生，本科学历。2018年9月至今历任公司办公室主任，2017年8月至今任公司监事。3、熊xx，中国国籍，1978年出生，本科学历，中国注册会计师。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司独立董事。4、崔xx，中国国籍，无永久境外居留权，1959年出生，大
44、专学历，高级工程师职称。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技术顾问；2004年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任公司董事、副总经理、总工程师。5、严xx，中国国籍，无永久境外居留权，1971年出生，本科学历，中级会计师职称。2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司财务经理。2017年3月至今任公司董事、副总经理、财务总监。6、于xx，中国国籍，无永久境外居留权，1970年出生，硕士研究生学历。2012年4月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。7、魏
45、xx，1974年出生，研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx有限责任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限责任公司销售部副经理。2011年3月至今历任公司监事、销售部副部长、部长；2019年8月至今任公司监事会主席。8、史xx，1957年出生，大专学历。1994年5月至2002年6月就职于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2018年3月至今任公司董事。六、 经营宗旨公司经营国际化，股东回报最大化。七、 公司发展规划根据公司的发展规划，未来几年内公司的资产规模、业务规模、人员规模、资金运用规模都将有较大幅度的增长。随着业务和规模的
46、快速发展，公司的管理水平将面临较大的考验，尤其在公司迅速扩大经营规模后，公司的组织结构和管理体系将进一步复杂化，在战略规划、组织设计、资源配置、营销策略、资金管理和内部控制等问题上都将面对新的挑战。另外，公司未来的迅速扩张将对高级管理人才、营销人才、服务人才的引进和培养提出更高要求，公司需进一步提高管理应对能力，才能保持持续发展，实现业务发展目标。公司将采取多元化的融资方式，来满足各项发展规划的资金需求。在未来融资方面，公司将根据资金、市场的具体情况，择时通过银行贷款、配股、增发和发行可转换债券等方式合理安排制定融资方案，进一步优化资本结构，筹集推动公司发展所需资金。公司将加快对各方面优秀人才的引进和培养，同时加大对人才的资金投入并建立有效的激励机制，确保公司发展规划和目标的实现。一方面，公司将继续加强员工培训，加快培育一批素质高、业务强的营销人才、服务人才、管理人才；对营销人员进行沟通与营销