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1、泓域咨询/南昌功率器件项目可行性研究报告目录第一章 项目背景及必要性7一、 全球半导体行业发展概况7二、 功率半导体市场规模与竞争格局7三、 营造良好创新生态8四、 项目实施的必要性9第二章 项目概述11一、 项目概述11二、 项目提出的理由13三、 项目总投资及资金构成13四、 资金筹措方案13五、 项目预期经济效益规划目标14六、 项目建设进度规划14七、 环境影响14八、 报告编制依据和原则15九、 研究范围16十、 研究结论16十一、 主要经济指标一览表16主要经济指标一览表17第三章 行业发展分析19一、 MOSFET器件概述19二、 功率器件应用发展机遇23三、 中国半导体行业发展
2、概况28第四章 建设规模与产品方案29一、 建设规模及主要建设内容29二、 产品规划方案及生产纲领29产品规划方案一览表29第五章 项目选址31一、 项目选址原则31二、 建设区基本情况31三、 塑造南昌制造新优势34四、 坚持人才优先发展35五、 项目选址综合评价36第六章 法人治理37一、 股东权利及义务37二、 董事41三、 高级管理人员46四、 监事48第七章 SWOT分析说明50一、 优势分析（S）50二、 劣势分析（W）52三、 机会分析（O）52四、 威胁分析（T）53第八章 发展规划57一、 公司发展规划57二、 保障措施58第九章 原辅材料及成品分析61一、 项目建设期原辅材
3、料供应情况61二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理61第十章 劳动安全分析63一、 编制依据63二、 防范措施66三、 预期效果评价70第十一章 技术方案71一、 企业技术研发分析71二、 项目技术工艺分析74三、 质量管理75四、 设备选型方案76主要设备购置一览表76第十二章 建设进度分析78一、 项目进度安排78项目实施进度计划一览表78二、 项目实施保障措施79第十三章 环保方案分析80一、 编制依据80二、 环境影响合理性分析81三、 建设期大气环境影响分析83四、 建设期水环境影响分析84五、 建设期固体废弃物环境影响分析85六、 建设期声环境影响分析85七、 建设期生态环境影响
4、分析86八、 清洁生产86九、 环境管理分析88十、 环境影响结论92十一、 环境影响建议92第十四章 投资方案93一、 投资估算的编制说明93二、 建设投资估算93建设投资估算表95三、 建设期利息95建设期利息估算表96四、 流动资金97流动资金估算表97五、 项目总投资98总投资及构成一览表98六、 资金筹措与投资计划99项目投资计划与资金筹措一览表100第十五章 经济效益102一、 基本假设及基础参数选取102二、 经济评价财务测算102营业收入、税金及附加和增值税估算表102综合总成本费用估算表104利润及利润分配表106三、 项目盈利能力分析107项目投资现金流量表108四、 财务
5、生存能力分析110五、 偿债能力分析110借款还本付息计划表111六、 经济评价结论112第十六章 风险风险及应对措施113一、 项目风险分析113二、 项目风险对策115第十七章 总结评价说明118第十八章 附表120建设投资估算表120建设期利息估算表120固定资产投资估算表121流动资金估算表122总投资及构成一览表123项目投资计划与资金筹措一览表124营业收入、税金及附加和增值税估算表125综合总成本费用估算表126固定资产折旧费估算表127无形资产和其他资产摊销估算表128利润及利润分配表128项目投资现金流量表129第一章 项目背景及必要性一、 全球半导体行业发展概况半导体是电子
6、产品的核心，信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点，全球半导体行业具有一定的周期性，景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。根据全球半导体贸易组织统计，全球半导体行业2019年市场规模达到4,123亿美元，较2018年下降约12.1%。过去五年，随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展，以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起，带动了整个半导体行业规模增长。二、 功率半导体市场规模与竞争格局根据Omdia预测，2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元，预计至2024年市
7、场规模将增长至522亿美元，2019-2024的年化复合增长率为2.4%。在功率半导体领域，国际厂商优势明显，全球前十大功率半导体公司均为海外厂商，包括英飞凌（Infineon）、德州仪器（TexasInstruments）、安森美（ONSemiconductor）、意法半导体（STMicroelectronics）等。行业整体集中度较低，2019年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%，前十大企业市场份额合计为51.93%。目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大的功率半导体消费国，2019年市场规模达到177亿美元，增速为-3
8、.3%，占全球市场比例高达38%。预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长，2024年市场规模有望达到206亿美元，2019-2024年的年化复合增长率达3.1%。三、 营造良好创新生态优化区域创新布局。加快推进赣江两岸科创大走廊建设，统筹推进鄱阳湖国家自主创新示范区核心区和航空科创城、VR科创城、中医药科创城等核心科创平台建设，高标准打造瑶湖科学岛、前湖科创园、昌北高校科创谷等未来科创平台，建设一批创新街区、创新楼宇、创新小镇。强化创新链产业链精准对接，推进科技创新和主导产业融合发展。强化南昌在全省创新“头雁”地位，充分整合省内创新资源，争取设立综合性国家科学中心，建设区域性创新高地。激活各
9、类创新要素。全面优化劳动、资本、土地、技术、管理、数据等要素配置，建立健全充分体现创新要素价值的收益分配机制，完善创新成果发明者权益分享机制。大力实施知识产权战略，引进和培育一批高价值发明专利，提高知识产权转移转化成效。创新金融支持体系，建立政府引导、市场主导的风险投资基金，加大对初创企业和前沿技术产业化支持力度，促进新技术产业化规模化应用。全面推进管理创新，培育创投家等复合型人才。强化科技创新成果转移转化。优化技术转移体系，全流程完善科技成果转移转化服务，全面提升科技创新供给能力。推进科技中介服务机构市场化改革，组建专业化科技成果交易平台。完善国内市场需求和重大工程项目牵引自主创新产品应用的
10、政策体系，推动科研和市场紧密结合，提高科技成果转移转化质量和效率。健全以创新质量和贡献为导向的绩效评价体系。营造创新创业氛围。大力弘扬创新创业文化和科学精神、劳模精神、劳动精神、工匠精神。建立创新容错机制，完善人才创新创业尽职免责机制，探索建立创业担保基金等创业失败成本分担机制、创业失败援助机制。提升公民科学素养，营造崇尚创新的社会氛围。四、 项目实施的必要性（一）提升公司核心竞争力项目的投资，引入资金的到位将改善公司的资产负债结构，补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力，降低公司财务费用水平，提升公司盈利能力，促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服
11、务商发展战略提供坚实支持，提高公司核心竞争力。第二章 项目概述一、 项目概述（一）项目基本情况1、项目名称：南昌功率器件项目2、承办单位名称：xx集团有限公司3、项目性质：技术改造4、项目建设地点：xx（待定）5、项目联系人：邹xx（二）主办单位基本情况公司不断建设和完善企业信息化服务平台，实施“互联网+”企业专项行动，推广适合企业需求的信息化产品和服务，促进互联网和信息技术在企业经营管理各个环节中的应用，业通过信息化提高效率和效益。搭建信息化服务平台，培育产业链，打造创新链，提升价值链，促进带动产业链上下游企业协同发展。公司以负责任的方式为消费者提供符合法律规定与标准要求的产品。在提供产品的
12、过程中，综合考虑其对消费者的影响，确保产品安全。积极与消费者沟通，向消费者公开产品安全风险评估结果，努力维护消费者合法权益。公司加大科技创新力度，持续推进产品升级，为行业提供先进适用的解决方案，为社会提供安全、可靠、优质的产品和服务。面对宏观经济增速放缓、结构调整的新常态，公司在企业法人治理机构、企业文化、质量管理体系等方面着力探索，提升企业综合实力，配合产业供给侧结构改革。同时，公司注重履行社会责任所带来的发展机遇，积极践行“责任、人本、和谐、感恩”的核心价值观。多年来，公司一直坚持坚持以诚信经营来赢得信任。展望未来，公司将围绕企业发展目标的实现，在“梦想、责任、忠诚、一流”核心价值观的指引
13、下，围绕业务体系、管控体系和人才队伍体系重塑，推动体制机制改革和管理及业务模式的创新，加强团队能力建设，提升核心竞争力，努力把公司打造成为国内一流的供应链管理平台。（三）项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xx（待定），占地面积约87.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）产品规划方案根据项目建设规划，达产年产品规划设计方案为：xx件功率器件/年。二、 项目提出的理由根据全球半导体贸易组织统计，全球半导体行业2019年市场规模达到4,123亿美元，较2018年下降约12.1%。过去五年，随着智能手机、平板电脑为代
14、表的新兴消费电子市场的快速发展，以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起，带动了整个半导体行业规模增长。在质量效益明显提升的基础上实现经济持续健康发展，主要经济指标增速保持全国省会城市“第一方阵”。经济总量在全国省会城市的位次前移，人均地区生产总值达到高收入地区水平。产业结构进一步优化，高端制造业、战略性新兴产业、现代服务业占比进一步提高。投资质量明显改善，消费贡献显著增强，出口总量和结构实现量质双升。三、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资38086.18万元，其中：建设投资30440.70万元，占项目总投资的79.93%
15、；建设期利息299.29万元，占项目总投资的0.79%；流动资金7346.19万元，占项目总投资的19.29%。四、 资金筹措方案（一）项目资本金筹措方案项目总投资38086.18万元，根据资金筹措方案，xx集团有限公司计划自筹资金（资本金）25870.26万元。（二）申请银行借款方案根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额12215.92万元。五、 项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入（SP）：68700.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：53919.04万元。3、项目达产年净利润（NP）：10804.53万元。4、财务内部收益率（FIRR）：20.33%。5、全部
16、投资回收期（Pt）：5.70年（含建设期12个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：26770.21万元（产值）。六、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需12个月的时间。七、 环境影响本项目的建设符合国家的产业政策，该项目建成后落实本评价要求的污染防治措施，认真履行“三同时”制度后，各项污染物均可实现达标排放，且不会降低评价区域原有环境质量功能级别。因而从环境影响的角度而言，该项目是可行的。八、 报告编制依据和原则（一）编制依据1、国家和地方关于促进产业结构调整的有关政策决定；2、建设项目经济评价方法与参数；3、投资项目可行性研究指南；4、项目建设地国民
17、经济发展规划；5、其他相关资料。（二）编制原则1、所选择的工艺技术应先进、适用、可靠，保证项目投产后，能安全、稳定、长周期、连续运行。2、所选择的设备和材料必须可靠，并注意解决好超限设备的制造和运输问题。3、充分依托现有社会公共设施，以降低投资，加快项目建设进度。4、贯彻主体工程与环境保护、劳动安全和工业卫生、消防同时设计、同时建设、同时投产。5、消防、卫生及安全设施的设置必须贯彻国家关于环境保护、劳动安全的法规和要求，符合行业相关标准。6、所选择的产品方案和技术方案应是优化的方案，以最大程度减少投资，提高项目经济效益和抗风险能力。科学论证项目的技术可靠性、项目的经济性，实事求是地作出研究结论
18、。九、 研究范围1、确定生产规模、产品方案；2、调研产品市场；3、确定工程技术方案；4、估算项目总投资，提出资金筹措方式及来源；5、测算项目投资效益，分析项目的抗风险能力。十、 研究结论该项目的建设符合国家产业政策；同时项目的技术含量较高，其建设是必要的；该项目市场前景较好；该项目外部配套条件齐备，可以满足生产要求；财务分析表明，该项目具有一定盈利能力。综上，该项目建设条件具备，经济效益较好，其建设是可行的。十一、 主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积58000.00约87.00亩1.1总建筑面积98630.691.2基底面积35380.001.3投资强度万元/亩
19、326.062总投资万元38086.182.1建设投资万元30440.702.1.1工程费用万元25591.062.1.2其他费用万元3919.472.1.3预备费万元930.172.2建设期利息万元299.292.3流动资金万元7346.193资金筹措万元38086.183.1自筹资金万元25870.263.2银行贷款万元12215.924营业收入万元68700.00正常运营年份5总成本费用万元53919.046利润总额万元14406.047净利润万元10804.538所得税万元3601.519增值税万元3124.3410税金及附加万元374.9211纳税总额万元7100.7712工业增加值
20、万元24191.7813盈亏平衡点万元26770.21产值14回收期年5.7015内部收益率20.33%所得税后16财务净现值万元10156.23所得税后第三章 行业发展分析一、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器
21、件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子
22、领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。2019年，中国MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基
23、础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，因此在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，
24、因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MO
25、SFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测，2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压
26、驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长，全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电
27、子进入前十，市占率为2.41%。根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目，被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域，IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在1700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十，市占率分别为4.71%、3.65%。我国
28、IGBT产业起步较晚，未来进口替代空间巨大，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。二、 功率器件应用发展机遇受益于新能源汽车和5G产业的高速发展，充电桩、5G通讯基站及车规级等市场对于高性能功率器件的需求将不断增加，高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。1、充电桩（1）发展机遇2020年，充电桩被列入国家七大“新基建”领域之一。2020年5月两会期间，政府工作报告中强调“建设充电桩，推广新能源汽车，激发新消费
29、需求、助力产业升级”。公安部交通管理局公布数据显示，截至2020年6月新能源汽车保有量有417万辆，与2019年年底相比增加36万辆，增长率达到9.45%。伴随新能源汽车保有量的高速增长，新能源充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长，截止2019年12月，全国充电基础设施累计数量为121.9万个，其中公共桩51.6万个，私人桩70.3万个，充电场站建设数量达到3.6万座。公共充电桩由政府机关等具有公共服务性质的机构置办，服务对象面向所有电动汽车车主。2015年至2019年，全国公共充电桩的数量由5.8万个增长至51.6万个，复合年增长率达到了72.9%。近几年来，我国充电站同样有快速发展，充电
30、站保有量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座，复合年增长率为140.64%。充电站密度越来越高，电动汽车车主充电便利性也得到了大幅改善。“新基建”对充电桩的建设驱动主要在以下几方面：驱动公共桩建设提质且区域均衡发展，直流桩占比将持续提升，省份间差异有望缩小。推动优质场站建设，完善配套设施申报流程办理。推动小区、商场等停车位充电桩建设。促进对运营商的建设与充电运营流程支持。（2）超级结MOSFET功率器件迎来快速发展机遇充电桩按充电能力分类，以处理不同的用例场景。公共充电桩包括交流桩和直流桩，交流充电桩需要借助车载充电机，充电速度较慢，一辆纯电动汽车（普通电池容量）完全放电
31、后通过交流充电桩充满通常需要8个小时。直流充电桩俗称“快充”，固定安装在电动汽车外，与交流电网连接，通常仅需要不到2-3小时即可将一辆纯电动汽车电池充满。目前我国公共交流桩主要分为单相交流桩和三相交流桩。单相交流桩的建设更广泛，对应的充电功率分为3.5kW和7kW，其中，公共交流桩充电功率以7kW为主。三相交流桩的主要功率为21kW、40kW和80kW，但整体数量较少。从2016-2019年新增公共交流桩平均功率来看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流桩主要使用三相维也纳输入整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的领先解决方案使用了超级结
32、MOSFET。公共直流充电桩一般输入电压为380V。根据2016-2019年新增公共直流桩平均功率数据，公共直流桩充电功率在逐渐提高。其中2017年上涨幅度最大，从69.23kW提高到91.65kW，而到了2019年虽然维持上涨趋势，但由于目前市场的公共直流桩充电功率已经基本上能够满足电动汽车的充电需求，故2019年新增公共直流桩平均充电功率小幅提高，达到115.76kW。预计未来新增的公共直流桩充电功率普遍在120kW左右。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功
33、率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计，100kW的充电桩需要功率器件价值量在200-300美元，预计随着充电桩的不断建设，功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展机遇。 2、5G基站（1）5G建设规模2020年12月15日在2021中国信通院ICT+深度观察报告会上，工业和信息化部发言人指出，中国已累计建成5G基站71.8万个，推动共建共享5G基站33万个。2020年12月28日，工信部部长肖亚庆在2021年全国工业和信息化
34、工作会议上表示，2021年将有序推进5G网络建设及应用，加快主要城市5G覆盖，推进共建共享，新建5G基站60万个以上。（2）5G基站拉动功率半导体需求5G建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1）5G基站功率更高、建设更为密集，带来更大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；以及4）云计算拉动计算用功率半导体用量。MIMO即多进多出，指在发送端和接收端都使用多根天线、在收发之间构成多个信道的天线系统，可以极大地提高信道容量。MassiveMIMO即大规模天线，可以在不增加频谱资源和天线发送功率的情况下，提升系统信道容量和信号覆盖范围。数量上，传统网
35、络天线的通道数为2/4/8个，而MassiveMIMO通道数可以达到64/128/256个。信号覆盖维度上，传统MIMO为2D覆盖，信号只能在水平方向移动，不能在垂直方向移动，类似与平面发射。而MassiveMIMO的信号辐射状是电磁波束，可以利用垂直维度空域。5G网络主要部署在高频频段，即毫米波频段（mmWave）。因接收功率与波长的平方成正比，毫米波的信号衰减严重，而发射功率又受到限制，所以5G网络部署需要增加发射天线和接收天线的数量，使用MassiveMIMO技术。根据英飞凌的统计，传统MIMO天线需要的功率半导体价值大约为25美元，而过渡为MassvieMIMO天线阵列后，所需的MOS
36、FET等功率半导体价值增加至100美元，达到原来的4倍。与云计算相比，雾计算所采用的架构呈分布式，更接近网络边缘。雾计算将数据、数据处理和应用程序集中在网络边缘的设备中，数据的存储及处理更依赖本地设备，本地运算设备的增加带动MOSFET用量提升。三、 中国半导体行业发展概况我国本土半导体行业起步较晚。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下，中国半导体行业不断发展。步入21世纪以来，我国半导体产业市场规模得到快速增长。2020年，中国半导体产业市场规模达8,848亿元，比上年增长17.01%。2013-2020年中国半导体市场规模的复合增长率达19.73%，显著高于同期世界半导体市场的增速
37、。随着近年国家集成电路产业发展推进纲要中国制造2025国家信息化发展战略纲要等重要文件的出台，以及社会各界对半导体行业的发展、产业链重构的日益重视，我国半导体行业正站在国产化的起跑线上。随着5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技逐渐走向产业化，未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期，逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。在贸易摩擦等宏观环境不确定性增加的背景下，加速进口替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度，中国半导体行业发展迎来了历史性的机遇。第四章 建设规模与产品方案一、 建设规模及主要建设内容（一）项目场地规模该项目总占地面积580
38、00.00（折合约87.00亩），预计场区规划总建筑面积98630.69。（二）产能规模根据国内外市场需求和xx集团有限公司建设能力分析，建设规模确定达产年产xx件功率器件，预计年营业收入68700.00万元。二、 产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平，并参考市场需求预测情况确定，同时，把产量和销量视为一致，本报告将按照初步产品方案进行测算。产品规划方案一览表序号产品（
39、服务）名称单位单价（元）年设计产量产值1功率器件件xxx2功率器件件xxx3功率器件件xxx4.件5.件6.件合计xx68700.00受益于新能源汽车和5G产业的高速发展，充电桩、5G通讯基站及车规级等市场对于高性能功率器件的需求将不断增加，高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。第五章 项目选址一、 项目选址原则项目建设区域以城市总体规划为依据，布局相对独立，便于集中开展科研、生产经营和管理活动，并且统筹考虑用地与城市发展的关系，与当地的建成区有较方便的联系。二、 建设区基本情况南昌，是江西省辖地级市、省会、环鄱阳湖城市群核心城市，批复确定的中国
40、长江中游地区重要的中心城市。截至2019年，全市下辖6个区、3个县，总面积7195平方千米。根据第七次人口普查数据，南昌市常住人口为625.5007万人。南昌地处中国华东地区、江西省中部偏北，赣江、抚河下游，鄱阳湖西南岸，是江西省的政治、经济、文化、科教和交通中心，有“粤户闽庭，吴头楚尾”、“襟三江而带五湖”之称，“控蛮荆而引瓯越”之地，是中国唯一一个毗邻长江三角洲、珠江三角洲和海峡西岸经济区的省会中心城市，也是中国华东地区重要的中心城市之一、长江中游城市群中心城市之一。南昌是中国首批低碳试点城市，曾荣获国家创新型城市、国际花园城市、国家卫生城市、全球十大动感都会等称号。2019年6月，“未来
41、网络”试验设施在南昌开通运行。2020年9月2日，被交通运输部评为国家公交都市建设示范城市。“十三五”时期是全面建成小康社会决胜阶段。“十三五”规划目标任务将基本完成。经济总量连跨两个千亿台阶，预计地区生产总值年均增长7.8%左右，人均地区生产总值有望突破1.5万美元。产业结构发生转折性变化，高新技术产业、战略性新兴产业、数字经济占比大幅提升。国家创新型城市建设、赣江两岸科创大走廊建设深入推进，中国（南昌）知识产权保护中心成功获批。“五型政府”建设深入推进，“六多合一”集成审批改革成为全国示范，开放型经济新体制综合试点试验成果显著。城市发展进入新阶段，开创“跨江临湖、揽山入城”的大南昌都市圈时
42、代。生态环境质量显著改善，生态文明制度体系基本形成，河湖长制走在全国前列。脱贫攻坚取得全面胜利，城乡居民收入实现翻番，城乡居民社会保障、医疗保障、公共就业服务等实现全覆盖。海昏候国遗址公园惊艳亮相，成功保留全国文明城市荣誉称号，实现全国双拥模范城“九连冠”，世界VR产业大会永久落户南昌，城市影响力显著增强。党的建设持续加强，平安南昌、法治南昌建设成就显著，社会治理水平稳步提升，全市社会治安大局持续平稳，综治中心、“雪亮工程”建设经验在全国推广。在全市人民的共同努力下，全面建成小康社会胜利在望，南昌发展站上新的历史起点，为开启全面建设社会主义现代化新征程奠定了坚实基础。展望二三五年，富强民主文明
43、和谐美丽现代化新南昌基本建成，大南昌都市圈成为全国重要增长板块。综合实力大幅提升，全市经济总量和城乡居民收入迈上新的大台阶，在全省率先建立现代化经济体系，成为中部地区重要的创新中心、智造中心、金融中心、消费中心和全国新发展格局的战略枢纽，跻身国家中心城市行列；市域治理现代化基本实现，平安南昌建设达到更高水平，法治南昌基本建成，社会充满活力又和谐有序；文化强市、教育强市、人才强市、体育强市和健康南昌、文明南昌建设取得更大成效，市民素质和社会文明程度达到新高度；生态环境质量稳居全国省会城市前列，广泛形成绿色生产生活方式，人与自然和谐共生，全面建成绿色循环低碳城市，树立美丽中国“江西样板”南昌标杆；
44、建成内陆开放型经济试验区核心城市，形成市场化、法治化、国际化对外开放新格局，在参与国际国内合作竞争中形成更大优势；人民生活更加美好，人均地区生产总值达到中等发达国家水平，中等收入群体显著扩大，居民生活品质差异显著缩小，人的全面发展、全体人民共同富裕取得更为明显的实质性进展。三、 塑造南昌制造新优势大力发展战略性新兴产业。围绕新基建、数字经济、制造业转型升级、智慧城市等电子信息产业上下游应用需求，加快电子信息产业“芯屏端网”融合发展，重点发展“机智灵光”四大细分领域，打造全球重要的移动智能终端制造基地。推动汽车产业优化升级，优先发展新能源汽车，前瞻布局智能网联汽车、氢能汽车，重点打造特色零部件产
45、业，提升“南昌汽车”品牌影响力和市场竞争力。全面对接航空工业、中国商飞等战略布局，建设国产大飞机重要总装基地，健全航空全产业链，打造中国航空城。推进中西医结合、“医、药、养”融合发展，加速打造中国医药名都。推动南昌医疗器械产业基地纳入全国公共卫生防疫物资生产储备配送体系。推动传统制造业优化升级。加快推进传统优势产业高端化、智能化、绿色化、服务化升级，提升传统产业创新力和竞争力。推进食品产业提质增效，扩大规模，打响品牌。推动现代针纺产业强设计、育品牌，向高附加值、品牌化经营、内销化转变。不断提高铜、钨等精深加工水平，建设具有国际影响力的新材料产业集群。加快机电装备制造产业升级，重点实现智能传感器
46、、高档数控机床、智能控制及系统集成等领域新突破。推动家电、铝型材等产业跻身全国一流行列。促进制造业和服务业深度融合。深入推进“两业”业务关联、链条延伸、技术渗透，推动制造业向产业链两端延伸，服务业沿产业链向制造业拓展，加速原材料制造业、装备制造与服务业深度融合，推进现代物流、研发设计、金融服务与制造业有机衔接。以质量和标准为引领，推动研发外包、个性化定制、柔性化生产等行业专业化、社会化、高端化发展，加快培育全生命周期管理、供应链管理等融合发展新业态新模式，促进制造业由生产型制造向服务型制造转变。四、 坚持人才优先发展打造高端人才集聚热土。抢抓“双循环”新发展格局下人才流动的战略性机遇，深入推进“天下英雄城、聚天下英才”“双百计划”“百万人才入昌”等行动，建设江西省高层次人才产业园，持续实施“洪城计划”“顶尖领军人才领航计划”“洪企211”等人才工程，主动对接引进海外战略型人才，加快引入一批国内产业链、创新链高层次人才。持续实施“洪燕领航”工程，加快培育本