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1、泓域咨询/南平MOSFET功率器件项目商业计划书南平MOSFET功率器件项目商业计划书xxx集团有限公司目录第一章 项目总论8一、 项目名称及项目单位8二、 项目建设地点8三、 可行性研究范围8四、 编制依据和技术原则9五、 建设背景、规模10六、 项目建设进度10七、 环境影响11八、 建设投资估算11九、 项目主要技术经济指标11主要经济指标一览表12十、 主要结论及建议13第二章 背景、必要性分析15一、 中国半导体行业发展概况15二、 全球半导体行业发展概况15三、 构建生态产业化产业生态化经济新体系16四、 持续打造一流营商环境18第三章 市场预测20一、 功率MOSFET的行业发展
2、趋势20二、 MOSFET器件概述21第四章 产品方案分析27一、 建设规模及主要建设内容27二、 产品规划方案及生产纲领27产品规划方案一览表27第五章 选址方案29一、 项目选址原则29二、 建设区基本情况29三、 全面融入重要节点重要通道建设31四、 积极扩大有效投资32五、 项目选址综合评价32第六章 法人治理结构33一、 股东权利及义务33二、 董事36三、 高级管理人员40四、 监事43第七章 运营模式47一、 公司经营宗旨47二、 公司的目标、主要职责47三、 各部门职责及权限48四、 财务会计制度51第八章 项目节能方案55一、 项目节能概述55二、 能源消费种类和数量分析56
3、能耗分析一览表57三、 项目节能措施57四、 节能综合评价60第九章 进度计划61一、 项目进度安排61项目实施进度计划一览表61二、 项目实施保障措施62第十章 项目环境保护63一、 编制依据63二、 环境影响合理性分析64三、 建设期大气环境影响分析64四、 建设期水环境影响分析65五、 建设期固体废弃物环境影响分析65六、 建设期声环境影响分析66七、 建设期生态环境影响分析66八、 清洁生产67九、 环境管理分析68十、 环境影响结论70十一、 环境影响建议70第十一章 项目投资分析72一、 编制说明72二、 建设投资72建筑工程投资一览表73主要设备购置一览表74建设投资估算表75三
4、、 建设期利息76建设期利息估算表76固定资产投资估算表77四、 流动资金78流动资金估算表79五、 项目总投资80总投资及构成一览表80六、 资金筹措与投资计划81项目投资计划与资金筹措一览表81第十二章 经济收益分析83一、 基本假设及基础参数选取83二、 经济评价财务测算83营业收入、税金及附加和增值税估算表83综合总成本费用估算表85利润及利润分配表87三、 项目盈利能力分析87项目投资现金流量表89四、 财务生存能力分析90五、 偿债能力分析91借款还本付息计划表92六、 经济评价结论92第十三章 风险评估分析94一、 项目风险分析94二、 项目风险对策96第十四章 招投标方案99一
5、、 项目招标依据99二、 项目招标范围99三、 招标要求100四、 招标组织方式102五、 招标信息发布106第十五章 总结107第十六章 附表附件109营业收入、税金及附加和增值税估算表109综合总成本费用估算表109固定资产折旧费估算表110无形资产和其他资产摊销估算表111利润及利润分配表112项目投资现金流量表113借款还本付息计划表114建设投资估算表115建设投资估算表115建设期利息估算表116固定资产投资估算表117流动资金估算表118总投资及构成一览表119项目投资计划与资金筹措一览表120第一章 项目总论一、 项目名称及项目单位项目名称：南平MOSFET功率器件项目项目单位
6、：xxx集团有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx（以选址意见书为准），占地面积约11.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围根据项目的特点，报告的研究范围主要包括：1、项目单位及项目概况；2、产业规划及产业政策；3、资源综合利用条件；4、建设用地与厂址方案；5、环境和生态影响分析；6、投资方案分析；7、经济效益和社会效益分析。通过对以上内容的研究，力求提供较准确的资料和数据，对该项目是否可行做出客观、科学的结论，作为投资决策的依据。四、 编制依据和技术原则（一）编制依据1、承办单位关于编制本
7、项目报告的委托；2、国家和地方有关政策、法规、规划；3、现行有关技术规范、标准和规定；4、相关产业发展规划、政策；5、项目承办单位提供的基础资料。（二）技术原则1、坚持科学发展观，采用科学规划，合理布局，一次设计，分期实施的建设原则。2、根据行业未来发展趋势，合理制定生产纲领和技术方案。3、坚持市场导向原则，根据行业的现有格局和未来发展方向，优化设备选型和工艺方案，使企业的建设与未来的市场需求相吻合。4、贯彻技术进步原则，产品及工艺设备选型达到目前国内领先水平。同时合理使用项目资金，将先进性与实用性有机结合，做到投入少、产出多，效益最大化。5、严格遵守“三同时”设计原则，对项目可能产生的污染源
8、进行综合治理，使其达到国家规定的排放标准。五、 建设背景、规模（一）项目背景根据全球半导体贸易组织统计，全球半导体行业2019年市场规模达到4,123亿美元，较2018年下降约12.1%。过去五年，随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展，以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起，带动了整个半导体行业规模增长。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积7333.00（折合约11.00亩），预计场区规划总建筑面积14275.24。其中：生产工程8297.43，仓储工程3526.41，行政办公及生活服务设施1249.96，公共工程1201.44。项目建成后，形成年产xx件MOS
9、FET功率器件的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xxx集团有限公司将项目工程的建设周期确定为24个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响项目符合国家和地方产业政策，选址布局合理，拟采取的各项环境保护措施具有经济和技术可行性。建设单位在严格执行项目环境保护“三同时制度”、认真落实相应的环境保护防治措施后，项目的各类污染物均能做到达标排放或者妥善处置，对外部环境影响较小，故项目建设具有环境可行性。八、 建设投资估算（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财
10、务估算，项目总投资5911.85万元，其中：建设投资4596.82万元，占项目总投资的77.76%；建设期利息130.23万元，占项目总投资的2.20%；流动资金1184.80万元，占项目总投资的20.04%。（二）建设投资构成本期项目建设投资4596.82万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用3900.79万元，工程建设其他费用578.70万元，预备费117.33万元。九、 项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入10000.00万元，综合总成本费用7627.05万元，纳税总额1102.69万元，净利润1737.64万元，财务内部收
11、益率22.86%，财务净现值2915.89万元，全部投资回收期5.77年。（二）主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积7333.00约11.00亩1.1总建筑面积14275.241.2基底面积4693.121.3投资强度万元/亩401.832总投资万元5911.852.1建设投资万元4596.822.1.1工程费用万元3900.792.1.2其他费用万元578.702.1.3预备费万元117.332.2建设期利息万元130.232.3流动资金万元1184.803资金筹措万元5911.853.1自筹资金万元3254.243.2银行贷款万元2657.614营业收入万元
12、10000.00正常运营年份5总成本费用万元7627.056利润总额万元2316.867净利润万元1737.648所得税万元579.229增值税万元467.3810税金及附加万元56.0911纳税总额万元1102.6912工业增加值万元3806.9913盈亏平衡点万元3265.88产值14回收期年5.7715内部收益率22.86%所得税后16财务净现值万元2915.89所得税后十、 主要结论及建议由上可见，无论是从产品还是市场来看，本项目设备较先进，其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强，具有良好的社会效益及一定的抗风险能力，因而项目是可行的。第二章 背景、必要性分析一、
13、中国半导体行业发展概况我国本土半导体行业起步较晚。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下，中国半导体行业不断发展。步入21世纪以来，我国半导体产业市场规模得到快速增长。2020年，中国半导体产业市场规模达8,848亿元，比上年增长17.01%。2013-2020年中国半导体市场规模的复合增长率达19.73%，显著高于同期世界半导体市场的增速。随着近年国家集成电路产业发展推进纲要中国制造2025国家信息化发展战略纲要等重要文件的出台，以及社会各界对半导体行业的发展、产业链重构的日益重视，我国半导体行业正站在国产化的起跑线上。随着5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技逐渐走向产
14、业化，未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期，逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。在贸易摩擦等宏观环境不确定性增加的背景下，加速进口替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度，中国半导体行业发展迎来了历史性的机遇。二、 全球半导体行业发展概况半导体是电子产品的核心，信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点，全球半导体行业具有一定的周期性，景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。根据全球半导体贸易组织统计，全球半导体行业2019年市场规模达到4,123亿美元，较2
15、018年下降约12.1%。过去五年，随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展，以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起，带动了整个半导体行业规模增长。三、 构建生态产业化产业生态化经济新体系坚持把发展经济着力点放在实体经济上，提升产业链供应链现代化水平，打造七大绿色产业体系升级版，提高绿色发展质量效益和核心竞争力。（一）优化升级产业链供应链巩固壮大实体经济根基，加快培育“四大经济”，推动产业高端化、绿色化、智能化、融合化发展。着力补短板、锻长板，分产业系统梳理、精准施策，促进七大绿色产业全产业链优化升级。做大做强现有企业，深化拓展“高位嫁接”理念，引进强链补链扩链龙头项目
16、，大力实施企业技术改造专项行动，不断壮大绿色产业规模。建设一批标准化、专业化园区，加快打造以圣农为龙头的食品加工和林产工业、旅游康养3个千亿产业集群，机电制造、新型轻纺、新型建材3个五百亿产业集群，以及氟新材料、新能源、生物医药、电子信息和数字产业、现代物流、教育文化6个百亿产业集群。建设世界小电池、中国活性炭、中国氟新材料、中国特种专用汽车“四大制造业基地”。实施“强龙头”行动计划，统筹推进重点产业和龙头企业上下游产业链招商，提升招商精准度，促进产业链垂直整合和跨领域横向拓展，壮大产业规模。完善质量基础设施，加强标准、计量、专利建设。（二）加快发展生态服务业着力实施“旅游+”、“康养+”，加
17、快培育发展旅游康养等生态服务业。推进环武夷山国家公园建设，大力发展世遗观光、研学旅行、体育休闲、乡村旅游，构建“一心一带四片六组团”旅游发展空间布局。创新旅游业态，突出以文塑旅、以旅彰文，策划实施一批互动性体验性强的文旅融合项目，加快培育文化旅游、康养旅游、医养结合、森林康养、休闲疗养等特色产业。常态化、市场化办好旅发大会，举办武夷山国际马拉松赛、全国性龙舟赛、郊野钓鱼赛、大武夷超级山径赛等赛事，打造永不落幕的盛会。深入挖掘红色资源，大力发展红色旅游，打造一批“红色文化”与“绿色生态”相得益彰的全域旅游产品。深化旅游体制机制改革，推动旅游服务提质升级。做大做强现代物流、绿色金融业，促进生产型服
18、务业向专业化和价值链高端延伸；提升养老、育幼、家政、物业等服务业发展水平，推动生活性服务业向高品质和多样化升级。（三）打造数字经济发展高地加快数字产业化，着力发展软件和信息技术服务，培育发展物联网、大数据、人工智能、区块链等未来产业；加快培育新型电商、在线医疗、在线教育等新业态，做大线上经济、平台经济；支持龙头企业围绕自身优势构建生态链，发展数据采集、加工、服务外包业务；加快推进福建省智能视觉AI开放平台、喜马拉雅数字声音产业园、南平（浪潮）大数据双创示范基地等建设，推动武夷智谷软件园做大做强。推进产业数字化，大力发展智慧旅游、数字农业，打造旅游大数据中心、智慧农业园、农业物联网示范园，深入实
19、施“上云用数赋智”行动，推动工业互联网基础平台建设和应用示范，加快培育“5G+工业互联网”应用示范标杆，深化智能制造企业试点示范，推动新一代信息技术与制造业深度融合。加强数字社会、数字政府建设，推动公共信息数据资源有序开放、开发利用，提升公共服务、社会治理等数字化智能化水平。四、 持续打造一流营商环境强化营商环境“没有最好、只有更好”理念，深入推进“放管服”改革，打通经济运行堵点。全面实施市场准入负面清单制度，深化“双随机、一公开”跨部门联合监管，建立健全社会化信用体系和激励惩戒机制。深化“证照分离”改革，建立涉企经营许可事项清单管理制度，健全“马上办、网上办、就近办、一次办”常态化机制，深化
20、首问负责、一次告知、一窗受理、并联办理、限时办结制度，推进与企业发展、群众生活密切相关的高频事项“跨省通办”。深化工程建设项目审批制度改革，加快推进并联审批、联合审图、联合竣工验收、区域评估、告知承诺制落实。加强部门间协调配合，推动政务数据互通共享，提升“互联网+政务服务”效能，塑造市场化、法治化、国际化营商环境，不断增强区域竞争优势。第三章 市场预测一、 功率MOSFET的行业发展趋势1、工艺进步、器件结构改进所带来的变化采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能，从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行
21、技术演进，当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此，高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围，实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言，沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET；屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET；超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓，具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点，在高温、高压、高功率和
22、高频的领域有机会取代部分硅材料。首先，由于新能源汽车、5G等新技术的应用及需求迅速增加，第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高温下更好的表现，SiCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。根据Yole的数据，2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元，预计到2025年将增长至15.53亿美元，复合增长率为38%。第三代半导体材料仍然处于产业化起步阶段，国内已发布多个政策积极推进第三代半导体行业的发展，例如2019年国务院发布长江三角洲区域一体化发展规划纲要，提出要加快培育一批第三代半导体企业。2、功率器件集成化趋势除了MOSFET功
23、率器件在结构及工艺方面的优化外，终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂；在小功率应用场景中，功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前，工业领域仍是功率模块的主要应用领域。随着新能源汽车、5G技术的兴起，功率器件模块化趋势将愈发显著。根据Omdia预测，2020-2024年分立器件市场增速为2.8%，而功率模块市场增速为9.2%，高于分立器件市场增速。二、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全
24、称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国
25、本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用
26、，有着广阔的应用市场及发展前景。2019年，中国MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通
27、电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，因此在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可
28、以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测，
29、2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、
30、航空航天、国防军工等应用需求增长，全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目，被称为电
31、力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域，IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在1700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十，市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚，未来进口替代空间巨大，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。第四章 产品
32、方案分析一、 建设规模及主要建设内容（一）项目场地规模该项目总占地面积7333.00（折合约11.00亩），预计场区规划总建筑面积14275.24。（二）产能规模根据国内外市场需求和xxx集团有限公司建设能力分析，建设规模确定达产年产xx件MOSFET功率器件，预计年营业收入10000.00万元。二、 产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平，并参考市场需求预测情况确定，同
33、时，把产量和销量视为一致，本报告将按照初步产品方案进行测算。产品规划方案一览表序号产品（服务）名称单位单价（元）年设计产量产值1MOSFET功率器件件xxx2MOSFET功率器件件xxx3MOSFET功率器件件xxx4.件5.件6.件合计xx10000.00根据Omdia预测，2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元，预计至2024年市场规模将增长至522亿美元，2019-2024的年化复合增长率为2.4%。第五章 选址方案一、 项目选址原则项目选址应符合城乡规划和相关标准规范，有利于产业发展、城乡功能完善和城乡空间资源合理配置与利用，坚持节能、保护环境可持续利用发展，经济效益、社会效
34、益、环境效益三效统一，土地利用最优化。二、 建设区基本情况南平，福建省地级市，地处福建省北部，武夷山脉北段东南侧，位于闽、浙、赣三省交界处，俗称“闽北”，东北与浙江省江山、龙泉、庆元等县(市)相邻，西北与江西省的资溪、铅山、广丰等县接壤，东南与本省宁德市的古田、屏南县交界，西南与本省三明市的泰宁、将乐、沙县、尤溪等县毗邻，介于北纬26152819，东经1170011917之间，幅员面积2.63万平方千米，占福建省的五分之一；革命战争年代，福建省委曾经几度驻在闽北，被誉为“红旗不倒”的红土地。南平辖2个市辖区、5个县、代管3个县级市。根据第七次人口普查数据，截至2020年11月1日零时，南平市常
35、住人口为2680645人。境内山峰耸峙，低山广布，河谷与山间小盆地错落其间，具有中国南方典型的“八山一水一分田”特征，形成以丘陵、山地为主的地貌。南平是福建开发最早的地区之一；东汉时期，南平、建瓯、浦城等便建县；“福建”之名即来自福州、建州（今建瓯市）各取首字而来。南平是闽越文化、朱子文化、武夷茶道文化、齐天大圣文化、太极文化的发源地，被誉为“闽邦邹鲁”和“道南理窟”；曾涌现出2000多位进士和17位宰相；拥有一级至三级旅游资源实体180多处，武夷山是全国仅有的4个“世界自然与文化遗产地”之一。南平拥有合福高铁、鹰厦铁路、外福铁路、横南铁路，205国道、316国道过境；还有武夷山机场，闽江干流
36、、建溪、富屯溪等航线及航道。2020年南平市生产总值突破2000亿元大关，完成2007.40亿元。“十三五”时期，面对国内外环境的深刻变化，全市绿色发展成效显现，地区生产总值突破2000亿元大关，经济结构持续优化，七大绿色产业规模以上工业增加值占比达86%，生态产业化产业生态化的现代经济体系初步构建；脱贫攻坚成果显著，5个省级扶贫开发工作重点县全部摘帽，346个贫困村全部脱贫出列，60158名建档立卡贫困人口全部脱贫；创新活力持续激发，武夷品牌、生态银行、水美经济等创新实践成为全国样板，科技特派员工作领跑全国，营商环境不断优化，对外开放不断扩大；城乡区域发展更趋协调，市行政中心平稳顺利搬迁，新
37、南平建设加快推进，南平市中心城市获得全国文明城市提名；生态环境质量保持全国前列，森林覆盖率达78.85%，武夷山国家公园体制等试点工作成效突出；人民生活不断改善，居民收入增速高于经济增速，社会保障体系全面覆盖，民生社会事业领域短板加快补齐；全面从严治党纵深推进，良好政治生态持续巩固发展。三、 全面融入重要节点重要通道建设主动对接全省打造国内大循环的重要节点，加快打造关键支撑，聚焦“新三线”建设，加强系统整体设计，推动生产、流通、分配、消费体系优化升级，打通制约经济循环的关键堵点，形成供需互促、产销并进的良性循环。完善物流体系，突出发展冷链物流、仓储物流、快递物流，加快建设武夷新区智慧物流园，打
38、造辐射闽浙赣、连接长三角的货物集散中心。完善现代商贸流通体系，改造升级商贸流通设施，推动传统流通企业创新转型。主动对接全省构建国内国际双循环的重要通道，加快打造关键动脉，完善陆空、江海联运体系，加快陆地港、空港、闽江航运及集疏运体系建设，打造衔接“一带一路”、服务中西部及周边地区的前沿枢纽。积极对接内外贸一体化的政策机制，引导企业加快内外销转型。优化国际市场布局，引导企业积极开拓新市场、寻找新伙伴，推动出口市场多元化。用好促进国内国外双循环的重要力量，加快打造关键要素，推动侨资侨智成为经贸合作、融通内外的桥梁纽带。四、 积极扩大有效投资深化“五个一批”项目推进机制，突出系统化、系列化，全市统筹
39、、全域集成，建立跨部门、跨行业、跨区域的项目谋划机制，聚焦“两新一重”、“新三线”等领域和七大绿色产业发展，科学谋划实施一批强基础、增功能、利长远的大、好、新项目，加快补齐产业链供应链、民生社会事业、城乡基础设施等领域短板。健全市场化投融资机制，激发民间投资活力，探索政府投资新模式，发挥政府资金、专项债引导作用，推进融资多元化。五、 项目选址综合评价项目选址区域地势平坦开阔，四周无污染源、自然景观及保护文物。供电、供水可靠，给、排水方便，而且，交通便利、通讯便捷、远离居民区，所以，从项目选址周围环境概况、资源和能源的利用情况以及对周围环境的影响分析，拟建工程的项目选址选择是科学合理的。第六章
40、法人治理结构一、 股东权利及义务1、公司召开股东大会、分配股利、清算及从事其他需要确认股东身份的行为时，由董事会或股东大会召集人确定股权登记日，股权登记日收市后登记在册的股东为享有相关权益的股东。2、公司股东享有下列权利：（1）依照其所持有的股份份额获得股利和其他形式的利益分配；（2）依法请求、召集、主持、参加或者委派股东代理人参加股东大会，并行使相应的表决权；（3）对公司的经营进行监督，提出建议或者质询；（4）依照法律、行政法规及本章程的规定转让、赠与或质押其所持有的股份；（5）查阅本章程、股东名册、公司债券存根、股东大会会议记录、董事会会议决议、监事会会议决议、财务会计报告；（6）公司终止
41、或者清算时，按其所持有的股份份额参加公司剩余财产的分配；（7）对股东大会作出的公司合并、分立决议持异议的股东，要求公司收购其股份；（8）法律、行政法规、部门规章或本章程规定的其他权利。3、股东提出查阅前条所述有关信息或者索取资料的，应当向公司提供证明其持有公司股份的种类以及持股数量的书面文件，公司经核实股东身份后按照股东的要求予以提供。4、公司股东大会、董事会决议内容违反法律、行政法规的，股东有权请求人民法院认定无效。股东大会、董事会的会议召集程序、表决方式违反法律、行政法规或者本章程，或者决议内容违反本章程的，股东有权自决议作出之日起60日内，请求人民法院撤销。5、董事、高级管理人员执行公司
42、职务时违反法律、行政法规或者本章程的规定，给公司造成损失的，连续180日以上单独或合并持有公司1%以上股份的股东有权书面请求监事会向人民法院提起诉讼；监事会执行公司职务时违反法律、行政法规或者本章程的规定，给公司造成损失的，股东可以书面请求董事会向人民法院提起诉讼。监事会、董事会收到前款规定的股东书面请求后拒绝提起诉讼，或者自收到请求之日起30日内未提起诉讼，或者情况紧急、不立即提起诉讼将会使公司利益受到难以弥补的损害的，前款规定的股东有权为了公司的利益以自己的名义直接向人民法院提起诉讼。他人侵犯公司合法权益，给公司造成损失的，本条第一款规定的股东可以依照前两款的规定向人民法院提起诉讼。6、董
43、事、高级管理人员违反法律、行政法规或者本章程的规定，损害股东利益的，股东可以向人民法院提起诉讼。7、公司股东承担下列义务：（1）遵守法律、行政法规和本章程；（2）依其所认购的股份和入股方式缴纳股金；（3）除法律、法规规定的情形外，不得退股；（4）不得滥用股东权利损害公司或者其他股东的利益；不得滥用公司法人独立地位和股东有限责任损害公司债权人的利益；公司股东滥用股东权利给公司或者其他股东造成损失的，应当依法承担赔偿责任。公司股东滥用公司法人独立地位和股东有限责任，逃避债务，严重损害公司债权人利益的，应当对公司债务承担连带责任。（5）法律、行政法规及本章程规定应当承担的其他义务。8、持有公司5%以
44、上有表决权股份的股东，将其持有的股份进行质押的，应当自该事实发生当日，向公司作出书面报告。9、公司的控股股东、实际控制人员不得利用其关联关系损害公司利益。违反规定的，给公司造成损失的，应当承担赔偿责任。公司控股股东及实际控制人对公司和公司社会公众股股东负有诚信义务。控股股东应严格依法行使出资人的权利，控股股东不得利用利润分配、资产重组、对外投资、资金占用、借款担保等方式损害公司和社会公众股股东的合法权益，不得利用其控制地位损害公司和社会公众股股东的利益。二、 董事1、公司董事为自然人，有下列情形之一的，不能担任公司的董事：（1）无民事行为能力或者限制民事行为能力；（2）因贪污、贿赂、侵占财产、
45、挪用财产或者破坏社会主义市场经济秩序，被判处刑罚，执行期满未逾5年，或者因犯罪被剥夺政治权利，执行期满未逾5年；（3）担任破产清算的公司、企业的董事或者厂长、经理，对该公司、企业的破产负有个人责任的，自该公司、企业破产清算完结之日起未逾3年；（4）担任因违法被吊销营业执照、责令关闭的公司、企业的法定代表人，并负有个人责任的，自该公司、企业被吊销营业执照之日起未逾3年；（5）个人所负数额较大的债务到期未清偿；（6）法律、行政法规或部门规章规定的其他内容。违反本条规定选举、委派董事的，该选举、委派或者聘任无效。董事在任职期间出现本条情形的，公司解除其职务。2、董事由股东大会选举或更换，任期三年。董
46、事任期届满，可连选连任。董事在任期届满以前，股东大会不能无故解除其职务。董事任期从就任之日起计算，至本届董事会任期届满时为止。董事任期届满未及时改选，在改选出的董事就任前，原董事仍应当依照法律、行政法规、部门规章和本章程的规定，履行董事职务。董事可以由总经理或者其他高级管理人员兼任，但兼任总经理或者其他高级管理人员职务的董事，总计不得超过公司董事总数的1/2。本公司董事会不可以由职工代表担任董事。3、董事应当遵守法律、行政法规和本章程，对公司负有下列忠实义务：（1）不得利用职权收受贿赂或者其他非法收入，不得侵占公司的财产；（2）不得挪用公司资金；（3）不得将公司资产或者资金以其个人名义或者其他个人名义开立账户存储；（4）不得违反本章程的规定，未经股东大会或董事会同意