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1、泓域咨询/淄博碳化硅衬底设备项目实施方案淄博碳化硅衬底设备项目实施方案xx投资管理公司目录第一章 项目基本情况9一、 项目名称及项目单位9二、 项目建设地点9三、 可行性研究范围9四、 编制依据和技术原则9五、 建设背景、规模11六、 项目建设进度11七、 环境影响11八、 建设投资估算12九、 项目主要技术经济指标12主要经济指标一览表13十、 主要结论及建议14第二章 背景、必要性分析15一、 竞争格局：国内外差距逐步缩小，国产替代可期15二、 第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越16三、 大尺寸大势所趋，衬底是SiC产业化降本的核心18四、 积极主动融入和服务新发展格局19五
2、、 项目实施的必要性22第三章 行业、市场分析24一、 SiC衬底设备：与传统晶硅差异较小，工艺调教为核心壁垒24二、 衬底为技术壁垒最高环节，价值量占比46%25三、 新能源车带来百亿级市场空间，光伏逆变器应用前景可期26第四章 建筑工程可行性分析29一、 项目工程设计总体要求29二、 建设方案31三、 建筑工程建设指标32建筑工程投资一览表32第五章 产品方案34一、 建设规模及主要建设内容34二、 产品规划方案及生产纲领34产品规划方案一览表34第六章 法人治理36一、 股东权利及义务36二、 董事38三、 高级管理人员42四、 监事44第七章 运营管理46一、 公司经营宗旨46二、 公
3、司的目标、主要职责46三、 各部门职责及权限47四、 财务会计制度50第八章 发展规划58一、 公司发展规划58二、 保障措施62第九章 劳动安全分析65一、 编制依据65二、 防范措施68三、 预期效果评价72第十章 原辅材料供应及成品管理73一、 项目建设期原辅材料供应情况73二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理73第十一章 组织机构管理75一、 人力资源配置75劳动定员一览表75二、 员工技能培训75第十二章 节能说明77一、 项目节能概述77二、 能源消费种类和数量分析78能耗分析一览表78三、 项目节能措施79四、 节能综合评价80第十三章 进度计划81一、 项目进度安排81项目实
4、施进度计划一览表81二、 项目实施保障措施82第十四章 投资方案分析83一、 投资估算的编制说明83二、 建设投资估算83建设投资估算表85三、 建设期利息85建设期利息估算表86四、 流动资金87流动资金估算表87五、 项目总投资88总投资及构成一览表88六、 资金筹措与投资计划89项目投资计划与资金筹措一览表90第十五章 项目经济效益评价92一、 基本假设及基础参数选取92二、 经济评价财务测算92营业收入、税金及附加和增值税估算表92综合总成本费用估算表94利润及利润分配表96三、 项目盈利能力分析97项目投资现金流量表98四、 财务生存能力分析100五、 偿债能力分析100借款还本付息
5、计划表101六、 经济评价结论102第十六章 项目招标、投标分析103一、 项目招标依据103二、 项目招标范围103三、 招标要求104四、 招标组织方式106五、 招标信息发布106第十七章 项目风险分析108一、 项目风险分析108二、 项目风险对策110第十八章 总结评价说明113第十九章 补充表格115主要经济指标一览表115建设投资估算表116建设期利息估算表117固定资产投资估算表118流动资金估算表119总投资及构成一览表120项目投资计划与资金筹措一览表121营业收入、税金及附加和增值税估算表122综合总成本费用估算表122利润及利润分配表123项目投资现金流量表124借款还
6、本付息计划表126报告说明半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代：1、第一代元素半导体材料：硅（Si）和锗(Ge)；为半导体最常用的材料，起源于20世纪50年代，奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等；是4G时代的大部分通信设备的材料，起源于20世纪90年代，奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中，碳化硅（SiC）为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件，适用于600V以上高压场
7、景，包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。根据谨慎财务估算，项目总投资42901.64万元，其中：建设投资32304.25万元，占项目总投资的75.30%；建设期利息802.80万元，占项目总投资的1.87%；流动资金9794.59万元，占项目总投资的22.83%。项目正常运营每年营业收入91300.00万元，综合总成本费用71866.60万元，净利润14214.32万元，财务内部收益率25.57%，财务净现值16569.13万元，全部投资回收期5.57年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。本项目生产线设备技术先进，即提高了产品质量，又增加
8、了产品附加值，具有良好的社会效益和经济效益。本项目生产所需原料立足于本地资源优势，主要原材料从本地市场采购，保证了项目实施后的正常生产经营。综上所述，项目的实施将对实现节能降耗、环境保护具有重要意义，本期项目的建设，是十分必要和可行的。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 项目基本情况一、 项目名称及项目单位项目名称：淄博碳化硅衬底设备项目项目单位：xx投资管理公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx，占地面积约83.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交
9、通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围按照项目建设公司的发展规划，依据有关规定，就本项目提出的背景及建设的必要性、建设条件、市场供需状况与销售方案、建设方案、环境影响、项目组织与管理、投资估算与资金筹措、财务分析、社会效益等内容进行分析研究，并提出研究结论。四、 编制依据和技术原则（一）编制依据1、一般工业项目可行性研究报告编制大纲;2、建设项目经济评价方法与参数(第三版);3、建设项目用地预审管理办法;4、投资项目可行性研究指南;5、产业结构调整指导目录。（二）技术原则坚持以经济效益为中心，社会效益和不境效益为重点指导思想，以技术先进、经
10、济可行为原则，立足本地、面向全国、着眼未来，实现企业高质量、可持续发展。1、优化规划方案，尽可能减少工程项目的投资额，以求得最好的经济效益。2、结合厂址和装置特点，总图布置力求做到布置紧凑，流程顺畅，操作方便，尽量减少用地。3、在工艺路线及公用工程的技术方案选择上，既要考虑先进性，又要确保技术成熟可靠，做到先进、可靠、合理、经济。4、结合当地有利条件，因地制宜，充分利用当地资源。5、根据市场预测和当地情况制定产品方向，做到产品方案合理。6、依据环保法规，做到清洁生产，工程建设实现“三同时”，将环境污染降低到最低程度。7、严格执行国家和地方劳动安全、企业卫生、消防抗震等有关法规、标准和规范。做到
11、清洁生产、安全生产、文明生产。五、 建设背景、规模（一）项目背景成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中，衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右，数倍于传统硅基半导体，核心降本方式包括：提升材料使用率（向大尺寸发展）、降低制造成本（提升良率）、提升生产效率（更成熟的长晶工艺）。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积55333.00（折合约83.00亩），预计场区规划总建筑面积96207.18。其中：生产工程67604.21，仓储工程9846.18，行政办公及生活服务设施12440.85，
12、公共工程6315.94。项目建成后，形成年产xxx套碳化硅设备的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xx投资管理公司将项目工程的建设周期确定为24个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响本项目建成后产生的各项污染物如能按本报告提出的污染治理措施进行治理，保证治理资金落实到位，保证污染治理工程与主体工程实行“三同时”，且加强污染治理措施和设备的运行管理，实施排污总量控制，则本项目建成后对周围环境不会产生明显的影响，从环境保护角度分析，本项目是可行的。八、 建设投资估算（一）项目总投资构成分析本期项目
13、总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资42901.64万元，其中：建设投资32304.25万元，占项目总投资的75.30%；建设期利息802.80万元，占项目总投资的1.87%；流动资金9794.59万元，占项目总投资的22.83%。（二）建设投资构成本期项目建设投资32304.25万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用28550.08万元，工程建设其他费用2989.66万元，预备费764.51万元。九、 项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入91300.00万元，综合总成本费用71866.60万元，
14、纳税总额9227.21万元，净利润14214.32万元，财务内部收益率25.57%，财务净现值16569.13万元，全部投资回收期5.57年。（二）主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积55333.00约83.00亩1.1总建筑面积96207.181.2基底面积32093.141.3投资强度万元/亩380.532总投资万元42901.642.1建设投资万元32304.252.1.1工程费用万元28550.082.1.2其他费用万元2989.662.1.3预备费万元764.512.2建设期利息万元802.802.3流动资金万元9794.593资金筹措万元42901.
15、643.1自筹资金万元26518.053.2银行贷款万元16383.594营业收入万元91300.00正常运营年份5总成本费用万元71866.606利润总额万元18952.437净利润万元14214.328所得税万元4738.119增值税万元4008.1310税金及附加万元480.9711纳税总额万元9227.2112工业增加值万元30722.0413盈亏平衡点万元35011.14产值14回收期年5.5715内部收益率25.57%所得税后16财务净现值万元16569.13所得税后十、 主要结论及建议本期项目技术上可行、经济上合理，投资方向正确，资本结构合理，技术方案设计优良。本期项目的投资建设
16、和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。第二章 背景、必要性分析一、 竞争格局：国内外差距逐步缩小，国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局：海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。（一）导电型SiC衬底全球市场：美国科锐公司（Wolfspeed）占据了60%以上的市场份额，基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括：美国二六（II-VI）、德国SiCrystalAG、道康宁（DowCorning）、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司：总体处于发展初期，主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年，天科合达
17、以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。（二）半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐（WOLFSPEED）、贰陆公司（II-VI）依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三，2020年市占率达30%。国内外差距缩小，进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早，各尺寸量产推出时间方面，国内与全球行业龙头企业存在差距：以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例，在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右，SiC领域国内外整
18、体差距小于传统硅基半导体，国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中，可观察到国内企业已迎头赶上，国内外差距正在缩小（举例：天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸，预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小）。目前海外龙头已向8吋发力（下游客户车规级为主），国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力（下游客户工业级为主）。二、 第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代：1、第一代元素半导体材料：硅（Si）和锗(Ge)；为半导体最常用的材料，起源于20世纪50年代，奠定了微电子产业的基
19、础。2、第二代化合物半导体材料：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等；是4G时代的大部分通信设备的材料，起源于20世纪90年代，奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中，碳化硅（SiC）为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件，适用于600V以上高压场景，包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一：由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料（Si），碳化硅（Si
20、C）的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在：耐高压特性：更低的阻抗、禁带宽度更宽，能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更高的效率；耐高频特性：SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，能有效提高元件的开关速度（大约是Si的3-10倍），适用于更高频率和更快的开关速度；耐高温特性：SiC相较硅拥有更高的热导率，能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损
21、耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。三、 大尺寸大势所趋，衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中，衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右，数倍于传统硅基半导体，核心降本方式包括：提升材料使用率（向大尺寸发展）、降低制造成本（提升良率）、提升生产效率（更成熟的长晶工艺）。（一）提升材料使用率（向大
22、尺寸发展）目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸（半绝缘型）及6英寸（导电型）。行业龙头美国科锐（已改名Wolfspeed）已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低（6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍）。衬底的尺寸越大，边缘的浪费就越小，有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时，随着晶体尺寸的扩大，其生长难度工艺呈几何级增长。（二）降低制造成本（提升良率）长晶端：SiC包含200多种同质异构结构的晶型，但只有4H型（4H-SiC）等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内（类似黑匣子），极易发生不同晶型的转
23、化，任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控，很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右（传统硅基在90%以上），有较大提升空间。机加工端：碳化硅硬度与金刚石接近（莫氏硬度达9.5），切割、研磨、抛光技术难度大，工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右，仍有提升空间。（三）提升生产效率（更成熟的长晶工艺）SiC长晶的速度极为缓慢，行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm，较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺（如液相法）的延伸。四、 积极主动融入和服务新发展格局坚持改革和发展深度融
24、合，促进有效市场和有为政府更好结合，加快建设高水平开放型城市，努力在新发展格局中争当重要支点城市和重要链接平台，为高质量发展注入新的动力活力。（一）精准发力扩大内需适应消费升级大趋势，完善扩大内需支持政策，加大多元化、个性化、多层次供给，繁荣会展经济、夜间经济、体育经济、文娱经济、节日经济，提升传统消费、培育新型消费、适当增加公共消费，推动汽车、住房等大宗消费健康发展，形成需求牵引供给、供给创造需求的高水平动态平衡。畅通城乡消费市场衔接，鼓励本地产品消费吸纳，优化净化消费环境，强化消费者权益保护。优化投资结构，保持投资合理增长，发挥投资对优化供给结构的关键作用。围绕产业基础高级化、产业链现代化
25、，坚持不懈抓好重大产业项目、园区项目、技改项目和平台类项目建设。组织实施新基建三年行动计划，推进新型城镇化、轨道交通、能源水利等重大工程建设，补齐基础设施、市政工程、农业农村、公共安全、生态环保、公共卫生、物资储备、防灾减灾、民生保障等领域短板。坚持“要素跟着项目走”，建立全链条管理服务机制和高效率保障机制，推动项目快落地快开工快建设快投用。发挥政府投资撬动作用，激发释放民间投资潜力活力，形成市场主导的投资内生增长机制。（二）建设高标准市场体系落实国家市场体系基础制度，实施高标准市场体系建设行动，构建高效规范、公平竞争的市域统一市场。实行非禁即入、非禁即准，严格落实公平竞争审查制度，破除妨碍统
26、一市场和公平竞争的各种壁垒。深化土地管理制度改革，推进土地要素市场化配置。深化城乡户籍制度改革，提升人力资源市场效能，推动劳动力要素自由流动。发展技术要素市场，完善技术技能评价制度。建立完善全市公共资源交易平台，推动用能权、用水权、排污权、碳排放权等权益要素交易。培育发展数据要素市场，建设淄博大数据交易中心，推动数据开发交易。持续开展降低实体经济企业成本行动，切实减轻企业负担。完善市场出清机制，促进要素资源向高效市场主体流动。（三）激发市场主体活力毫不动摇巩固和发展公有制经济，毫不动摇鼓励、支持、引导非公有制经济发展。优化国有资本布局结构，推动市属国有资本向“四强”产业、新经济、基础建设、公共
27、服务领域集聚。深化劳动、人事、分配制度改革，推行经理层成员任期制和契约化管理，实现党的领导融入公司治理，推动市属国有企业健全完善中国特色现代企业制度。破除制约民营企业发展的各种壁垒，推进能源、道路、通讯、公用事业等行业竞争性环节市场化改革，鼓励民营资本参与国有企业改制重组、合资经营和混合所有制改革。完善促进中小微企业和个体工商户发展的环境和政策体系，依法平等保护民营企业产权和企业家合法权益。弘扬企业家精神，健全完善城市发展合伙人制度，持续落实关心关爱企业家十条措施，深化党政领导干部担任服务重点企业联络员制度，构建亲清政商关系。（四）打造市场化法治化国际化营商环境持续推出优化营商环境“一号改革工
28、程”加强版，着力塑造效率最高、服务最优、收费最低的政务服务环境，资源跟着项目走的要素保障环境，让企业家放心投资、舒心经营的市场监管环境，最具安全感的社会法治环境，一切活力充分涌动、竞相迸发的创新创业环境。深化简政放权、放管结合、优化服务改革，全面实行政府权责清单制度，深入推进政务公开，加快政府职能转变。实施涉企经营许可事项清单管理，对新产业新业态实行包容审慎监管。全面实施“一网通办、智慧秒批、精准服务”模式，推行政策找人、上门服务。健全以发展规划为导向，财政、就业、产业、投资、消费、环保等紧密配合的政策体系，增强政策稳定性和可预期性。实行重要政策、重大事项事前评估和事后评价制度，畅通社会各界参
29、与政策制定渠道。建设数字政府，推动公共数据汇聚共享和社会数据融合应用。深化行业协会、商会和中介机构改革。五、 项目实施的必要性（一）提升公司核心竞争力项目的投资，引入资金的到位将改善公司的资产负债结构，补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力，降低公司财务费用水平，提升公司盈利能力，促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持，提高公司核心竞争力。第三章 行业、市场分析一、 SiC衬底设备：与传统晶硅差异较小，工艺调教为核心壁垒SiC衬底设备主要包括：长晶炉、切片机、研磨机、抛光机、清洗设备等。与传统传统晶硅设备具相通性、但工艺难度更
30、高，设备+工艺合作研发是关键。长晶炉：主要由衬底制造厂商自研开发，可基本实现国产化（与传统晶硅级长晶炉有相同性，炉子结构不是非常复杂），市场没有形成商业性的独立第三方企业。因为长晶环节主要用的PVT（物理气相传输）的技术路线，温度很高，不可实施监控，难点不在设备本身，而是在工艺本身。因为基本上每家衬底厂商工艺不一样，也是各家的核心机密所在，只有衬底制造企业内部通过对“设备+工艺”合作研发效率更高。主要设备厂商包括：Wolfspeed,Aymont,Aixtron，LHT，中国电科二所，山东天岳，天科合达，中科院硅酸盐所，中国电科四十六所等。切片机：碳化硅的切割和传统硅的切割方式相似，但因为碳化
31、硅属于硬质材料（莫氏硬度达9.5，除金刚石以外世界上第二硬的材料），切割难度非常大，切一刀可能需几百个小时，对系统设备的稳定性很高，国内设备很难满足这个要求。目前日本高鸟的切片机设备（金刚石多线切割机）占据80%以上市场份额。其他公司包括MeryerBurger、NTC、中国电科四十五所、湖南宇晶、苏州郝瑞特等。研磨、抛光、SMT设备：和传统硅机台基本类似，主要差别在于研磨盘和研磨液。国内外主要企业包括：日本不二越、韩国NTS、美国斯德堡、中电科四十五所、湖南宇晶、苏州赫瑞特等。二、 衬底为技术壁垒最高环节，价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节，以及下
32、游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节，是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底：价值量占比46%，为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺，核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底，分别用于功率和射频器件领域。外延：价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为：导电型SiC衬底用于SiC外延，进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延，进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造：价值量占比约20%（包括设计+制造
33、+封装）。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块（SiC二级管和SiCMOSFET构成）、SiC混合模块（SiC二级管和SiCIGBT构成）。4)应用：半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。三、 新能源车带来百亿级市场空间，光伏逆变器应用前景可期2021年特斯拉全球销量达93.6万辆，主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆（其中，美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆）。假设
34、2022年Model3/ModelY产量150万辆，单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆，则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片，目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年，供给端产能吃紧。同时，目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上，共48颗SiCMOSFET，对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等，单车SiC器件使用量将达到100-150颗，市场需求将进一步扩大（单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底）。新能源车需求快速爆发，SiC产能吃紧，全球产能扩产有望加速。据DIGITI
35、MESResearch数据，2021年全球电动汽车销量有望达631万辆（占总销量约6%），同比增长101%。对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年，市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信、轨交等领域，市场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中，基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右，是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代，光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上，就必须使用碳化硅功率器件。据中国汽车工业信息网，使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅
36、SBD结合的功率模块的光伏逆变器，转换效率可从96%提升至99%以上，能量损耗降低50%以上，设备循环寿命提升50倍，从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。据CASAResearch数据，2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的占比为10%，预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%，2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年（2020-2030年）10倍大赛道，预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW，CAGR达24%-26%；全球新增装机需求达1246-1491GW，CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+
37、光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大，产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理，2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产，主要为衬底产能的扩张，其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划，分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。第四章 建筑工程可行性分析一、 项目工程设计总体要求（一）建筑工程采用的设计标准1、建筑设计防火规范2、建筑抗震设计规范3、建筑抗震设防分类标准4、工业建筑防腐蚀设计规范5、工业企业噪声控制设计规范6、建筑内部装修设计防火规范7、建筑地面设计规范8、厂房建筑模数协调标准9、钢结构设
38、计规范（二）建筑防火防爆规范本项目在建筑防火设计中从防止火灾发生和安全疏散两方面考虑。一是防火。所有建筑均采用一、二级耐火等级，室内装修均采用不燃或难燃材料，使火灾不易发生，即使发生也不易迅速蔓延，同时建筑内均设置了消火栓。防火分区面积满足建筑设计防火规范要求。二是疏散。建筑的平面布局、建筑物间距、道路宽度等均应满足防火疏散的要求，便于人员疏散。建筑物的平面布置、空间尺寸、结构选型及构造处理根据工艺生产特征、操作条件、设备安装、维修、安全等要求，进行防火、防爆、抗震、防噪声、防尘、保温节能、隔热等的设计。满足当地规划部门的要求，并执行工程所在地区的建筑标准。（三）主要车间建筑设计在满足生产使用
39、要求的前提下，本着“实用、经济”条件下注意美观的原则，确定合理的建筑结构方案，立面造型简洁大方、统一协调。认真贯彻执行“适用、安全、经济”方针。因地制宜，精心设计，力求作到技术先进、经济合理、节约建设资金和劳动力，同时，采用节能环保的新结构、新材料和新技术。（四）本项目采用的结构设计标准1、建筑抗震设计规范2、构筑物抗震设计规范3、建筑地基基础设计规范4、混凝土结构设计规范5、钢结构设计规范6、砌体结构设计规范7、建筑地基处理技术规范8、设置钢筋混凝土构造柱多层砖房抗震技术规程9、钢结构高强度螺栓连接的设计、施工及验收规程（五）结构选型1、该项目拟选项目选址所在地区基本地震烈度为7度。根据现行
40、建筑抗震设计规范的规定，本项目按当地基本地震烈度执行9度抗震设防。2、根据项目建设的自身特点及项目建设地规划建设管理部门对该区域建筑结构的要求，确定本项目生产车间采用钢结构，采用柱下独立基础。3、建筑结构的设计使用年限为50年，安全等级为二级。二、 建设方案主要厂房在满足工艺使用要求，满足防火、通风、采光要求的前提下，力求做到布置紧凑、节省用地。车间立面造型简洁明快，体现现代化企业的建筑特色。屋面防水、保温尽可能采用质量较高、性能可靠的新型建筑材料。本项目中主要生产车间及仓库均为钢结构，次建筑为砖混结构。考虑当地地震带的分布，工程设计中将加强建筑物抗震结构措施，以增强建筑物的抗震能力。三、 建
41、筑工程建设指标本期项目建筑面积96207.18，其中：生产工程67604.21，仓储工程9846.18，行政办公及生活服务设施12440.85，公共工程6315.94。建筑工程投资一览表单位：、万元序号工程类别占地面积建筑面积投资金额备注1生产工程17651.2367604.218906.581.11#生产车间5295.3720281.262671.971.22#生产车间4412.8116901.052226.641.33#生产车间4236.3016225.012137.581.44#生产车间3706.7614196.881870.382仓储工程8344.229846.181056.122.1
42、1#仓库2503.272953.85316.842.22#仓库2086.052461.55264.032.33#仓库2002.612363.08253.472.44#仓库1752.292067.70221.793办公生活配套2159.8712440.851810.803.1行政办公楼1403.928086.551177.023.2宿舍及食堂755.954354.30633.784公共工程3851.186315.94620.94辅助用房等5绿化工程7763.22134.37绿化率14.03%6其他工程15476.6440.567合计55333.0096207.1812569.37第五章 产品方案
43、一、 建设规模及主要建设内容（一）项目场地规模该项目总占地面积55333.00（折合约83.00亩），预计场区规划总建筑面积96207.18。（二）产能规模根据国内外市场需求和xx投资管理公司建设能力分析，建设规模确定达产年产xxx套碳化硅设备，预计年营业收入91300.00万元。二、 产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平，并参考市场需求预测情况确定，同时，把产量和销量
44、视为一致，本报告将按照初步产品方案进行测算。产品规划方案一览表序号产品（服务）名称单位单价（元）年设计产量产值1碳化硅设备套xx2碳化硅设备套xx3碳化硅设备套xx4.套5.套6.套合计xxx91300.00SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一：由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在：耐高压特性：更低的阻抗、禁带宽度更宽，能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更高的效率；耐高频特性：SiC器件在关断
45、过程中不存在电流拖尾现象，能有效提高元件的开关速度（大约是Si的3-10倍），适用于更高频率和更快的开关速度；耐高温特性：SiC相较硅拥有更高的热导率，能在更高温度下工作。第六章 法人治理一、 股东权利及义务1、公司股东享有下列权利：（1）依照其所持有的股份份额获得股利和其他形式的利益分配；（2）依法请求、召集、主持、参加或者委派股东代理人参加股东大会，并行使相应的表决权；（3）对公司的经营进行监督，提出建议或者质询；（4）依照法律、行政法规及本章程的规定转让、赠与或质押其所持有的股份；（5）查阅本章程、股东名册、公司债券存根、股东大会会议记录、董事会会议决议、监事会会议决议、财务会计报告；（6）公司终止或者清算时，按其所持有的股份份额参加公司剩余财产的分配；（7）对股东大会作出的公司合并、分立决议持异议的股东，要求公司收购其股份；（8）法律、