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1、泓域咨询/永州碳化硅衬底设备项目商业计划书永州碳化硅衬底设备项目商业计划书xxx有限公司目录第一章 项目绪论9一、 项目名称及项目单位9二、 项目建设地点9三、 建设背景、规模9四、 项目建设进度10五、 建设投资估算10六、 项目主要技术经济指标11主要经济指标一览表11七、 主要结论及建议13第二章 背景及必要性14一、 衬底为技术壁垒最高环节，价值量占比46%14二、 第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越15三、 聚力扩大内需，加快构建新发展格局16四、 聚力产业强市，加快推动高质量发展18五、 项目实施的必要性19第三章 项目投资主体概况20一、 公司基本信息20二、 公司
2、简介20三、 公司竞争优势21四、 公司主要财务数据22公司合并资产负债表主要数据22公司合并利润表主要数据23五、 核心人员介绍23六、 经营宗旨25七、 公司发展规划25第四章 市场预测30一、 竞争格局：国内外差距逐步缩小，国产替代可期30二、 大尺寸大势所趋，衬底是SiC产业化降本的核心31三、 受益新能源车爆发，SiC产业化黄金时代将来临33第五章 创新发展35一、 企业技术研发分析35二、 项目技术工艺分析37三、 质量管理38四、 创新发展总结39第六章 SWOT分析40一、 优势分析（S）40二、 劣势分析（W）41三、 机会分析（O）42四、 威胁分析（T）43第七章 运营模
3、式47一、 公司经营宗旨47二、 公司的目标、主要职责47三、 各部门职责及权限48四、 财务会计制度51第八章 发展规划57一、 公司发展规划57二、 保障措施61第九章 法人治理64一、 股东权利及义务64二、 董事66三、 高级管理人员72四、 监事74第十章 建筑工程说明76一、 项目工程设计总体要求76二、 建设方案77三、 建筑工程建设指标78建筑工程投资一览表78第十一章 风险分析80一、 项目风险分析80二、 公司竞争劣势83第十二章 产品方案分析84一、 建设规模及主要建设内容84二、 产品规划方案及生产纲领84产品规划方案一览表85第十三章 进度计划方案86一、 项目进度安
4、排86项目实施进度计划一览表86二、 项目实施保障措施87第十四章 投资计划88一、 投资估算的编制说明88二、 建设投资估算88建设投资估算表90三、 建设期利息90建设期利息估算表91四、 流动资金92流动资金估算表92五、 项目总投资93总投资及构成一览表93六、 资金筹措与投资计划94项目投资计划与资金筹措一览表95第十五章 经济效益分析97一、 基本假设及基础参数选取97二、 经济评价财务测算97营业收入、税金及附加和增值税估算表97综合总成本费用估算表99利润及利润分配表101三、 项目盈利能力分析101项目投资现金流量表103四、 财务生存能力分析104五、 偿债能力分析105借
5、款还本付息计划表106六、 经济评价结论106第十六章 项目综合评价108第十七章 补充表格110主要经济指标一览表110建设投资估算表111建设期利息估算表112固定资产投资估算表113流动资金估算表114总投资及构成一览表115项目投资计划与资金筹措一览表116营业收入、税金及附加和增值税估算表117综合总成本费用估算表117利润及利润分配表118项目投资现金流量表119借款还本付息计划表121报告说明目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸（半绝缘型）及6英寸（导电型）。行业龙头美国科锐（已改名Wolfspeed）已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯
6、片成本越低（6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍）。衬底的尺寸越大，边缘的浪费就越小，有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时，随着晶体尺寸的扩大，其生长难度工艺呈几何级增长。根据谨慎财务估算，项目总投资17108.04万元，其中：建设投资13120.18万元，占项目总投资的76.69%；建设期利息146.01万元，占项目总投资的0.85%；流动资金3841.85万元，占项目总投资的22.46%。项目正常运营每年营业收入39200.00万元，综合总成本费用32595.66万元，净利润4829.92万元，财务内部收益率21.32%，财务净现值4286.18万元，全部投资回收期5.60年。本期项目
7、具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。该项目符合国家有关政策，建设有着较好的社会效益，建设单位为此做了大量工作，建议各有关部门给予大力支持，使其早日建成发挥效益。本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 项目绪论一、 项目名称及项目单位项目名称：永州碳化硅衬底设备项目项目单位：xxx有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xxx（以最终选址方案为准），占地面积约45.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 建
8、设背景、规模（一）项目背景相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积30000.00（折合约45.00亩），预计场区规划总建筑面积43249.32。其中：生产工程27383.94，仓储工程7240.14，行政办公及生活
9、服务设施4213.44，公共工程4411.80。项目建成后，形成年产xx套碳化硅设备的生产能力。四、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xxx有限公司将项目工程的建设周期确定为12个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。五、 建设投资估算（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资17108.04万元，其中：建设投资13120.18万元，占项目总投资的76.69%；建设期利息146.01万元，占项目总投资的0.85%；流动资金3841.85万元，占项目总投资的22.4
10、6%。（二）建设投资构成本期项目建设投资13120.18万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用11447.29万元，工程建设其他费用1313.57万元，预备费359.32万元。六、 项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入39200.00万元，综合总成本费用32595.66万元，纳税总额3144.88万元，净利润4829.92万元，财务内部收益率21.32%，财务净现值4286.18万元，全部投资回收期5.60年。（二）主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积30000.00约45.00亩1.1总建筑面积4
11、3249.321.2基底面积17100.001.3投资强度万元/亩282.312总投资万元17108.042.1建设投资万元13120.182.1.1工程费用万元11447.292.1.2其他费用万元1313.572.1.3预备费万元359.322.2建设期利息万元146.012.3流动资金万元3841.853资金筹措万元17108.043.1自筹资金万元11148.493.2银行贷款万元5959.554营业收入万元39200.00正常运营年份5总成本费用万元32595.666利润总额万元6439.897净利润万元4829.928所得税万元1609.979增值税万元1370.4610税金及附加
12、万元164.4511纳税总额万元3144.8812工业增加值万元10707.2213盈亏平衡点万元14252.72产值14回收期年5.6015内部收益率21.32%所得税后16财务净现值万元4286.18所得税后七、 主要结论及建议由上可见，无论是从产品还是市场来看，本项目设备较先进，其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强，具有良好的社会效益及一定的抗风险能力，因而项目是可行的。第二章 背景及必要性一、 衬底为技术壁垒最高环节，价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节，以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环
13、节，是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底：价值量占比46%，为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺，核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底，分别用于功率和射频器件领域。外延：价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为：导电型SiC衬底用于SiC外延，进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延，进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造：价值量占比约20%（包括设计+制造+封装）。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模
14、块（SiC二级管和SiCMOSFET构成）、SiC混合模块（SiC二级管和SiCIGBT构成）。4)应用：半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。二、 第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代：1、第一代元素半导体材料：硅（Si）和锗(Ge)；为半导体最常用的材料，起源于20世纪50年代，奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等；是4G时代的大部分通信设备的材料
15、，起源于20世纪90年代，奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中，碳化硅（SiC）为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件，适用于600V以上高压场景，包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一：由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；电子饱和漂移速率为硅的2-3倍
16、。核心优势体现在：耐高压特性：更低的阻抗、禁带宽度更宽，能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更高的效率；耐高频特性：SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，能有效提高元件的开关速度（大约是Si的3-10倍），适用于更高频率和更快的开关速度；耐高温特性：SiC相较硅拥有更高的热导率，能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大提高现有使用
17、硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。三、 聚力扩大内需，加快构建新发展格局拓展投资空间。坚持以项目促投资，今年全市第一批铺排重点建设项目360个，总投资3000亿元，年度计划投资800亿元以上。围绕完成投资计划，坚持强化“月调度、双月集中开工签约、季度督导点评、半年现场观摩、年终总结考核”机制，推动项目建设始终形成热潮。深化国资国企和投融资体制改革，推动市属国有企业战略性重组、平台公司市场化转型，扶持市国有资本投资运营公司发展，发挥国资国企在公共投资领域的关键作用。加快要素市场化配置改革，切实保障项目融资、用地、用工等需求。全面扩
18、大开放。加大招大引强、招新引优力度，持续开展“迎老乡、回故乡、建家乡”，全年引进三类500强企业项目20个以上，实际利用外资增长10%、到位内资增长12%以上。加强招商项目跟踪服务，提高项目履约率。完善湖南农副产品集中验放场及粤港澳大湾区“菜篮子”产品永州配送中心的功能配套，做大做强果蔬、鞋业、家具3个国家外贸转型升级基地，加快推进县域开放平台全覆盖，推进“湘企出海+”综合服务平台（永州专区）建设，积极推动“永企出海”“永品出境”。全年新增破零倍增企业100家以上，进出口总额增长10%以上。优化营商环境。持续深化“放管服”改革，实现依申请事项“一件事一次办”比率达到90%以上。扎实推进“数字政
19、府”建设，推动“我的永州”APP用户数突破200万，实现100项政务服务、300项公共服务“指尖办”。推动“双随机、一公开”和行政执法“三项制度”全覆盖。深化营商环境第三方评估和政务服务“好差评”。严厉打击“三强三堵”。坚决查处索拿卡要和不作为、慢作为、乱作为等行为。力争成为全国社会信用体系建设示范市创建提名城市。四、 聚力产业强市，加快推动高质量发展加快发展先进制造业。大力培育企业主体。建立“专精特新”中小微企业梯度培育体系，加快培育一批“小巨人”企业、高成长性高新技术企业、“独角兽”企业。集中培育300家重点企业，力争3年内实现税收过500万元、产值过5亿元的企业数量倍增。大力推进产业强链
20、。实施产业链供应链提升工程，围绕先进装备制造、电子信息、生物医药、新材料、轻纺箱包制鞋、农产品精深加工等优势产业，分行业做好产业链供应链设计，“一链一策”制定实施三年行动计划，加快构建各类配套企业集聚集合的产业发展生态，培育壮大优势产业集群。大力实施园区强基。实施“园区提质攻坚”三年行动，今年全市园区完成基础设施投资120亿元以上，新建标准厂房120万平方米以上，引进投资5000万元以上项目120个以上，新入统规模工业企业120家以上，实现税收过200万元企业160家以上。中心城区园区要加压奋进，今年新增入统规模工业企业60家以上、产值过亿元企业30家以上。加快将永州经开区创建为国家级经开区。
21、做强中国古巴生物技术联合创新中心。大力加强品牌建设。推进质量强市、品牌兴市，鼓励企业积极争创中国质量奖、中华老字号、省长质量奖等，打造一批知名企业品牌、产品品牌。积极推进数字产业化、产业数字化，实施中小企业“两上三化”行动，加快推动制造业数字化、网络化、智能化转型。五、 项目实施的必要性（一）提升公司核心竞争力项目的投资，引入资金的到位将改善公司的资产负债结构，补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力，降低公司财务费用水平，提升公司盈利能力，促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持，提高公司核心竞争力。第三章 项目投资主体概况一、
22、 公司基本信息1、公司名称：xxx有限公司2、法定代表人：姚xx3、注册资本：610万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2015-4-57、营业期限：2015-4-5至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事碳化硅设备相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介公司不断推动企业品牌建设，实施品牌战略，增强品牌意识，提升品牌管理能力，实现从产品服务经营向品牌经营转变。公司积极申报注册国
23、家及本区域著名商标等，加强品牌策划与设计，丰富品牌内涵，不断提高自主品牌产品和服务市场份额。推进区域品牌建设，提高区域内企业影响力。公司自成立以来，坚持“品牌化、规模化、专业化”的发展道路。以人为本，强调服务，一直秉承“追求客户最大满意度”的原则。多年来公司坚持不懈推进战略转型和管理变革，实现了企业持续、健康、快速发展。未来我司将继续以“客户第一，质量第一，信誉第一”为原则，在产品质量上精益求精，追求完美，对客户以诚相待，互动双赢。三、 公司竞争优势（一）公司具有技术研发优势，创新能力突出公司在研发方面投入较高，持续进行研究开发与技术成果转化，形成企业核心的自主知识产权。公司产品在行业中的始终
24、保持良好的技术与质量优势。此外，公司目前主要生产线为使用自有技术开发而成。（二）公司拥有技术研发、产品应用与市场开拓并进的核心团队公司的核心团队由多名具备行业多年研发、经营管理与市场经验的资深人士组成，与公司利益捆绑一致。公司稳定的核心团队促使公司形成了高效务实、团结协作的企业文化和稳定的干部队伍，为公司保持持续技术创新和不断扩张提供了必要的人力资源保障。（三）公司具有优质的行业头部客户群体公司凭借出色的技术创新、产品质量和服务，树立了良好的品牌形象，获得了较高的客户认可度。公司通过与优质客户保持稳定的合作关系，对于行业的核心需求、产品变化趋势、最新技术要求的理解更为深刻，有利于研发生产更符合
25、市场需求产品，提高公司的核心竞争力。（四）公司在行业中占据较为有利的竞争地位公司经过多年深耕，已在技术、品牌、运营效率等多方面形成竞争优势；同时随着行业的深度整合，行业集中度提升，下游客户为保障其自身原材料供应的安全与稳定，在现有竞争格局下对于公司产品的需求亦不断提升。公司较为有利的竞争地位是长期可持续发展的有力支撑。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额5408.894327.114056.67负债总额2027.471621.981520.60股东权益合计3381.422705.142536.07公司合并利润表主要数据项目
26、2020年度2019年度2018年度营业收入20161.2716129.0215120.95营业利润4213.653370.923160.24利润总额3747.512998.012810.63净利润2810.632192.292023.65归属于母公司所有者的净利润2810.632192.292023.65五、 核心人员介绍1、姚xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958年出生，本科学历，高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长；2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理；2019年3月至今任公司董事。2
27、、丁xx，中国国籍，无永久境外居留权，1961年出生，本科学历，高级工程师。2002年11月至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事。3、雷xx，1957年出生，大专学历。1994年5月至2002年6月就职于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2018年3月至今任公司董事。4、高xx，中国国籍，1977年出生，本科学历。2018年9月至今历任公司办公室主任，2017年8月至今任公司监事。5、赵xx，1974年出生，研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx有限责任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限责任公司销售部副经理。
28、2011年3月至今历任公司监事、销售部副部长、部长；2019年8月至今任公司监事会主席。6、范xx，中国国籍，1978年出生，本科学历，中国注册会计师。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司独立董事。7、钟xx，中国国籍，无永久境外居留权，1959年出生，大专学历，高级工程师职称。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技术顾问；2004年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任公司董事、副总经理、总工程师。8、杨xx，中国国籍，无永久境外居留权，1970年出生，硕士研究生学历。201
29、2年4月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。六、 经营宗旨公司通过整合资源，实现产品化、智能化和平台化。七、 公司发展规划（一）公司未来发展战略公司秉承“不断超越、追求完美、诚信为本、创新为魂”的经营理念，贯彻“安全、现代、可靠、稳定”的核心价值观，为客户提供高性能、高品质、高技术含量的产品和服务，致力于发展成为行业内领先的供应商。未来公司将通过持续的研发投入和市场营销网络的建设进一步巩固公司在相关领域的领先地位，扩大市场份额；另一方面公司将紧密契合市场需求和技术发展方向进一步拓展公司产品类别，加大研发推广力度，进一步提升公司综合实力以及市场地位。（二）扩产计划经过多年
30、的发展，公司在相关领域领域积累了丰富的生产经验和技术优势，随着公司业务规模逐年增长，产能瓶颈日益显现。因此，产能提升计划是实现公司整体发展战略的重要环节。公司将以全球行业持续发展及逐渐向中国转移为依托，提高公司生产能力和生产效率，满足不断增长的客户需求，巩固并扩大公司在行业中的竞争优势，提高市场占有率和公司影响力。在产品拓展方面，公司计划在扩宽现有产品应用领域的同时，不断丰富产品类型，持续提升产品质量和附加值，保持公司产品在行业中的竞争地位。（三）技术研发计划公司未来将继续加大技术开发和自主创新力度，在现有技术研发资源的基础上完善技术中心功能，规范技术研究和产品开发流程，引进先进的设计、测试等
31、软硬件设备，提高公司技术成果转化能力和产品开发效率，提升公司新产品开发能力和技术竞争实力，为公司的持续稳定发展提供源源不断的技术动力。公司将本着中长期规划和近期目标相结合、前瞻性技术研究和产品应用开发相结合的原则，以研发中心为平台，以市场为导向，进行技术开发和产品创新，健全和完善技术创新机制，从人、财、物和管理机制等方面确保公司的持续创新能力，努力实现公司新技术、新产品、新工艺的持续开发。（四）技术研发计划公司将以新建研发中心为契机，在对现有产品的技术和工艺进行持续改进、提高公司的研发设计能力、满足客户对产品差异化需求的同时，顺应行业技术发展，不断研发新工艺、新技术，不断提升产品自动化程度，在
32、充分满足下游领域对产品质量要求不断提高的同时，强化公司自主创新能力，巩固公司技术的行业先进地位，强化公司的综合竞争实力。积极实施知识产权保护自主创新、自主知识产权和自主品牌是公司今后持续发展的关键。自主知识产权是自主创新的保障，公司未来三年将重点关注专利的保护，依靠自主创新技术和自主知识产权，提高盈利水平。公司计划在未来三年内大量引进或培养技术研发、技术管理等专业人才，以培养技术骨干为重点建设内容，建立一支高、中、初级专业技术人才合理搭配的人才队伍，满足公司快速发展对人才的需要。公司将采用各种形式吸引优秀的科技人员。包括：提高技术人才的待遇；通过与高校、科研机构联合，实行对口培训等形式，强化技
33、术人员知识更新；积极拓宽人才引进渠道，实行就地取才、内部挖掘和面向社会广揽人才相结合。确保公司产品的高技术含量，充分满足客户的需求，使公司在激烈的市场竞争中立于不败之地。公司将加强与高等院校、研发机构的合作与交流，整合产、学、研资源优势，通过自主研发与合作开发并举的方式，持续提升公司技术研发水平，提升公司对重大项目的攻克能力，提高自身研发技术水平，进一步强化公司在行业内的影响力。（五）市场开发规划公司根据自身技术特点与销售经验，制定了如下市场开发规划：首先，公司将以现有客户为基础，在努力提升产品质量的同时，以客户需求为导向，在各个方面深入了解客户需求，以求充分满足客户的差异化需求，从而不断增加
34、现有客户订单；其次，公司将在稳定与现有客户合作关系的同时，凭借公司成熟的业务能力及优质的产品质量逐步向新的客户群体拓展，挖掘新的销售市场；最后，公司将不断完善营销网络建设，提升公司售后服务能力，从而提升公司整体服务水平，实现整体业务的协同及平衡发展。（六）人才发展规划人才是公司发展的核心资源，为了实现公司总体战略目标，公司将健全人力资源管理体系，制定科学的人力资源开发计划，进一步建立完善的培训、薪酬、绩效和激励机制，最大限度的发挥人才潜力，为公司的可持续发展提供人才保障。公司将立足于未来发展需要，进一步加快人才引进。通过专业化的人力资源服务和评估机制，满足公司的发展需要。一方面，公司将根据不同
35、部门职能，有针对性的招聘专业化人才：管理方面，公司将建立规范化的内部控制体系，根据需要招聘行业内专业的管理人才，提升公司整体管理水平；技术方面，公司将引进行业内优秀人才，提升公司的技术创新能力，增加公司核心技术储备，并加速成果转化，确保公司技术水平的领先地位。另一方面，公司将建立人才梯队，以培养管理和技术骨干为重点，有计划地吸纳各类专业人才进入公司，形成高、中、初级人才的塔式人才结构，为公司的长远发展储备力量。培训是企业人力资源整合的重要途径，未来公司将强化现有培训体系的建设，建立和完善培训制度，针对不同岗位的员工制定科学的培训计划，并根据公司的发展要求及员工的发展意愿，制定员工的职业生涯规划
36、。公司将采用内部交流课程、外聘专家授课及先进企业考察等多种培训方式提高员工技能。人才培训的强化将大幅提升员工的整体素质，使员工队伍进一步适应公司的快速发展步伐。公司将制定具有市场竞争力的薪酬结构，制定和实施有利于人才成长和潜力挖掘的激励政策。根据员工的服务年限及贡献，逐步提高员工待遇，激发员工的创造性和主动性，为员工提供广阔的发展空间，全力打造团结协作、拼搏进取、敬业爱岗、开拓创新的员工队伍，从而有效提高公司凝聚力和市场竞争力。第四章 市场预测一、 竞争格局：国内外差距逐步缩小，国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局：海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英
37、寸进军。（一）导电型SiC衬底全球市场：美国科锐公司（Wolfspeed）占据了60%以上的市场份额，基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括：美国二六（II-VI）、德国SiCrystalAG、道康宁（DowCorning）、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司：总体处于发展初期，主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年，天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。（二）半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐（WOLFSPEED）、贰陆公司（II-VI）依旧合计占据近70%的市场份额。国内公
38、司山东天岳已挤进全球前三，2020年市占率达30%。国内外差距缩小，进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早，各尺寸量产推出时间方面，国内与全球行业龙头企业存在差距：以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例，在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右，SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体，国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中，可观察到国内企业已迎头赶上，国内外差距正在缩小（举例：天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸，预计8英寸国内外量产时间差距有望进一
39、步缩小）。目前海外龙头已向8吋发力（下游客户车规级为主），国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力（下游客户工业级为主）。二、 大尺寸大势所趋，衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中，衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右，数倍于传统硅基半导体，核心降本方式包括：提升材料使用率（向大尺寸发展）、降低制造成本（提升良率）、提升生产效率（更成熟的长晶工艺）。（一）提升材料使用率（向大尺寸发展）目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸（半绝缘型）及6
40、英寸（导电型）。行业龙头美国科锐（已改名Wolfspeed）已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低（6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍）。衬底的尺寸越大，边缘的浪费就越小，有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时，随着晶体尺寸的扩大，其生长难度工艺呈几何级增长。（二）降低制造成本（提升良率）长晶端：SiC包含200多种同质异构结构的晶型，但只有4H型（4H-SiC）等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内（类似黑匣子），极易发生不同晶型的转化，任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控，很难从中
41、找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右（传统硅基在90%以上），有较大提升空间。机加工端：碳化硅硬度与金刚石接近（莫氏硬度达9.5），切割、研磨、抛光技术难度大，工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右，仍有提升空间。（三）提升生产效率（更成熟的长晶工艺）SiC长晶的速度极为缓慢，行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm，较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺（如液相法）的延伸。三、 受益新能源车爆发，SiC产业化黄金时代将来临据Yole统计，2020年SiC碳化硅功率器件市场规模约7.1亿美元，预
42、计2026年将增长至45亿美元，2020-2026年CAGR近36%。其中，新能源汽车是SiC功率器件下游最重要的应用市场,预计需求于2023年开始快速爆发。新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(OBC)等核心电控领域，以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快速爆发，以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增效，产业化进程有望提速。应用端：解决电动车续航痛点。据Wolfspeed测算，将纯电动汽车逆变器中的功率组件改成SiC时,可显著降低电力电子系统的体积、重量和成本，提升车辆5%-10%的续航
43、。据英飞凌测算，SiC器件整体损耗相比Si基器件降低80%以上，导通及开关损耗减小，有助于增加电动车续航里程。成本端：单车可节省400-800美元的电池成本，与新增200美元的SiC器件成本抵消后，能够实现至少200-600美元的单车成本下降。客户端：特斯拉等车企已相继布局。Model3是行业第一家采用SiC逆变器的车型，开启了电动汽车使用SiC先河，单车总共有48个SiCMOSFET裸片，由意法半导体和英飞凌提供。其他车企包括比亚迪汉、丰田Mirai等也相继开始采用SiC逆变器。目前各大车企已在碳化硅领域纷纷布局，成本是决定SiC何时在新能源车大批量使用的关键因素。2017年，特斯拉Mode
44、l3成为第一家使用SiC逆变器的车型，其逆变器总重量下降至4.8kg（较此前减少约84%），续航能力提升6%（逆变器和永磁电机组合的效率高达97%，此前为82%）。预计未来续航里程500公里以上的高端SUV车和轿车有望均应用到SiC功率器件，小型SUV和中型轿车可能在2024-2025年后开始应用一部分SiC（随着SiC衬底产能大规模释放、成本下降），低端车可能会再随这之后。第五章 创新发展一、 企业技术研发分析（一）企业研究开发中心的主要职责1、科技信息部主要负责行业内新技术、新装备、新产品信息的搜集与整理，引进外部先进的技术与工艺；负责公司知识产权的申报、管理工作及技术材料文件的档案管理工
45、作。2、技术研发部主要负责组织开展新产品、新技术、新工艺的研究和印染配方的开发，负责对新技术进行消化吸收和创新。3、质量检测部主要负责各类研发产品和原辅材料的质量检测；负责质量保证体系的日常运行工作，协助处理生产过程中出现的质量问题。4、对外合作部主要负责对外技术合作和交流，与高等院校、科研院所开展产学研合作，建立长期、稳定的合作关系。（二）技术创新机制经过多年的实践与探索，公司已建立健全技术创新机制，为公司技术创新活动高效开展和创新能力持续提升提供了坚实的制度保障。公司的技术创新机制主要包括以下几个方面：（1）科研管理制度公司制定了科研项目管理办法，从科研项目立项、过程管理、验收、经费管理、
46、成果转换等环节加强对研究开发项目的管理，以实现对科研项目管理的科学化、规范化和制度化，更好地指导科研项目的实施。（2）人才培育机制公司通过制定人才培训和激励制度，不断培养、引进有创新能力的人才队伍，将技术骨干人员的选拔和培养常态化、制度化，强化创新意识，为创新型人才提供良好的创新环境和制度。（3）产学研合作机制公司以自身为主体，以行业发展和市场需求为导向，通过产、学、研、用的紧密结合与通力合作，将科技成果及时、顺利地转化为现实生产力，服务于公司开展的各项业务。（三）技术创新能力公司致力于建设新型节能环保型和智能制造型企业，近年来，公司实施了多项新产品新技术开发项目，取得了多项专利，公司的技术创新能力得到不断提升。二、 项目技术工艺分析（一）技术来源及先进性说明本期项目的技术来源为公司的自有技术，该技术达到国内先进水平。（二）项目技术优势分析1、技术含量和自动化水平较高，