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1、泓域咨询/忻州碳化硅项目可行性研究报告目录第一章 项目概况8一、 项目名称及建设性质8二、 项目承办单位8三、 项目定位及建设理由9四、 报告编制说明10五、 项目建设选址12六、 项目生产规模12七、 建筑物建设规模12八、 环境影响12九、 项目总投资及资金构成12十、 资金筹措方案13十一、 项目预期经济效益规划目标13十二、 项目建设进度规划14主要经济指标一览表14第二章 行业、市场分析17一、 大尺寸大势所趋，衬底是SiC产业化降本的核心17二、 衬底为技术壁垒最高环节，价值量占比46%18三、 第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越19第三章 项目背景分析22一、 竞争
2、格局：国内外差距逐步缩小，国产替代可期22二、 受益新能源车爆发，SiC产业化黄金时代将来临23三、 新能源车带来百亿级市场空间，光伏逆变器应用前景可期25四、 打造三大开放门户27五、 培育转型发展主体力量29六、 项目实施的必要性30第四章 产品方案与建设规划32一、 建设规模及主要建设内容32二、 产品规划方案及生产纲领32产品规划方案一览表32第五章 选址方案34一、 项目选址原则34二、 建设区基本情况34三、 打造六大经济板块37四、 项目选址综合评价40第六章 法人治理41一、 股东权利及义务41二、 董事45三、 高级管理人员50四、 监事52第七章 SWOT分析55一、 优势
3、分析（S）55二、 劣势分析（W）57三、 机会分析（O）57四、 威胁分析（T）58第八章 运营模式分析64一、 公司经营宗旨64二、 公司的目标、主要职责64三、 各部门职责及权限65四、 财务会计制度68第九章 工艺技术方案72一、 企业技术研发分析72二、 项目技术工艺分析74三、 质量管理75四、 设备选型方案76主要设备购置一览表77第十章 人力资源配置79一、 人力资源配置79劳动定员一览表79二、 员工技能培训79第十一章 项目环境保护81一、 环境保护综述81二、 建设期大气环境影响分析82三、 建设期水环境影响分析85四、 建设期固体废弃物环境影响分析85五、 建设期声环境
4、影响分析86六、 环境影响综合评价87第十二章 节能方案说明88一、 项目节能概述88二、 能源消费种类和数量分析89能耗分析一览表90三、 项目节能措施90四、 节能综合评价91第十三章 原辅材料及成品分析92一、 项目建设期原辅材料供应情况92二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理92第十四章 投资估算及资金筹措94一、 编制说明94二、 建设投资94建筑工程投资一览表95主要设备购置一览表96建设投资估算表97三、 建设期利息98建设期利息估算表98固定资产投资估算表99四、 流动资金100流动资金估算表101五、 项目总投资102总投资及构成一览表102六、 资金筹措与投资计划103项
5、目投资计划与资金筹措一览表103第十五章 经济效益105一、 经济评价财务测算105营业收入、税金及附加和增值税估算表105综合总成本费用估算表106固定资产折旧费估算表107无形资产和其他资产摊销估算表108利润及利润分配表110二、 项目盈利能力分析110项目投资现金流量表112三、 偿债能力分析113借款还本付息计划表114第十六章 招标方案116一、 项目招标依据116二、 项目招标范围116三、 招标要求116四、 招标组织方式117五、 招标信息发布117第十七章 总结说明118第十八章 补充表格120主要经济指标一览表120建设投资估算表121建设期利息估算表122固定资产投资估
6、算表123流动资金估算表124总投资及构成一览表125项目投资计划与资金筹措一览表126营业收入、税金及附加和增值税估算表127综合总成本费用估算表127利润及利润分配表128项目投资现金流量表129借款还本付息计划表131报告说明相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交
7、通、智能电网等。根据谨慎财务估算，项目总投资44899.15万元，其中：建设投资35890.02万元，占项目总投资的79.93%；建设期利息445.64万元，占项目总投资的0.99%；流动资金8563.49万元，占项目总投资的19.07%。项目正常运营每年营业收入78900.00万元，综合总成本费用64836.23万元，净利润10268.40万元，财务内部收益率16.83%，财务净现值9236.17万元，全部投资回收期6.11年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。综上所述，该项目属于国家鼓励支持的项目，项目的经济和社会效益客观，项目的投产将改善优化当地产业结构，
8、实现高质量发展的目标。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 项目概况一、 项目名称及建设性质（一）项目名称忻州碳化硅项目（二）项目建设性质本项目属于技术改造项目二、 项目承办单位（一）项目承办单位名称xxx投资管理公司（二）项目联系人姜xx（三）项目建设单位概况展望未来，公司将围绕企业发展目标的实现，在“梦想、责任、忠诚、一流”核心价值观的指引下，围绕业务体系、管控体系和人才队伍体系重塑，推动体制机制改革和管理及业务模式的创新，加强团队能力建设，提升核心竞争力
9、，努力把公司打造成为国内一流的供应链管理平台。公司不断建设和完善企业信息化服务平台，实施“互联网+”企业专项行动，推广适合企业需求的信息化产品和服务，促进互联网和信息技术在企业经营管理各个环节中的应用，业通过信息化提高效率和效益。搭建信息化服务平台，培育产业链，打造创新链，提升价值链，促进带动产业链上下游企业协同发展。公司坚持提升企业素质，即“企业管理水平进一步提高，人力资源结构进一步优化，人员素质进一步提升，安全生产意识和社会责任意识进一步增强，诚信经营水平进一步提高”，培育一批具有工匠精神的高素质企业员工，企业品牌影响力不断提升。公司注重发挥员工民主管理、民主参与、民主监督的作用，建立了工
10、会组织，并通过明确职工代表大会各项职权、组织制度、工作制度，进一步规范厂务公开的内容、程序、形式，企业民主管理水平进一步提升。围绕公司战略和高质量发展，以提高全员思想政治素质、业务素质和履职能力为核心，坚持战略导向、问题导向和需求导向，持续深化教育培训改革，精准实施培训，努力实现员工成长与公司发展的良性互动。三、 项目定位及建设理由据中国汽车工业信息网，使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器，转换效率可从96%提升至99%以上，能量损耗降低50%以上，设备循环寿命提升50倍，从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。全面落实
11、新发展理念，坚持以供给侧结构性改革为主线，统筹新冠肺炎疫情防控和经济社会发展，迎难而上保增长，坚定不移促转型，经济和社会发展取得新成就，较好地完成“十三五”规划主要奋斗目标，全面建成小康社会如期实现。地区生产总值由2015年的641.5亿元提升到2020年的1034.6亿元，年均增长5.1%，占全省的比重由5.4%提升高到5.9%，人均生产总值突破三万元。一般公共预算收入由2015年的73.7亿元增加至2020年的94.4亿元，四、 报告编制说明（一）报告编制依据1、国家和地方关于促进产业结构调整的有关政策决定；2、建设项目经济评价方法与参数；3、投资项目可行性研究指南；4、项目建设地国民经济
12、发展规划；5、其他相关资料。（二）报告编制原则1、严格遵守国家和地方的有关政策、法规，认真执行国家、行业和地方的有关规范、标准规定；2、选择成熟、可靠、略带前瞻性的工艺技术路线，提高项目的竞争力和市场适应性；3、设备的布置根据现场实际情况，合理用地；4、严格执行“三同时”原则，积极推进“安全文明清洁”生产工艺，做到环境保护、劳动安全卫生、消防设施和工程建设同步规划、同步实施、同步运行，注意可持续发展要求，具有可操作弹性；5、形成以人为本、美观的生产环境，体现企业文化和企业形象；6、满足项目业主对项目功能、盈利性等投资方面的要求；7、充分估计工程各类风险，采取规避措施，满足工程可靠性要求。（二）
13、 报告主要内容1、对项目提出的背景、建设必要性、市场前景分析；2、对产品方案、工艺流程、技术水平进行论述，确定建设规模；3、对项目建设条件、场地、原料供应及交通运输条件的评价；4、对项目的总图运输、公用工程等技术方案进行研究；5、对项目消防、环境保护、劳动安全卫生和节能措施的评价；6、对项目实施进度和劳动定员的确定；7、投资估算和资金筹措和经济效益评价；8、提出本项目的研究工作结论。五、 项目建设选址本期项目选址位于xxx（待定），占地面积约90.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。六、 项目生产规模项目建成后，形成年
14、产xxx吨碳化硅材料的生产能力。七、 建筑物建设规模本期项目建筑面积101864.56，其中：生产工程74170.08，仓储工程9589.86，行政办公及生活服务设施9966.16，公共工程8138.46。八、 环境影响该项目在建设过程中，必须严格按照国家有关建设项目环保管理规定，建设项目须配套建设的环境保护设施必须与主体工程同时设计、同时施工、同时投产使用。各类污染物的排放应执行环保行政管理部门批复的标准。九、 项目总投资及资金构成（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资44899.15万元，其中：建设投资35890.02万元，占
15、项目总投资的79.93%；建设期利息445.64万元，占项目总投资的0.99%；流动资金8563.49万元，占项目总投资的19.07%。（二）建设投资构成本期项目建设投资35890.02万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用31520.21万元，工程建设其他费用3444.69万元，预备费925.12万元。十、 资金筹措方案本期项目总投资44899.15万元，其中申请银行长期贷款18189.25万元，其余部分由企业自筹。十一、 项目预期经济效益规划目标（一）经济效益目标值（正常经营年份）1、营业收入（SP）：78900.00万元。2、综合总成本费用（TC）：64836.23
16、万元。3、净利润（NP）：10268.40万元。（二）经济效益评价目标1、全部投资回收期（Pt）：6.11年。2、财务内部收益率：16.83%。3、财务净现值：9236.17万元。十二、 项目建设进度规划本期项目按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设，本期项目建设期限规划12个月。十四、项目综合评价综上所述，本项目能够充分利用现有设施，属于投资合理、见效快、回报高项目；拟建项目交通条件好；供电供水条件好，因而其建设条件有明显优势。项目符合国家产业发展的战略思想，有利于行业结构调整。主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积60000.00约90.00亩1.1总建筑面积101
17、864.561.2基底面积35400.001.3投资强度万元/亩390.002总投资万元44899.152.1建设投资万元35890.022.1.1工程费用万元31520.212.1.2其他费用万元3444.692.1.3预备费万元925.122.2建设期利息万元445.642.3流动资金万元8563.493资金筹措万元44899.153.1自筹资金万元26709.903.2银行贷款万元18189.254营业收入万元78900.00正常运营年份5总成本费用万元64836.236利润总额万元13691.207净利润万元10268.408所得税万元3422.809增值税万元3104.7610税金及
18、附加万元372.5711纳税总额万元6900.1312工业增加值万元23607.6413盈亏平衡点万元34389.06产值14回收期年6.1115内部收益率16.83%所得税后16财务净现值万元9236.17所得税后第二章 行业、市场分析一、 大尺寸大势所趋，衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中，衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右，数倍于传统硅基半导体，核心降本方式包括：提升材料使用率（向大尺寸发展）、降低制造成本（提升良率）、提升生产效率（更成熟的长晶
19、工艺）。（一）提升材料使用率（向大尺寸发展）目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸（半绝缘型）及6英寸（导电型）。行业龙头美国科锐（已改名Wolfspeed）已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低（6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍）。衬底的尺寸越大，边缘的浪费就越小，有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时，随着晶体尺寸的扩大，其生长难度工艺呈几何级增长。（二）降低制造成本（提升良率）长晶端：SiC包含200多种同质异构结构的晶型，但只有4H型（4H-SiC）等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内（
20、类似黑匣子），极易发生不同晶型的转化，任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控，很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右（传统硅基在90%以上），有较大提升空间。机加工端：碳化硅硬度与金刚石接近（莫氏硬度达9.5），切割、研磨、抛光技术难度大，工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右，仍有提升空间。（三）提升生产效率（更成熟的长晶工艺）SiC长晶的速度极为缓慢，行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm，较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺（如液相法）的延伸。二、 衬底为技术壁垒
21、最高环节，价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节，以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节，是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底：价值量占比46%，为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺，核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底，分别用于功率和射频器件领域。外延：价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为：导电型SiC衬底用于SiC外延，进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底
22、用于氮化镓外延，进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造：价值量占比约20%（包括设计+制造+封装）。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块（SiC二级管和SiCMOSFET构成）、SiC混合模块（SiC二级管和SiCIGBT构成）。4)应用：半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。三、 第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代：1、第一代元素半导体材料：硅（Si）和锗(Ge)；为半导体最常
23、用的材料，起源于20世纪50年代，奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等；是4G时代的大部分通信设备的材料，起源于20世纪90年代，奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中，碳化硅（SiC）为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件，适用于600V以上高压场景，包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一：由碳元素和硅元素组成的一种化
24、合物半导体材料。相比传统的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在：耐高压特性：更低的阻抗、禁带宽度更宽，能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更高的效率；耐高频特性：SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，能有效提高元件的开关速度（大约是Si的3-10倍），适用于更高频率和更快的开关速度；耐高温特性：SiC相较硅拥有更高的热导率，能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。
25、相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。第三章 项目背景分析一、 竞争格局：国内外差距逐步缩小，国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局：海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。（一）导电型SiC衬底全球市场：美国科锐公司（Wolfspeed）占据了60%以上的市场份额，基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括：美国二六
26、（II-VI）、德国SiCrystalAG、道康宁（DowCorning）、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司：总体处于发展初期，主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年，天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。（二）半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐（WOLFSPEED）、贰陆公司（II-VI）依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三，2020年市占率达30%。国内外差距缩小，进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早，各尺寸量产推出时间方面，国内与全球行业龙头企业
27、存在差距：以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例，在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右，SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体，国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中，可观察到国内企业已迎头赶上，国内外差距正在缩小（举例：天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸，预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小）。目前海外龙头已向8吋发力（下游客户车规级为主），国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力（下游客户工业级为主）。二、 受益新能源车爆发，SiC产业
28、化黄金时代将来临据Yole统计，2020年SiC碳化硅功率器件市场规模约7.1亿美元，预计2026年将增长至45亿美元，2020-2026年CAGR近36%。其中，新能源汽车是SiC功率器件下游最重要的应用市场,预计需求于2023年开始快速爆发。新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(OBC)等核心电控领域，以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快速爆发，以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增效，产业化进程有望提速。应用端：解决电动车续航痛点。据Wolfspeed测算，将纯电动汽车逆变器中的功
29、率组件改成SiC时,可显著降低电力电子系统的体积、重量和成本，提升车辆5%-10%的续航。据英飞凌测算，SiC器件整体损耗相比Si基器件降低80%以上，导通及开关损耗减小，有助于增加电动车续航里程。成本端：单车可节省400-800美元的电池成本，与新增200美元的SiC器件成本抵消后，能够实现至少200-600美元的单车成本下降。客户端：特斯拉等车企已相继布局。Model3是行业第一家采用SiC逆变器的车型，开启了电动汽车使用SiC先河，单车总共有48个SiCMOSFET裸片，由意法半导体和英飞凌提供。其他车企包括比亚迪汉、丰田Mirai等也相继开始采用SiC逆变器。目前各大车企已在碳化硅领域
30、纷纷布局，成本是决定SiC何时在新能源车大批量使用的关键因素。2017年，特斯拉Model3成为第一家使用SiC逆变器的车型，其逆变器总重量下降至4.8kg（较此前减少约84%），续航能力提升6%（逆变器和永磁电机组合的效率高达97%，此前为82%）。预计未来续航里程500公里以上的高端SUV车和轿车有望均应用到SiC功率器件，小型SUV和中型轿车可能在2024-2025年后开始应用一部分SiC（随着SiC衬底产能大规模释放、成本下降），低端车可能会再随这之后。三、 新能源车带来百亿级市场空间，光伏逆变器应用前景可期2021年特斯拉全球销量达93.6万辆，主要为Model3/ModelY车型贡
31、献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆（其中，美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆）。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆，单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆，则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片，目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年，供给端产能吃紧。同时，目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上，共48颗SiCMOSFET，对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等，单车SiC器件使用量将达到100-15
32、0颗，市场需求将进一步扩大（单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底）。新能源车需求快速爆发，SiC产能吃紧，全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据，2021年全球电动汽车销量有望达631万辆（占总销量约6%），同比增长101%。对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年，市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信、轨交等领域，市场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中，基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右，是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代，光伏
33、电站电压等级从1000V提升至1500V以上，就必须使用碳化硅功率器件。据中国汽车工业信息网，使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器，转换效率可从96%提升至99%以上，能量损耗降低50%以上，设备循环寿命提升50倍，从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。据CASAResearch数据，2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的占比为10%，预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%，2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年（2020-2030年）10倍大赛道，预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537G
34、W，CAGR达24%-26%；全球新增装机需求达1246-1491GW，CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大，产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理，2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产，主要为衬底产能的扩张，其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划，分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。四、 打造三大开放门户充分发挥区位枢纽优势，强化与周边地区全方位合作，以全面开放吸引战略性新兴产业落地，以全面开放倒逼改革创新。面向太原都
35、市区的中部门户。向南依托忻府、定襄、原平地缘和交通优势，加大力度推进“忻定原”同城化，积极参与新一轮太原都市圈规划建设，坚持空间协同、产业协作、交通一体、设施共享，着力推进与太原都市区基础设施、产业布局、生态环境、公共服务、治理体系等一体化发展，建设太原面向京津冀产品重要物流节点、产业合作和科技成果转化基地。以项目为载体、园区为依托，强化与太原产业布局协作，推动建设太原忻州半导体产业基地。主动对接太原都市区“四个高地”建设，加快推进忻州定襄、忻州原平、忻州太原快速通道建设，吸引太原土地密集型、劳动力密集型产业的转移。面向陕蒙的西部门户。向西推动河曲、保德、偏关主动融入呼包鄂榆城市群，以晋陕蒙（
36、忻榆鄂）黄河区域协同发展框架协议签署为契机，建设晋陕蒙（忻榆鄂）黄河金三角合作区，推动我市建设成为面向西北的开放高地和人流、物流的重要节点。实施能源产业协作，积极打通区域内铁路专线微循环，全面融入国家“西煤东运”干线网，规划建设忻州-榆林-鄂尔多斯高速铁路和河曲石城至保德冯家川铁路线，推动与榆林、鄂尔多斯的能源技术和产业合作与交流，加快以清洁能源、精细化工为核心的现代能源化工产业集群高端化发展，合力建设区域矿产资源、化工产品交易中心，打造全省能源区域合作的引领示范区。推动与榆林、鄂尔多斯联动治理黄河生态环境，联合建设黄河国家生态示范区。充分利用独特区位优势，积极推动保德与陕西府谷良性互动、协调
37、发展。依托黄河“几”字弯区域丰富的游牧文化、农耕文化、西口移民文化、少数民族文化、民俗民间文化艺术，挖掘老牛湾、万家寨引黄工程、娘娘滩等旅游资源以及河曲民歌、二人台等地方特色民俗，合力打造国家级黄河文化生态保护示范区。面向京津冀的东部门户。抓住我市加入环渤海市长联席会议的机遇，依托忻雄高铁、集大原高铁建设，推动我市与京津冀和环渤海经济圈的全方位合作，向东推动繁峙、代县积极承接京津冀地区产业梯度转移，将繁峙建成面向京津冀的东部门户，将代县建设成为承东启西的重要节点，忻州成为重要交通枢纽，推动我市成为融入京津冀的“桥头堡”“后花园”，打造京津冀清洁能源输送基地和产业转移承接地。发挥五台山旅游的龙头
38、作用，瞄准京津冀大市场，加强旅游景区建设、完善旅游综合配套、创新旅游服务供给，打造京津冀游客休闲度假的首选地。充分发挥绿色小杂粮产业优势，全力推进鲜活农产品和高端绿色杂粮食品进入京津冀市场，打造京津冀农产品重要供应基地。五、 培育转型发展主体力量强化企业的产业主体地位，聚焦传统产业的迭代更新和新兴产业的培育壮大，引进一批、培育一批、壮大一批，培育壮大企业主体群落。实施领军型企业培育计划。鼓励龙头、骨干企业通过兼并重组、布局重大项目等方式，加快纵向延伸、横向联合、跨越发展。加大对入选“中国500强”“山西省100强”企业的奖励力度，重点对地方财政贡献突出、新投产入规的工业企业、入规后连续两年以上
39、未退出规模以上工业企业库的企业以及入规当年主营业务收入超过1亿元的领军企业，由市县两级给予支持，推动龙头企业做大做强做优。实施规上工业企业倍增计划。坚持企业主导、政府引导、试点带动、培优培强，从全市民营龙头企业、高新技术企业、外商投资企业、已上市或已挂牌“新三板”及上市后备企业中选取一批作为试点，创新各类要素供给，实现靶向精准扶持，采取科技创新、工业技改、发展总部经济、强化资本运营等集约化发展方式提升企业综合竞争力，引领带动全市规上工业企业数实现“倍增”。到2025年，全市规上工业企业增加到956家。推动省级中小微企业“专精特新”“小巨人”企业发展。针对不同发展阶段的企业开展精准服务，建立健全
40、忻州“专精特新”种子企业、“专精特新”中小企业、“专精特新”“小巨人”企业、制造业单项冠军企业的梯度培育体系。“十四五”期间力争新培育“小升规”企业400户以上，省级“专精特新”企业75户，省级“专精特新”“小巨人”企业15户。推动大中小企业融通发展，发挥大企业引领支撑作用，推动生产要素共享，促进创新资源开放，构建大企业与中小企业协同创新、共享资源、融合发展的发展格局。六、 项目实施的必要性（一）现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业，公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度，产品销售形势良好，产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展，公司
41、现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段，不断挖掘产能潜力，但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设，公司将有效克服产能不足对公司发展的制约，为公司把握市场机遇奠定基础。（二）公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级，公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动，不断研发新产品，提升产品精密化程度，将产品质量水平提升到同类产品的领先水准，提高生产的灵活性和适应性，契合关键零部件国产化的需求，才能在与国外企业的竞争中获得优势，保持公司在领域的国内领先地位。第四章 产品方案与建设规划一、 建设规模及主要建
42、设内容（一）项目场地规模该项目总占地面积60000.00（折合约90.00亩），预计场区规划总建筑面积101864.56。（二）产能规模根据国内外市场需求和xxx投资管理公司建设能力分析，建设规模确定达产年产xxx吨碳化硅材料，预计年营业收入78900.00万元。二、 产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平，并参考市场需求预测情况确定，同时，把产量和销量视为一致，本报告将
43、按照初步产品方案进行测算。产品规划方案一览表序号产品（服务）名称单位单价（元）年设计产量产值1碳化硅材料吨xx2碳化硅材料吨xx3碳化硅材料吨xx4.吨5.吨6.吨合计xxx78900.00半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代：1、第一代元素半导体材料：硅（Si）和锗(Ge)；为半导体最常用的材料，起源于20世纪50年代，奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等；是4G时代的大部分通信设备的材料，起源于20世纪90年代，奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、
44、氧化镓（Ga2O3）等，近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中，碳化硅（SiC）为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件，适用于600V以上高压场景，包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。第五章 选址方案一、 项目选址原则1、符合国家地区城市规划要求；2、满足项目对：原材料、能源、水和人力的供应；3、节约和效力原则；安全的原则；4、实事求是的原则；5、节约用地；6、注意环保（以人为本，减少对生态环境影响）。二、 建设区基本情况忻州市，山西省地级市，古称“秀容”，简称“忻”，别称“欣”。位于山西省中北部，北隔长城揽云朔，南界石岭通太原，西带黄河望陕蒙，东临
45、太行连京冀，辖14个县（市、区），总面积2.5万平方公里，是山西省版图最大的市。根据第七次人口普查数据，截至2020年11月1日零时，忻州市常住人口为2689668人。忻州市拥有佛教圣地五台山，“九塞尊崇第一关”的雁门关等知名旅游景点；拥有“摔跤之乡”、中国八音之乡、“中国杂粮之都”、“双拥模范城”、“中国观光旅游投资竞争力百强城市”、“国家历史文化名城代县”、“中国最佳生态休闲旅游示范城市”、“国家智慧城市”等城市名片。2017年6月，忻州市被命名国家卫生城市。2018年12月13日，入选中国特色农产品优势区名单。2020年10月10日，入选全国文明城市。在实现第一个五年“转型出雏型”重要阶
46、段性目标的基础上，人均生产总值力争达到全省平均水平，与全省同步实现全面转型，与全省、全国同步基本实现社会主义现代化。全要素生产率大幅提高，产业基础能力和产业链现代化水平显著提高，现代化经济体系基本建立；科技创新能力大幅提升，构建起协同高效、具有忻州特色的区域创新体系，经济发展实现由资源依赖向创新驱动转变；新型城镇化建设取得重大突破，全省重要区域中心城市影响力充分发挥；生态环境实现根本好转，绿色生产和消费方式全面形成；要素配置市场化改革进一步深化，公平竞争制度更加健全完善，“三大门户”作用进一步发挥，高水平对外开放格局全面形成；社会主义先进文化全面繁荣发展，法治忻州、法治政府、法治社会基本建成，公民素质和社会文明程度显著提升；中等收入群体显著扩大，基本公共服务实现更高水平均等化，教育现代化、医疗可及性和普惠性、社会保障公平性大幅提高，人