AEC-Q200试验条件.doc
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1、+说明:AEC-Q200的环境试验条件,主要是依据MIL-STD-202与JEDEC22A-104规范来制定的,不同零件的试验温度除了不一样之外,其施加电源(电压、电流、负载)要求也会有所不同,高温储存属于不施加偏压与负载,但是在高温工作寿命就需要,温度循环与温度冲击,其试验目的与手法不一样,在温度循环中高低温变化需控制温变率,温冲击则不用,偏高湿度就是俗称的高温高湿试验,而湿度抵抗就是湿冷冻试验试验条件注意事项:1000h试验过程需在250h、500h进行间隔量测高温储存(MIL-STD-202-108):适用设备:THS 薄膜电容、网络低通滤波器、网络电阻、热敏电阻、可变电容、可变电阻、陶
2、瓷共鸣器、EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器:85/1000h电感、变压器、电阻:125/1000h变阻器:150/1000h钽电容、陶瓷电容、铝电解电容:最大额定温度/1000h高温工作寿命(MIL-STD-202-108):适用设备:THS 网络低通滤波器、网络电阻:85/1000hEMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器:85/1000h/施加额定IL钽电容、陶瓷电容:最大额定温度/1000h/ (2/3)负载/额定电压 铝电解电容、电感、变压器:105/1000h薄膜电容:1000h/(85/125%额定电压、105&125/100%额定电压)自恢复保险丝:125/1000h电阻、热敏电阻、
3、可变电容:125/1000h/额定电压可变电阻:125/1000h/额定功率变阻器:125/1000h/额定电压85+ma电流陶瓷共鸣器:85/1000h/额定VDD+1M,并联逆变器,在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容石英震荡器:125/1000h/额定VDD+1M,并联逆变器,在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容温度循环(JEDEC22A-104):适用设备:TSR、ESS 薄膜电容、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器:-55(30min)85(30min)/RAMP(15/min)/1000cycles钽电容、陶瓷电容、电阻、热敏电阻: -55(
4、30min)125(30min) /RAMP(15/min)/1000cycles铝电解电容:-40(30min)105(30min) /RAMP(15/min)/1000cycles电感、变压器、变阻器、石英震荡器、自恢复保险丝:-40(30min)125(30min)/RAMP(15/min)/1000cycles网络低通滤波器、网络电阻:-55(30min)125(30min) /RAMP(15/min)/1000cycles温度冲击(MIL-STD-202-107):适用设备:TC、TSK自恢复保险丝:-40(15min)125(15min)/300cycles 偏高湿度(MIL-ST
5、D-202-103):适用设备:THS 钽电容、陶瓷电容:85/85%R.H./1000h/电压1.31.5V电感&变压器:85/85%R.H./1000h/不通电铝电解电容:85/85%R.H./1000h/额定电压EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器:85/85%R.H./1000h/额定电压电流电阻、热敏电阻:85/85%R.H./1000h/工作电源10%自恢复保险丝:85/85%R.H./1000h/额定电流10%可变电容、可变电阻:85/85%R.H./1000h/额定功率10%网络低通滤波器&网络电阻:85/85%R.H./1000h/电压网络电容(额定电压)、网络电阻(10%额定
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