《2022年半导体制造工艺教案.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《2022年半导体制造工艺教案.docx（22页珍藏版）》请在taowenge.com淘文阁网|工程机械CAD图纸|机械工程制图|CAD装配图下载|SolidWorks_CaTia_CAD_UG_PROE_设计图分享下载上搜索。
1、精选学习资料 - - - - - - - - - 课 题 序 号5 学习必备欢迎下载075 电子 1、2 授 课 班 级授 课 课 时18 授 课 形 式讲授授 课 章 节主题 5、化学气相淀积名称使 用 教 具多媒体明白化学气相淀积概念教 学 目 的2明白化学气相淀积系统和方法CVD 质量检测3明白外延的概念和生成方法教 学 重 点4把握 CVD 质量检测化学气相淀积系统和方法、外延的概念和生成方法、教 学 难 点 外延的概念更 新 、 补充 、 删 节 无内 容课 外 作 业 5-1 5-16教 学 后 记名师归纳总结 - - - - - - -第 1 页,共 12 页精选学习资料 - -
2、 - - - - - - - 学习必备 欢迎下载授课主要内容或板书设计第 5 章 化学气相淀积名师归纳总结 5.1概述第 2 页,共 12 页5.2化学气相淀积5.3化学气相淀积系统5.4外延5.5CVD 质量检测- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 学习必备 欢迎下载课 堂 教 学 安 排教 学 过 程 主 要 教 学 内 容 及 步 骤5.1 引言5.1.1 薄膜淀积的概念所谓薄膜, 是指一种在硅衬底上生长的薄固体物质；薄膜与硅片表面紧密结合,在硅片加工中,通常描述薄膜厚度的单位是纳米（nm）；半导体制造中的薄膜淀积是指在硅片衬底上增加一层匀称薄膜的工
3、艺；在硅片衬底上淀积薄膜有多种技术,主要的淀积技术有化学气相淀积（CVD ）和物理气相淀积（PVD ）,其他的淀积技术有电镀法、旋涂法和分子束外延法；化学气相淀积 CVD 是通过混合气体的化学反应生成固体反应物并使其淀积在硅片表面形成薄膜的工艺；而物理气相淀积（PVD ）是不需通过化学反应, 直接把现有的固体材料转移至硅片表面形成薄膜的工艺；电镀法是制备铜薄膜时主要采纳的淀积技术；旋涂法采纳的设备是标准的旋转涂胶机,比 CVD 工艺更经济,通常用于制备低 k（k 指介电常数）绝缘介 质膜；分子束外延法是一种制备硅外延层的较先进的淀积技术；5.1.2 常用的薄膜材料 在半导体制造中所包含的薄膜材
4、料种类许多,早期的芯片大约含有数十种, 而随着集成电路结构和性能的进展,芯片中薄膜材料种类也越来越 多,如图 5.1 所示,这些薄膜材料在器件中都起到了特别重要的作用；总的来说, 薄膜材料的种类可分为金属薄膜层、三种；绝缘薄膜层和半导体薄膜层图 5-1早期和现代MOS 结构中的各层薄膜1 金属薄膜层在半导体制造中的应用主要是制备金属互连线；2 常见的绝缘薄膜材料有二氧化硅SiO2 、掺杂二氧化硅如 PSG、BPSG、氮化硅 Si3N4 等；3 半导体薄膜材料主要有多晶硅、外延硅层等；5.1.3 半导体制造中对薄膜的要求在图 5.1 中给出了制作一个早期NMOS 管所需的淀积层；图中器件的特点尺
5、寸远大于；由于特点高度的变化,硅片上的各层薄膜并不平整,名师归纳总结 - - - - - - -第 3 页,共 12 页精选学习资料 - - - - - - - - - 学习必备 欢迎下载质量不高； 这成为超大规模集成电路时代所需的多层金属、高密度芯片制造的限制因素；随着硅片加工向更高的芯片密度进展,特点尺寸缩小到0 18 m 甚至更小,而且需要用到6 层甚至更多层金属来做连接；这使得在硅片上牢靠地沉积符合要求的薄膜材料至关重要；1.良好的台阶掩盖才能2. 填充高的深宽比间隙的才能图 5-2 薄膜的台阶掩盖图 5-3 高深宽比通孔填充成效比较3. 良好的厚度匀称性4. 高纯度和高密度5. 高度
6、的结构完整性和低的膜应力图 5-4 薄膜中晶粒的成核与生长过程图 5-5 膜应力导致硅片衬底发生变形6. 对衬底材料或下层膜良好的粘附性名师归纳总结 5.2化学气相淀积第 4 页,共 12 页5.2.1化学气相淀积的概念- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 学习必备 欢迎下载化学气相淀积 （CVD ）是通过混合气体的化学反应生成固体反应物并使其淀积在硅片表面形成薄膜的工艺；体,离开硅片表面并被抽出反应腔；反应系统供应附加的能量；5.2.2 化学气相淀积的原理反应产生的其他副产物为挥发性气 硅片表面及其邻近的区域被加热以向化学气相淀积工艺的反应在炉管反应腔内
7、进行,同时必需使化学反应 发生在硅片表面或者特别接近表面的区域（表面催化）,这样可以生成高 质量的薄膜； 而假如反应发生在距离硅片表面较远的地方,会导致反应物 粘附性差、密度低和缺陷多,这是必需防止的；例如：利用硅烷和氧气经过化学反应淀积SiO2 膜,其反应的生成物SiO2 淀积在硅片表面, 同时生成了气态的副产物氢气,氢气经排气系统排出炉管外；反应式如下：图 5-6 CVD 的主要反应过程 气态反应剂被输送至反应腔,以平流形式向出口流淌； 反应剂从主气流区以扩散方式通过边界层到达硅片表面； 反应剂被吸附到硅表面； 被吸附到硅表面的原子分子 在衬底表面发生化学反应,生成固态物质淀积成膜； 反应
8、产生的气态副产物和未反应的反应剂离开衬底,排出系统；5.3 化学气相淀积系统 5.3.1 APCVD 常压化学气相淀积（APCVD ）是指在一个大气压下进行的一种化学气相淀积的方法,这是最初采纳的 CVD 方法；这种方法工艺系统简洁,工艺温度是 400600,反应速度和淀积速度快（淀积速度可达 1000 nm/min ）,但其淀积的薄膜匀称性较差,气体消耗量大,且台阶掩盖才能差,因此APCVD 常被用于淀积相对较厚的介质层（如PSG 或 BPSG 等）；名师归纳总结 图 5-7APCVD 第 5 页,共 12 页- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 学习必
9、备 欢迎下载1. SiO2 的淀积 1硅烷 SiH4 法是用 O2 氧化 SiH4 来淀积 SiO2；2TEOS-O3 法是使用正硅酸乙酯TEOS 与 O3 反应淀积SiO2；2. 掺杂 SiO2 的图 5-8 PSG 回流后表面平整化图 5-9 气体分子的运动轨迹图 5-10 LPCVD 1. SiO2 的淀积 2. Si3N4 淀积 3. 多晶硅淀积图 5-11 多晶硅栅自对准工艺示意图名师归纳总结 - - - - - - -第 6 页,共 12 页精选学习资料 - - - - - - - - - 学习必备 欢迎下载4. 典型的 LPCVD 工艺设备操作 1做好淀积前的预备工作,包括按流程
10、卡确认程序、工艺、设备及硅片数 量；2硅片清洗；3挑选程序；4系统充气；5装片；6按“START” 键,设备将按设定的程序进炉；7程序终止,自动出舟,同时发出报警声,此时按面板上的“ACK ” 键,报警声排除；8经 10min 冷却后,取下正片或测试片,放入传递盒待检验和测试；5.3.3等离子体帮助CVD 是被电离后的气体,即以离子态形式存在的气等离子体又叫做电浆,体正离子和电子组成的混合物；它广泛存在于宇宙中, 常被视为是除固、液、气之外,物质存在的第四态；在自然界里,火焰、闪电、太阳等都是等离子体； 等离子体有以下两个特点： 等离子体出现出高度不稳固态,有很强的化学活性；等离子体帮助 CV
11、D 就是利用了这个特点； 等离子体是一种很好的导电体,利用经过设计的磁场可以捕获、移动和加速等离子体； 这两个特点在后面的等离子体刻蚀工艺中得到了很好的利用；等离子体产生方法有辉光放电、射频放电和电晕放电等；1有更低的工艺温度250450 ；用高密度等离子体CVD ；2对高的深宽比间隙有好的填充才能3淀积的膜对硅片有优良的粘附才能；4有较高的淀积速率；5有较少的针孔和空洞,因而有较高的膜密度；6 腔体可利用等离子体清洗；1. 等离子体增强CVD PECVD 的反应腔示意图图 5-12名师归纳总结 - - - - - - -第 7 页,共 12 页精选学习资料 - - - - - - - - -
12、 学习必备 欢迎下载1清洗；2装片；3挑选菜单；4卸片；5测量；2. 高密度等离子体CVD 的一个突破创新之处就在于在同一个反应1同步淀积和刻蚀HDPCVD腔中同步地进行淀积和刻蚀的工艺；图 5-13 同步淀积和刻蚀2浅槽隔离 STI 对于特点尺寸在0.35 m 以上的器件,通常采纳局部氧化LOCOS 技术来隔离,如图 5-14b 所示；图 5-14 两 MOS 器件间的隔离3. 多腔集成 CVD 设备图 5-15 多腔集成 CVD 设备5.4 外延5.4.1 外延的概念、作用、原理外延 EPI 工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶向的单晶薄膜材料, 该单晶薄膜层称为外延层；外延层除晶
13、向必需与衬底一样外,其单晶材料、掺杂类型、掺杂浓度和厚度都可以按设计要求与衬底不同；名师归纳总结 - - - - - - -第 8 页,共 12 页精选学习资料 - - - - - - - - - 学习必备 欢迎下载如在硅衬底上生长单晶硅外延层称为同质外延层；如在硅衬底上生长锗外延层称为异质外延层；如在重掺杂衬底上生长轻掺杂外延层称为正外延；在轻掺杂衬底上生长的重掺杂外延层称为反外延；外延层的掺杂厚度、浓度、轮廓等属性简洁掌握而不受硅衬底影响,性能方面供应了很大的敏捷性；因此这为设计者在优化器件5.4.2外延生长方法图 5-16外延层的用途外延生长有两个重要条件:一是必需去除表面的自然氧化层及
14、硅片表面的杂质；假如表面有一层薄的二氧化硅、非晶态层表面或污染物,就会影响外延生长原子的正确定位,结果导致薄膜结构为多晶硅或形成缺陷较 多的单晶；二是衬底的表面温度足够高（气相外延时）,只有在高温的情 形下,淀积在衬底上的硅原子才有足够的动能移动到适当的位置与衬底形成一样晶向的单晶,而低温淀积形成的薄膜为多晶；1.气相外延图 5-17 卧式、立式和桶式反应炉示意图1清洁；2换气；3装炉；4原位抛光；5外延生长；6取片；2. 分子束外延名师归纳总结 - - - - - - -第 9 页,共 12 页精选学习资料 - - - - - - - - - 学习必备 欢迎下载图 5-18 MBE 系统设备
15、示意图1超高真空工艺可以制备高质量 等单晶薄膜；2低温生长,削减自掺杂；良好的匀称性、纯度和较低的晶体缺陷3薄膜厚度、成分和浓度可严格掌握,可实现厚度在原子层级别的超薄薄 膜沉积；4系统加入薄膜生长质量分析仪,5.4.3 硅外延工艺1. 双极型晶体管中外延层的应用可进行原位观看, 实时反馈以掌握生长；图 5-19 制作双极型晶体管的工艺流程1P 型硅衬底预备；2埋层扩散；3外延层的形成；4制作隔离区；5制作基区；6制作发射区；7制作引线电极；2. 绝缘硅技术名师归纳总结 - - - - - - -第 10 页,共 12 页精选学习资料 - - - - - - - - - 学习必备欢迎下载SOI 图 5-20图 5-21 SOI 技术使器件占用芯片的面积减小5.5 CVD 质量检测1. 膜厚表 5-1 比色法薄膜颜色表2. 折射率3. 台阶掩盖率图 5-22 椭偏仪测试示意图4. 匀称性名师归纳总结 - - - - - - -第 11 页,共 12 页精选学习资料 - - - - - - - - - 学习必备 欢迎下载图 5-23 硅片中测试点的选取名师归纳总结 - - - - - - -第 12 页,共 12 页