防静电工作区技术要求.doc

-! 附件一 防静电工作区技术要求（试行） 1. 范围 1.1 主题内容 本标准规定了供操作静电放电敏感电子产品用的防静电工作区应具备的各项技术要求。 1.2 适用范围 本标准适用于防静电工作区。 2. 引用文件 GB4385-1995 防静电鞋、导电鞋技术要求 GBI2014-89 防静电工作服 GJB/Z25-91 电子设备和设施的接地、搭接和屏蔽设计指南 GJBI649-93 电子产品防静电放电控制大纲 SJ/T10694-1996 电子产品制造防静电系统测试方法 GJB3007-97 防静电工作区域技术要求 3. 术语及缩写词 3.1 术语 3.1.1 防静电工作区 配备各种防静电设备和器材、能限制静电电位、具有确定边界和专门标记的适于从事静电防护操作的场所。 3.1.2 操作 在操作放电敏感电子产品的制造、老化、筛选、检测、装联、包装、储存、修理和失效分析等过程中，直接或间接作用于产品的有效活动。 3.1.3 接地 电子连接到能供给或接受大量电荷的物体（如大地、舰船或运载工具外壳等）。 3.1.4 硬接地 直接与大地电极作导电性连接的一种接地方式。 3.1.5 软接地 通过一足以限制流过人体的电流达到安全值的电阻连接到大地电极的一种接地方式。 3.1.6 大地电极 埋于地下与大地保持良好的电气连接的金属体或金属体组。 3.1.7 静电耗散材料 其表面电阻率等于或大于1105Ω/□，但小于11012Ω/□；或体积电阻率等于或大于1104Ω.cm，但小于11011Ω.cm,能快速耗散其表面或体内静电荷的材料。 3.1.8 导（静）电材料 其表面电阻率小于1105Ω/□或体积电阻率小于1104Ω.cm的材料。 3.2 缩写词 3.2.1 静电放电 ESD electrostatic discharge 3.2.2 静电放电敏感（的）ESDS electrostatic discharge sensitive 3.2.3 防静电工作区 EPA electrostatic discharge protected area 3.2.4 接地连接点 EBP earth bonding point 4. 详细要求 4.1 防静电标志 4.1.1 防静电标志应符合GJB 1649的规定，如图1和图2所示。 4.1.2 图1和图2所示的防静电标志适用于需要静电防护的产品和静电敏感的器件，单板和部件等需要进行静电防护的产品。 图1 防静电标记符号 图2 防静电标志图样 4.2 静电电位 如无另外规定，EPA内的静电电位应满足下列要求，即在任何情况下，在EPA内贮存、使用或接受加工的未带ESD外防护的ESDS产品周围 300mm 空间之内任一物体的静电电位不得超过100V。 使用准确度优于10% 的非接触式静电电压表进行测试。 4.3 气候与环境条件 4.3.1 温度 EPA内应装设有温度调节装置，以维持其室温在15～35℃的范围内，保证每天的同一时间测量和记录一次。 4.3.2 湿度 EPA内应装设有湿度调节装置，保持其室内相对湿度在45％～75％范围内，保证每天的同一时间测量和记录一次。 4.4 静电消除器（必要时） 在工作台面上方的适当部位或其它部位，必要时应装设静电消除器，以消除未打开的包装件上的静电荷和在操作过程中因人体、工具及其它物品相互摩檫在工件上产生的静电荷。静电消除器应能消除任何一种极性的电荷，并在其有效防护区域内使静电位保持在规定值以内，中和能力应优于250V/S，一般配置离子风扇，中和能力控制在1000V中和至100V的时间在2秒以内。 4.5 接地 4.5.1 防静电接地分系统 防静电地极接地，分别在制造中心大楼南、北楼中轴线埋装三组地极铜板，每块紫铜板的厚度为3mm，长度为1500mm，宽度为1000mm，埋没入地下深度为2500mm，同时添加专用土质降阻剂，地极铜板的接地电阻须小于1Ω。 4.5.2 PVC防静电地板接地 将防静电地板导电地网与地坪内的防静电铜排全部搭接。 4.5.3 装配、调试工作台接地 装配、调试工作台通过接地扣与防静电地线连接，手腕带接地通过导线BV6.0mm2和预留的防静电地线连接。 4.5.4 接地安装注意 a) 不允许交流线路的走线与直流地线紧贴或平行敷设，以防对直流信号造成干扰； b) 各接地分系统的连线之间应当相互隔离，为此应使用带绝缘外皮的导线； c) 各接地干线之间的连线应采用钎焊、熔焊或压力连接件、卡箍等进行搭接连接； d) 防静电工具、装置等的接地端子允许使用易于装拆的各种夹式连接器，例如锷鱼夹、插头座等，但应确保电气连接可靠； e) 防静电工作台和装置、设备等的故障保护地线应采用最小截面积不小于1.25mm2的多股敷塑导线，外皮颜色为黄绿色。 4.6 各种器材、用具的静电性能 4.6.1 ESD防护工作台面 EPA内的ESD防护工作台面应使用静电耗散材料制成并接地良好。ESD防护工作台面的对地电阻和表面（点对点）电阻要求见表1。 表1 EPA内各种器材的静电性能要求 单位：Ω 器 材 名 称 表面（点对点）电阻 对地电阻 穿戴状态下对地电阻 说 明 工作台面 7.5105～1.01010 7.5105～1.0109 防静电地面 1.0105～1.01010 1.0105～1.0109 腕带 7.5105～3.5107 7.5105～5.0106 腕带连线端对端测量 鞋束(足跟带) 5104～1.0108 存放架 运输小车 7.5105～1.01010 7.5105～1.0109 周转容器 103～1.01010 防静电工作服 1105～1.01010 1105～1.01010 防静电鞋 5104～1.0108 双脚测量 4.6.2 ESD地坪 EPA应采用静电耗散地板并接地良好，对其地电阻和表面（点对点）电阻的要求见表1。 4.6.3 ESD防护腕带 a) 腕带内表面（与手腕的接触面）对地电阻应符合表1的规定； b) 佩戴腕带的情况下，对地电阻应符合表1的规定； c) 供连接腕带用的腕带连线，其端对端之间的电阻应符合表1的规定。 4.6.4 物品存放架、内部运输小车（物流车） 应能通过支架或轮子接地，它与工件接触的表面应由静电耗散材料制作。对地电阻和表面电阻（点对点）电阻值应符合表1。 4.6.5 周转容器（箱、盘、盒） 其内、外表面（点对点）电阻应符合表1规定。 4.6.6 电烙铁 焊头部位应进行硬接地，从焊头至接地系统的电阻应不大于2Ω。应定期检查加热丝与焊头的绝缘性能(＞108Ω)。 4.6.7 防静电服 工作服应符合GB12014的规定，其各部分之间应存在着电气连续性。工作服的设计应保持其在穿着状态下与人体皮肤直接或间接地接触。工作服对地电阻和表面（点对点）电阻要求按表1。 4.6.8 防静电鞋 进入EPA的人员应穿防静电鞋。在穿用状态下，鞋、袜对地电阻值应符合表1对定。 5. 技术管理要求 5.1 人员培训 凡与EPA相关的工作人员，均需经过基本防静电知识的培训。操作人员应掌握各种器具的使用技能和操作规则与方法。 5.2 静电源控制 凡易于产生磨擦静电的材料，例如普通塑料、橡胶、合成纤维等，在EPA内尽量避免使用；若必须使用，则要配备离子风机。 5.3 包装 进入EPA的元器件或组件，必须使用防护罩或袋进行防静电包装（包括非ESDS产品）。即使已被发现为失效的元器件或组件，在送去修复或进行失效原因分析之前，同样需与正常品一样进行防静电包装。并且包装与拆包装操作均需在EPA内进行。 5.4 人体防护 5.4.1 凡进入EPA的人员必须穿防静电工作服，长头发的人员应佩戴由防静电布料制作的工作帽，以防头发与ESDS产品发生接触放电。 5.4.2 凡与ESDS产品接触的人员，包括操作人员、工程技术或管理人员、参观人员等，需佩戴防静电腕带，并应保持其与人体、与接地系统都接触可靠。 5.4.3 凡进入EPA的人员必须穿防静电工作鞋，并应保持与防静电地面接触以泄漏人体静电荷。 5.4.4 必要时，应佩戴防静电手套或防静电指套进行操作。 5.4.5 在EPA 内的人员操作ESDS产品时不准进行与工作无关的肢体活动。 5.4.6 文件资料防护 在EPA内使用的文件资料，其与别的物体之间或文件自身之间的接触分离，所产生的静电位不能大于100V。必要时，这些文件资料应装在透明防静电包装袋内。 5.4.7 EPA维护与检查 对EPA的各项技术要求，必须经常性地进行检查、监测，以维持其各项性能符合本标准的规定。检查的时间周期如下表所列。日检测项目由使用个人完成，周、月、季检测项目由工艺部完成。 检测项目表 检查项目 检查周期 测量仪器 日 周 月 季 年 防静电手腕带 ★ ☆ ☆ ☆ 人体综合测试仪 防静电鞋 ★ ☆ ☆ ☆ 人体综合测试仪 环境温度 ★ ☆ ☆ ☆ 温度计 环境湿度 ★ ☆ ☆ ☆ 湿度计 仪器、设备、工作台接地线电阻 ☆ ☆ 表面电阻测试仪 离子风机 ☆ ☆ 静电电压量测仪 工作服表面电阻量测 ☆ ☆ 兆欧表 工作台面（包括台垫）表面电阻与系统电阻 ☆ 兆欧表 周转容器表面电阻与系统电阻 ☆ 兆欧表 存放容器、小车等表面电阻与系统电阻 ☆ 兆欧表 电烙铁接地电阻与绝缘电阻 ☆ 万用表 防静电地面量测（表面电阻与系统电阻） ☆ 兆欧表 注：★ 全检项目，☆ 抽检项目 6. 附件 附录A 静电敏感电子元器件 附表一：《防静电手腕带、防静电鞋检试记录表》 附表二：《温度、湿度记录表》 附表三：《设备、仪器、工具接地测量表》 审批： 审核： 拟制： 附 录 A（资料性附录） 静电敏感电子元器件 电子元器件静电敏感度的分级如下： A1 1级（ 1999V）ESDS元器件 a) 微波器件（肖特基二极管，点接触二极管和f > 1Ghz的检波二极管）； b) MOS场效应晶体管（MOSFET）； c) 结型场效应晶体管（JFET）； d) 声表面波器件（SAW）； e) 电荷耦合器件（CCD）； f) 精密稳压二极管（线性或负载电压调整率小于0.5%）； g) 运算放大器（OP AMP）； h) 集成电路（IC）； i) 混合电路（1级ESDS元件组成）； j) 特高速集成电路（VHSIC）； k) 薄膜电阻器； l）可控硅整流器（SCR）（环境温度100℃ 时，I0 < 0.175A）。 A2 2级（2000V～3999V）ESDS元器件 a) MOS场效应晶体管； b) 结型场效应晶体管； c) 运算放大器； d) 集成电路； e) 特高速集成电路； f) 精密电阻网络（RZ型）； g) 混合电路（2级ESDS元件组成）； h) 低功率双极型晶体管（Pt 100mV，Ic < 100mA）。 A3 3级（4000V～15999V）ESDS元器件 a) MOS场效应晶体管； b) 结型场效应晶体管； c) 运算放大器； d) 集成电路； e) 特高速集成电路； f) ESDS1级或2级不包括的所有其它微电子器件； g) 小信号二极管（P < 1W或I0 < 1A）； h) 一般硅整流器； i) 可控硅整流器（I0 > 0.175A）； j) 小功率双极型晶体管（350mW > Pt > 100mV 和400mA > Ic > 100mA）； k) 光电器件（光电二极管、光电晶体管、光电耦合器）； l) 片状电阻器； m) 混合电路（3级ESDS元器件组成）； n) 压电晶体。 富不贵只能是土豪，你可以一夜暴富，但是贵气却需要三代以上的培养。孔子说“富而不骄，莫若富而好礼。” 如今我们不缺土豪，但是我们缺少贵族。 　　高贵是大庇天下寒士俱欢颜的豪气与悲悯之怀，高贵是位卑未敢忘忧国的壮志与担当之志 高贵是先天下之忧而忧的责任之心。 　　精神的财富和高贵的内心最能养成性格的高贵，以贵为美，在不知不觉中营造出和气的氛围；以贵为高，在潜移默化中提升我们的素质。以贵为尊，在创造了大量物质财富的同时，精神也提升一个境界。 　　一个心灵高贵的人举手投足间都会透露出优雅的品质，一个道德高贵的社会大街小巷都会留露出和谐的温馨，一个气节高贵的民族一定是让人尊崇膜拜的民族。别让富而不贵成为永久的痛。 　　分享一段网上流传着改变内心的风水的方法，让我们的内心高贵起来： 　　喜欢付出，福报就越来越多；喜欢感恩，顺利就越来越多；喜欢助人，贵人就越来越多；喜欢知足，快乐就越来越多；喜欢逃避，失败就越来越多；喜欢分享，朋友就越来越多。 　　喜欢生气，疾病就越来越多；喜欢施财，富贵就越来越多；喜欢享福，痛苦就越来越多；喜欢学习，智慧就越来越多。