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1、 2、什么是屏蔽效应和钻穿效应？如何解释同一主层中的能级分裂及不同主层中的能级交错现象？ 答：在多电子原子中由于内层电子对某一电子的排斥使核电荷对该电子的吸引作用削弱，这种作用称为屏蔽作用或屏蔽效应。 钻穿作用：指外层电子钻到内层空间而靠近原子核的现象，电子离核越近，能量越低。 由于电子钻穿能力强弱的顺序为ns np nd 同一主层中的能级分裂能量高低顺序为Ens Enp End 不同主层中的能级交错现象也可用钻穿效应来解释。例如： E4s5eV)。在一般电场条件下，难以将满带中的电子激发到空带中，故不能导电。 半导体的满带和相邻空带之间的能隙较窄，当受光或加热时，满带中的部分电子可以跃迁到空
2、带中，空带中有了电子变成导带，原满带缺少电子也形成导带。因此，半导体在一定条件下具有导电性。 19、试用离子极化的观点解释AsF溶于水，AsCl、AsBr、AsI难溶于水，溶解度由AsCl到AsI依次减少。 答：阴离子半径越大，受阳离子的极化影响，其电子云的变形性越大，阴、阳离子的电子云重叠也就越多。离子中的共价键成分也越多。由于F、Cl 、Br 、I从左到右，离子半径逐渐增大。 其变形性程度： FCl Br I 共价键成分从AsF、AsCl、AsBr到AsI逐渐增多。因此AsF离子性最强，溶解度大，易溶于水；AsCl、AsBr、AsI共价键成分多，难溶于水。由于它们的离子性逐渐降低，在水中的溶解度也逐渐降低。