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1、1 / 18 电子电路分析与制作试卷库第一部份应知部分一、单项选择题：1.差分放大电路是为了_而设置的。 ( A、稳定 Au B、放大信号 C、抑制零点漂移2.共集电极放大电路的负反馈组态是_。 ( A、压串负 B、流串负 C、压并负3.差分放大电路RE上的直流电流IEQ 近似等于单管集电极电流ICQ_倍。 ( A、1 B、2 C、3 4.为了使放大器带负载能力强，一般引入_负反馈。 ( i.A、电压 B、电流 C、串联1、 三端集成稳压器CW7812 的输出电压是_。b) A、12V B、5V C、9V A、饱和 B、截止 C、交越 D、频率5.共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它
2、反映放大电路_能力。A、放大差模抑制共模 B、输入电阻高 C、输出电阻低6.LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在_之间变化。A、020 B 、20200 C 、2001000 7.单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=_Uz A、0.45 B、0.9 C、1.2 8.单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( U2。( A 0.45 B 0.9 C 1.2 9.三端集成稳压器CW7906 的输出电压是 _( A -6V B -9v C -12v 10.差分放大电路是为了_而设置的。A稳定 Au B放大信号 C抑制零点漂移11.KMCR 是差分放大电路的一个主要技术指标，它
3、反映放大电路_能力。 A放大差模抑制共模 B 输入电阻高 C输出电阻低12.LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在_变化。A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 1 页，共 18 页2 / 18 13.共集电极放大电路的负反馈组态是_。( A、压串负 B、流串负 C、压并负14.差分放大电路RE上的直流电流IEQ 近似等于单管集电极电流ICQ_倍。 ( A、1 B、2 C、3 15.为了使放大器带负载能力强，一般引入_负反馈。 ( A、电压 B、电流 C、串联16.差分放大
4、电路是为了_而设置的。A、稳定 Au B、放大信号 C、抑制零点漂移17.共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路_能力。 ( A、放大差模抑制共模 B、输入电阻高 C、输出电阻低18.LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在_之间变化。 ( A、020 B 、20200 C 、2001000 19.单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=_Uz ( A、0.45 B、0.9 C、1.2 20.振荡器的输出信号最初由_而来的。 (C A、基本放大器 B 、选频网络 C 、干扰或噪声信号21.三端集成稳压器CW7906 的输出电压是 _ ( A -6V B -9v
5、 C -12v 22.KMCR 是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路_能力。 ( A放大差模抑制共模 B 输入电阻高 C输出电阻低23.LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在_变化。 ( A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 24.单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( U2。A 0.45 B 0.9 C 1.2 25. A感性 B阻性 C 容性26.通用型集成运放的输入级多采用。 A.共基接法 B.共集接法 C. 共射接法 D. 差分接法27.两个 相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。( A.B.2 C.2D.1+28.硅二极管的正向
6、导通压降比锗二极管的。( A. 大 B. 小 C. 相等29.在桥式 A.A=-1800， F=+1800 B. A=+1800，F=+1800 C. A=00，F=00精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 2 页，共 18 页3 / 18 30.集成运放的互补输出级采用。( A.共基接法 B.共集接法 C. 共射接法 D. 差分接法31.两个 相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。( A. B.2 C.2D.1+32.硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。( A. 大 B. 小 C. 相等33.放大器的输入电阻高，表明其放大微弱信
7、号能力。 ）、强、弱、一般34.射极跟随器具有特点。 ）、电流放大倍数高、电压放大倍数高、电压放大倍数近似于且小于输入电阻高，输出电阻低35.引入并联负反馈，可使放大器的。 ）、输出电压稳定、反馈环内输入电阻增加、反馈环内输入电阻减小36.直接耦合放大器的低频特性比阻容耦合放大器的。 ）、好、差、相同37.工作在线性区的运算放大器应置于状态。 ）、深度反馈、开环、闭环38.产生正弦波自激震荡的稳定条件是。 ） A、引入正反馈 B、|AF| 1 C、AF=1 39.测量脉冲电压例如尖脉冲）的峰值应使用。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波41. 在单相桥式整流电路
8、中，若有一只整流管接反，则。( A. 输出电压约为 2UD B. 变为半波直流 C. 整流管将因电流过大而烧坏42. 直流稳压电源中滤波电路的目的是。( A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将交、直流混合量中的交流成分滤掉43. 滤波电路应选用。( A.高通滤波电路 B. 低通滤波电路 C. 带通滤波电路44. 串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。( A. 基准电压 B. 采样电压 C. 基准电压与采样电压之差45. 开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是。( A. 调整管工作在开关状态 B. 输出端有 LC滤波电路 C. 可以不用电源变压器46. 下列逻辑代数运算错误
9、的是。 A. A0=0 B. A+1=A精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 3 页，共 18 页4 / 18 C. A1=A D. A+0=A47. 在何种输入情况下，“或非”运算的结果是逻辑1。 ）A. 全部输入为0 B. 全部输入为1 C. 任一输入是0，其它输入为1 D. 任一输入是1 48. 当某种门的输入全部为高电平，而使输出也为高电平者，则这种门将是 ）。A与非门及或非门 B与门C或门及异或门 D与门及或非门49.TTL 与非门的扇出系数是 ）。A 输出端允许驱动各类型门电路的平均数目B 输出端允许驱动同类型门电路的最小数目
10、C 输出端允许驱动同类型门电路的最大数目D 以上各项都不是50. 一个 16 选 1 的数据选择器十六路数据选择器），其地址输入选择控制输入）端有 ）。A1 个 B 2 个C4 个 D 8 个51. 对于JK触发器，输入J0，K1，CP脉冲作用后，触发器的状态应为 ）。A1 B0 C不定 D 以上各项都不是52. 异步时序电路和同步时序电路比较，其差异在于 ）。A没有触发器 B没有统一的时钟脉冲控制C没有稳定状态 D输出只与内部状态有关53. 随机存取存储器 ）。 ）A 只读存储器B挥发性存储器C不挥发性存储器 DA、B、C三项都不是54. 晶闸管内部有 ）PN结。A 一个， B 二个， C
11、三个， D 四个55. 单结晶体管内部有）个 PN结。A 一个， B 二个， C 三个， D 四个56. 晶闸管可控整流电路中的控制角减小，则输出的电压平均值会。A 不变， B 增大， C 减小。57. 单相半波可控整流电路输出直流电压的平均值等于整流前交流电压的 ）倍。A 1 ， B 0.5， C 0.45， D 0.9. 58. 单相桥式可控整流电路输出直流电压的平均值等于整流前交流电压的 ）倍。A 1 ， B 0.5， C 0.45， D 0.9. 59. 为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作，应在电路中接入）。A 三极管， B 续流二极管， C 保险丝。60. 晶闸管可整流电路中
12、直流端的蓄电池或直流电动机应该属于）负载。A 电阻性， B 电感性， C 反电动势。61. 直流电动机由晶闸管供电与由直流发电机供电相比较，其机械特性。A 一样， B 要硬一些， C 要软一些。62. 带平衡电抗器的双反星型可控整流电路适用于）负载。精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 4 页，共 18 页5 / 18 A 大电流， B 高电压， C 电动机。63. 晶闸管在电路中的门极正向偏压）愈好。A 愈大， B 愈小， C 不变64. 晶闸管两端并联一个RC电路的作用是 ）。A 分流， B 降压， C 过电压保护， D 过电流保护。
13、65. 压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来 ）。A 分流， B 降压， C 过电压保护， D 过电流保护。66. 变压器一次侧接入压敏电阻的目的是为了防止C）对晶闸管的损坏。A 关断过电压， B 交流侧操作过电压， C 交流侧浪涌。67. 晶闸管变流装置的功率因数比较 ）。A 高， B 低， C 好。68. 晶闸管变流器接直流电动机的拖动系统中，当电动机在轻载状况下，电枢电流较小时，变流器输出电流是）的。A 连续， B 断续， C 不变。69. 普通晶闸管的通态电流额定电流）是用电流的）来表示的。A 有效值 B 最大赛值 C 平均值70. 普通的单相半控桥可整流装置中一共用了）晶闸管。A 一
14、只， B 二只， C 三只， D 四只。71在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是 ）。ANPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管72某场效应管的转移特性如图所示，该管为 ）。AP沟道增强型MOS 管 B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS 管 D、N沟道耗尽型MOS 管73通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的 ）。A输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大74. 在图示电路中,Ri 为其输入电阻，RS 为常数，为使下限频率fL 降低，应）。A 减小 C
15、，减小 Ri B. 减小 C ，增大 Ri C. 增大 C ，减小 Ri 75.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成, 即 RC串并联选频网络和 ）。A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路76. 已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示, 该电路可能是 =t)sin(mU(V, 则正弦电压的有效值等于 ）AmU21B mU22CmUD mU278为使放大电路的输出电压稳定、输入电阻增大，需引入的交流负反馈是 ）A电压串联B 电压并联精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 5 页，共 18
16、 页C电流串联D 电流并联79其特征是是理想运放的输出电阻,Ro ）A0RoB 较大oRC趋于oRD 与信号有关oR80集成运放作为线性应用时，电路形式一般是 ）A开环B 正反馈C开环或正反馈D 深度负反馈81单相桥式整流电路，2U为变压器副边电压有效值，则二极管承受的最高反压RMU为）A222UB 22UC2U2D 2U82开关型集成稳压器与普通线性集成稳压器相比较，前者的突出特点是 ）A稳压效果好B 效率高C滤波电容大D 输出纹波小83卡诺图中，把8 个相邻项合并，能够消除的变量数为 ）A1 个B 2 个C3 个D 4 个84在下列各图中，使输出F=1的电路是 B的输出 G表达式为 ）AA
17、GBB BAGCBAGD ABG86在下列各图中,能实行n1nQQ的电路是 ）精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 6 页，共 18 页7 / 18 87三极管 值是反映 ）能力的参数。A电压控制电压B电流控制电流C电压控制电流D电流控制电压88 N沟道绝缘栅增强型场效应管的电路符号是 ）89互补对称功率放大器是 ）A共发射极电路B共基极电路C共集电极电路D差动电路90振荡频率较低，一般在1MHz以内的电路是= ）A0.45U2 B0.9U2 C1.1U2 D1.2U2 92用三端稳压器组成稳压电路，要求U0=5V I0=0.5A应选用的
18、稳压器是 ）ACW7805 BCW7905 CCW78M05 D CW78L05 93三位二进制代码可以编出的代码有 ）A3 种B4 种C6 种D8 种94发光二极管的工作电流为 B几十 几百 ( 微安 C几 十几 ( 毫安 D几安培95在 CP有效的情况下，当输入端J=l 、K=0时，则 J-K 触发器的输出Qn+1= ）A1 B0 CQn D精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 7 页，共 18 页8 / 18 96已知逻辑函数则根据逻辑关系可等效为 ）97用 555 定时器构成的施密特触发器当5 脚经电容接地时，两个阈值电压是 ）9
19、8通常情况下，ADC 和 DAC从速度上比较 ）ADAC比 ADC快B DAC比 ADC慢C一样快D无法确定99.PN 结在外加正向电压的作用下，扩散电流 ）漂移电流。a. 大于 b. 小于 c. 等于100、当环境温度降低时，二极管的反向电流 ）a. 不变 b. 增大 c.减小101、测得BJT 各极对地电压为VB=4V ，VC=36V，VE=3 4V，则该BJT 工作在 ）状态。a. 截止 b.饱和 c.放大102、NPN管工作在放大区时，三个极的电位特征是 ）。a.VCVBVE b.VCVBVE c.VEVB VC d.VE VB VC 103、为了减小输出电阻，集成运放的输出级多采用
20、）电路。a. 共射或共源 b.差分放大 c.互补对称104、运放的共模抑制比越大越好，因为它越大，表明运放的 ）a. 放大倍数越稳定 b.交流放大倍数越大 c.抑制温漂能力越强105、希望接上负载RL后， VO基本不变，应引入）负反馈。a. 电压 b.电流 c.串联 d.并联106、要求得到一个由电流控制的电压源，应引入 ）负反馈。a. 电压串联 b.电压并联 c.电流串联 d.电流并联107、某放大电路，当输入电压为10mV时，输出电压为7V，输入电压为15mV时，输出电压为 6.5V，则 AV= ）a.700 b.100 c.-100 108、某 BJT的 IE=1mA ， IB=20A，
21、则 IC= ）mA a.0.98 b.1.02 c.0.8 d.1.2 109.PN 结外加反向电压时，其内电场 C ）。a. 减弱 b.不变 c.增强110. 锗二极管的死区电压为 ）V。a.0.5 b.0.2 c.0.3 111. 测得 BJT各极对地电压为VB =1.8V，VE =0V，VC=12V ，则该管工作在 ）状态。a. 截止 b.饱和 c.放大 d.已损坏112. 测得 BJT 三个管脚1、2、3 对地电位分别为0V， 0.2V ， 3V，则 1、2、3 脚对应的精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 8 页，共 18 页9
22、 / 18 三个极是 ）。 a 、 ebc b、ecb c、cbe d、bec 113.OTL 功放电路的输出端通过耦合电容与负载相联。静态时，该电容上的电压为 ）。a.VCC b.21VCC c.2VCC 114.FET 用于放大时，应工作在 ）区。a. 可变电阻 b.饱和 c.击穿115. 为了提高输入电阻，减小温漂，集成运放的输入级大多采用 ）电路。a. 共射或共源 b.共集或共漏 c.差放电路116. 希望静态时，元件参数改变时对放大器静态工作点的影响较小，应引入 ）负反馈。117. 要求得到一个由电流控制的电流源，应引入 ）负反馈。a. 电压串联 b.电压并联 c.电流串联 d.电流
23、并联118. 测得 BJT的 IB=30A时， IC=2.4mA； IB=40A时， IC=3mA ，则它的值为 ）。a、80 b、60 c、 75 d、100 119.PN 结外加正向电压时，其空间电荷区 ）。a. 不变 b.变宽 c.变窄120. 测得 BJT 各电极对地电压为：VB=4.7V，VC=4.3V，VE=4V ，则该 BJT 工作在 ）状态。 a. 截止 b.饱和 c.放大121. 测得放大电路中的BJT 各电极对地电压为：VB=2.7V，VE=2V ，VC=6V ，则该BJT 为 ）。a.NPN 硅管 b.NPN锗管 c.PNP锗管 d.PNP硅管122.OCL 功放电路的输
24、出端直接与负载相联，静态时，其直流电位为VCC c. 0 d. 2VCC 123.FET 是 ）控制器件。 ） a. 电流 b.电压 c.电场124. 通常要求运算放大器带负载能力强，在这里，负载的大小是指负载 ）。 a. 电阻大 b. 功率大 c. 电压高125. 希望放大器输入端向信号源索取的电流比较小，应引入 ）负反馈。a. 电压 b. 电流 c. 串联 d.并联126. 要求输入电阻Ri 大，输出电流稳定，应引入 ）负反馈。 a. 电压串联 b. 电压并联 c.电流串联 d. 电流并联127. 工作在放大区的BJT，IB 从 20A增大到 40A 时， IC 从 1mA变为 2mA则它
25、的 值为 ）。a.10 b. 50 c.100 128. 若差分电路两输入电压分别为Vi1=10 mV，Vi2=6mV，则Vid和 Vic分别为 ）mV 。a.4 8 b.2 8 c. 4 2 d.2 4 129在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是 ）。ANPN 型硅管B.NPN 型锗管精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 9 页，共 18 页10 / 18 C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管130 某场效应管的转移特性如图所示，该管为 ）。A P沟道增强型MOS 管B
26、、P沟道结型场效应管C 、N沟道增强型MOS管D 、N沟道耗尽型MOS管131 通 用 型 集 成 运 放 的 输 入 级 采 用 差 动 放 大 电 路 ， 这 是 因 为 它 的 ） 。A输入电阻高 B. 输出电阻低 C. 共模抑制比大 D. 电压放大倍数大132.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成, 即 RC 串并联选频网络和 。a不用输出变压器 b 不用输出端大电容 c 效率高 d 无交越失真134稳压二极管稳压时，其工作在( ，发光二极管发光时，其工作在( 。a正向导通区 b 反向截止区 c 反向击穿区135为使 PN结正向偏置，就使P区接电源 ）， N区接电源 ）A正极、负极
27、 B。负极、正极C正极、正极 D。负极、负极136在下图所示电路中，稳压管Dw1和 Dw2的稳压值分别为6V 和 7V，且工作在稳压状态，由此可知输出电压UO为 ）。A6V B。 7V C。0V D。1V 137若分别测得放大电路中的NPN型硅管各极电位如下图所示，则管脚分别为电极 ）Ac、b、e B.e、c、b C.b、c、e D.b、 e、c 138如下图所示各电路中，处于放大状态的三极管是 ）139为了消除基本共射放大电路的饱和失真，应 ）精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 10 页，共 18 页11 / 18 A 减小基极偏置电
28、阻 B。增大基极偏置电阻 C 减小集电极偏置电阻 D。增大集电极偏置电阻140温度升高时，三极管的部分参数的变化规律是 ）A、 ICEO、 UBE B。 、 ICEO、 UBEC、 ICEO、 UBE D。 、 ICEO、 UBE141. 以下哪些不属于引入负反馈后对电路的影响 ）A 使放大电路的放大倍数减小B 使放大电路通频带展宽C 改变放大电路的输入输出电阻D 使放大电路放大倍数增大142. 由 NPN管组成的基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真这种失真是 ） A 饱和失真 B。频率失真 C。截止失真 D。以上均不定143表征场效应管放大能力的重要参数是 ） A
29、 夹断电压Up B。低频互导 跨导） gm C 饱和漏极电流IDSS D。最大栅源电压BUGS 144源极输出器类似于 ） A 共发射极放大电路 B。共基极放大电路 C 共集电极放大电路 D。共漏极放大电路145N沟道结型场效应管处于放大状态要求0 B。UGS=0 C。UGS0 D。UDS=0 146LC正弦波振荡电路起振的振幅条件是 ） A AF =0 B.AF=1 C.AF 1 147采用石英晶体振荡电路的主要目的是 ） A 提高输出信号幅度 B。抽调输出信号的频率 C 提高输出信号的稳定性 D。增大输出信号的频率范围148双端输入双端输出差动放大器用成倍的元件来换取 A. 放大倍数大 B
30、. 频率高 C. 无交越失真 D. 输出信号幅度大150. 与甲类功放器比较, 乙类功放器的主要优点是( 精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 11 页，共 18 页12 / 18 A. 放大倍数大 D. 频率高 C. 无交越失真 D. 输出信号幅度大二、多选题1.稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在_状态，但其两端电压必须_，它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于_状态。 A、B、 C、E） B 、C、B、E） C 、 E、C、 B） D 、NPN ） E、 4.分析运放的两个依据是_、_。( i.A、U-U+ B 、I- I+
31、0 C 、U0=Ui D 、Au=1 5.用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、 2.7V，则三个电极分别是 _，该管是 _型。 ( A、B、 C、E） B 、C、B、E） C 、 E、C、 B） D 、PNP ） E、 A、饱和 B、截止 C、交越 D、频率7.当集成运放线性工作时，有两条分析依据_。 ( A、U- U+ B 、I- I+ 0 C 、U0=Ui D 、Au=1 8.测某电路中三极管各极电位分别是0 V、 -6V、 0.2V 则三极管的三个电极分别是_，该管是 _。( A (E 、C、B B(C 、B、E C(B、C、E D(PNP E(NPN 9.共射
32、极放大电路的交流输出波形上半周失真时为_失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为_失真。 ( A 饱和B 截止 C交越 D频率10.对功率放大器的主要要求有_ _ _( A Uo 高 B Po大 C效率高 D Ri大 E 波形不失真11.当集成运放线性工作时，在两条分析依据_。( 精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 12 页，共 18 页13 / 18 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 12.测得某电路中三极管各极电位分别是3V、 2.3V 、 12V 则三极管的三个电极分别是_，该管是 _型。A
33、 (E 、B、C B(B 、C、E C(B、E、C D(PNP E(NPN 13.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为_失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为_失真。A 饱和B 截止 C交越 D频率14.当集成运放线性工作时，在两条分析依据_。( A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 15.用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V ，则三个电极分别是 _，该管是 _型。A、B、 C、E） B、C、B 、E） C、E、C、B） D 、NPN ） E 、 B(B 、C、E C(B、E、C D(PNP E(NPN 19.共射极放
34、大电路的交流输出波形上半周失真时为_失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为_失真。A 饱和B 截止 C交越 D频率20.为了减小输出电阻，应在放大电路中引入；A、为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入。（A）电流负反馈 B）电压负反馈 C）直流负反馈D ）交流负反馈21.在A）、 B）、 C）三种电路中输出电阻最小的电路是；（A）既能放大电流，又能放大电压的电路是。（B）A）共基放大电路 B）共集放大电路 C）共射放大电路22.当 NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uCuBuE。（A） B） C） = D）23.为了增大输出电阻，应在放大电路中引入；精选学习资料 - - -
35、 - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 13 页，共 18 页14 / 18 为了展宽频带，应在放大电路中引入。（A）电流负反馈 B）电压负反馈 C）直流负反馈 D ）交流负反馈24.在A）、 B）、 C）三种电路中输入电阻最大的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是。A）共基放大电路 B）共集放大电路 C）共射放大电路25.6）当 PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uCuBuE。 B） C） = 2.电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 ( 3.使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 ( 4.产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度
36、的影响。 ( 5.利用两只 NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。 ( 6.本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 7.未加外部电压时，PN结中电流从P区流向 N区。 ( 8.集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 ( 9.只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 ( 10.直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 ( 11.只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。 ( 12.引入直流负反馈可以稳定静态工作点。13.负反馈越深，电路的性能越稳定。 ( 14.零点漂移就是静态工作点的漂移。 ( 15.放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。 ( 16.镜像电流源电路中
37、两只晶体管的特性应完全相同。 ( 17.半导体中的空穴带正电。 ( 18. P 型半导体带正电，N型半导体带负电。 ( 19.实现运算电路不一定非引入负反馈。 ( 20.凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。 ( 21.yD/A转换器的位数越多，转换精度越高。 ）22.A/D转换器的二进制数的位数越多，量化单位越小。）23.A/D转换过程中，必然会出现量化误差。 ）24.同步时序电路由组合电路和存储器两部分组成。 ）25.组合电路不含有记忆功能的器件。 ）26.时序电路不含有记忆功能的器件。 ）27.同步时序电路具有统一的时钟CP 控制。 ）精选学习资料 - - - - - - - -
38、 - 名师归纳总结 - - - - - - -第 14 页，共 18 页15 / 18 28.异步时序电路的各级触发器类型不同。 ）29.环形计数器在每个时钟脉冲CP作用时，仅有一位触发器发生状态更新。 ）30.逻辑变量的取值，比大。 ）。31.异或函数与同或函数在逻辑上互为反函数。 ）32.若两个函数具有相同的真值表，则两个逻辑函数必然相等。 ）33.因为逻辑表达式 A+B+AB=A+B 成立，所以 AB=0 成立。 ）34.若两个函数具有不同的逻辑函数式，则两个逻辑函数必然不相等。 ）35.逻辑函数两次求反则还原，逻辑函数的对偶式再作对偶变换也还原为它本身。 ）36.方波的占空比为 0 .
39、 5 。 ）37.数字电路中用“ 1 ”和“ 0 ”分别表示两种状态 , 二者无大小之分。 ）38.在时间和幅度上都断续变化的信号是数字信号，语音信号不是数字信号。 ）39.运算电路中一般均引入负反馈。）40.在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。）41.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。）42.各种滤波电路的通带放大倍数的数值均大于1。）43.若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。）44.负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。）45.若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。）46.阻容耦合放大电路的耦合
40、电容、旁路电容越多，引入负反馈后，越容易产生低频振荡。）47.只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。）48.放大电路的级数越多，引入的负反馈越强，电路的放大倍数也就越稳定。）49.反馈量仅仅决定于输出量。）50.既然电流负反馈稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。 52.阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立 , 它只能放大交流信号。( 53.直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，它只能放大直流信号。( 54.只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。( 55.互补输出级应采用共集或共漏接法。( 56.在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。( 57.功率放大电
41、路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。( 58.当OCL 电路的最大输出功率为1W 时，功放管的集电极最大耗散功率应大于1W 。( 59.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。 ）60.因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 ）61.PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。 ）62.处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 ）64. 普通晶闸管内部有两个PN结。 ）精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 15 页，共 18 页16 / 18 65. 普通
42、晶闸管外部有三个电极，分别是基极、发射极和集电极。 ）66. 型号为 KP507 的半导体器件，是一个额定电流为50A 的普通晶闸管。）67. 只要让加在晶闸管两端的电压减小为零，晶闸管就会关断。 ）68. 只要给门极加上触发电压，晶闸管就导通。 ）69. 晶闸管加上阳极电压后，不给门极加触发电压，晶闸管也会导通。）70. 加在晶闸管门极上的触发电压，最高不得超过100V。）71. 单向半控桥可控整流电路中，两只晶闸管采用的是“共阳”接法。）72. 晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。 ）73. 增大晶闸管整流装置的控制角，输出直流电压的平均值会增大。）74. 在触发电路中采用脉冲变压
43、器可保障人员和设备的安全。 ）75. 为防止“关断过电压”损坏晶闸管，可在管子两端并接压敏电阻。）76. 雷击过电压可以用RC吸收回路来抑制。 ）77. 硒堆发生过电压击穿后就不能再使用了。 ）78. 晶闸管串联使用须采取“均压措施”。 ）79. 为防止过电流，只须在晶闸管电路中接入快速熔断器即可。 ）80. 快速熔断器必须与其它过电流保护措施同时使用。 ）81. 晶闸管并联使用须采取“均压措施”。 ）82. 在电路中接入单结晶体管时，若把b1、b2 接反了，就会烧坏管子。）83. 单结晶体管组成的触发电路也可以用在双向晶闸管电路中。 ）84. 单结晶体管组成的触发电路输出的脉冲比较窄。 ）8
44、5. 单 结 晶 体 管 组 成 的 触 发 电 路 不 能 很 好 地 满 足 电 感 性 或 反 电 动 势 负 载 的 要 求 。）86、 PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的，因而它的电阻率很高。 ）87、集电结处于正偏的BJT，它一定工作在饱和区。 ）88.BJT 的值越大，放大能力越强，但在选用BJT时，并不是值越大越好。 ）89. 集电极电阻RC 的作用是将集电极电流的变化转换成电压的变化，实现电压放大。因此，RC的值越大，输出电压越高。 ）90 只要将晶体管的静态工作点设置在BJT 特性曲线的线性放大区，则不论输入什么信号，都不会产生非线性失真。 ）91. 分压偏置电路
45、的发射极电阻Re越大，工作点稳定性越好。但Re过大，会使BJT 的 VCE减小，影响放大器的正常工作。 ）92. 射极输出器的输入电流是IB，输出电流是IE ，因此，具有较高的电流放大倍数。 ）93. 在 OTL 功放电路中，输出耦合电容的主要作用是“隔直”，防止直流经负载短路。 ）94. 在运放电路中，闭环增益AF是指电流放大倍数。 96.N 型半导体中的多数载流子是电子，因此，N型半导体带负电。 ）97. 用万用表测得二极管的电阻很小，则红表笔相接的电极是二极管的负极，与黑表笔相接的电极是二极管的正极。 ）98. 发射结处于正偏的BJT，它一定工作在放大区。 ）精选学习资料 - - - -
46、 - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 16 页，共 18 页17 / 18 99. 放大器能将微弱的输入信号放大成能量较大的信号输出，因此说，BJT 具有能量放大的作用。 ）100. 放大电路处于静态时，电路中的电流、电压均为直流；当它工作在动态时，电路中的电流、电压则均为交流。 ）101. 在固定偏置电路的基础上，在BJT 基极增加一个下偏置电阻RB2 ，就构成了分压偏置电路。 ）102. 射极输出器的输入电流是IB，输出电流是IE，只要负载电阻选择得当，输出电压就可比输入电压大得多。 ）103. 乙类功放电路的交越失真是由BJT 输入特性的非线性引起的。 ）10
47、4. 与接入反馈前相比较，接入负反馈后，净输入量减小了。 ）105. 在运放电路中，闭环增益 f 是指电压放大倍数。 ）106.P 型半导体中的多数载流子是空穴，因此，P型半导体带正电。 ）107. 发射结处于反偏的BJT，它一定工作在截止区。 ）108.BJT是由两个PN 结组合而成的，所以将两个二极管对接，也可以当BJT 使用。 110. 射极输出器的输入信号加在BJT 的基极，输出取自发射极。因此，输出电压的大小可用公式VE=VB-VBE 进行计算。 ）111. 乙类功放中的两个BJT 交替工作，各导通半个周期。 ）112. 与接入反馈前相比较，接入负反馈后，净输入量增大了。 ）113.
48、 在运放电路中，闭环增益 f 是指广义的放大倍数。 ）114. 凡是能产生自激振荡的电路一定具有正反馈。 ）115. 由 LC元件组成的并联谐振回路谐振时的阻抗呈纯电阻性，且为最小值。 ）116. 二极管的正向直流电阻比正向交流电阻大。 ）117在 PN结形成过程中，若半导体材料掺杂浓度越高，环境温度越低，则PN结内部自建电场越大。 ）118. 所有二极管都不能正常工作在击穿区。 ）119. 若 PN结失去单向导电性，一定是被击穿或烧坏。 ）120. 二极管的正向电阻越小越好，为零最好。）121. 只有当三极管截止时才有反向饱和电流Icbo。 ）122. 选用三极管时，其Icbo和Iceo越小
49、越好。 ）123. 当温度降低时，三极管的Ube、和Iceo均随之降低。 ）124. 三极管作为放大器件使用时，各极电位必须满足的关系是ucubue。 ）125. 二极管和三极管中，参与导电的只有多数载流子。 ）126. 要使三极管具有电流放大作用，三极管的各电极电位一定满足UcUbUe。）127. 一个交流放大电路，已知输入电压Ui和三极管的输入电阻rbe，就可以求出静态的偏精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 17 页，共 18 页18 / 18 置电流 IBQ。 ）128. 放大电路中三极管管压降Uce值越大，管子越容易进入饱和工作区。 ）129. 多级阻容耦合放大电路，若各级均采用共射电路，则电路的输出电压Uo与输入电压Ui总是反相的。 ）130. 通常多级阻容耦合放大电路，整个放大电路的输入电阻就是第一级电路的输入电阻，输出电阻就是末级电路的输出电阻。 ）精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 18 页，共 18 页