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1、Power MOSFETDrainSourceGateDrainGateSourceCircuit SymbolPackage Pin Layout Power MOSFET Power MOSFETVddDSGLoadDriverPower MOSFET电流流动垂直Power MOSFETPower MOSFET AOSAOS的的U型沟槽 Power MOSFET转移特性 输出特性DSGTracer waveform结温升高，BV 线性增加Power MOSFETMOSFET的avalanche击穿电压总是大于标注的额定电压由于正常生产中的余量控制 为了保证可靠性，在最坏的工作条件下，工作电
2、压不要大于额定值。最大的电压不要超过额定值的7090%，降额使用。Power MOSFETTj必须总低于150C。大多可靠性测试在最大结温进行如HTRB High Temperature Reversed Bias和HTFB High Temperature Forward Bias。这些测试结果用作计算不同可靠性模式的加速因子的输入信息。如由理论模式，减小结温30C将提高MTBF一个数量级。代表最小的器件使用时间。在此条件下工作保证结温低于Tjmax可提高长时间工作的寿命。由Ptot和Rdson及线直径限制（避免fuse效应）thJCthJCtotRRTP25125thJCthJCCJtot
3、RRTTP25150maxthJCTonCJRRTTIJmaxmax2maxIRPJTontotPower MOSFET热阻 此参数表明热量从A点到B点流动的难易程度。 小RTH表明热量从A点流动到B点时，产生很小的温度差异。大的RTH表明当同样的热量从A点流动到B点时，产生很大的温度差异。热阻定义为： 从硅片到空气热链路：硅片-封装-散热器-空气。 硅片-封装热链路：硅片-框架-封装。 封装-散热器加绝缘片,封装-散热器-空气热链路：封装-绝缘片-散热器-空气 Rjc: 针对有铜片e-Pad的封装,如Ultra-SO8, DFN5*6，热阻是从晶元到铜片 RjL: 针对fq 无铜片e-Pad
4、的封装,如SO8, SOT23，热阻是从晶元到管脚dissABABthPTTR )(DSGPower MOSFETNormalized Maximum Transient Thermal ImpedanceMaximum Forward Biased Safe Operating AreaV=Ron(Tj)*IV I=(Tj-Tc)/ZthZth=kRthPower MOSFETDSGPower MOSFETDSGGfs=didsdvgsVds=constTPower MOSFET温度变化对其影响小Power MOSFETDSG用来决定电荷数量Qg，要求将Ciss从0V充电到10VDSGPow
5、er MOSFETCiss = Cgs + CgdCrss = CgdCoss = Cgd + CdsdepWgsCgdCdsCDrainSourceGateN+ SubstrateN epigdSidepgdoxoxgdAWAtC/1depdsSidepdsWACCgsSigsdepgsoxoxgsAWAtC/1,AbiDSdepNVVWPower MOSFETCiss = CGD + CGSCoss = CDS + CGDCrss = CGD Power MOSFET 阻性负载开关VG=01 24VDID=0VT500432100143256VDS VIDS APower MOSFETISD Irrm Qrr0.5 trr*IrrmPower MOSFETMOSFET结构所附带的本征二极管具有一定的雪崩能力。通常用单次雪崩能力和重复雪崩能力来表达。当反向di/dt很大时，二极管会承受一个速度非常快的脉冲尖刺，它有可能进入雪崩区，一旦超越其雪崩能力就有可能将器件损坏。当电流迅速下降时，二极管有一阶段失去反向阻断能力，即所谓反向恢复时间。PN结要求迅速导通时，也会有一段时间并不显示很低的电阻。并联二极管/寄生晶体管 Power MOSFETPower MOSFETPower MOSFET)(CPhbeRRIV