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1、 IC以前以前 (1950年代年代) 1950 年代是開始生產電晶體的時代。當時半導年代是開始生產電晶體的時代。當時半導體基板材料為鍺，加工鍺的各種技術，都以量產體基板材料為鍺，加工鍺的各種技術，都以量產為立足點。為立足點。 電晶體由點接觸型開始，經過合金接合型、成電晶體由點接觸型開始，經過合金接合型、成長接合型等，接著引進擴散技術，再轉移到矽。長接合型等，接著引進擴散技術，再轉移到矽。 本世代的製程包括使用爐管的熱處理、去除污本世代的製程包括使用爐管的熱處理、去除污染、蝕刻、電鍍等等。染、蝕刻、電鍍等等。 在在1950年代末急速進展，材料從年代末急速進展，材料從Ge轉為轉為Si。因。因此，製
2、程技術亦從以往的此，製程技術亦從以往的Ge加工技術，變為加工技術，變為Si加加工技術，變遷到工技術，變遷到IC時代。時代。Giga bit時代時代 (2000年以後年以後) 本世紀邁入本世紀邁入Giga bit的時代，最小加工尺寸為的時代，最小加工尺寸為0.18m至至0.13m，且不久即轉移至，且不久即轉移至0.1m 。尺寸的表示從尺寸的表示從m轉變為轉變為nm。因此，引進新製。因此，引進新製程、新材料是不可或缺的工作，製程技術方面，程、新材料是不可或缺的工作，製程技術方面，對於開發的需求有重新回到原點的態勢。對於開發的需求有重新回到原點的態勢。 新的技術包括銅配線、新的技術包括銅配線、low
3、絕緣膜、強誘電體絕緣膜、強誘電體 ( 強介電常數強介電常數 ) 記憶體相關材料、高誘電率閘極記憶體相關材料、高誘電率閘極絕緣膜等，其他周邊製程與設備的開發也受到絕緣膜等，其他周邊製程與設備的開發也受到衝擊。衝擊。 引進新製程、新材料及其影響效應引進新製程、新材料及其影響效應。大分類大分類中分類中分類小分類小分類洗淨製程洗淨製程 濕式洗淨濕式洗淨 藥液洗淨藥液洗淨純水洗淨純水洗淨超音波、超音波、Mega sonicMega sonic、高壓噴射洗淨、高壓噴射洗淨 乾式洗淨乾式洗淨 電漿清洗電漿清洗清洗清洗 熱處理製程熱處理製程 熱氧化熱氧化 爐及爐及RTPRTP乾式氧化及濕式氧化乾式氧化及濕式氧
4、化 退火退火 結晶性回復、除氣、嵌入結晶性回復、除氣、嵌入燒結、回流等燒結、回流等 雜質摻入製程雜質摻入製程 離子植入離子植入 高電流植入、中電流植入、低加速電高電流植入、中電流植入、低加速電壓植入、高加速電壓植入、其他壓植入、高加速電壓植入、其他熱擴散熱擴散 氣相擴散、固相擴散等氣相擴散、固相擴散等電漿摻雜電漿摻雜 -大分類大分類中分類中分類小分類小分類薄膜製程薄膜製程 CVDCVD常壓、減壓、電漿、高密度電漿、常壓、減壓、電漿、高密度電漿、光等光等 PVDPVD濺鍍、蒸著、離子電鍍等濺鍍、蒸著、離子電鍍等 塗佈法塗佈法-電鍍法電鍍法-微影微影( ( 光阻製程光阻製程 ) )光阻處理光阻處理塗佈、顯影、光阻材料塗佈、顯影、光阻材料 曝光技術曝光技術紫外線、準分子雷射、電子束、紫外線、準分子雷射、電子束、X X射線等射線等 蝕刻製程蝕刻製程乾式蝕刻乾式蝕刻電漿蝕刻、反應性離子蝕刻、離電漿蝕刻、反應性離子蝕刻、離子切削等子切削等 濕式蝕刻濕式蝕刻-灰化灰化-平坦化製程平坦化製程 CMPCMP-回蝕刻回蝕刻-