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1、1. JFET1. JFET 的结构和符号的结构和符号 N N 沟道沟道 JFETJFET P P 沟道沟道JFETJFET2.2.工作原理（以工作原理（以 N N 沟道沟道 JFETJFET 为例）为例）N 沟道 JFET 工作时，必须在栅极和源极之间加一个负电压VGS0.栅极沟道间的 PN 结反偏，栅极电流iG0，栅极输入电阻很高（高达107W 以上）。N 沟道中的多子（电子）由 S 向 D 运动，形成漏极电流iD。iD的大小取决于VDS的大小和沟道电阻。改变VGS可改变沟道电阻，从而改变iD。主要讨论VGS对iD的控制作用以及VDS对iD的影响。栅源电压VGS对iD的控制作用当VGS0
2、时，PN 结反偏，耗尽层变宽，沟道变窄，沟道电阻变大，ID减小；VGS更负时，沟道更窄，ID更小；直至沟道被耗尽层全部覆盖，沟道被夹断，ID0。这时所对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP。漏源电压VDS对iD的影响在栅源间加电压VGS0，漏源间加正电压VDS 0。则因漏端耗尽层所受的反偏电压为VGD=VGS-VDS，比源端耗尽层所受的反偏电压VGS大,(如:VGS=-2V,VDS=3V,VP=-9V,则漏端耗尽层受反偏电压为VGD=-5V， 源端耗尽层受反偏电压为-2V),使靠近漏端的耗尽层比源端宽，沟道比源端窄，故VDS对沟道的影响是不均匀的，使沟道呈楔形。当VDS增加到使VGD=VGS-V
3、DS=VP时，耗尽层在漏端靠拢,称为预夹断。当VDS继续增加时，预夹断点下移，夹断区向源极方向延伸。由于夹断处电阻很大，使VDS主要降落在该区，产生强电场力把未夹断区的载流子都拉至漏极，形成漏极电流ID。预夹断后ID基本不随VDS增大而变化。VGS对沟道的控制作用当VGS0 时，PN 结反偏耗尽层加厚沟道变窄。VGS继续减小，沟道继续变窄。当沟道夹断时， 对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP（或VGS(off)） 。 对于 N 沟道的 JFET，VP0。VDS对沟道的控制作用当 VGS=0 时，VDSID, G、D 间 PN 结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。当VDS增加到使VGD=VP时， 在紧靠漏极处出现预夹断。 此时VDS夹断区延长沟道电阻ID基本不变。VGS和VDS同时作用时当VPVGS0时，导电沟道更容易夹断，对于同样的VDS，ID的值比VGS=0 时的值要小。在预夹断处,VGD=VGS-VDS=VP(或VDS=VGS-VP).综上分析可知l沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型三极管。lJFET 栅极与沟道间的 PN 结是反向偏置的，因此iG0，输入电阻很高。lJFET 是电压控制电流器件，iD受vGS控制。l预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。