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1、实验报告-霍尔效应原理及其应用 篇一：霍尔效应的应用试验报告 霍尔效应法测量空间的磁场 试验者：沐俊峰 同组试验者：周俊汀 指导老师：尹会听 （班级:A12储运1 学号:120701113 联系号:18058043679） 通过对利用霍尔效应测磁场试验的原理、过程、及试验数据的处理进行分析，得 出本试验误差的主要来源，并对减小误差提出切实可行的方法及留意事项，其中重点介绍利用对称测量法处理数据以减小误差的方法。 霍尔效应 误差分析 对称测量法 一、 引言 自1879年霍尔效应被发觉以来，它在测量方向得到了广泛的应用，其中测螺线管轴线上的磁场是非常重要的一个方面。但是在测量中，总会产生各种各样的
2、副效应，这些副效应带来了肯定的测量误差，有些副效应的影响可与实测值在同一数量级，甚至更大。因此在试验中如何消退这些副效应成为很重要的问题。本文分析了霍尔效应测磁场的误差来源，并提出了减小误差应实行的措施及一些留意事项。 二、 原理 、试验目的 1了解霍尔效应试验原理以及有关霍尔元件对材料要求的学问。 3确定试样的导电类型、载流子浓度以及迁移率。 、试验仪器 1THH型霍尔效应试验仪，主要由规格为>3.00kGS/A电磁铁、N型半导体硅单晶切薄片式样、样品架、IS和IM换向开关、VH和V（即VAC）测量选择开关组成。 2THH型霍尔效应测试仪，主要由样品工作电流源、励磁电流源和直流数字毫伏
3、表组成。 、试验原理 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场。对于图（1）（a）所示的N型半导体试样，若在X方向的电极D、E上通以电流Is，在Z方向加磁场B，试样中载流子（电 子）将受洛仑兹力： （1） Fg?e v B 2学习用“对称测量法”消退副效应的影响，测量并绘制试样的VHIS和VHIM曲线。 （a） （b） 图(1) 霍尔效应示意图 则在Y方向即试样A、A电极两侧就起先聚积异号电荷而产生相应的附加电场-霍尔电场。电场的
4、指向取决于试样的导电类型。对N型试样，霍尔电场逆Y方向，P型试样则沿Y方向，其一般关系可表示为 明显，该霍尔电场是阻挡载流子接着向侧面偏移，当载流子所受的横向电场力 eEH 与洛伦兹力 FE相等时，样品两侧电荷的积累就达到平衡，此时有 FE=eEH （2） 其中EH为霍尔电场强度，是载流子在电流方向上的平均漂移速率。 设试样的宽度为b，厚度为d，载流子浓度为n，则 （3） Is?nebd 由（2）、（3）两式可得 VH?EHb? IB1ISB ?RHS neddd（4） 在产生霍尔效应的同时，因伴随着多种副效应，以致试验测得的A、A两电极之间的电压并不等于真实的VH值，而是包含着各种副效应引起
5、的附加电压，因此必需设法消退。依据副效应产生的机理可知，采纳电流和磁场换向的对称测量法，基本上能够把副效应的影响从测量的结果中消退，详细的做法是Is和B的大小不变，并在设定电流和磁场的正、反方向后，依次测量由下列四组不同方向的Is和B组合的两点之间的电压V1、V2、V3、和V4 ，即 +Is，+B，V1 +Is，-B，V2 -Is，-B，V3 -Is，+B，V4 然后求上述四组数据V1、V2、V3和V4 的代数平均值，可得： VH?(mV)（5） 4 通过对称测量法求得的VH，虽然还存在个别无法消退的副效应，但其引入的误差甚小，可以略而不计。 V1?V2?V3?V4 由式（4）可知霍尔电压VH
6、（A、A电极之间的电压）与IsB乘积成正比，与试样厚度d成反比。比例系数 称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。只要测出VH（V）以及知道IsR（?B（T）和d（m）可按下式计算RH霍尔系数 H 1 n e RH? VHd （6） ISB 依据RH可进一步确定以下参数: (1)由RH 的符号（或霍尔电压的正、负）推断试样的导电类型。推断的方法是按图（1）所示的Is和B的方向，若测得的VHVAA0，（即点A的电位低于点A的电位）则RH 为负，样品属N型，反之则为P型。 (2)求载流子浓度。由n? 1RHe 可求出载流子浓度。应当指出，这个关系式是假定全部 的载流子都具有相同的漂移速率
7、得到的，假如考虑载流子的漂移速率听从统计分布规律，需引入修正因子3/8。 （3）结合电导率的测量，求载流子的迁移率。电导率可以通过图（a）所示的A、C电极进行测量。设A、C间的距离L=3.00mm,样品的横截面积为S=bd,流经样品的电流为Is，在零磁场下，若测得A、C间的电位差为V，可由下式求得， ? IsL （7） V?S 电导率与载流子浓度n以及迁移率之间有如下关系： n e （8） 即|RH|，通过试验测出值即可求出。 依据上述可知，要得到大的霍尔电压，关键是要选择霍尔系数大（即迁移率高、电阻率亦较高）的材料。因|RH|，就金属导体而言，和均很低，而不良导体虽高，但微小，因而上述两种材
8、料的霍尔系数都很小，不能用来制造霍尔器件。半导体高，适中，是制造霍尔器件较志向的材料，由于电子的迁移率比空穴的迁移率大，所以霍尔器件都采纳N型材料，又由于霍尔电压的大小与材料的厚度成反比，因此，薄膜型的霍尔器件的输出电压较片状要高得多。就霍尔元件而言，其厚度是肯定的，所以好用上采纳 1 KH?（9） n e d 来表示霍尔元件的灵敏度，KH称为霍尔元件灵敏度。 三、 试验方案 (1) 按图（2）连接测试仪和试验仪之间相应的Is、VH和IM各组连线，Is及IM 换向开关投向上方，表明Is及IM均为正值（即Is沿X方向，B沿Z方向），反之为负值。VH、V切换开关投向上方测VH，投向下方测V（样品各
9、电极及线包引线与对应的双刀开关之间连线已由制造厂家连接好）。 图（2） 霍尔效应试验仪示意图 接线时严禁将测试仪的励磁电源“IM输出”误接到试验仪的“Is输入”或“VH、V输出”处，否则一旦通电，霍尔元件即遭损坏！ （2）对测试仪进行调零。将测试仪的“Is调整”和“ IM调整”旋钮均置零位，待开机数分钟后若VH显示不为零，可通过面板左下方小孔的“调零”电位器实现调零，即“0.00”。 （3）测绘VHIs曲线。将试验仪的“VH、V”切换开关投向VH侧，测试仪的“功能切换”置VH。保持IM值不变（取IM0.4A），测绘VHIs曲线。 (4) 测绘VHIm曲线。试验仪及测试仪各开关位置同上。保持Is
10、值不变，（取Is2.00mA），测绘VHIs曲线。 （5）测量V值。将“VH、V”切换开关投向V侧，测试仪的“功能切换”置在零磁场下，取Is2.00mA，测量V。留意：Is取值不要过大，以免V太大，毫伏表超量程（此时首位数码显示为1，后三位数码熄灭）。 （6）确定样品的导电类型。将试验仪三组双刀开关均投向上方，即Is沿X方向，B沿Z方向，毫伏表测量电压为VAA。取Is2mA，IM0.6A，测量VH大小及极性，推断样品导电类型。 四、 数据记录与处理 1.试验条件 室温=15 N型霍尔片的厚度d=0.10mm; 线径=0.67mm 线圈匝数N=1500T; UO=-0.2mV SH =12mV/
11、mA*KG; Rin=148 Rout=154; 2.试验数据参考表 （1）测绘VHIS曲线，数据记录如下 其中电流范围：IM0.4A 霍 尔 效 应 图形如下(横坐标为IS/mA,纵坐标为VH/mV) 其中电流范围：Is2.00mA 图形如下(横坐标为IM/mA,纵坐标为VH/mV) 篇二：模版 1霍尔效应及其应用 深 圳 大 学 实 验 报 告 试验名称： 学院： 组号： 指导老师： 报告人： 试验地点 试验时间：年 月 日 星期 试验报告提交时间： 1 2 3 45 篇三：霍尔效应及其应用试验报告 霍尔效应及其应用试验报告 一、试验名称： 霍尔效应原理及其应用 二、试验目的： 1、了解霍
12、尔效应产生原理； 2、测量霍尔元件的 螺线管的励磁电流VH?Is、VH?Im曲线，了解霍尔电压VH与霍尔元件工作电流Is、直Im间的关系； 3、学习用霍尔元件测量磁感应强度的原理和方法，测量长直螺旋管轴向磁感应强度B及分布； 4、学习用对称交换测量法（异号法）消退负效应产生的系统误差。 三、仪器用具：YX-04型霍尔效应试验仪（仪器资产编号） 四、试验原理： 1、霍尔效应现象及物理说明 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力fB作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场。对于图所
13、示。 半导体样品，若在方向通以电流Is，在方向加磁场B，则在方向即样品、电极两侧就起先聚积异号电荷而产生相应的电场EH，电场的指向取决于样品的导电类型。明显， 当载流子所受的横向电场力fE?fB时电荷不断聚积，电场不断加强，直到fE?fB样品两侧电 VH。 荷的积累就达到平衡，即样品、间形成了稳定的电势差（霍尔电压） 设EH为霍尔电场，v是载流子在电流方向上的平均漂移速度；样品的宽度为b，厚度为d，载流子浓度为n，则有： Is?nevbd 因为 （11） fE?eEH，fB?evB，又依据fE?fB，则 其中VH?EH?b?IB1IsB?RHsnedd （12） RH?1/(ne)称为霍尔系数
14、，是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。只要测出VH、B Is3R(m/c)： dH以及知道和，可按下式计算 RH? VHdIsB （13） （14） KH?UH/ISB KH为霍尔元件灵敏度。依据H可进一步确定以下参数。 （）由VH的符号（霍尔电压的正负）推断样品的导电类型。判别的方法是按图所示的Is和B的方向（即测量中的Is，B），若测得的VH（即的电位低于的电位），则样品属型，反之为型。 （）由VH求载流子浓度n，即n?1/(KHed)。应当指出，这个关系式是假定全部载流子都具有相同的漂移速度得到的。严格一点，考虑载流子的速度统计分布，需引入3?/8的修正因子（可参阅黄昆、谢希德著半导体物理学）。 本文来源：网络收集与整理，如有侵权，请联系作者删除，谢谢！第10页 共10页第 10 页 共 10 页第 10 页 共 10 页第 10 页 共 10 页第 10 页 共 10 页第 10 页 共 10 页第 10 页 共 10 页第 10 页 共 10 页第 10 页 共 10 页第 10 页 共 10 页第 10 页 共 10 页