光电显示用透明导电膜及玻璃.docx

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1、光电显示用透明导电膜及玻璃光电显示用透明导电膜及玻璃(ITO)的原理ITO导电玻璃是在钠钙基或硅硼基基片玻璃的基础上,利用磁控溅射的方法镀上一层氧化铟锡俗称ITO膜加工制作成的。液晶显示器专用ITO导电玻璃,还会在镀ITO层之前,镀上一层二氧化硅阻挡层,以阻止基片玻璃上的钠离子向盒内液晶里扩散。高档液晶显示器专用ITO玻璃在溅镀ITO层之前基片玻璃还要进行抛光处理,以得到更均匀的显示控制。液晶显示器专用ITO玻璃基板一般属超浮法玻璃,所有的镀膜面为玻璃的浮法锡面。因而,最终的液晶显示器都会沿浮法方向,规律的出现波纹不平整情况。在溅镀ITO层时,不同的靶材与玻璃间,在不同的温度和运动方式下,所得

2、到的ITO层会有不同的特性。一些厂家的玻璃ITO层经常外表光洁度要低一些,更容易出现“麻点现象;有些厂家的玻璃ITO层会出现高蚀间隔带,ITO层在蚀刻时,更容易出现直线放射型的缺划或电阻偏高带;另一些厂家的玻璃ITO层则会出现微晶沟缝。ITO导电层的特性:ITO膜层的主要成份是氧化铟锡。在厚度只要几千埃的情况下,氧化铟透过率高,氧化锡导电能力强,液晶显示器所用的ITO玻璃正是一种具有高透过率的导电玻璃。由于ITO具有很强的吸水性,所以会吸收空气中的水份和二氧化碳并产生化学反响而变质,俗称“霉变,因而在存放时要防潮。ITO层在活性正价离子溶液中易产生离子置换反响,构成其它导电和透过率不佳的反响物

3、质,所以在加工经过中,尽量避免长时间放在活性正价离子溶液中。ITO层由很多细小的晶粒组成,晶粒在加温经过中会裂变变小,进而增加更多晶界,电子突破晶界时会损耗一定的能量,所以ITO导电玻璃的ITO层在600度下面会随着温度的升高,电阻也增大。ITO导电玻璃的分类:ITO导电玻璃按电阻分,分为高电阻玻璃电阻在150500欧姆、普通玻璃电阻在60150欧姆、低电阻玻璃电阻小于60欧姆。高电阻玻璃一般用于静电防护、触控屏幕制作用;普通玻璃一般用于TN类液晶显示器和电子抗干扰;低电阻玻璃一般用于STN液晶显示器和透明线路板。ITO导电玻璃按尺寸分,有14x14、14x16、20x24等规格;按厚度分,有

4、2.0mm、1.1mm、0.7mm、0.55mm、0.4mm、0.3mm等规格,厚度在0.5mm下面的主要用于STN液晶显示器产品。ITO导电玻璃按平整度分,分为抛光玻璃和普通玻璃。透明导电氧化物薄膜主要包括、和的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料,具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低等特性。透明导电薄膜以掺锡氧化铟,为代表,广泛地应用于平板显示、太阳能电池、特殊功能窗口涂层及其他光电器件领域。平板显示器市场广阔,被以为具有比半导体产业更高的增长率,十分是液晶显示器具有体积小、重量轻、能耗低、无辐射、无闪烁、抗电磁干扰等特点,广泛应用于笔记本电脑、台式电脑、各类监视器、数字彩电和手机等电子

5、产品,以全球显示器市场来看,产值远高于其他显示器。透明导电薄膜是简单液晶显示器的三大主要材料之一,随着产业的发展,市场对透明导电膜的需求也随之急剧增大。薄膜的制备方法多样,研究较多的制备方法为磁控溅射法,另外还有真空蒸发法、化学气相沉积法、喷涂法、溶胶凝胶法等方法。其中,溶胶凝胶法的优点是生产设备简单、工艺经过温度低,易实现制备多组元且掺杂均匀的材料。采用溶胶凝胶法制备薄膜多以铟、锡的有机醇盐为前驱物。以铟、锡的无机盐为前驱物,采用溶胶凝胶法制备的薄膜,比以有机醇盐为前驱物的溶胶凝胶法制备成本低,该方法制备薄膜具有生产设备简单、成本低的优势。本文以氯化铟和氯化锡为前驱物,采用溶胶凝胶法制备薄膜

6、,探索以铟、锡的无机盐为前驱物制备薄膜的方法。液晶显示器现已成为技术密集,资金密集型高新技术产业,透明导电玻璃则是LCD的三大主要材料之一。液晶显示器之所以能显示特定的图形,就是利用导电玻璃上的透明导电电膜,经蚀刻制成特定形状的电极,上下导电玻璃制成液晶盒后,在这些电极上加适当电压信号,使具有偶极矩的液晶分子在电场作用下特定的方面排列,仅而显示出与电极波长相对应的图形。在氧化物导电膜中,以掺Sn的In2O3ITO膜的透过率最高和导电性能最好,而且容易在酸液中蚀刻出微细的图形。其透过率已达90%以上,ITO中其透过率和阻值分别由In2O3与Sn2O3之比例来控制,通常SnO2:In2O3=1:9

7、。ITO是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡,ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜,通常有两回事个主要的性能指针:电阻率和光透过率。目前ITO膜层之电阻率一般在5*10-4左右,最好可达5*10-5,已接近金属的电阻率,在实际应用时,常以方块电阻来表征ITO的导电性能,其透过率则可达90%以上,ITO膜之透过率和阻值分别由In2O3与Sn2O3之比例控制,增加氧化锢比例则可提高ITO之透过率,通常Sn2O3:In2O3=1:9,由于氧化锡之厚度超过200?时,通常透明度已不够好-固然导电性能很好。如用是电流平行流经ITO脱层的情形,其中d为膜厚,I为电流,L1为在电流方向上膜厚层长度,L2为在垂

8、直于电流方向上的膜层长主,当电流流过方形导电膜时,该层电阻R=PL1/dL2式中P为导电膜之电阻率,对于给定膜层,P和d可视为定值,P/d,当L1=L2时,怒火正方形膜层,无论方块大小怎样,其电阻均为定值P/d,此即方块电阻定义:R=P/d,式中R单位为:奥姆/,由此可所出方块电阻与IOT膜层电阻率P和ITO膜厚d有关且ITO膜阻值越低,膜厚越大。目前在高档STN液晶显示屏中所用ITO玻璃,其R可达10/左右,膜厚为100-200um,而一般低档TN产品的ITO玻璃R为100-300/,膜厚为20-30um。在进行LCD走线设计时,由ITO阻计算方式,可知影响ITO阻值有如下因素:1、ITO玻

9、璃之方块电阻要确保走线电阻小,应酬让ITO玻璃方块电阻小,由于R=P/d,则必须选P小,d适当大些的材料。2、L1/L2L1/L2即走线在平行电流方向与垂直电流方向上的长度比,在R一定时,要保证走线电阻值小,就要让L1/L2小,当L1一定时,只要增大L2,也讲法是在设计时,走线应尽可能加宽;而当L2一定时,L1就要小,即走线宽度一定时,细线应尽可能短。3、在LCD显示屏设计当中,不仅要考虑走线布对ITO阻值的影响,还要考虑生产工艺对ITO阻值的影响,以便选择适当方块电阻的ITO玻璃,以便设计到制作的全面控制,生产高比照的LCD产品,这时高占空比及COG产品无为重要,如ITO膜厚的均匀性,由于I

10、TO的耙材及工艺的为稳定,会使同样长度与宽度的ITO阻值发生变化,如目的值为10时,其R范围在8-12之间,所以在生产中要使用ITO膜厚均匀的导电玻璃,以减少电阻的变化,其次为ITO玻璃的耐高温时性,酸碱性,由于通常LCD生产工艺中要使用高温烘烤及各种酸碱液的浸泡,而一般在300C*30min的环境中,会使R增大2-3倍,而在10wt%NaOH*5min及6wt%HCL*2min60C下也会增到1。1倍左右,由此可知,在生产工艺中不宜采用高温生产及酸碱的长时清洗,若无法避免,则应尽量在低温下进行并尽量缩短动作时间。4、由于在液晶显示器中,ITO方块电阻等效于电路图中的分压电阻,其阻值大小直接影响电路两端电压的大小,即方块电阻越大,LCD值电压越大。有数据表明,ITO之方块电阻由100/降至60/。CellGap为6um左右,Vth值会降低0。03V左右。

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