模拟电子技术基本概念复习题及答案_1.docx

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1、模拟电子技术基本概念复习题及答案(模拟电子技术基础)基本概念温习题一、判定题1、但凡由集成运算放大器组成的电路都能够利用“虚短和“虚断的概念求解运算关系。2、但凡运算电路都可利用“虚短和“虚断的概念求解运算电路。3、理想运放不管工作在线性区还是非线性区状态都有vN=vP。4、当集成运放工作在闭环时,可运用虚短和虚断概念分析。5、在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地。6、在反相求和电路中,集成运放的反相输入端为虚地点,流过反应电阻的电流基本上等于各输入电流之代数和。7、温度升高后,本征半导体中自由电子和空穴数目都增加,且增量一样。8、由于N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。9、由

2、于P型半导体的多子是空穴,所以它带正电。10、在N型半导体中假如掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。11、稳压管工作在截止区时,管子两端电压的变化很小。12、BJT型三极管是电流控制型有源器件,基极电流ib与集电极电流ic的关系为cbii=。13、放大电路必须加上适宜的直流电源才可能正常工作。14、放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。15、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。16、由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化。17、共集电极电路没有电压和电放逐大作用。18、共集放大电路无电压放大作用,但有功率放大作用。19、只要

3、电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。20、放大电路中各电量的沟通成分是沟通信号源提供的。21、射极输出器即是共射极放大电路,有电流和功率放大作用。22、只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。23、放大器的输入电阻是从输入端看进去的直流等效电阻。24、输出电阻越大,放大电路带负载的能力越弱。25、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中,共射放大电路的输入电阻最小。26、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中,共基放大电路的输出电阻最小。27、阻容耦合多级放大电路各级的Q点互相独立,它只能放大沟通信号。28、放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是耦合电容和旁路电容的

4、影响。29、场效应管也是一种由PN结组成的半导体器件,是电流控制器件,沟道越宽电流越大。30、由MOSFET管组成的放大电路中0Gi。31、在由耗尽型N沟道MOSFET管组成的放大电路中,若GSV小于零,则iD0。32、若加强型N沟道MOS管的vGS大于开启电压VT,则输入电阻会明显变小。33、N沟道JFET在正常工作时的vGS不能大于零。34、耗尽型MOS管在栅源电压uGS为正或为负时均能实现压控电流的作用。35、结型场效应管通常采用两种偏置方式,即源极自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。36、耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自给偏压方式。37、加强型MOS管采用自给偏压时,漏极电流

5、iD必为零。38、现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数为10000。39、通频带BW等于放大电路的上限频率Hf和下限频率Lf的平均值。40、集成运放内部第一级是差动放大电路,因而它有两个输入端。41、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。42、集成运放内部是直接耦合的多级放大电路。43、镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全一样。44、共模信号都是直流信号,差模信号都是沟通信号。45、对于长尾式差分放大电路,不管是单端输入还是双端输入,在差模输入沟通通路中,长尾电阻Re一概可视为短路。46、用电流源代替Re后电路的差模电压放大倍

6、数增加。47、带有理想电流源的差分放大电路,只要工作在线性范围内,不管是双端输出还是单端输出,其输出电压值均与两个输入端电压的差值成正比,而与两个输入端电压本身的大小无关。48、集成运放的输入失调电压VIO是两输入端电位之差。49、反应量仅仅决定于输出量。50、稳定输出电压,提高输入电阻应引入电压串联负反应。51、若放大电路引入负反应,则负载电阻变化时,输出电压基本不变。52、稳定输出电压,提高输入电阻应引入电压并联负反应。53、任何实际放大电路严格讲都存在某种反应。54、反相比例运算电路属于电压串联负反应,同相比例运算电路属于电压并联负反应。55、共集放大电路Au75、在电压比拟器中,集成运

7、放一直处于非线性工作状态。76、为使电压比拟器的输出电压不是高电平就是低电平,一般情况电路中使集成运放不是工作在开环状态,就是仅仅引入正反应。77、单限比拟器比滞回比拟器抗干扰能力强,而滞回比拟器比单限比拟器灵敏度高。78、只要在放大电路中引入反应,就一定能使性能得到改善。79、放大电路的级数越多,引入的反应越强,电路的放大倍数也就越稳定。80、一个理想对称的差分放大电路,能放大差模输入信号,也能放大共模输入信号。81、负反应放大电路不可能产生自激振荡。82、正反应放大电路有可能产生自激振荡。83、知足自激振荡平衡条件的反应放大电路,就一定能产生正弦波振荡。84、但凡引入正反应的集成运放,一定

8、工作在非线性区。85、对于正弦波振荡电路,只要知足自激振荡的平衡条件,就有可能自行起振。86、石英谐振器相当于一个高Q值的RC电路。87、当只想要放大频率为10kHz以上的信号时,应采用带通有源滤波器。88、直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变换电路。89、直流电源是一种电能形式转换电路,将沟通电变为直流电。90、整流的目的是将沟通变为单向脉动的直流。91、滤波就是将正弦沟通电压滤波为单向脉动电压。92、在单相桥式整流电容滤波电路中,若有一只整流管断开,输出电压平均值变为原来的一半。二、选择题1、关于理想运算放大器错误的叙述是(A)。A输入阻抗为零,输出阻抗也为零B输入信号为零时,输

9、出处于零电位C频带宽度从零到无穷大D开环电压放大倍数无穷大2、集成运算放大器构成的反相比例运算电路的一个重要特点是A。A反相输入端为虚地;B输入电阻大;C电流并联负反应;D电压串联负反应。3、欲将方波转换为三角波,应选用D。A反相比例运算电路B同相比例运算电路C求和运算电路D积分运算电路4、当温度下降高时,二极管的反向饱和电流将。A增大B不变C减少5、P型半导体主要靠B导电A正电荷B空穴C自由电子D负电荷6、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于C。A温度B掺杂工艺的类型C杂质浓度D晶体中的缺陷7、PN结加正向电压时,空间电荷区将A。A变窄B基本不变C变宽D不定8、外加偏置电压不变时,若工

10、作温度升高,二极管的正向导通电流将A。A增大B减小C不变9、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的A。A大B小C相等10、对于稳压二极管,它正常工作时是处于B状态。A正向导通B反向击穿C截止D随外加电压变化而变化11、根据某只晶体管的各极对地电压分别是VB6.3V,VE7V,VC4V,能够判定此晶体管是管,处于。DANPN管,饱和区BPNP管,放大区CPNP管,截止区DNPN管,放大区12、处于饱和状态的晶体管其特点有:(B)Ab,1CCEIiUDb,1CCEIiU=13、工作在放大区的某三极管,假如当IB从12A增大到22A时,IC从1mA变为2mA,那么它的约为C。A83B91C10014、一

11、个晶体管的极限参数为PCM=100mW,ICM=20mA,U(BR)CEO=15V,则下列(A是正常工作状态。AUCE=3V,IC=10mABUCE=2V,IC=40mACUCE=6V,IC=20mADUCE=16V,IC=30mA15、测得放大电路中三极管的各极电位如图2.1所示,则该三极管为(C。ANPN,硅管BPNP,硅管CNPN,锗管DPNP,锗管16、在同时比拟三种基本放大电路的特点时,下列描绘正确是B。A共射电路的Ri最大B共集电路的AV最小C共基电路的AV最小D共射电路的Ro最小17、在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为2KHz,20mV的正弦电压时,输出电压波

12、形出现了底部削平的失真,这种失真是A。A饱和失真B截止失真C频率失真D交越失真18、在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了顶部削平的失真。这种失真是A。A饱和失真B截止失真C交越失真D频率失真19、图2所示共射放大电路,设静态时ICQ=2mA,晶体管饱和管压降UCES=0.6V,当输入信号幅度增大到一定值时,电路将首先出现失真,其输出波形的()将削去一部分。A饱和;底部B饱和;顶部C截止;底部D截止;顶部20、在图2所示电路中,已知UT=26mV,静态时ICQ=2mA,晶体管参数:=100,200bbr=,正弦沟通输入电压iut=

13、,则沟通输出uo为A。Ao)ut=+Bo)ut=Co)ut=+Do)ut=21、当一个NPN三极管工作于放大状态时,其三个电极的偏置电压知足关系式C。AUBUE;UBUCBUBUBUEDVC23、某同学为验证基本共射放大电路电压放大倍数与静态工作点的关系,在线性放大条件下对同一个电路测了四组数据。其中错误的一组是D。AIC=0.5mA,Ui=10mV,Uo=0.37VBIC=1.0mA,Ui=10mV,Uo=0.62VCIC=1.5mA,Ui=10mV,Uo=0.96VDIC=2mA,Ui=10mV,Uo=0.45V24、某一工作在放大状态的电路,当输入电压为10mV时,输出电压为7V,输入电

14、压为15mV时,输出电压为6.5V以上均为直流电压。它们的电压放大倍数为(C。A700B100C100D43325、如图2.3所示为放大电路及输出电压波形,若要使输出电压u0波形不失真,则应B。ARC增大BRB增大CRB减小D增大图2.326、放大电路如题图2.4所示,在Vi不变、不失真输出时,增大Re,则电压放大倍数vA&、输入电阻Ri将。AvA&增大、Ri增大BvA&增大、Ri减小CvA&减小、Ri增大D不变27、共射电路中,若静态工作点设置过低,在输入信号增大时放大器会首先产生C。A交越失真B饱和失真C截止失真D不能确定的失真28、带射极电阻Re的共射放大电路,在Re上并联沟通旁路电容C

15、e后,其电压放大倍数将B。A减小;B增大;C不变;D变为零。29、放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入3k?的负载电阻后输出电压降为3V,这讲明放大电路的输出电阻为C。A10k?B2k?C1k?D0.5k?图2.430、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,能够在信号源与低阻负载间接入C。A共射电路B共基电路C共集电路D共集-共基串联电路31、有两个放大倍数一样,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这讲明A的B。A输入电阻大B输入电阻小C输出电阻大D输出电阻小32、对于基本共射放大电路的特点,其错

16、误的结论是(A。A输出电压与输入电压相位一样B输入电阻,输出电阻适中C电压放大倍数大于1D电放逐大倍数大于133、设图2.5所示的的放大电路处于正常放大状态,各电容都足够大。则该电路的输入电阻为D。图2.5ARiRe/rbe+(Rb1+Rb2)BRiRe/rbeCRiRe/rbe+(Rb1+Rb2)/(1+)DRiRe/rbe/(1+)34、由两只值一样且远大于1的NPN管组成的复合管,其复合管的值约为C。AB2C2D1+35、用一个PNP型和一个NPN型管组成等效PNP型符合管时,如图2.6所示的abcd接法中,_b_是正确的。图2.636、对于阻容耦合单管共射放大电路,当ffL时,vo滞后

17、viC。A90B45C135D18037、放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是B。A耦合电容和旁路电容的存在B半导体极间电容和分布电容的存在C半导体的非线性特性D放大电路的静态工作点不适宜38、下列对场效应管的描绘中,不正确的是C。A场效应管具有输入电阻高,热稳定性好等优点;B场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET;C场效应管工作时多子、少子均介入导电;D场效应管能够构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。39、VGS为正、负值都能够工作在恒流区的场效应管为C。A结型管B加强型MOSFETC耗尽型MOSEFT管DBJT40、场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的B。A非

18、饱和区B饱和区C截止区D击穿区41、场效应管放大电路的输入电阻,主要由C决定。A管子类型BgmC偏置电路DUGS42、直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式或变压器耦合式多级放大电路相比,低频响应B。A差B好C差不多43、集成放大电路采用直接耦合的原因是(C)。A便于设计B放大沟通信号C不易制作大容量电容D克制零点漂移44、在图2.7电路中,I1mA,则IC3A。A1mA;B0.5mA;C0.3mA图2.7K越大,表明电路C。45、共模抑制比CMRA放大倍数越稳定;B沟通放大倍数越大;C抑制温漂能力越强;D输入信号中的差模成分越大。46、放大电路产生零点漂移的主要原因是A。A环境温度变化引起参数变

19、化B增益太大C采取了直接耦合方式D外界有干扰信号47、集成运放的互补输出级采用,输入级采用B。A共基接法B共集接法C共射接法D差分接法48、集成运放中间级的作用是C。A提高共模抑制比B提高输入电阻C提高放大倍数D提供过载保护49、差分放大电路,若uI1=100V,uI2=80V,则差模输入电压uId和共模输入电压uIc分别等于D。A.20V,180VB.180V,20VC.90V,20VD.20V,90V50、差动放大电路的主要特点是(A)。A有效放大差模信号,有力抑制共模信号;B既放大差模信号,又放大共模信号C有效放大共模信号,有力抑制差模信号;51、差动放大器由双端输入变为单端输入,差模电

20、压增益是D。A增加一倍B为双端输入时的一半C不变D不确定52、差分放大电路的长尾电阻的主要功能是(A),而提高共模抑制比。A抑制共模信号B抑制差模信号C放大共模信号D既抑制共模信号又抑制差模信号53、双端输入,双端输出,差分式放大电路如图2.8所示。已知:静态时,VC1VC210V,vOvC1vC20,求:1设|vd|=100,VC=0,i110mV,i25mV.则|Vo|为D。A125mVB200mVC250mVD500mV2设vd10,i10.1V,i20.1V,则VC1为A,VC2为CA9VB10VC11VD12V图2.83为提高电路的CMR,e可用B代替。A大电容B电流源C电压源D断开

21、54、某差动放大电路如图2.9,选择正确答案1静态时,要使Vo=0,应调整元件是AARwBRcCReDRb2差模放大时,开关S从1转至2,Vo值变化是CA增大B减小C基本不变3共模放大时,开关S从2转至1,实测共模放大倍数|vc|值的变化是B图2.9A增大B减小C基本不变55、为增大电压放大倍数,集成运放中间级多采用(A)。A共射放大电路;B共集放大电路;C共基放大电路56、欲将正弦电压移相+90,应选用C。A反相比例运算电路B同相比例运算电路C积分电路D求和电路57、多级负反应放大电路容易引起自激振荡的原因是B。A各级电路的参数很分散B回路增益AF&大C闭环增益大D放大器的级数少58、组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使D。A电压放大倍数高B输出电流小C输出电阻增大D带负载能力强59、在串联负反应电路中,电压源的内阻B,负反应的效果越好。A越大,B越小,C越恒定,D越适当60、某仪表放大电路,要求Ri大,输出电流稳定,应选A。A电流串联负反应B电压并联负反应C电流并联负反应D电压串联负反应61、在输入量不变的情况下,若引入反应后D,则讲明引入的是负反应。A电路稳定性变差B输出量增大C净输入量增大D净输入量减小62、负反应所能抑制的干扰和噪声是B。A输入信号所包含的干扰和噪声;B.反应环内的干扰和噪声;

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