存储器技术的将来.docx

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1、存储器技术的将来wangsl导语:廉价的DRAM仍占上风,但稳定的技术进步已经开拓了很多新的方向。廉价的DRAM仍占上风,但稳定的技术进步已经开拓了很多新的方向。存储器技术是一种不断进步的技术,每一种新技术的出现都会使某种现存的技术走进历史,这是由于开发新技术的初衷就是为了消除或者减轻某种特定存储器产品的缺乏之处。举例来讲,闪存技术脱胎于EEPROM,它的第1个主要用处就是为了取代用于PC机BIOS的EEPROM芯片,以便方便地对这种计算机中最根本的代码进展更新。这样,随着各种专门应用不断提出新的要求,新的存储器技术也层出不穷,从PC机直到数字相机。本文即着眼于对现有的存储器技术及其将来走向进

2、展考察。DRAM严重依靠于PC的DRAM市场总是处于剧烈的振荡之中。对目前处于衰退经过中的供给商们来讲,降低每比特DRAM消费本钱唯一划算的方法就是缩小DRAM芯片的尺寸。所以,制造商们就不断地寻找可以缩小DRAM芯片尺寸的方法。随着市场的复苏和边际效益的增长,供给商们会逐渐转向使用300mm的大圆片。但如今,大多数DRAM消费商都承当不起在300mm圆片上消费的费用。就像石油公司都想多卖高品质汽油以获取高额利润一样,DRAM消费商也正在把产品线从SDRAM换成DDRSDRAM,希望卖个高价。在DDR之后又出来一个DDRII,这是一种更先进的DRAM技术,已经受到英特尔的欢送。出于同样的原因,

3、存储器消费商们很快就会晋级到DDRII技术。同样像石油公司不断勘探新油田一样,DRAM消费商也在不断地开发新的市场,包括通讯和消费电子市场在内。他们希望这样能降低对PC市场的依存度,平稳度过市场振荡期。很多消费商都开场针对这些市场开发专门的DRAM产品。不幸的是,随着人们开场对各种模块和效劳器进展晋级,PC市场在将来仍将是DRAM应用最主要的推动力。尽管一些消费商以为通讯将成为另一个主要的推动力,但根据iSuppli公司的预测,至少在2002年,通讯市场在DRAM销售中所占的份额将仍低于2%。消费商对消费电子市场的期望值更高。网络设备和数字电视是DRAM应用增长最迅速的领域,但与PC市场相比,

4、其份额仍然太小了。但是,不管是消费电子市场还是PC市场,DRAM面临的最大挑战都是以下需求:更高的密度、更大的带宽、更低的功耗、更少的延迟时间以及更低的价格。因此,对DRAM消费商和用户来讲,在消费电子领域中性价比还是最主要的考虑因素。如今已经有很多公司在开场或者已经开场提供专门为各种非PC应用设计的DRAM,包括短延迟DRAMRL-DRAM以及各种RambusDRAMRDRAM。这些专用DRAM的产量都很小,单位售价很高。因此,iSuppli相信在非PC领域内,这些专用存储器永远不会取代普通的SDRAM和DDR存储器。所以,对DRAM来讲,其将来属于低价、标准、大量消费的、面向其占最大份额的

5、PC市场的技术。闪存和其他非易失性存储器目前,非易失性存储器技术的最高程度是闪存。如同DRAM依靠于PC市场一样,闪存也依靠于手机和机顶盒市场。由于这些设备的需求一直不够强劲,所以闪存目前良好的销售情况只是季节性的,今年下半年就会降下来。但到明年上半年,手机、数字消费产品以及数字介质的需求会比拟强劲,所以闪存的前景也会变得光明一些。尽管目前非易失性存储器中最先进的就是闪存,但技术却并未就此停步。消费商们正在开发多种新技术,以便使闪存也拥有像DRAM和SDRAM那样的高速、低价、寿命长等特点。非易失性存储器包括铁电介质存储器FRAM或者FeRAM、磁介质存储器MRAM、奥弗辛斯基效应一致性存储器

6、OUM以及聚合物存储器PFRAM,对数据处理来讲,它们都很有前途,由于它们打破了SRAM、DRAM以及闪存的局限性。每种技术都有自己的目的市场,iSuppli公司将在下面逐一进展分析。FRAMFRAM是下一代的非易失性存储器技术,运行能耗低,在断电后能长期保存数据。它综合了RAM高速读写和ROM长期保存数据的特点。这项技术利用了铁电材料可保存信息的特点,使用工业标准的CMOS半导体存储器制造工艺来消费,直到近日才研发成功。但是,FRAM的寿命是有限的,而其读取是破坏性的,就是讲一旦进展读取,FRAM中存储的数据就消失了。MRAMMRAM是非易失性的存储器,速度比DRAM还快。在实验室中,MRA

7、M的写入时间可低至2.3ns。MRAM拥有无限次的读写才能,并且功耗极低,可实现瞬间开关机并能延长便携机的电池使用时间。而且,MRAM的电路比普通存储器还简单,整个芯片只需一条读出电路。但就消费本钱来看,MRAM比SRAM、DRAM及闪存都高得多。OUM是一种非易失性存储器,可以替换低功耗的闪存。它拥有很长的读写操纵寿命,并且比闪存更易集成。OUM存储单元的密度极高,读取操纵完全平安,只需极低的电压和功率即可工作,同现有逻辑电路的集成也相当简单。用OUM单元制作的存储器大约可写入10亿次,这使它成为便携设备中大容量存储器的理想替换品。但是,OUM有一定的使用寿命,长期使用会出一些可靠性问题。P

8、FRAMPFRAM是一种塑料的、基于聚合物的非易失性存储器,通过三维堆叠技术可以得到很高的密度,但它的读写操纵寿命有限。PFRAM可能会替换闪存,并且其本钱只有NOR型闪存的10%左右。塑料存储器的存储潜力也相当宏大。今后,消费聚合物存储器可能会变得像印照片一样简单,但今年才刚刚开场对这种存储器的消费工艺进展研发。PFRAM的读写次数也有限,并且其读取也是破坏性的,就像FRAM一样。总之,存储器技术将会继续开展,以知足不同的应用需求。就PC市场来讲,更高密度、更大带宽、更低功耗、更短延迟时间、更低本钱的主流DRAM技术将是不二之选。而在非易失性存储器领域,供给商们正在研究闪存之外的各种技术,以便知足不同应用的需求,而这些技术各有优劣。

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