微电子中英文辞典.doc

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1、【精品文档】如有侵权,请联系网站删除,仅供学习与交流微电子中英文辞典.精品文档.微电子中英文辞典Abrupt junction 突变结Accelerated testing 加速实验Acceptor 受主Acceptor atom 受主原子Accumulation 积累、堆积Accumulating contact 积累接触Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层Active region 有源区Active component 有源元Active device 有源器件 Activation 激活Activation energy 激活能A

2、ctive region 有源(放大)区Admittance 导纳 Allowed band 允带Alloy-junction device合金结器件Aluminum(Aluminium) 铝Aluminum oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化 Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度 Amorphous 无定形的,非晶体的Amplifier 功放 扩音器 放大器Analogue(Analog) comparator 模拟比较器Angstrom 埃Anneal 退火Anisotropic 各向异性的Anode 阳极 CSS

3、TU| Arsenic (AS) 砷 xInW4 Auger 俄歇 p#Y$Fs: Auger process 俄歇过程 L(gmIit9 Avalanche 雪崩 wZ _h:=w Avalanche breakdown 雪崩击穿 Avalanche excitation雪崩激发 Background carrier 本底载流子Background doping 本底掺杂Backward 反向 Backward bias 反向偏置Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合Band 能带,MM/ Band gap 能带间隙Barrier 势垒Barrier

4、layer 势垒层 Barrier width 势垒宽度Base 基极Base contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应 Ggo5O Base transit time 基区渡越时间 = RaWQ Base transport efficiency基区输运系数 -h1JdE Base-width modulation基区宽度调制 /mZ z&|g Basis vector 基矢 *Cl5Y:|h Bias 偏置 Bilateral switch 双向开关Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体B

5、ipolar 双极性的Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管 Bloch 布洛赫Blocking band 阻挡能带 3DY0Py, Blocking contact 阻挡接触 rqxCjhD Body - centered 体心立方 !HL=-bp Body-centred cubic structure 体立心结构 BWW ubj Boltzmann 波尔兹曼 ,) rxpfL Bond 键、键合 siiBC; Bonding electron 价电子 Km8kI2 Bonding pad 键合点 db v6Z Bootstrap circuit 自举

6、电路 A7Y-.&i Bootstrapped emitter follower -自举射极跟随器Boron 硼Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件Bound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板Break down 击穿Break over 转折Brillouin 布里渊 FBrillouin zone 布里渊区 Built-in 内建的Build-in electric field 内建电场Bulk 体/体内Bulk absorption 体吸收Bulk generation 体产生Bulk recomb

7、ination 体复合Burn - in 老化Burn out 烧毁 Buried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散区Can 外壳Capacitance 电容Capture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子Carrier 载流子、载波Carry bit 进位位Carry-in bit 进位输入Carry-out bit 进位输出Cascade 级联Case 管壳 Cathode 阴极Center 中心Ceramic 陶瓷(的)Channel 沟道Channel breakdown 沟道击穿Channe

8、l current 沟道电流Channel doping 沟道掺杂Channel shortening 沟道缩短Channel width 沟道宽度Characteristic impedance 特征阻抗Charge 电荷、充电Charge-compensation effects 电荷补偿效应Charge conservation 电荷守恒Charge neutrality condition 电中性条件Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储Chemmical etching 化学腐蚀法Chemical

9、ly-Polish 化学抛光Chemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光Chip 芯片Chip yield 芯片成品率Clamped 箝位Clamping diode 箝位二极管Cleavage plane 解理面Clock rate 时钟频率Clock generator 时钟发生器Clock flip-flop 时钟触发器Close-packed structure 密堆积结构 Close-loop gain 闭环增益Collector 集电极Collision 碰撞Compensated OP-AMP 补偿运放Common-base/colle

10、ctor/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接Common-mode gain 共模增益Common-mode input 共模输入 Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比Compatibility 兼容性Compensation 补偿Compensated impurities 补偿杂质Compensated semiconductor 补偿半导体Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路Compl

11、ementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS) 互补金属氧化物半导体场效应晶体管Complementary error function 余误差函数Computer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制造Compound Semiconductor 化合物半导体Conductance 电导Conduction band (edge) 导带(底)Conduction level/state 导带态Conductor 导体Conduc

12、tivity 电导率Configuration 组态Conlomb 库仑Conpled Configuration Devices 结构组态Constants 物理常数Constant energy surface 等能面Constant-source diffusion恒定源扩散Contact 接触Contamination 治污Continuity equation 连续性方程Contact hole 接触孔Contact potential 接触电势Continuity condition 连续性条件 Contra doping 反掺杂Controlled 受控的Converter 转换

13、器Conveyer 传输器Copper interconnection system 铜互连系统Couping 耦合 Covalent 共阶的Crossover 跨交 Critical 临界的 Crossunder 穿交 Crucible坩埚 4daCrystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格Current density 电流密度Curvature 曲率Cut off 截止Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享Current Sense 电流取样Curvature 弯曲Custom integ

14、rated circuit 定制集成电路Cylindrical 柱面的Czochralshicrystal 直立单晶 Czochralski technique 切克劳斯基技术(Cz法直拉晶体J))Dangling bonds 悬挂键Dark current 暗电流Dead time 空载时间Debye length 德拜长度 De.broglie 德布洛意Decderate 减速Decibel (dB) 分贝Decode 译码Deep acceptor level 深受主能级Deep donor level 深施主能级Deep impurity level 深度杂质能级 Deep trap

15、深陷阱Defeat 缺陷Degenerate semiconductor 简并半导体Degeneracy 简并度Degradation 退化Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度Delay 延迟Density 密度Density of states 态密度Depletion 耗尽Depletion approximation 耗尽近似Depletion contact 耗尽接触Depletion depth 耗尽深度Depletion effect 耗尽效应Depletion layer 耗尽层Depletion MOS 耗尽MOSDepletio

16、n region 耗尽区Deposited film 淀积薄膜Deposition process 淀积工艺Design rules 设计规则Die 芯片(复数dice)Diode 二极管Dielectric 介电的Dielectric isolation 介质隔离Difference-mode input 差模输入Differential amplifier 差分放大器Differential capacitance 微分电容Diffused junction 扩散结Diffusion 扩散Diffusion coefficient 扩散系数Diffusion constant 扩散常数Di

17、ffusivity 扩散率Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉Digital circuit 数字电路Dipole domain 偶极畴Dipole layer 偶极层Direct-coupling 直接耦合Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体Direct transition 直接跃迁Discharge 放电Discrete component 分立元件Dissipation 耗散Distribution 分布Distributed capacitance 分布电容Distribute

18、d model 分布模型Displacement 位移Dislocation 位错Domain 畴Donor 施主Donor exhaustion 施主耗尽Dopant 掺杂剂Doped semiconductor 掺杂半导体Doping concentration 掺杂浓度Double-diffusive MOS(DMOS)双扩散MOSDrift 漂移 Drift field 漂移电场Drift mobility 迁移率Dry etching 干法腐蚀Dry/wet oxidation 干/湿法氧化Dose 剂量Duty cycle 工作周期Dual-in-line package (DIP

19、) 双列直插式封装Dynamics 动态Dynamic characteristics 动态属性Dynamic impedance 动态阻抗Early effect 厄利效应Early failure 早期失效 Effective mass 有效质量 Einstein relation(ship) 爱因斯坦关系Electric Erase Programmable Read Only Memory(E2PROM) 一次性电可擦除只读存储器Electrode 电极Electrominggratim 电迁移Electron affinity 电子亲和势Electronic -grade 电子能El

20、ectron-beam photo-resist exposure 光致抗蚀剂的电子束曝光Electron gas 电子气Electron-grade water 电子级纯水Electron trapping center 电子俘获中心Electron Volt (eV) 电子伏Electrostatic 静电的Element 元素/元件/配件Elemental semiconductor 元素半导体 Ellipse 椭圆 Ellipsoid 椭球Emitter 发射极Emitter-coupled logic 发射极耦合逻辑Emitter-coupled pair 发射极耦合对Emitter

21、 follower 射随器Empty band 空带Emitter crowding effect 发射极集边(拥挤)效应Endurance test =life test 寿命测试Energy state 能态Energy momentum diagram 能量-动量(E-K)图Enhancement mode 增强型模式Enhancement MOS 增强性MOSEntefic (低)共溶的Environmental test 环境测试Epitaxial 外延的Epitaxial layer 外延层Epitaxial slice 外延片Expitaxy 外延Equivalent curcu

22、it 等效电路Equilibrium majority /minority carriers 平衡多数/少数载流子Erasable Programmable ROM (EPROM)可搽取(编程)存储器Error function complement 余误差函数Etch 刻蚀Etchant 刻蚀剂Etching mask 抗蚀剂掩模Excess carrier 过剩载流子Excitation energy 激发能Excited state 激发态Exciton 激子Extrapolation 外推法Extrinsic 非本征的Extrinsic semiconductor 杂质半导体Face

23、- centered 面心立方 Fall time 下降时间Fan-in 扇入 Fan-out 扇出Fast recovery 快恢复 Fast surface states 快界面态Feedback 反馈 Fermi level 费米能级Fermi-Dirac Distribution 费米-狄拉克分布 Femi potential 费米势Fick equation 菲克方程(扩散) Field effect transistor 场效应晶体管Field oxide 场氧化层 Filled band 满带Film 薄膜 Flash memory 闪烁存储器Flat band 平带 Flat

24、pack 扁平封装Flicker noise 闪烁(变)噪声 Flip- flop toggle 触发器翻转Floating gate 浮栅 Fluoride etch 氟化氢刻蚀Forbidden band 禁带 Forward bias 正向偏置Forward blocking /conducting 正向阻断/导通Frequency deviation noise 频率漂移噪声Frequency response 频率响应 Function 函数Gain 增益 Gallium-Arsenide(GaAs) 砷化钾Gamy ray r 射线 Gate 门、栅、控制极Gate oxide 栅

25、氧化层 Gauss(ian) 高斯Gaussian distribution profile 高斯掺杂分布Generation-recombination 产生-复合Geometries 几何尺寸 Germanium(Ge) 锗Graded 缓变的 Graded (gradual) channel 缓变沟道Graded junction 缓变结 Grain 晶粒Gradient 梯度 Grown junction 生长结Guard ring 保护环 Gummel-Poom model 葛谋-潘 模型Gunn - effect 狄氏效应Hardened device 辐射加固器件 Heat of

26、 formation 形成热Heat sink 散热器、热沉 Heavy/light hole band 重/轻 空穴带Heavy saturation 重掺杂 Hell - effect 霍尔效应Heterojunction 异质结 Heterojunction structure 异质结结构Heterojunction Bipolar Transistor(HBT)异质结双极型晶体High field property 高场特性High-performance MOS.( H-MOS)高性能MOS. Hormalized 归一化Horizontal epitaxial reactor 卧式

27、外延反应器 Hot carrior 热载流子Hybrid integration 混合集成Image - force 镜象力 Impact ionization 碰撞电离Impedance 阻抗 Imperfect structure 不完整结构Implantation dose 注入剂量 Implanted ion 注入离子Impurity 杂质 Impurity scattering 杂志散射Incremental resistance 电阻增量(微分电阻)In-contact mask 接触式掩模Indium tin oxide (ITO) 铟锡氧化物 Induced channel 感

28、应沟道Infrared 红外的 Injection 注入Input offset voltage 输入失调电压 Insulator 绝缘体Insulated Gate FET(IGFET)绝缘栅FET Integrated injection logic 集成注入逻辑Integration 集成、积分 Interconnection 互连Interconnection time delay 互连延时 Interdigitated structure 交互式结构Interface 界面 Interference 干涉International system of unions 国际单位制 Int

29、ernally scattering 谷间散射Interpolation 内插法 Intrinsic 本征的Intrinsic semiconductor 本征半导体 Inverse operation 反向工作Inversion 反型 Inverter 倒相器Ion 离子 Ion beam 离子束Ion etching 离子刻蚀 Ion implantation 离子注入Ionization 电离 Ionization energy 电离能Irradiation 辐照 Isolation land 隔离岛Isotropic 各向同性Junction FET(JFET) 结型场效应管 Junc

30、tion isolation 结隔离Junction spacing 结间距 Junction side-wall 结侧壁Latch up 闭锁 Lateral 横向的Lattice 晶格 Layout 版图Lattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常熟/晶格缺陷/晶格畸变Leakage current (泄)漏电流 Level shifting 电平移动Life time 寿命 linearity 线性度Linked bond 共价键 Liquid Nitrogen 液氮Liquidphase epitaxia

31、l growth technique 液相外延生长技术Lithography 光刻 Light Emitting Diode(LED) 发光二极管Load line or Variable 负载线 Locating and Wiring 布局布线Longitudinal 纵向的 Logic swing 逻辑摆幅Lorentz 洛沦兹 Lumped model 集总模型Majority carrier 多数载流子 Mask 掩膜板,光刻板Mask level 掩模序号 Mask set 掩模组Mass - action law 质量守恒定律 Master-slave D flip-flop 主从

32、D 触发器Matching 匹配 Maxwell 麦克斯韦Mean free path 平均自由程 Meandered emitter junction 梳状发射极结Mean time before failure (MTBF) 平均工作时间Megeto - resistance 磁阻 Mesa 台面MESFET-Metal Semiconductor 金属半导体FETMetallization 金属化 Microelectronic technique 微电子技术Microelectronics 微电子学 Millen indices 密勒指数Minority carrier 少数载流子 M

33、isfit 失配Mismatching 失配 Mobile ions 可动离子Mobility 迁移率 Module 模块Modulate 调制 Molecular crystal 分子晶体Monolithic IC 单片IC MOSFET 金属氧化物半导体场效应晶体管Mos. Transistor(MOST )MOS. 晶体管 Multiplication 倍增Modulator 调制 Multi-chip IC 多芯片ICMulti-chip module(MCM) 多芯片模块 Multiplication coefficient 倍增因子Naked chip 未封装的芯片(裸片) Neg

34、ative feedback 负反馈Negative resistance 负阻 Nesting 套刻Negative-temperature-coefficient 负温度系数 Noise margin 噪声容限Nonequilibrium 非平衡 Nonrolatile 非挥发(易失)性Normally off/on 常闭/开 Numerical analysis 数值分析Occupied band 满带 Officienay 功率Offset 偏移、失调 On standby 待命状态Ohmic contact 欧姆接触 Open circuit 开路Operating point 工作

35、点 Operating bias 工作偏置Operational amplifier (OPAMP)运算放大器Optical photon =photon 光子 Optical quenching 光猝灭Optical transition 光跃迁 Optical-coupled isolator 光耦合隔离器Organic semiconductor 有机半导体 Orientation 晶向、定向Outline 外形 Out-of-contact mask 非接触式掩模Output characteristic 输出特性 Output voltage swing 输出电压摆幅Overcomp

36、ensation 过补偿 Over-current protection 过流保护Over shoot 过冲 Over-voltage protection 过压保护Overlap 交迭 Overload 过载Oscillator 振荡器 Oxide 氧化物Oxidation 氧化 Oxide passivation 氧化层钝化Package 封装 Pad 压焊点Parameter 参数 Parasitic effect 寄生效应Parasitic oscillation 寄生振荡 Passination 钝化Passive component 无源元件 Passive device 无源器件

37、Passive surface 钝化界面 Parasitic transistor 寄生晶体管Peak-point voltage 峰点电压 Peak voltage 峰值电压Permanent-storage circuit 永久存储电路 Period 周期Periodic table 周期表 Permeable - base 可渗透基区Phase-lock loop 锁相环 Phase drift 相移Phonon spectra 声子谱Photo conduction 光电导 Photo diode 光电二极管Photoelectric cell 光电池Photoelectric eff

38、ect 光电效应Photoenic devices 光子器件 Photolithographic process 光刻工艺(photo) resist (光敏)抗腐蚀剂 Pin 管脚Pinch off 夹断 Pinning of Fermi level 费米能级的钉扎(效应)Planar process 平面工艺 Planar transistor 平面晶体管Plasma 等离子体 Plezoelectric effect 压电效应Poisson equation 泊松方程 Point contact 点接触Polarity 极性 Polycrystal 多晶Polymer semicondu

39、ctor 聚合物半导体 Poly-silicon 多晶硅Potential (电)势 Potential barrier 势垒Potential well 势阱 Power dissipation 功耗Power transistor 功率晶体管 Preamplifier 前置放大器Primary flat 主平面 Principal axes 主轴Print-circuit board(PCB) 印制电路板 Probability 几率Probe 探针 Process 工艺Propagation delay 传输延时 Pseudopotential method 膺势发Punch throu

40、gh 穿通 Pulse triggering/modulating 脉冲触发/调制Pulse Widen Modulator(PWM) 脉冲宽度调制Punchthrough 穿通 Push-pull stage 推挽级Quality factor 品质因子 Quantization 量子化Quantum 量子 Quantum efficiency 量子效应Quantum mechanics 量子力学 Quasi Fermilevel 准费米能级Quartz 石英Radiation conductivity 辐射电导率 Radiation damage 辐射损伤Radiation flux de

41、nsity 辐射通量密度 Radiation hardening 辐射加固Radiation protection 辐射保护 Radiative - recombination 辐照复合Radioactive 放射性 Reach through 穿通Reactive sputtering source 反应溅射源 Read diode 里德二极管Recombination 复合 Recovery diode 恢复二极管Reciprocal lattice 倒核子 Recovery time 恢复时间Rectifier 整流器(管) Rectifying contact 整流接触Referenc

42、e 基准点 基准 参考点 Refractive index 折射率Register 寄存器 Registration 对准Regulate 控制 调整 Relaxation lifetime 驰豫时间Reliability 可靠性 Resonance 谐振Resistance 电阻 Resistor 电阻器Resistivity 电阻率 Regulator 稳压管(器)Relaxation 驰豫 Resonant frequency共射频率Response time 响应时间 Reverse 反向的Reverse bias 反向偏置Sampling circuit 取样电路 Sapphire

43、蓝宝石(Al2O3)Satellite valley 卫星谷 Saturated current range 电流饱和区Saturation region 饱和区 Saturation 饱和的Scaled down 按比例缩小 Scattering 散射Schockley diode 肖克莱二极管 Schottky 肖特基Schottky barrier 肖特基势垒 Schottky contact 肖特基接触Schrodingen 薛定厄 Scribing grid 划片格Secondary flat 次平面Seed crystal 籽晶 Segregation 分凝Selectivity

44、选择性 Self aligned 自对准的Self diffusion 自扩散 Semiconductor 半导体Semiconductor-controlled rectifier 可控硅 Sendsitivity 灵敏度Serial 串行/串联 Series inductance 串联电感Settle time 建立时间 Sheet resistance 薄层电阻Shield 屏蔽 Short circuit 短路Shot noise 散粒噪声 Shunt 分流Sidewall capacitance 边墙电容 Signal 信号Silica glass 石英玻璃 Silicon 硅Sil

45、icon carbide 碳化硅 Silicon dioxide (SiO2) 二氧化硅Silicon Nitride(Si3N4) 氮化硅 Silicon On Insulator 绝缘硅Siliver whiskers 银须 Simple cubic 简立方Single crystal 单晶 Sink 沉Skin effect 趋肤效应 Snap time 急变时间Sneak path 潜行通路 Sulethreshold 亚阈的Solar battery/cell 太阳能电池 Solid circuit 固体电路Solid Solubility 固溶度 Sonband 子带Source 源极 Source follower 源随器Space charge 空间电荷 Specific heat(PT) 热Speed-power product 速度功耗乘积

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