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1、【精品文档】如有侵权，请联系网站删除，仅供学习与交流实验三COP2000存储器实验.精品文档.实验三 COP2000存储器实验本实验为设计性实验。【实验目的】1 了解存储器芯片内部结构和访问时序。 2 掌握存储器扩展技术。3 熟悉动态存储器刷新方式。【实验要求】1 存储器芯片。 2 静态和动态存储器扩充方法。3 COP2000实验箱存储器EM。【实验步骤】1 合理选择存储器芯片。 2 扩展4KB SRAM和2K ROM，要求地址空间与EM不重叠。3实现存储器的读和写。【实验内容】一 合理选择存储器芯片。 二 扩展4KB SRAM和2K ROM，要求地址空间与EM不重叠。三实现存储器的读和写。写
2、：连接线表连接信号孔接入孔作用有效电平1J1座J3座将K23-K16接入DBUS7:02RRDK11寄存器组读使能低电平有效3RWRK10寄存器组写使能低电平有效4SBK1寄存器选择B5SAK0寄存器选择A6RCKCLOCK寄存器工作脉冲上升沿打入将11H写入R0寄存器二进制开关K23-K16用于DBUS7:0的数据输入，置数据11HK23K22K21K20K19K18K17K1600010001置控制信号为：K11(RRD)K10(RWR)K1(SB)K0(SA)1000按住CLOCK脉冲键，CLOCK由高变低，这时寄存器R0的黄色选择指示灯亮，表明选择R0寄存器。放开CLOCK键，CLOC
3、K由低变高，产生一个上升沿，数据11H被写入R0寄存器。将22H写入R1寄存器二进制开关K23-K16用于DBUS7:0的数据输入，置数据22HK23K22K21K20K19K18K17K1600100010置控制信号为：K11(RRD)K10(RWR)K1(SB)K0(SA)1001按住CLOCK脉冲键，CLOCK由高变低，这时寄存器R1的黄色选择指示灯亮，表明选择R1寄存器。放开CLOCK键，CLOCK由低变高，产生一个上升沿，数据22H被写入R1寄存器。将33H写入R2寄存器二进制开关K23-K16用于DBUS7:0的数据输入，置数据33HK23K22K21K20K19K18K17K16
4、00110011置控制信号为：K11(RRD)K10(RWR)K1(SB)K0(SA)1010按住CLOCK脉冲键，CLOCK由高变低，这时寄存器R2的黄色选择指示灯亮，表明选择R2寄存器。放开CLOCK键，CLOCK由低变高，产生一个上升沿，数据33H被写入R2寄存器。将44H写入R3寄存器二进制开关K23-K16用于DBUS7:0的数据输入，置数据44HK23K22K21K20K19K18K17K1601000100置控制信号为：K11(RRD)K10(RWR)K1(SB)K0(SA)1011按住CLOCK脉冲键，CLOCK由高变低，这时寄存器R3的黄色选择指示灯亮，表明选择R3寄存器。放
5、开CLOCK键，CLOCK由低变高，产生一个上升沿，数据44H被写入R3寄存器。读：读R0寄存器置控制信号为：K11(RRD)K10(RWR)K1(SB)K0(SA)0100这时寄存器R0的红色输出指示灯亮，R0寄存器的数据送上数据总线。此时液晶显示DBUS: 11 00010001. 将K11(RRD)置为1, 关闭R0寄存器输出.读R1寄存器置控制信号为：K11(RRD)K10(RWR)K1(SB)K0(SA)0101这时寄存器R1的红色输出指示灯亮，R1寄存器的数据送上数据总线。此时液晶显示DBUS: 22 00100010. 将K11(RRD)置为1, 关闭R1寄存器输出.读R2寄存器置控制信号为：K11(RRD)K10(RWR)K1(SB)K0(SA)0110这时寄存器R2的红色输出指示灯亮，R2寄存器的数据送上数据总线。此时液晶显示DBUS: 33 00110011. 将K11(RRD)置为1, 关闭R2寄存器输出.读R3寄存器置控制信号为：K11(RRD)K10(RWR)K1(SB)K0(SA)0111这时寄存器R3的红色输出指示灯亮，R3寄存器的数据送上数据总线。此时液晶显示DBUS: 44 01000100. 将K11(RRD)置为1, 关闭R3寄存器输出.观察到： 1. 数据在K11(RRD)为0时输出, 不是沿触发, 与数据打入不同。【心得体会】