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1、精品名师归纳总结模拟电子技术基础总结第一章晶体二极管及应用电路一、半导体学问1. 本征半导体单质半导体材料就是具有4 价共价键晶体结构的硅Si 与锗 Ge 图 1-2 。前者就是制造半导体 IC 的材料 三五价化合物砷化镓GaAs 就是微波毫米波半导体器件与IC 的重要材料 。纯洁 纯度 7N 且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。在肯定的温度下, 本征半导体内的最重要的物理现象就是本征激发又称热激发或产生 图 1-3。本征激发产生两种带电性质相反的载流子自由电子与空穴对。温度越高,本征激发越强。空穴就是半导体中的一种等效q 载流子。 空穴导电的本质就是价电子依次填补本征晶格中的空位 ,使
2、局部显示q 电荷的空位宏观定向运动图 1-4。在肯定的温度下 ,自由电子与空穴在热运动中相遇,使一对自由电子与空穴消逝的现象称为载流子复合。复合就是产生的相反过程,当产生等于复合时 ,称载流子处于平稳状态。2. 杂质半导体在本征硅 或锗 中渗入微量5 价或 3 价元素后形成 N 型或 P 型杂质半导体 N型:图 1-5,P 型:图 1-6 。在很低的温度下 ,N 型P 型 半导体中的杂质会全部电离,产生自由电子与杂质正离子对 空穴与杂质负离子对。由于杂质电离 ,使 N 型半导体中的多子就是自由电子,少子就是空穴 ,而 P 型半导体中的多子就是空穴 ,少子就是自由电子。在常温下 ,多子 少子 图
3、 1-7。多子浓度几乎等于杂质浓度,与温度无关 ;两少子浓度就是温度的敏锐函数。在相同掺杂与常温下,Si 的少子浓度远小于Ge 的少子浓度。3. 半导体中的两种电流在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流 这与金属导电一样 ; 仍存在因载流子浓度差而产生的扩散电流。4. PN 结在具有完整晶格的P 型与 N 型材料的物理界面邻近,会形成一个特殊的薄层 PN 结图 1-8 。PN 结就是非中性区 称空间电荷区 ,存在由 N区指向 P 区的内建电场与内建电压;PN 结内载流子数远少于结外的中性区称耗尽层 ;PN 结内的电场就是阻挡结外两区的多子越结扩散的 称势垒层或阻挡层 。可编辑资料 - -
4、 - 欢迎下载精品名师归纳总结模拟电子技术基础总结正偏 PN 结P 区外接高于N 区的电压 有随正偏电压指数增大的电流;反偏 PN 结 P可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结区外接低于N 区的电压 ,在使 PN 结击穿前 ,只有其值很小的反向饱与电流有单向导电特性 正偏导通 ,反偏截止 。I S 。即 PN 结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结v /V可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结PN 结的伏安方程为 : iI S eT1 ,其中 ,在 T=300K 时,热电压VT ;26 mV 。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结非对称 PN 结有
5、P N 结P 区高掺杂 与 PN结N 区高掺杂 ,PN 结主要向低掺杂区域延长 图 1-9。二、二极管学问一般二极管内芯片就就是一个PN 结,P 区引出正电极 ,N 区引出负电极 图 1-13 。在低频运用时 ,二极的具有单向导电特性,正偏时导通 ,Si 管与 Ge 管导通电压典型值分别就是 0、7V 与 0、3V; 反偏时截止 ,但 Ge 管的反向饱与电流比Si 管大得多 图 1-15 。低频运用时 ,二极管就是一个非线性电阻,其沟通电阻不等于其直流电阻。1可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结二极管沟通电阻rdrd 定义 :di DdvDQ可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师
6、归纳总结稳压管电路设计时 ,要正确选取限流电阻 ,使稳压管在肯定的负载条件下正常工作。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结二极管沟通电阻rd 估算 : rdVTI D可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结二极管的低频小信号模型就就是沟通电阻变电流与微变电压之间的关系。rd ,它反映了在工作点Q 处,二极管的微可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结二极管的低频大信号模型就是一种开关模型,有抱负开关、 恒压源模型与折线模型三种近似 图 1-20 。三、二极管应用1. 单向导电特性应用整流器 : 半波整流 图 1-28,
7、 全波整流 图 P1-8a,桥式整流 图 P1-8b限幅器 : 顶部限幅 ,底部限幅 ,双向限幅 图 P1-9钳位电路 *通信电路中的应用 *: 检波器、混频器等2.正向导通特性及应用二极管正向充分导通时只有很小的沟通电阻,近似于一个 0、7VSi管或 0、3VGe管的恒压源。3.反向击穿及应用二极管反偏电压增大到肯定值时,反向电流突然增大的现象即反向击穿。反向击穿的缘由有价电子被碰撞电离而发生的“雪崩击穿”与价电子被场效激发而发生的“齐纳击穿” 。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结模拟电子技术基础总结反向击穿电压非常稳固,可以用来作稳压管 图 1-33 。4.高频时的电容效应及
8、应用高频工作时 ,二极管失去单向导电特性,其缘由就是管内的PN 结存在电容效应结电容 。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结结电容分为 PN 结内的势垒电容CT 与 PN 结两侧形成的扩散电容CD 。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结 CT随偏压的增大而增大 , CD与正偏电流近似成正比。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结反偏二极管在高频条件下,其等效电路主要就是一个势垒电容CT的二极管称为变容二极管。变容二极管在通信电路中有较多的应用。利用这一特性可编辑资料
9、 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结其次章双极型晶体三极管 BJT一、BJT 原理双极型晶体管 BJT 分为 NPN 管与 PNP 管两类 图 2-1,图 2-2。当 BJT 发射结正偏 ,集电结反偏时 ,称为放大偏置。在放大偏置时,NPN管满意可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结VCVBVC ;PNP 管满意 VCVBVE 。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结 放大偏置 时,作为PN结的 发射结的VA关系就可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结是: i EvBE / VTIeiESNPN,EvEB /VTIeESPNP 。可编辑资料 - - - 欢迎下载
10、精品名师归纳总结在 BJT 为放大偏置的外部条件与基区很薄、发射区较基区高掺杂的内部条件下,可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结发射极电流iE 将几乎转化为集电流iC ,而基极电流较小。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结在放大偏置时 ,定义了iCNi E iCN就是由i E 转化而来的iC 重量 极之后 ,可以导出两可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结个关于电极电流的关系方程: iCiEICBO可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - -
11、- 欢迎下载精品名师归纳总结iCi B1 I CBOiBI CEO可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结其中1, I CEO就是集电结反向饱与电流, I CEO1 ICBO 就是穿透电流。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结放大偏置时 ,在肯定电流范畴内 , i E就是指数非线性关系。、 iC、 i B 基本就是线性关系 ,而 vBE 对三个电流都可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结放大偏置时 :三电极电流主要受控于v
12、BE ,而反偏vCB 通过基区宽度调制效应,对电流可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结模拟电子技术基础总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结有较小的影响。影响的规律就是;集电极反偏增大时 , I C, I E增大而I B 减小。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结发射结与集电结均反偏时BJT 为截止状态 ,发射结与集电结都正偏时,BJT 为饱与状态。二、BJT 静态伏安特性曲线CE三端电子器件的伏安特性曲线一般就是画出器件在某一种双口组态时输入口与输出口的伏安特性曲线族。BJT 常用 CE 伏安特性曲线 ,其画法就是 :可编辑资料 - - - 欢迎下载精品
13、名师归纳总结输入特性曲线 : i Bf vBE V常数 图 2-13可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结输出特性曲线 : i Bf vCE IB 常数 图 2-14可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结输入特性曲线一般只画放大区,典型外形与二极管正向伏安特性相像。输出特性曲线族把伏安平面分为4 个区 放大区、饱与区、截止区与击穿区放大区近似的等间隔平行线, 反映近似为常数 ,放大区曲线向上倾就是基区宽度调制效应所致。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结当温度增加时 ,会导致增加 , I CBO增加与输入特性曲线左
14、移。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结三、BJT 主要参数limiClimiC可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结电流放大系数: 直流,直流; 沟通0 iE Q 与0iB Q ,、也满意可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结1 。极间反向电流 :集电结反向饱与与电流I CBO; 穿透电流I CEO可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结极限参数 : 集电极最大答应功耗PCM;基极开路时的集电结反向击穿电压BVCEO;集电可编辑资料 - - - 欢迎下载精品
15、名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结极最大答应电流I CM可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结特点频率 fT可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结BJT 小信号工作 ,当频率增大时使信号电流ic 与 ib 不同相 ,也不成比例。如用相量表示可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结为 I&c , I&B ,就 &I&cI&B 称为高频。f T 就是当高频&1 时的频率。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结的模等于四、BJT 小信号模型无论就是共射组态或共基组态,其放大电压信号的物理过
16、程都就是输入信号使正偏可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结模拟电子技术基础总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结发射结电压变化 ,经放大偏置 BJT 内部的vBE 的正向掌握过程产生集电极电流的相应变化可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结 iC显现信号电流i c , ic 在集电极电阻上的沟通电压就就是放大的电压信号。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结当发射结上沟通电压大。| v be |5 mV时,BJT的电压放大才就是工程意义上的线性放可编辑资
17、料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结BJT 混合小信号模型就是在共射组态下推导出的一种物理模型图 2-28, 模型中有七个参数 :可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结基本参数 : 基区体电阻rbb,由厂家供应、高频管的rbb比低频管小可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结r1 VT1r可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结基区复合电阻rb e :估算式 :b eeI E, re 发射结沟通电阻可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结跨导 gm :估算 gmI C / VT300 K38.5I C ms,
18、r b e , gm 关系 :rb e gm可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结基调效应参数r ce :估算rceVA / I C , V A 厄利电压可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结rb c :估算rrrb crrceg1r可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结b c以上参数满意 :ceb eem可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结高频参数 : 集电结电容Cb c :由厂家给出 ;Cb cCgmC可编
19、辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结发射结电容b eb e :估算2 f T*可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结最常用的 BJT 模型就是低频简化模型可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结(1) 电压掌握电流源 ic(2) 电流掌握电流源 icgm vb e 模型 图 2-23i b 模型 图 2-24,常用 ,其中rberbbrb e可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结第三章晶体管放大器基础一、基本概念可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结向放大器输入信号的电路模型一般可以用由源电压vS 串联源内阻RS 来表示 ,接受可编辑资料 - -
20、- 欢迎下载精品名师归纳总结模拟电子技术基础总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结被放大的信号的电路模型一般可以用负载电阻RC 来表示 图 3-1。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结未输入信号 静态 时,放大管的直流电流电压称为放大器的工作点。工作点由直流通路求解。放大器工作时 ,信号 电流、电压 均迭加在静态工作点上,只反映信号电流、电压间关系的电路称为沟通通路。放大器中的电压参考点称为“的”, 放大器工作时 ,某点对“的”的电压不变无沟通电压 , 该点为“沟通的” 。沟通放大器中的耦合电容可以隔断电容两端的直流电压,并无衰减的将电容一端的沟通电压传送到另一端,耦
21、合电容上应基本上无沟通电压,或即就是沟通短路的。傍路电容也就是对沟通电流短路的电容。画沟通通路时应将恒压源短路无沟通电压 , 恒流源开路 无沟通电流 ; 耦合、傍路电容短路 无沟通电压 。画直流通路时应将电容开路电容不通直流 ,电感短路 电感上直流电压为零 。二、BJT 偏置电路1. 固定基流电流 图 3-7a特点 :简洁 , I B 随温度变化小 ;但输出特性曲线上的工作点VCE 、I C 随温度变化大。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结VCCI BRVBEIIVVIR可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结Q 点估量B,CB ,CECCCC可编辑资料 - - - 欢迎
22、下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结i C直流负载线VCCRCvCE RC可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结2. 基极分压射极偏置电路图 3-14特点 : 元件稍多。但在满意条件RE10 R1 / R2 时,工作点 Q VCE , I C 可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结模拟电子技术基础总结随温度变化很小 ,稳固工作点的原理就是电流取样电压求与直流负反馈 7、4、4。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结I CI E VCC R2V BE / RE可编辑资料 - - - 欢迎
23、下载精品名师归纳总结 Q 点估算 :R1R2VCEVCC,RCRE I C可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结直流负载线CiVCCRCREvCERCRE可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结以上近似运算在满意RE10 R1/ R2 时有足够的精确性。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结三、基本 CE 放大器的大信号分析沟通负载线就是放大器图 3-6b工作时 ,动点 vCE, i C 的运动轨迹。沟通负载线经过静可编辑资
24、料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结态工作点 ,且斜率为1RC / RL 。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结因放大器中晶体管的伏安特性的非线性使输出波形显现失真 ,这就是非线性失真。非线性失真使输出信号含有输入信号所没有的新的频率重量。大信号时 ,使 BJT 进入饱与区产生饱与失真 ;使 BJT 进入截止区 ,产生截止失真。 NPN 管 CE 放大器的削顶失真就是截止失真 ;削底失真就是饱与失真。对于 PNP 管 CE 放大器就相反。将工作点支配在沟通负载线的中点 ,可以获得最大的无削波失真的输出。四、BJT 基本组态小信号放
25、大器指标1. 基本概念 :可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结输入电阻Ri 就是从放大器输入口视入的等效沟通电阻。Ri 就是信号源的负载 , Ri 说明放可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结大器向信号源吸取信号功率。 放大器在输出口对负载RL 而言 ,等效为一个新的信号源这说明可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结放大器向负载RL 输出功率P0 ,该信号源的内阻即输出电阻R0 。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结任何单向化放大器都可以一个通用模型来等效
26、图 3-36 。由此模型 ,放大器各种增益定义如下 :v0AV端电压增益 :viAv0ARiAVSVSV可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结源电压增益 :vs ,RsRi可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结i 0Ai电流增益 :i i可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结模拟电子技术基础总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结负载开路电压增益内电压增益 :v0AV 0RviLRLAV,R0RLAV 0可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结PAP0| A | A |可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结功率增益 :PVIi可编辑资
27、料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结 Av 、Avs 、Ai 、 Av 0 的分贝数为20 lg | A |; Ap 的分贝数为10 lgAP 。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结不同组态放大器增益不同,但任何正常工作的放大器,必需 AP1 。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结2. CE、CB 、CC 放大器基本指标Av ,管端输入电阻Ri ,管端输出电阻R0 。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结用电流掌握电流源 ic标由表 3-1 归纳。i b BJT
28、 低频简化模型 图 2-24 导出的三个组态的上述基本指可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结表 3-1BJT 三种基本放大器小信号指标CE 放大器CB 放大器CC 放大器简化沟通通路可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结RLrbeAV大,反相 RLrbe大,同相1rbe1RLRL r bbgm RLr be rbbRLreR L可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结r be中Rrbe1rbe r bbrbe+1+ RL大可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结i1+ rer be r bb小rerbe r bb1+ r e+ RL r be rbb可编辑
29、资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结0、5rcer ce 大,与信号源内Ro阻有关 r ce0、5rbc很大 ,与信号源内阻有关rbeRS 1 RS小,与 RS 有关 ,RS / RB 可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结功率增益最大 3、3、4应节 ,Ri Ro 适中 ,易于与前用后级接口 ,使用广泛。五、多级放大电路1. 基本概念高频放大时性能好 ,常与 CE与 CC 组态结合使用。如CE-CB 组态 CC-CB 组态。Ri 大而 Ro 小,可作高阻抗输入级与低阻抗输出级,隔离
30、级与功率输出级。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结多级放大器的级间耦合方式主要有电容耦合 阻容耦合 图 3-39 、变压器耦合 图 3-41可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结模拟电子技术基础总结与直接耦合 图 3-42、3-43 三种方式。对于直接耦合放大器,其工作频率的下限可以为零 称为直流放大器 ,但输出易发生所谓“零点漂移” 输出端静态电压缓慢变化,形成假信号。 零点漂移的主要缘由就是前级工作点随温度变化 ,这种变化因级间直接耦合被逐级放大。在输出端显现可观的漂移电压。直流放大器由于输入输出不能使用隔直耦合电容,期望在无输入信号时 ,输入端口与输出端口的静态直
31、流电压为零。满意这种条件的直流放大器称为满意零输入、零输出条件。 只有用正负双电源供电的直流放大器才能实现零输入与零输出。由于供电电压源存在内阻,使各级放大器发生“共电耦合”,这种共电耦合可能导致放大器指标变坏甚至自激。 放大器中的电源去耦电路就就是为了减小与排除共电耦合图 3-39、3-40 。2. 多级放大器指标运算后级放大器的输入电阻就是前级放大器的负载,在运算前级放大器的增益时,肯定要把这个输入电阻计为负载来运算增益。第一级放大器的输入电阻即多级放大器的输入电阻; 末级放大器的输出电阻即多级放大器的输出电阻。运算多级放大器电压增益的一般方法就是求出各级增益,再将其相乘。对 BJT 多级
32、基本放大器的一种有效的运算增益的方法就是“观看法”,应当把握。BJT 两种重要的组合放大电路就是共射共基与共集共基组态,其有用电路之一分别就是图 3-45CE-CB 与图 3-47CC-CB, 应能画出并运算这两个电路的指标。第四章场效应管 FET 及基本放大电路一、场效应管 FET原理FET 分别为 JFET 与 MOSFET 两大类。 每类都有两种沟道类型,而 MOSFET 又分为增强型与耗尽型 JFET 属耗尽型 ,故共有 6 种类型 FET 图 4-1。 JFET 与 MOSFET内部结构有较大差别 ,但内部的沟道电流都就是多子漂移电流。一可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总
33、结般情形下 ,该电流与vGS、 v DS 都有关。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结沟道未夹断时 ,FET 的 D-S 口等效为一个压控电阻 vGS 掌握电阻的大小 ,沟道全夹断时 ,可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结沟道电流i D 为零; 沟道在靠近漏端局部断时称部分夹断,此时i D 主要受控于vGS ,而 v DS 影响较可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结小。这就就是FET 放大偏置状态 ;部分夹断与未夹断的临界点为预夹断。在预夹断点 , vGS 与 v DS 满意预夹断方程 :可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结耗尽型 FET 的预夹
34、断方程 : v DSvGSVP VP 夹断电压 可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结增强型 FET 的预夹断方程 : v DSvGSVT VT 开启电压 可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结各种类型的 FET,偏置在放大区 沟道部分夹断 的条件由表 4-4 总结。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结表 4-4FET 放大偏置时vGS 与 v DS 应满意的关系可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结模拟电子技术基础总结极 性放大区条件可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结VDSN 沟道管 :正
35、极性 VDS0VDSVGSVP或 VT0 P 沟道管 :负极性 VDS0VDSVGSVP或 VTVP或 VT P 沟道管 :VGSVP 或 VT 可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结偏置在放大区的FET, v GS i D 满意平方律关系 :可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结i D耗尽型 :I DSS 1v GS2VPI DSS 零偏饱与漏电流 可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结增强型 : i DkvGSVT 2 *可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结i D FET输出特性曲线反映关系f v DS V参变量,该曲线将伏安平面分为可变电阻区可编辑资料 - - -