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1、在此输入您的封面副标题第第2章章 半导体三极管及放大电路半导体三极管及放大电路下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础NNPBECBECIBIEICBECIBIEIC( (Semiconductor Transistor）collectorbaseemitter下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管
2、及放大电路基础小功率管小功率管中功率管中功率管大功率管大功率管下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础CBOBCBOCBECEIIIIII 下一页下一
3、页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础CEOBCBOBC)(1 IIIII BC CEO III ，有，有忽略忽略集射极穿透电流集射极穿透电流(常用公式常用公式)若若IB =0, 则则CEOCBO)(1CIII 温度温度ICEO 下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础CEOBCIII BCEIII BC II BE )1(II CEOBE )1(III 下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础下一页下一页返回返回上一页上一页第二
4、章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础常数常数 CE)(BEBuufi0CE u下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础BEuBiO0CE uV 1CE u0CE uV 1CE u特性基本特性基本重合重合( (电流分配关系确定电流分配关系确定) )特性右移特性右移( (因集电结开始吸引电子因集电结开始吸引电子) )导通电压导通电压 UBE( (on) )硅管：硅管： (0.6 0.8) V锗管：锗管： (0.2 0.
5、3) V取取 0.7 V取取 0.2 V下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础常常数数 B)(CECiufi对应于一个对应于一个IB就有一条就有一条iC随随uCE变化的曲线。变化的曲线。下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础CEOBCIII 下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础BEuBi下一页下一页返回返回上一页上一页
6、第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础 BCCBOBCBOCBNCNIIIIIIII BiiC82A1030A1045. 263 80108 . 0A1010A10)65. 145. 2(63 下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础 11BCCECIIIII988. 018080 下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础3）U( (BR) )CEO 基极
7、开路时基极开路时 C、E 极间反向击穿电压。极间反向击穿电压。U( (BR) )EBO 集电极极开路时集电极极开路时 E、B 极间反向击穿电压。极间反向击穿电压。U( (BR) )CBO U( (BR) )CEO U( (BR) )EBOU( (BR) )CBO 发射极开路时发射极开路时 C、B 极间反向击穿电压。极间反向击穿电压。下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础2.2 2.2 放大电路的基本知识放大电路的基本知识一、放大的概念一、放大的概念二、放大电路的性能指标二、放大电路的性能指标下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章
8、 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础一、放大的概念u放大的对象：变化量放大的对象：变化量u放大的本质：能量的控制放大的本质：能量的控制u放大的特征：功率放大放大的特征：功率放大u放大的基本要求：不失真，放大的前提放大的基本要求：不失真，放大的前提判断电路能否放判断电路能否放大的基本出发点大的基本出发点下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础信号源信号源信号源信号源内阻内阻输入电压输入电压输出电压输出电压输入电流输入电流输出
9、电流输出电流任何放大电路均可看成为二端口网络。任何放大电路均可看成为二端口网络。二、放大电路的性能指标下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础ioXXA 放大倍数：输出量与输入量之比放大倍数：输出量与输入量之比下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础ioXXA iouUUA ioiIIA ioGSIUA ioROUIA 电压放大倍数是最常被电压放大倍数是最常被研究和测试的参数研究和测试的参数下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大
10、电路基础 下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础输入电压与输入输入电压与输入电流有效值之比电流有效值之比下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础LooLoooo) 1(RUURUUUR 将输出等效将输出等效成有内阻的电成有内阻的电压源，内阻就压源，内阻就是输出电阻。是输出电阻。空载时输出空载时输出电压有效值电压有效值带带RL时的输出电时的输出电压有效值压有效值下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础下一页下一页返回返回上
11、一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础AmAmA707. 0 由于电容、电感及半导体器件由于电容、电感及半导体器件PN结的电容效应，使放大电结的电容效应，使放大电路在信号频率较低和较高时电压放大倍数数值下降，并产生相路在信号频率较低和较高时电压放大倍数数值下降，并产生相移。移。下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础ECRSesRBEBRCC1C2T+RL+ui+uo+uBEuCEiCiBiE下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础ECRSe
12、sRBEBRCC1C2T+RL+ui+uo+uBEuCEiCiBiE下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础ECRSesRBEBRCC1C2T+RL+ui+uo+uBEuCEiCiBiE下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础+UCCRSesRBRCC1C2T+RLui+uo+uBEuCEiCiBiEECRSesRBEBRCC1C2T+RL+ui+uo+uBEuCEiCiBiE下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础基本思
13、想基本思想 非线性电路经适当近似后可按线性电路对待，利用叠加非线性电路经适当近似后可按线性电路对待，利用叠加定理，分别分析电路中的交、直流成分。定理，分别分析电路中的交、直流成分。1、分析晶体管电路的基本思想和方法、分析晶体管电路的基本思想和方法直流通路直流通路( (ui = 0) )分析分析静态。静态。 交流通路交流通路( (ui 0) )分析分析动态，动态，只考虑变化的电压和电流。只考虑变化的电压和电流。画交流通路原则：画交流通路原则：1. 固定不变的电压源都视为短路；固定不变的电压源都视为短路；2. 固定不变的电流源都视为开路；固定不变的电流源都视为开路；3. 视电容对交流信号短路视电容
14、对交流信号短路0j/1 C 下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础直流通路直流通路( IB 、 IC 、 UCE )对直流信号电容对直流信号电容 C 可看作开路（即将电容断开）可看作开路（即将电容断开）断开断开断开断开+UCCRBRCT+UBEUCEICIBIE+UCCRSesRBRCC1C2T+RLui+uo+uBEuCEiCiBiE下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础RBR
15、CuiuORLRSes+ XC 0，C 可看作短路。可看作短路。忽略电源的内阻，电源的忽略电源的内阻，电源的端电压恒定，直流电源对端电压恒定，直流电源对交流可看作短路。交流可看作短路。短路短路短路短路对地短路对地短路+UCCRSesRBRCC1C2T+RLui+uo+uBEuCEiCiBiE下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础放大电路无信号输入（放大电路无信号输入（ui = 0）时的工作状态。）时的工作状态。估算法、图解法。估算法、图解法。各极电压电流的直流分量。各极电压电流的直流分量。放大电路的直流通路。放大电路的直流通路。 (1
16、)静态工作点静态工作点Q：IB、IC、UCE 。下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础（ UBE 0.7V)BBECCB RUUI 所所以以BCCBRUI 根据电流放大作用根据电流放大作用CEOBC III BB II +UCCRBRCT+UBEUCEICIB下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础已知：已知：UCC=12V，RC=4k ，RB=300k ， =37.5。解：解：mAmABCCB04030012. RUImAmABC51040537. II VV CCCCCE6
17、45112 .RIUU+UCCRBRCT+UBEUCEICIB下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础EECCCCCERIRIUU EBBECCB) 1(RRUUI BC II EEBEBBCCRIURIU EBBEBB) 1 (RIURI 由例由例1 1、例、例2 2可知，当电路不同时，计算可知，当电路不同时，计算静态值的公静态值的公式也不同。式也不同。由由KVL可得：可得：由由KVL可得：可得：IE+UCCRBRCT+UBEUCEICIBRE下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电
18、路基础常常数数 B)(CECIUfIUCE = UCC ICRC +UCCRBRCT+UBEUCEICIB下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础UCE=VCCICRC1.直流负载线直流负载线VCCICUCECCCRVQIB静态静态UCE静态静态IC+UCCRBRCT+UBEUCEICIB2.由估算法求出由估算法求出IB，IB对应的输出特性对应的输出特性与直流负载线的交点就是工作点与直流负载线的交点就是工作点Q下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础4、电路参数对静态工作点的影响
19、、电路参数对静态工作点的影响1. 改变改变 RB，其他参数不变，其他参数不变uBEiBuCEiCVCCVBBVBBRBQQR B iB Q 趋近截止区；趋近截止区；R B iB Q 趋近饱和区。趋近饱和区。2. 改变改变 RC ，其他参数不变，其他参数不变RC Q 趋近饱和区。趋近饱和区。iCuBEiBuCEVCCUCEQQQICQVCCRC下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础设设 RB = 38 k ，求求 VBB = 0 V、3 V 时的时的 iC、uCE。 解解 uCE/ViC/mAiB= 010 A20 A30 A40 A5
20、0 A60 A41O235当当VBB= 0 V：iB 0，iC 0，5 VuCE 5 V当当VBB = 3 V：BBE(on)BBBRUVi mA 0.06 0.3UCE 0.3 V 0，iC 5 mA例例 3下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础 从图中可以看出，晶体管的输入回路可以等效为输入电阻从图中可以看出，晶体管的输入回路可以等效为输
21、入电阻rbe。在小信号工作条件下，。在小信号工作条件下，rbe是一个常数，低频小功率管的是一个常数，低频小功率管的rbe可用下式估算：可用下式估算： 26（mV） rbe = 300 + (1+) （2-10） IE（mA）晶体管发射极电流晶体管发射极电流的静态值的静态值 IEICQ 下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础ibiceSrbe ibRBRCRLEBCui+ +- -uo+ +- -+ +- -RSiiRBRCuiuORL+ + +- - -RSeS+ +- -ibicBCEii下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章
22、 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础（1）输入回路）输入回路 输入特性曲线相应变化波形2、 用图解法确定动态工作情况用图解法确定动态工作情况下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础IBUBEQICUCEuiibibic2）输出回路）输出回路假设在静态工作点的基础上，输入一微小的正弦信号假设在静态工作点的基础上，输入一微小的正弦信号 ui静态工作点静态工作点uCEUCE与与Ui反相！反相！各点波形各点波形ceCECEcCCbBBiBEbeBEBEuUuiIiiIiuUuUu 2、 用图解法确定动态工作情况用图解法确定动态
23、工作情况下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础RbRCRLuiuoicuce其中：其中：CLLR/RR uce=-ic（RC/RL） = -ic RL输出端接入负载输出端接入负载RL：不影响不影响Q 影响动态！影响动态！2）交流负载线）交流负载线交流量交流量ic和和uce有如下关系：有如下关系：这就是说，交流负载线的斜这就是说，交流负载线的斜率为：率为：LR1 下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础ICUCEVCCCCCRVQIB交流负载线交流负载线直流负载线直流负载线斜斜
24、率为率为- -1/RL 。（ RL= RLRc ）经过经过Q点。点。 注意：注意：（1）交流负载线是有交流）交流负载线是有交流 输入信号时工作点的运动轨迹。输入信号时工作点的运动轨迹。 （2）空载时，交流负载线与直流负载线重合。）空载时，交流负载线与直流负载线重合。交流负载线的作法：交流负载线的作法：下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础Q2uoUCEQuCE/VttiC C/mAICiC C/mAuCE/VOOOQ1下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础负载开路时：负载开路
25、时：接负载时：接负载时：受受 RC 的限制，的限制，iB 增大，增大，iC 不可能超过不可能超过 VCC/RC 。受受 R L 的限制，的限制，iB 增大，增大，iC 不可能超过不可能超过 V CC/R L 。C1+ RCRB+VCCC2RL+uo +iBiCVui( (R L= RC / RL) )下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础uiuotiB B/ AiB B/ AuBE/VtuBE/VUBEOOOQQuCE/VtiC C/mAuCE/VOOUCE下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体
26、晶体管及放大电路基础下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础CBOBBECCCEOBC)1( IRUUIII 下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础iCuCEQ温度升高时，输出温度升高时，输出特性曲线上移特性曲线上移Q 固定偏置电路的工作点固定偏置电路的工作点Q点是不稳定的，为此需要改进偏置电路。当温度升高使点是不稳定的，为此需要改进偏置电路。当温度升高使 IC 增增加时，能够自动
27、减少加时，能够自动减少IB，从而抑制，从而抑制Q点的变化，保持点的变化，保持Q点基本稳点基本稳定。定。O下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础B2II 若若满满足足： 基极电位基本恒定，不基极电位基本恒定，不随温度变化。随温度变化。2B2BRIV 2B1BCC21RRUII CC2B1B2BBURRRV VBRB1RCC1C2RB2CERERLI1I2IB+UCCuiuo+ICRSeS+下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础VBEBEBECRUVII BEBUV 若若满满足足
28、：EBEBEBEC RVRUVII RB1RCC1C2RB2CERERLI1I2IB+UCCuiuo+ICRSeS+下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础VEVBRB1RCC1C2RB2CERERLI1I2IB+UCCuiuo+ICRSeS+下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础VEVBRB1RCC1C2RB2CERERLI1I2IB+UCCuiuo+ICRSeS+TUBEIBICVEICVB 固定固定下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半
29、导体晶体管及放大电路基础CC2B1B2BURRRVB EBEBECRUVII CBII EECCCCCERIRIUU VBRB1RCC1C2RB2CERERLI1I2IB+UCCuiuo+ICRSeS+下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础 对交流：对交流：旁路电容旁路电容 CE 将将R 短路短路， R 不起作用不起作用， Au，ri，ro与固定偏置电路相同与固定偏置电路相同。如果去掉如果去掉CE ，Au，ri，ro ？旁路电容旁路电容RB1RCC1C2RB2CERERL+UCCuiuo+RSeS+下一页下一页返回返回上一页上一页第二
30、章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础RB1RCC1C2RB2CERERL+UCCuiuo+RSeS+2B1BB/ RRR iUiIbIcIoUbISEeIBRI下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础RB1RCC1C2RB2CERE1RL+UCCuiuo+RE2下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础V3V12206020CCB2B1B2B URRRVmA8 . 0 mA36 . 03EBEBEC RUVII A16 A500.8CB IIV8 . 4V
31、38 . 068 . 012)(1E1EECCCCCE RRIRIUURB1RCRB2RE1+UCCRE2+UCEIEIBICVB下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础k6Co Rrk86. 18 . 02651200I26) 1(200Ebe rk 15/2B1BB RRR其其中中 EbeBi) 1 (/RrRr k03.8 EbeL) 1 (RrRAu 69. 8 iUiIbIcIoUbISEeIBRI下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础下一页下一页返回返回上一页上一页
32、第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础RB+UCCC1C2RRLui+uo+es+RS下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础EBBECCB)1(RRUUI BE)1(II EECCCERIUU +UCCRBR+UCE+UBEIIBICRB+UCCC1C2RRLui+uo+es+RS下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础rbeEBCRBcIbIbI+ +- -+ +- -RSiUSEiIRB+UCCC1C2RRLui+uo+es+RS- -RERL+
33、 +oUeI下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础LEL/ RRR LeoRIU Lb1RI ）（ LebebiRIrIU Lbbeb)1 (RIrI LbbebLb)1()1(RIrIRIAu LbeL)1(1RrR ）（rbeRBRLEBC+ +- -+ +- -+ +- -RSiUbIcIoUbISEeIREiI下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础rbeRBRLEBC+ +- -+ +- -+ +- -RSiUbIcIoUbISEeIREiIiBi/rRr LbeBi
34、)1 (/RrRr LbebLEebebbii)1 (/RrIRRIrIIUr LEL/RRR irir 下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础 1sbeoRrrSBS/RRR RrRr 1/sbeEosbeE) 1 ( RRr 通通常常：rbeRBRLEBC+ +- -+ +- -+ +- -RSiUbIcIoUbISEeIREiIor下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础LbeL) 1 () 1 (RrRAu LbeBi) 1(/RrRr Rrr 1sbeo下一页下一页返
35、回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础 在图示放大电路中，已知在图示放大电路中，已知UCC=12V, RE= 2k, RB= 200k， RL= 2k ，晶体管，晶体管=60， UBE=0.6V, 信号源内信号源内阻阻RS= 100，试求试求: :(1) 静态工作点静态工作点 IB、IE 及及 UCE； 画出微变等效电路；画出微变等效电路；(3) Au、ri 和和 ro 。RB+UCCC1C2RRLui+uo+es+RS下一页下一页返回返回上一页上一页
36、第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础+UCCRBR+UCE+UBEIIBICRB+UCCC1C2RRLui+uo+es+RS下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础mA035. 0mA260)(12006 . 012) (1EBBECCB RRUUImA14. 2 0.035mA60)(1 )(1BE II V727V142212EECCCE.RIUU +UCCRBR+UCE+UBEIIBIC下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础3 .176010
37、094. 0Sbeo Rrrk94. 024. 1266120026) (1200Ebe Ir LbeBi) 1 (/RrRr k7 .41 LbeL) 1()(1RrRAu 98.0 rbeRBRLEBC+ +- -+ +- -+ +- -RSiUbIcIoUbISEeIRE下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础+VCCRCC2C3RLRE+RB1RB2RS +us +uo C11、求、求“Q”(”(略略) )下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础beLbebLbio rR
38、riRiuuAu 1)1(be bbebeiiririiuR)1(/beEi rRR下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础+UCCuoRC2T2uiRC1R1T1R2+RE2下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础
39、半导体晶体管及放大电路基础下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础两级之间通过耦合电容两级之间通过耦合电容 C2 与下级输入电阻连接与下级输入电阻连接RB1RC1C1C2RB2CE1RE1+RS+RC2C3CE2RE2RL+UCC+oU1OUiUSEB1R B2R T1T2下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础 由于电容有隔直作用，所以每级放大电路的直流通路互由于电容有隔直作用，所以每级放大电路的直流通路互不相通，不相通，。RB1RC1C1C2RB2CE1RE1+RS+RC2C
40、3CE2RE2RL+UCC+oU1OUiUSEB1R B2R T1T2下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础n1II, nUU2121L22222211LRnIUnnInUIUR下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路
41、基础半导体晶体管及放大电路基础下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础两级之间通过耦合电容两级之间通过耦合电容 C2 与下级输入电阻连接与下级输入电阻连接RB1RC1C1C2RB2CE1RE1+RS+RC2C3CE2RE2RL+UCC+oU1OUiUSEB1R B2R T1T2下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础 由于电容有隔直作用，所以每级放大电路的直流通路互由于电容有隔直作用
42、，所以每级放大电路的直流通路互不相通，不相通，。RB1RC1C1C2RB2CE1RE1+RS+RC2C3CE2RE2RL+UCC+oU1OUiUSEB1R B2R T1T2下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础第一级第一级第二级第二级212ioi1oiouuuAAUUUUUUA 电电压压放放大大倍倍数数2ir1bI2bI1cI2cIrbeRB2RC1EBC+ +- -+ +- -+ +- -RSiUiI1oU1b1ISErbeRC2RLEBC+ +- -oU2b2IB1R B2R RB12i1C1L/rRR 1be1L1io11rRU
43、UAu be2L222io2rRUUAu 1iirr 2oorr L2CL2/ RRR 下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础如图所示的两级电压放大电路，如图所示的两级电压放大电路，已知已知1= 2 =50, T1和和T2均为均为3DG8D。 RB1C1C2RE1+RC2C3CE+24V+oUiUB1R B2R T1T2E2R E1R 1M 27k 82k 43k 7.5k 510 10k 下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础 (1) 两级放大电路的静态值可分别计算。两级放
44、大电路的静态值可分别计算。A8 . 9mA2750)(110000.624) (1E1B1BECCB1 RRUUImA 49. 0mA 0098. 050)(1)1 (B1E1 II V77. 10V2749. 024E1E1CCCE RIUU RB1C1C2RE1+RC2C3CE+24V+oUiUB1R B2R T1T2E2R E1R 1M 27k 82k 43k 7.5k 510 10k 解解:下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础V26. 843V438224B2B2B1CCB2 RRRUVmA 96. 0mA5 . 751.
45、06 . 026. 8E2E2BE2B2C2 RRUUIRB1C1C2RE1+RC2C3CE+24V+oUiUB1R B2R T1T2E2R E1R 1M 27k 82k 43k 7.5k 510 10k 解解:下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础A 2 . 19mA5096. 02C2B2 IIV71. 6)V5 . 751. 010(96. 024)(E2E2C2C2CCCE2 RRRIUURB1C1C2RE1+RC2C3CE+24V+oUiUB1R B2R T1T2E2R E1R 1M 27k 82k 43k 7.5k 510
46、 10k 解解:下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础2bI2cIrbe2RC2oUrbe1iURB1B1R 2BR 1bI2bI1bI1cIRE11oU+_+_+_2ER 由微变等效电路可知，放大电路的输入电阻由微变等效电路可知，放大电路的输入电阻 ri 等于第一等于第一级的输入电阻级的输入电阻ri1。第一级是射极输出器，它的输入电阻。第一级是射极输出器，它的输入电阻ri1与与负载有关，而射极输出器的负载即是第二级输入电阻负载有关，而射极输出器的负载即是第二级输入电阻 ri2。2ir1iirr 下一页下一页返回返回上一页上一页第二章
47、第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础2bI2cIrbe2RC2oUrbe1iURB1B1R 2BR 1bI2bI1bI1cIRE11oU+_+_+_2ER (2) 计算计算 r i和和 r 0 k58. 196. 0265120026)1(200Ebe2 Ir k 14)1 (/E2be2B2B12 RrRRri k 22. 9k14271427/i2E1L1 rRR2ir下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础 k 349 02650)(120026) (1200rE11be1 .I k 320)1 (/L1b
48、e1B1i1i RrRrr 2oorr k10C2o2o Rrr2bI2cIrbe2RC2oUrbe1iURB1B1R 2BR 1bI2bI1bI1cIRE11oU+_+_+_2ER 下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础(3)(3)求各级电压的放大倍数及总电压放大倍数求各级电压的放大倍数及总电压放大倍数 994 022 950)(1322 9)501 ()1 ()1 (L111beL111u.RrRA 2bI2cIrbe2RC2oUrbe1iURB1B1R 2BR 1bI2bI1bI1cIRE11oU+_+_+_2ER 下一页下一页
49、返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础(3)(3)求各级电压的放大倍数及总电压放大倍数求各级电压的放大倍数及总电压放大倍数2bI2cIrbe2RC2oUrbe1iURB1B1R 2BR 1bI2bI1bI1cIRE11oU+_+_+_2ER 1851. 050)(179. 11050)1 (2E2be22C2 RrRAu 总电压放大倍数总电压放大倍数9 . 1718)(994. 021 uuuAAA下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础 阻容耦合放大电路由于存在级间耦合电容、发射极旁路电
50、阻容耦合放大电路由于存在级间耦合电容、发射极旁路电容及晶体管的结电容等，它们的容抗随频率变化，故当信号容及晶体管的结电容等，它们的容抗随频率变化，故当信号频率不同时，放大电路的输出电压相对于输入电压的幅值和频率不同时，放大电路的输出电压相对于输入电压的幅值和相位都将发生变化。相位都将发生变化。)()( ffAAuu Au( f ) 幅频特性幅频特性 ( f ) 相频特性相频特性下一页下一页返回返回上一页上一页第二章第二章 半导体晶体管及放大电路基础半导体晶体管及放大电路基础f|Au |0.707| Auo |fLfH| Auo |幅频特性幅频特性f 270 180 90相频特性相频特性 下一页