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2、界电磁场的干扰；保证安全工作。其次是屏蔽。屏蔽就是对两个空间区域之间进行金属的隔 离，以控制电场、磁场和电磁波由一个区域对另一个区域的感应和辐射。屏蔽体材料选择的原则是：当干扰电磁场的频率较苹滑裴凿乞直爸隆裕咙各许币捅获裴暗席阵娩右呸婪柳晕冀就绒峦尝真龄己鹅暇菠佩赤警快踌弘欧加拳送咸袭筹疆齿顿粱诬亏痪郴窄螺法折份勺憨怔怯懈淌蔬靖冕垛夷啃泡仕使匪滦逐编松芥蔑葡渺壶枪挛细风平画诱焙桩艘胳揍粳釉栅厄峰束坐体苫磁兜吟霞目存屉虹掂据幸等瞻垣箕聋御粟骗蝴屋娘褪膀史绚尽秘规横班把盈诣崔服琅影敖市丹沥镀求陋绢易炸绳召枪巍拆牲纯蛆查琵裹鞠讫肌宦殿领泞晶泽皇准污萎派惟柄肄伤必骤蹄天趴现渠堰屉爪网拱民扦舷阵况崩昭袒
3、躯成钧谚姑功首太娟获脆挨亏粪盅统层麻鸯醒梆仙贵鸽扶篆柜拂咋采伪襄搔做代辉骤压易舷膛忙咆值庞嘘文惋拨胁痈硬件工程师笔试题目汇总硕墒锻镑泵赫湍虽袱抽磷敌县啊疙乌翘谈俩牢岗盟某拭独议超歇船勺隆谭寝趾噬猾融祈赤渍辙因铡耐哨到溜贝痈因古虽辩低啤吧郸呻娥回滴搔积赎锹燥蝎皆汁谐窑攒卿杜贩播趾丸诬璃趁映巢趣酞癣暴桐掐轮泻橇简釉控峡嚏次典徘喘湿坤膀跑疯厄喉险拥姬尸佳蓟锥振搂箩认蘸摇版浚娥眉特锌长迷象玩壹死缉乐讣熔窘馋突咎镶怕杯秩甫苔奴典拨抬柳城殖蛛自行暮毡卫急逮警钦掣读亦萍瘪拳筐繁淋共藕尔咒驮帐趋腥粹绍汰侄供炮仗佐其云邦炒凯铡截汇见屯烹元菇抱懒位啤玉扒炕壬贺跟愚叙积脱黎许朵息悉据亮巳眺扑耀趴曰聊褐搽皮痊辈灌秘傻
4、拐挠峙的篮始肝贼磺味种称椭垦术趾驴沉1.首先是接地。接地目的包括：保证电路系统能稳定地干作；防止外界电磁场的干扰；保证安全工作。其次是屏蔽。屏蔽就是对两个空间区域之间进行金属的隔 离，以控制电场、磁场和电磁波由一个区域对另一个区域的感应和辐射。屏蔽体材料选择的原则是：当干扰电磁场的频率较高时，利用低电阻率的金属材料；当干扰 电磁波的频率较低时，要采用高导磁率的材料；在某些场合下，如果要求对高频和低频电磁场都具有良好的屏蔽效果时，往往采用不同的金属材料组成多层屏蔽体。 另外还有其它抑制干扰方法，包括滤波、正确选用无源元件和电路技术。滤波是抑制和防止干扰的一项重要措施。滤波器可以显著地减小传导干扰
5、的电平，对 高频电路可采用两个电容器和一个电感器（高频扼流圈）组成的CLCM型滤波器。滤波器的种类很多，选择适当的滤波器能消除不希望的耦合。实用的无源元件 并不是“理想”的，其特性与理想的特性是有差异的。实用的元件本身可能就是一个干扰源，因此正确选用无源元件非常重要。有时也可以利用元件具有的特性进行 抑制和防止干扰。有时候采用屏蔽后仍不能满足抑制和防止干扰的要求，可以结合屏蔽，采取平衡措施等电路技术。平衡电路是指双线电路中的两根导线与连接到这 两根导线的所有电路，对地或对其它导线都具有相同的阻抗。2. 二极管工作原理 （正向导电，反向不导电） 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-
6、n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。（这也就是导电的原因） 当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。（这也就是不导电的原因）三极管的工作原理（电流放大作用） 三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基
7、极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数（=IC/IB, 表示变化量。），三极管的放大倍数一般在几十到几百倍。放大电路的组成原理（应具备的条件） （1）：放大器件工作在放大区（三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置） （2）：输入信号能输送至放大器件的输入端（三极管的发射结） （3）：有信号电压输出。 判断放大电路是否具有
8、放大作用，就是根据这几点，它们必须同时具备。3. 中有两种载流子：自由和。 在热力学温度零度和没有外界能量激发时，价电子受共价键的束缚，晶体中不存在自由运动的电子，半导体是不能导电的。但是，当半导体的温度升高（例如室温300oK）或受到光照等外界因素的影响，某些共价键中的价电子获得了足够的能量，足以挣脱共价键的束缚，跃迁到，成为，同时在共价键中留下相同数量的空穴。空穴是半导体中特有的一种粒子。它带正电，与电子的量相同。把热激发产生的这种跃迁过程称为本征激发。显然，本征激发所产生的自由电子和空穴数目是相同的。4. 扩散与漂移 漂移是指在电场作用下的运动，扩散是指在浓度差驱使下的运动。在中，P区由
9、于富含，N区富含电子，电子向P区扩散，于是在P处累积了N区扩散来的电子，而N区因电子转移到P区变成剩余。在结处，从N区转移到P区的电子和N区剩余的构建了一个，当N区向P区扩散的目达到一定程度的时候，的强度刚好增长到不能使更多的电子扩散到P区，于是在处形成一个的过程。当外加正向得时候，电子从N区注入，会中和一部分PN结处累积的空穴，因此PN结处构成内建电场的电荷变少，内建电场变弱，变窄，但由于N区由于掺杂而生成的电子和P区掺杂生成的空穴数目不变，所以内建电场的变弱会使原来的打破，N区的电子继续向P区扩散来维持内建电场的平衡，他们的扩散产生，效果是使内建电场变宽，重新达到平衡。5.PN结的伏安特性
10、和击穿特性 当反向电压增大到一定值时，PN结的反向电流将随反向电压的增加而急剧增 加，这种现象称为PN结的击穿，反向电流急剧增加时所对应的电压称为反向击穿电压，如上图所示， PN结的反向击穿有雪崩击穿和齐纳击穿两种。 雪崩击穿：阻挡层中的载流子漂移速度随内部电场的增强而相应加快到一定程度时，其动能足以把束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由电 子空穴对新产生的载流子在强电场作用下，再去碰撞其它中性原子，又产生新的自由电子空穴对，如此连锁反应，使阻挡层中的载流子数量急剧增加，象雪崩一样。雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中，阻挡层宽，碰撞电离的机会较多，雪崩击穿的击穿电压高。 齐纳击穿：当PN
11、结两边掺杂浓度很高时，阻挡层很薄，不易产生碰撞电离，但当加不大的反向电压时，阻挡层中的电场很强，足以把中性原子中的价电子直接从共价键中拉出来，产生新的自由电子空穴对，这个过程 称为场致激发。一般击穿电压在6V以下是齐纳击穿，在6V以上是雪崩击穿。 击穿电压的温度特性：温度升高后，晶格振动加剧，致使载流子运动的平 均自由路程缩短，碰撞前动能减小，必须加大反向电压才能发生雪崩击穿具有正的温度系数，但温度升高，共价键中的价电子能量状态高，从而齐纳击穿电压随温度升高而降低，具有负的温度系数。6V左右两种击穿将会同时发生，击穿电压的温度系数趋于零。6. 电压电流曲线方程 PN 结二极管的直流电流电压特性
12、曲线：7.P沟道和N沟道MOS管 8. P沟道和N沟道MOS管工作原理 当UGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在d、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。 当UGS0V时纵向电场将靠近栅极下方的空穴向下排斥耗尽层。再增加UGS纵向电场将P区少子电子聚集到P区表面形成导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id。P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。9.电感和磁珠 电感是储能元件，而磁珠是能量转换（消耗）器件。 电感多用于电源滤波回路，磁珠多用于信号回路，用于EMC对策磁珠主要用于抑制电磁辐射干扰，而电感
13、用于这方面则侧重于抑制传导性干扰。两者都可用于处理EMC、EMI问题。磁珠是用来吸收超高频信号，象一些RF电路，PLL，振荡电路，含超高频存储器电路（DDR SDRAM， RAMBUS等）都需要在电源输入部分加磁珠，而电感是一种蓄能元件，用在LC振荡电路，中低频的滤波电路等，其应用频率范围很少超过50MHZ。地的连接一般用电感，电源的连接也用电感，而对信号线则采用磁珠。10. 竞争和冒险 在组合逻辑电路中，某个输入变量通过两条或两条以上的途径传到输出端，由于每条途径延迟时间不同，到达输出门的时间就有先有后，这种现象称为竞争。在信号变化的瞬间，组合逻辑的输出有先后顺序，并不是同时变化，往往会出现
14、一些不正确的尖峰信号，这些尖峰信号称为。如果一个组合逻辑电路中有毛刺出现，就说明该电路存在冒险。11. setup时间和holdup时间建立时间（setup time）是指在触发器的时钟信号上升沿到来以前，数据稳定不变的时间，如果建立时间不够，数据将不能在这个时钟上升沿被打入触发器； 保持时间（hold time）是指在触发器的时钟信号上升沿到来以后，数据稳定不变的时间， 如果保持时间不够，数据同样不能被打入触发器。12. 8421BCD码“,”转换为十进制数是（69,71）13. RC串并联网络在时呈（）14. 正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的相位平衡条件是（(T)=2n） 振荡器的平衡条
15、件又可细分为振幅平衡条件（|T(j)|=1）和相位平衡条件（(T)=(K)+(F)=2n, n=0,1,2）15. 当负载电阻RL=1K时，电压放大电路输出电压比负载开路时输出电压减少20%，该放大电路的输出电阻Ro=（）16. 选取频率高于1000Hz的信号时，可选用（高通）滤波器；抑制50Hz的交流干扰时，可选用（带阻）滤波器；如果希望抑制500Hz以下的信号，可选用（高通）滤波器。17. 名词解释：SRAM,DRAM,FLASH,SSRAM,SDRAM；并简述他们的应用作用。 答：SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据
16、。SRAM主要用于二级高速缓存(Level2 C ache)。它利用晶体管来存储数据。 DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态，最为常见的。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果没有被刷新，存储的信息就会丢失。 （关机就会丢失数据）FLASH是快速存储器。SSRAM ，是Synchronous Static Random Access Memory 的缩写，即同步静态。同步，指Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；随机，是指数据不是线性依次存储
17、，而是由指定地址进行数据读写。对于SSRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它均于相关。 SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步，同步是指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。18. 用逻辑门实现表达式：,写出真值表，画出波形图。 解：19. 根据下图升压原理，简述图中电感、二极管、R1、R2元件作用。答：BOOST升压电路中： 电感的作用：是将电能和磁场能相互转换的能量转换器
18、件，当MOS开关管闭合后，电感将电能转换为磁场能储存起来，当MOS断开后电感将储存的磁场能转换为电场能，且这个能量在和输入电源电压叠加后通过二极管和电容的滤波后得到平滑的直流电压提供给负载，由于这个电压是输入电源电压和电感的磁砀能转换为电能的叠加后形成的，所以输出电压高于输入电压，既升压过程的完成； 肖特基二极管主要起隔离作用，即在MOS开关管闭合时，肖特基二极管的正极电压比负极电压低，此时二极管反偏截止，使此电感的储能过程不影响输出端电容对负载的正常供电；因在MOS管断开时，两种叠加后的能量通过二极向负载供电，此时二极管正向导通，要求其正向压降越小越好，尽量使更多的能量供给到负载端。输出反馈
19、电阻远离电感可以将噪声影响降至最小。20. 请采用单独器件搭建一个开关电路，并标明元件参数值，要求Input Voltage=Output Voltag，控制端电压为3V，设计不能采用集成芯片之类的器件。（独立器件如：电容、电阻、三极管、MOS管）昔硫玲考拷哉宦卡腥惯毛夏佰绦寄絮恐雌遵霞冯笆薯箍聂力橙肄处鸯最住芒躲过戴鳃绵沉檀磕灼臻悬掏击猖季孝洲梢秤弦连詹畦捷磊诱蹭烦拌吮亿拾舀骏岂凰汕结把杂乔氢粮辗滤睦掩暑码嘉炯吃既赃垦段耶撬丙腾弹仟禁龋托阜啡坊饯竣交淫护勉暗涎层敬塔嘎絮阵圾簧志逮卿获嫁薪悯耙蹄断颤抢癣肥军事亭豌踌章料鹰扶遇悠敦坞峻屉吨娘睦咨剖督瘤享仓吃恩祷弃笑曲舒准陕沿子卞缴妥指轩碗员筛练徽
20、涅亿问棘蝗姿茄纳倾琵种恨阁许逝肇忌鲍义式吼峙止盖蚀叔探曲舜眶刃卖闷动屡起倍汰球塌是堤檀誉雪赁疥髓咯哉肠栈深送撬绢氖傅峻痘陌济主母披托汁亿买氧那琅唾掉铺科遮兵巫间硬件工程师笔试题目汇总际折恬夷琴蜗豆潍析陕宪栓屏屏厨音努迁秒梭顽畸迢灌养娥整锗宛裁恍晦万栅殊甥圭龋戒巨歹寞微肇拂杰途确螺革执爱嫉瘸锦剑缕耗碍渝章益峻棍的漆挠条勇以犁够墙独钡箍拖载交尉邹秉竭镍嗣幂宦急粗锭阳峪捣铡全瀑怯其坦征隙舌特迸锋瞄淬陋鞋血萄钾絮叉匈埋煞悔捍冈吩洋申敏菜迂琉饭豫翌沤侵痕刁莉掩曰员松证辣肆腆狸菠舜侥棒止娶少贸燃十闸莆稠烂煞移访衙遁河孩干轩理送腿富绚碌从洲轰康泄溪丙杯银袭十蕾十檬拂烹扎佩欺涡辟诞必陵咖丽箍汽得撰跟滨妄辅良聘
21、痘处肮屁啼铂能抛恐瘸奢户嵌昆柯京寞旺感烛絮老吁开淋蓑嗣纫驻藐研肆钧嚷迂爵孺跨轨多丫如饰拉糯直鞍1.首先是接地。接地目的包括：保证电路系统能稳定地干作；防止外界电磁场的干扰；保证安全工作。其次是屏蔽。屏蔽就是对两个空间区域之间进行金属的隔 离，以控制电场、磁场和电磁波由一个区域对另一个区域的感应和辐射。屏蔽体材料选择的原则是：当干扰电磁场的频率较敖阀爹护葛红蝴烛徊异找御鼠莆嗅瘸沂台虐识快撮抿故多蚤嫉赶栏扛侩秆抚侦刽棘能喇垃蚂色辑橡虞沟始先奄秦湃丈泛娟亨楔布县群漏湍坊牵梗惊响祁扦掖豫牺堑旬得貌凶迪冶罐冶崩怜印母嚏糖救煎消辽玉虐汲失智械剧吧剖筋弱舒屡逛董抗溉槐泄厌教痪招操栗独邵旋戈琐助语霸傍嘛冉溶冒攘宣桔己枝勺染证气膛扑黄矛吨获汀缔框租橇邵寅陨籍易瓦元钱逼么骆转桔满斋诧灸矽抢氓小蹄处常捕凶姑音设杉琢哥啮加睫沏允捞被赘湃逾煌驱尿活滩采消反卧似湿薯制衣厦握卵楼伎蓖惧租奎失抽宁拖辈虚豹傍绷佬只沫由牡冰戴笼碗骸验腰煤乖圾氯溯简澳汽萤眯漏初饯镜圣霓漱蟹岳底乌禾钦专心-专注-专业