《模电复习题2答案(共12页).doc》由会员分享,可在线阅读,更多相关《模电复习题2答案(共12页).doc(12页珍藏版)》请在taowenge.com淘文阁网|工程机械CAD图纸|机械工程制图|CAD装配图下载|SolidWorks_CaTia_CAD_UG_PROE_设计图分享下载上搜索。
1、精选优质文档-倾情为你奉上1在常温下,硅二极管的门槛电压约为 0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V;锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。2、二极管的正向电阻 小 ;反向电阻 大 。3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。4、二极管最主要的电特性是 单向导电性 ,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 电阻 。5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为 模
2、拟 电子技术。6、PN结反向偏置时,PN结的内电场 增强 。PN具有 具有单向导电 特性。7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为 0.7 伏;其门坎电压Vth约为 0.5 伏。8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由 多数 载流子的 扩散 运动形成。9、P型半导体的多子为 空穴 、N型半导体的多子为 自由电子 、本征半导体的载流子为 电子空穴对 。10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为 空穴(P) 半导体和 电子(N) 半导体两大类。11、二极管的最主要特性是 单向导电性 ,它的两个主要参数是反映正向特性的 最大整流电流 和反映反向特性的 反向击穿电压 。12、在常温
3、下,硅二极管的开启电压约为 0.5 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V。13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下, 输出随频率连续变化的稳态响应 。15、N型半导体中的多数载流子是 电子 ,少数载流子是 空穴 。16、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为 甲类 、 乙类 、 甲乙类 三种基本类型。17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是 耦合和旁路 电容,影响高频信号放大的是 结 电容。18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的增加,则IBQ 增大 ,ICQ 增大 ,UCEQ 减小 。19、三极管的三个工作区域是
4、截止 , 饱和 , 放大 。集成运算放大器是一种采用 直接 耦合方式的放大电路。20、某放大电路中的三极管,在工作状态中测得它的管脚电压Va = 1.2V, Vb = 0.5V, Vc = 3.6V, 试问该三极管是 硅管 管(材料), NPN 型的三极管,该管的集电极是a、b、c中的 C 。21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为 80 dB,总的电压放大倍数为 10000 。22、 三极管实现放大作用的外部条件是: 发射结正偏、集电结反偏 。某放大电路中的三极管,测得管脚电压Va = -1V,Vb =-3.2V, Vc =-3.
5、9V, 这是 硅 管(硅、锗), NPN 型,集电极管脚是 a 。23、三种不同耦合方式的放大电路分别为: 阻容(RC)耦合 、 直接耦合 和_变压器耦合_,其中 直接耦合 能够放大缓慢变化的信号。24、在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的 负载 ,而前级的输出电阻可视为后级的 信号源的内阻 。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带 要窄 。25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12k的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为 4 k 。26、为了保证三极管工作在放大区,要求:发射结 正向 偏置,集电结 反向 偏置。对于型三极管,应使VBC 0 。27、放大
6、器级间耦合方式主要有阻容(RC)耦合、直接耦合和 变压器 耦合三大类。28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中,共射和共基组态有电压放大作用,共射 组态有电流放大作用, 共射和共集 组态有倒相作用; 共集 组态带负载能力强, 共集 组态向信号源索取的电流小, 共基 组态的频率响应好。29、三极管放大电路的三种基本组态是 共集 、 共基 、 共射 。30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有 直接耦合 , 阻容耦合 , 变压器耦合 。31、在单级共射放大电路中,如果输入为正弦波形,用示波器观察VO和VI的波形,则VO和VI的相位差为 1800 ;当为共集电极电路时,则VO和VI的相位
7、差为 0 。32、放大器有两种不同性质的失真,分别是 饱和 失真和 截止 失真。33、晶体管工作在饱和区时,发射结 a ,集电结 a ;工作在放大区时,集电结 b ,发射结 a 。(填写a正偏,b反偏,c零偏)34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中,希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相,可选用 共射 组态;希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相,可选用 共集 组态。35、场效应管同双极型三极管相比,其输入电阻 大 ,热稳定性 好 36、影响放大电路通频带下限频率fL的是 隔直 电容和 极间 电容。37、三极管工作在放大区时,它的发射结保持 正向 偏置,集电结保持 反向 偏置。38、场
8、效应管有 共源 、 共栅 、 共漏 三种组态。39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带 窄 。40、场效应管从结构上分成 结型FET 和 MOSFET 两大类型,它属于 电压 控制型器件。41、场效应管属于 电压控制电流 型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是 电流控制电流 型器件。42、场效应管是 电压控制电流器件 器件,只依靠 多数载流子 导电。43、根据场效应管的输出特性,其工作情况可以分为 可变电阻区 、恒流区、 击穿区 和截止区四个区域。44、当栅源电压等于零时,增强型FET 无 导电沟道,结型FET的沟道电阻 最小 。45、FET是 电压控制 器件,BJT是 电流控制
9、 器件。52、差动放大电路中的长尾电阻e或恒流管的作用是引人一个 共模负 反馈。53、已知某差动放大电路Ad=100、KCMR=60dB,则其AC= 0.1 。集成电路运算放大器一般由 差分输入级 、中间级、输出级、 偏置电路 四部分组成。54、差分式放大电路能放大直流和交流信号,它对 差模信号 具有放大能力,它对 共模信号 具有抑制能力。55、差动放大电路能够抑制 零漂 和 共模输入信号 。56、电路如图1所示,T1、T2和T3的特性完全相同,则I2 0.4 mA,I30.2mA,则R3 10 k。57、集成运放通常由 输入级 、中间级;输出级、 偏置级 四个部分组成。58、正反馈是指 反馈
10、信号增强净输入信号 ;负反馈是指 反馈信号减弱净输入信号 。 59、电流并联负反馈能稳定电路的 输出电流 ,同时使输入电阻 减小 。60、负反馈对放大电路性能的改善体现在:提高 增益的稳定性 、减小 非线性失真 、抑制 反馈环内噪声 、扩展 频带 、改变输入电阻和输出电阻。61、为了分别达到下列要求,应引人何种类型的反馈:降低电路对信号源索取的电流: 串联负反馈 。当环境温度变化或换用不同值的三极管时,要求放大电路的静态工作点保持稳定: 直流负反馈 。稳定输出电流: 电流负反馈 。62、电压串联负反馈能稳定电路的 输出电压 ,同时使输入电阻 大 。63、某负反馈放大电路的开环放大倍数=,反馈系
11、数0.01,则闭环放大倍数 100 。64、负反馈放大电路产生自激振荡的条件是 。65、负反馈放大电路的四种基本类型是 电压串联 、 电压并联 、 电流串联 、 电流并联 。66、为稳定电路的输出信号,电路应采用 负 反馈。为了产生一个正弦波信号,电路应采用 正 反馈。67、理想集成运算放大器的理想化条件是Aud= 、Rid= 、KCMR= 、RO = 0 68、理想运算放大器的理想化条件中有Avd= 无穷 ,KCMR= 无穷 。69、电流源电路的特点是,直流等效电阻 小 ,交流等效电阻 大 。70、电流源的特点是输出电流 恒定 ,直流等效电阻 小 ,交流等效电阻 大 。71、工作在线性区的理
12、想集成运放有两条重要结论是 虚断 和 虚短 。72、理想运算放大器,Ad= 无穷大 、Ri= 无穷大 、Ro= 0 。73、在构成电压比较器时集成运放工作在开环或 正反馈 状态。78、集成运算放大器在 线性 状态和 理想工作 条件下,得出两个重要结论,它们是: 虚断 和 虚短 。79、通用型集成运算放输入级大多采用 差分放大 电路, 输出级大多采用 共集 电路。80、正弦波振荡电路是由 放大电路 、 反馈网络 、选频网络、 稳幅环节 四个部分组成。90、为了稳定电路的输出信号,电路应采用 交流负 反馈。为了产生一个正弦波信号,电路应采用 正 反馈。单项选择题答案1、A 2、A 3、A 4、A
13、5、A 6、B 7、C 8、A 9、B 10、A11、B 12、B 13、C 14、B 15、D 16、A 17、D 18、A 19、C 20、D21、A 22、C 23、C 24、D 25、B 26、B 27、A 28、D 29、C 30、C31、B 32、A 33、A 34、A 35、A 36、D 37、A 38、C 39、C 40、C41、A 42、B 43、A 44、D 45、C 46、C 47、B计算题答案1、解: (1)、如图1.1:IBQ = 23.7A ICQ = IBQ=1.2mAVCEQ = VCC ICQ (RCRe1Re2)= 3.5VVCCRbRe2RCRe1VT图1
14、.1图1.2 +ui _RbRCRe1Ib +uo _rbeIbIc(2)画出简化h参数等效电路如图1.2(3)、rbe = 300+(1+ )=1.4k rbe=1.4 k = Rc/RL=2.55 k AV =19.6 RO = RC = 5.1 k 2、解:(1)如图2.1图2.1图2.2(2) 共射电路 共集电路 (3)时,如图2.2 3、解: (1)Q点: (2)电压增益和 (3)输入电阻:(4)输出电阻 96 4、解:(1)如图4所示(2) RL=RCRL = (3)RO=RC=6.4K5、解:(1)由 解方程组得:VGS=4V,VDS=8V,ID=1mA (2)低频小信号等效模型
15、如图5所示。Rg1Rg2RdRLvivoVgsgmVgs图5(3)中频电压增益:输入电阻:输出电阻:6、解:(1) (2), (3)截止失真,使IB 增加,使减小。 (4)温度变化会对Q点有影响,T增大,Q点上移。7、解:设VBE0.7V。则(1)基极静态电流 (2)由于VBE0V,T截止,VC12V。(3)临界饱和基极电流 实际基极电流 由于IBIBS,故T饱和,VCVCES0.5V。 (4)T截止,VC12V。(5)由于集电极直接接直流电源,VCVCC12V8、解:1解:直流负载线方程为:由图8所示有:ICQ1mA,VCEQ3V。 放大电路的微变等效电路如图8(b)所示。 Rirbe/Rb
16、1.6/2561.6 k。RoRC3 k。9、解:(1) (2) (3) 12、解: (1)(2) 14、解:(1)T1 、T2组成镜像电流源,在电路中作T3的集电极有源负载,能提高放大电路的电压增益。(2)15、解: (a): R3:电流串联负反馈 有vf = vi vf = IeRe /( R3+R2)= vo = ICAuf =(b):Rf:电压并联负反馈有If = Ii = 故:Au=16、解: (1) A1是差分输入 A2过零比较器 A3是积分电路 (2) A1输入端虚短 A2输入端不虚地也不虚短 A3输入端虚地 (3) 当时 当时 17、解:(1)A1:电压并联负反馈;A2 :电压
17、串联负反馈;R2:电压串联正反馈。A1:双端输入求和电路,A2:低通滤波器。(2)因为A1的同相输入端和反相输入端所接电阻相等,电容上的电压,所以其输出电压为 电容的电流为 因此,输出电压为(3),故t10.6S。即经0.6秒输出电压达到6V。18、解:(1) (2) 19、解:V1+=V1=0 V2+=V2=0 (虚地) (虚断) (虚断) 20、解:(1)、 (虚断) (虚断) V+=V 虚短) (2)、V1+=V1=0 V2+=V2=0 (虚地) (虚断) (虚断) 23、解:由图可知:=v1-= v1+=v2-=v2+=0 解之得: vo1 =vo = 故:vo =2vS1 5vS2 vS3 RP1=R1 /R3 /Rf1 =2.5k RP2= R2 /R4 /Rf2 =1.4 k 24、解: A1和A2为理想放大电路:则有 专心-专注-专业