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1、精选优质文档-倾情为你奉上ESD二极管SRV05-4在SIM卡端口防护方案的静电防护应用SIM 卡数据线路保护一直是各个公司的产品重点,而且专门为此类端口设计的集ESD(TVS)/EMI/RFI 防护于一个芯片的器件，充分体现了片式器件的无限集成方案。在这里硕凯电子要提醒各位电子工程师的是：在针对不同用途选择器件时，要避免使器件工作在其设计参数极限附近，还应根据被保护回路的特征及可能承受ESD 冲击的特征选用反应速度足够快、敏感度足够高的器件，这对于有效发挥保护器件的作用十分关键，另外集成它功能的器件也应当首先考虑。应用器件：硕凯SOCAY瞬态抑制二极管：SRV05-4SRV05-4是低电容、
2、低漏电流的瞬态抑制二极管（ TVS）阵列，SOT-26封装，5V 工作电压 ，保护 4 条 I/O 高速数据线。以下是SRV05-4的具体参数及静电防护原理。SRV05-4的参数：封装：SOT-26 电压：5V钳位电压：12.5V容值：1.2pF 功率：350WSRV05-4是低电容、低漏电流的瞬态抑制二极管（ TVS）阵列，SOT-26封装，5V 工作电压 ，保护 4 条 I/O 高速数据线。SIM卡静电防护使用SRV05-4集成芯片,它由8支控向二极管构成两个“桥式”电路，共用了一支“雪崩二极管”，此种“桥式”电路对“正”的ESD经过导向由雪崩二极管进行箝位，而对“负”的ESD由控向二极管直接箝位，是非常好的ESD防护方案。它可以保护四条数据线的安全，“桥式”电路的输出端接雪崩二极管，用来进行箝位吸收侵扰的ESD。当有ESD侵扰时，正的浪涌进入”桥式”电路后，经正向的控向二极管导向传递到雪崩二极管，ESD浪涌被雪崩管箝位吸收，ESD浪涌从侵入到箝位吸收，经过了一只控向二极管和一个雪崩二极管串联到“地浪涌从侵入到箝位吸收，经过了一只控向二极管和一个雪崩二极管串联到“地”，控向二极管和雪崩二极管的串联减少了极间电容，称为“补偿”;负的浪涌进入”桥式”电路后，由负向的控向二极管直接箝位导向到地，不经过雪崩二极管，此积成芯片专门用于SIM/UIM卡的ESD防护。专心-专注-专业