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1、精选优质文档-倾情为你奉上晶体缺陷习题与答案1 解释以下基本概念肖脱基空位、弗仑克尔空位、刃型位错、螺型位错、混合位错、柏氏矢量、位错密度、位错的滑移、位错的攀移、弗兰克瑞德源、派纳力、单位位错、不全位错、堆垛层错、汤普森四面体、位错反应、扩展位错、表面能、界面能、对称倾侧晶界、重合位置点阵、共格界面、失配度、非共格界面、内吸附。2 指出图中各段位错的性质，并说明刃型位错部分的多余半原子面。3 如图，某晶体的滑移面上有一柏氏矢量为b的位错环，并受到一均匀切应力。(1)分析该位错环各段位错的结构类型。(2)求各段位错线所受的力的大小及方向。(3)在的作用下，该位错环将如何运动?(4)在的作用下，
2、若使此位错环在晶体中稳定不动，其最小半径应为多大?4 面心立方晶体中，在(111)面上的单位位错，在(111)面上分解为两个肖克莱不全位错，请写出该位错反应，并证明所形成的扩展位错的宽度由下式给出(G切变模量，层错能)。5 已知单位位错能与肖克莱不全位错相结合形成弗兰克不全位错，试说明：（1）新生成的弗兰克不全位错的柏氏矢量。(2)判定此位错反应能否进行？(3)这个位错为什么称固定位错?6 判定下列位错反应能否进行?若能进行，试在晶胞上作出矢量图。(1)(2)(3)7 试分析在(111)面上运动的柏氏矢量为的螺位错受阻时，能否通过交滑移转移到()，()，()面中的某个面上继续运动?为什么?8
3、根据晶粒的位向差及其结构特点，晶界有哪些类型?有何特点属性?9 直接观察铝试样，在晶粒内部位错密度为51013/m2，如果亚晶间的角度为5o，试估算界面上的位错间距(铝的晶格常数a=2.810-10m)。1. 设铜中空位周围原子的振动频率为1013s-1，Em为0.15TM10-18J，exp(Sm/k)约为1，试计算在700K和室温(27)时空位的迁移频率。2. Nb的晶体结构为bcc，其晶格常数为0.3294nm，密度为8.57g/cm3，试求每106Nb中所含空位数目。3. Pt的晶体结构为fcc，其晶格常数为0.39231nm，密度为21.45g/cm3，试计算空位所占的格子之比例。4
4、. 若fcc的Cu中每500个原子会失去一个原子，其晶格常数为0.36153nm，试求铜的密度。5. 若H原子正好能填入a-Fe的间隙位置，而如果每200个铁原子伴随着一个H原子，试求理论的和平均的密度与致密度(已知a-Fe a=0.286nm，rFe=0.1241nm， rH=0.036nm)。6. MgO的密度为3.58g/cm3，其晶格常数为0.42nm，试求每个MgO单位晶胞内所含的肖托基缺陷之数目。7. 在铁中形成1mol空位的能量为104.675KJ，试计算从20升温之850时空位数目增加多少倍？8. 由600降至300时，锗晶体中的空位平衡浓度降低了六个数量级，试计算锗晶体中的空
5、位形成能。9. 钨在20时每1023个晶胞中有一个空位，从20升至1020，点阵常数膨胀了4TM10-4%，而密度下降了0.012%，求钨的空位形成能及形成熵。10. 铝的空位形成能(EV)和间隙原子形成能(Ei)分别为0.76eV和3.0eV,求在室温(20)及500时铝空位平衡浓度与间隙原子平衡浓度的比值。11. 若将一位错线的正向定义为原来的反向，此位错的柏氏矢量是否改变？位错的类型性质是否改变？一个位错环上各点位置类型是否相同？12. 有两根左螺旋位错线，各自的能量都为E1，当他们无限靠拢时，总能量为多少？13. 如下图3-1表示两根纯螺位错，一个含有扭折，而另一个含有割阶。从图上所示
6、的箭头方向为位错线的正方向，扭折部分和割阶部分都为纯刃型位错。a)若图示滑移面为fcc的(111)面，问这两对位错线段中(指割阶和扭折)，哪一对比较容易通过他们自身的滑移而去除？b)解释含有割阶的螺型位错在滑动时是怎样形成空位的。14. 假定有一个柏氏矢量在0-10晶向的刃型位错沿着(100)晶向而滑动，a)如果有另一个柏氏矢量在010方向，沿着(001)晶面上运动的刃型位错，通过上述位错时该位错将发生扭折还是割阶？b)如果有一个柏氏矢量方向为100，并在(001)晶面上滑动的螺型位错通过上述位错，试问它将发生扭折还是割阶？15. 有一截面积为1mm2，长度为10mm的圆柱状晶体在拉应力作用下
7、，a)若与圆柱体轴线成45的晶面上有一个位错线运动，它穿过试样从另一面穿出，问试样将发生多大的伸长量(设b=TM10-10m)？b)若晶体中位错密度为1014m-2，当这些位错在应力作用下，全部运动并走出晶体，试计算由此而发生的总变形量(假定没有新的位错产生)。c)求相应的正应变。16. 有两个被钉扎住的刃型位错A-B和C-D，他们的长度x相等，且有相同的b大小和方向(图3-2)。每个位错都可看作F-R位错源。试分析在其增值过程中两者间的交互作用。若能形成一个大的位错源，使其开动的c多大？若两位错b相反，情况又如何？图3-1图3-2图3-317. 如图3-3所示，在相距为h的滑移面上有两个相互
8、平行的同号刃型位错A、B。试求出位错B滑移通过位错A上面所需的切应力表达式。18. 已知金晶体的G=27GPa，且晶体上有一直刃位错b=0.2888nm，试作出此位错所产生的最大分切应力与距离关系图，并计算当距离为2mm时的最大分切应力。19. 两根刃位错显得b大小相等且相互垂直(如图3-4所示)，计算位错2从其滑移面上x=0处移至x=a处所需的能量。20. 在同一滑移面上有两根平行的位错线，其柏氏矢量大小相等且相交成角，假设两柏氏矢量相对位错线呈成对配置(图3-5)，试对能量角度考虑在什么只是两根位错线相吸或相斥。21. 图3-6所示某晶体位错面上有一柏氏矢量为b的位错环并收到一均匀切应力的
9、作用，a)分析各段位错线所受力的大小并确定其方向；b)在作用下，若要使它在晶体中稳定不动，其最小半径为多大？22. 试分析在fcc中，位错反应a10-1/2+a-112/6=a11-1/3能否进行?并指出其中三个位错的性质类型？反应后生成的新位错能否在滑移面上运动？23. 试证明fcc中两个肖克莱不全位错之间的平衡距离ds可近似由下式给出：dsGb2/24r。24. 已知某fcc的堆垛层错为0.01J/m2，G为7TM10-10Pa，a=0.3nm，=0.3，试确定a11-2/6和a2-1-1/6两不全位错之间的平衡距离。25. 在三个平行的滑移面上有三根平行的刃型位错线A、B、C(图3-7)
10、其柏氏矢量大小相等，AB被钉扎不能动，a)若无其它外力，仅在A、B应力场作用下，位错C向哪个方向运动？b)指出位错向上述方向运动后最终在何处停下？26. 如图3-8所示，离晶体表面l处有一螺位错1，相对应的在晶体外有一符号相反的镜像螺位错2，如果在离表面l/2处加以同号螺位错3，试计算加至螺位错3上的力，并指出该力将使位错3向表面运动还是向晶体内部运动；如果位错3与位错1的符号相反，则结果有何不同(所有位错的柏氏矢量都为b)？27. 铜单晶的点阵常数a=0.36nm，当铜单晶样品以恒应变速率进行拉伸变形时，3秒后，试样的真应变为6%，若位错运动的平均速度为4TM10-3cm/s，求晶体中的平均
11、位错密度。28. 铜单晶中相互缠结的三维位错网络结点间平均距离为D，a)计算位错增殖所需应力；b)如果此应力决定了材料的剪切强度，为到达G/100的强度值，且已知G=50GPa，a=0.36nm，D应为何值？c)计算当剪切强度为42MPa时的位错密度。29. 试描述位错增殖的双交滑移机制。如果进行双交滑移的那段螺型位错长度为100nm，而位错的柏氏矢量为0.2nm，试求实现位错增殖所必需的切应力（G=40GPa）。30. 在Fe晶体中同一滑移面上有三根同号且b相等的直刃型位错线A、B、C，受分切应力x的作用塞积在一个障碍物前（图3-9），试计算出该三根位错线的间距及障碍物受到的力(已知G=80
12、GPa，x=200MPa，b=0.248nm)。31. 证明公式D=b/(2sin(/2)b/也代表形成扭转晶界的两个平行的螺型位错之间的距离，这个扭转晶界是绕晶界的垂直线转动了多少角而形成。32. 在铝试样中，测得晶粒内部密度为TM109/cm2。假定位错全部集中在亚晶界上，每个亚晶粒的截面均为正六边形。亚晶间倾斜角为5，若位错全部为刃型位错，b=a101/2，柏氏矢量的大小等于2TM10-10m，试求亚晶界上的位错间距和亚晶的平均尺寸。33. Ni晶体的错排间距为2000nm，假设每一个错排都是由一个额外的(110)原子面所产生的，计算其小倾角晶界的多少角。34. 若由于嵌入一额外的(11
13、1)面，使得a-Fe内产生一个倾斜1的小角度晶界，试求错排间的平均距离。35. 设有两个晶粒与一个相晶粒相交与一公共晶棱，并形成三叉晶界，已知相所张的两面角为100，界面能为0.31Jm-2，试求相与相的界面能。36. 证明一维点阵的-相界面错配可用一列刃型位错完全调节，位错列的间距为D=/，式中为相的点阵常数，为错配度。答案1.700=2.165107270=2.20710-22.=0.7671%3.x=0.0882%4.=8.9168g/cm35.理论=7.9316g/cm3=7.9323g/cm3 k理论=0.6844k=0.68457.C850/C20=6.231013倍8.EV=1.
14、98eV10.20：3.31038 500：4.0101415.a)l=1.41410-10mb)L=0.226mc)=1579.82%18.xy=0.93MPa20.80，两位错相吸。21.rc=Gb/224.ds1.392610-925.a)向右运动。b)位错C向右运动至0.76m时停止。27.=1.964108/cm228.a)=Gb/D b)D=25.5nm c)=2.17109/cm229.=80MPa30.f=0.15N/m AB=15nm BC=41nm32.D=2310-10m a=110-5m33.=0.34.l=18.9615nm35.=0.241J/m2例题1.在Fe中形
15、成1mol空位的能量为104.675kJ，试计算从20升温至 850时空位数目增加多少倍？答案答案： 取A=1 （倍）2.如图所示，在相距为h的滑移面上有两个相互平行的同号刃型位错A、B。试求出位错B滑移通过位错A上面所需的切应力表达式。答案两平行位错间相互作用力中，fx项为使其沿滑移面上运动的力： （直角与圆柱坐标间换算： ，y=h；三角函数： ， ， ） 求出fx的零点和极值点（第一象限）sin4 =0 =0 fx=0 两位错间互不受力，处于力的平衡状态；sin4 =0 = fx=0 两位错间互不受力，处于力的平衡状态；sin4 =1 = fxmax 同号位错最大斥力，异号位错最大引力，其
16、值为；sin4 =1 = fxmax同号位错最大斥力，异号位错最大引力，其值为 若不考虑其他阻力，有如下结论：1) 对异号位错要作相向运动，0 时，不需加切应力； 时，需要加切应力： 方向 要作反向运动，0 时，需要加切应力： 方向 时，不需加切应力；2) 对同号位错（以两负刃位错为例）， 要作相向运动，0 时，需要加切应力： 对位错A方向 ，对位错B方向为 ； 时，不需加切应力； 要作反向运动，0 时，不需加切应力； 时，需要加切应力： 对位错A方向 ，对位错B方向为 。3. 图所示某晶体滑移面上有一柏氏矢量为b的位错环并受到一均匀切应力t的作用，a)分析各段位错线所受力的大小并确定其方向；
17、b)在t作用下，若要使它在晶体中稳定不动，其最小半径为多大？答案 a) 令逆时针方向为位错环线的正方向，则A点为正刃型位错，B点为负刃型位错，D点为右螺旋位错，C点为左螺旋位错，位错环上其他各点均为混合位错。各段位错线所受的力均为f=tb, 方向垂直于位错线并指向滑移面的未滑移区。b)在外力t和位错线的线张力T作用下，位错环最后在晶体中稳定不动，此时 4.试分析在fcc中，下列位错反应能否进行?并指出其中三个位错的性质类型？反应后生成的新位错能否在滑移面上运动？答案 位错反应几何条件：b1+b2 a b c a b c 能量条件： 因此 位错反应能进行。对照汤姆森四面体，此位错反应相当于 （全
18、位错） （肖克莱） （弗兰克 ）新位错 的位错线为 和 的交线位于(001)面上，且系纯刃型位错。由于(001)面系fcc非密排面，故不能运动，系固定位错。5.在铝试样中，测得晶粒内部密度为5109/cm2。假定位错全部集中在亚晶界上，每个亚晶粒的截面均为正六边形。亚晶间倾斜角为5，若位错全部为刃型位错， ，柏氏矢量的大小等于210-10m，试求亚晶界上的位错间距和亚晶的平均尺寸。答案 正六边形面积 ，总边长为6a，单位面积中亚晶数目 求得a=110-5（m）。本章习题1. 设Cu中空位周围原子的振动频率为1013s-1,Em为0.1510-18J，exp(Sm/k)约为1，试计算在700K和
19、室温（27）时空位的迁移频率。2. Nb的晶体结构为bcc，其晶格常数为0.3294nm，密度为8.57g/cm3, 试求每106Nb中所含空位数目。3. Pt的晶体结构为fcc，其晶格常数为0.3923nm，密度为21.45g/cm3，试计算其空位粒子数分数。4. 若fcc的Cu中每500个原子会失去一个，其晶格常数为0.3615nm，试求Cu的密度。5. 由于H原子可填入a-Fe的间隙位置，若每200个铁原子伴随着一个H原子，试求a-Fe理论的和实际的密度与致密度（已知a-Fe a=0.286nm，rFe=0.1241nm， rH=0.036nm）。6. MgO的密度为3.58g/cm3,
20、其晶格常数为0.42nm，试求每个MgO单位晶胞内所含的Schottky缺陷之数目。7. 若在MgF2中溶入LiF，则必须向MgF2中引入何种形式的空位（阴离子或阳离子）？相反，若欲使LiF中溶入MgF2，则需向LiF中引入何种形式的空位（阴离子或阳离子）？8. 若Fe2O3固溶于NiO中，其质量分数w(Fe2O3)为10%。此时，部分3Ni2+被（2Fe3+）取代以维持电荷平衡。已知 ， ， ，求1m3中有多少个阳离子空位数？9. 某晶体的扩散实验中发现，在500时，1010个原子中有一个原子具有足够的激活能可以跳出其平衡位置而进入间隙位置；在600时，此比例会增加到109。a) 求此跳跃所
21、需要的激活能？b) 在700时，具有足够能量的原子所占的比例为多少？10. 某晶体中形成一个空位所需要的激活能为0.3210-18J。在800时，1104个原子中有一个空位，在何种温度时，103个原子中含有一个空位？11. 已知Al为fcc晶体结构，其点阵常数a=0.405nm，在550式的空位浓度为210-6，计算这些空位平均分布在晶体中的平均间距。12. 在Fe中形成1mol空位的能量为104.675kJ，试计算从20升温至 850时空位数目增加多少倍？13. 由600降至300时，Ge晶体中的空位平衡浓度降低了六个数量级，试计算Ge晶体中的空位形成能。14. W在20时每1023个晶胞中
22、有一个空位，从20升至1020，点阵常数膨胀了410-4%，而密度下降了0.012%，求W的空位形成能和形成熵。15. Al的空位形成能(EV)和间隙原子形成能(Ei)分别为0.76eV和3.0eV,求在室温（20）及500时Al空位平衡浓度与间隙原子平衡浓度的比值。16. 若将一位错线的正向定义为原来的反向，此位错的柏氏矢量是否改变？位错的类型性质是否变化？一个位错环上各点位错类型是否相同？17. 有两根左螺旋位错线，各自的能量都为E1，当他们无限靠拢时，总能量为多少？18. 如图3-1表示两根纯螺位错，一个含有扭折，而另一个含有割阶。从图上所示的箭头方向为位错线的正方向，扭折部分和割阶部分
23、都为纯刃型位错。a)若图示滑移面为fcc的（111）面，问这两对位错线段中（指割阶和扭折），那一对比较容易通过他们自身的滑移而去除？为什么？b)解释含有割阶的螺型位错在滑动时是怎样形成空位的。19. 假定有一个b在 晶向的刃型位错沿着（100）晶面滑动，a)如果有另一个柏氏矢量在010方向，沿着（001）晶面上运动的刃型位错，通过上述位错时该位错将发生扭折还是割阶？b)如果有一个b方向为100，并在（001）晶面上滑动的螺型位错通过上述位错，试问它将发生扭折还是割阶？20. 有一截面积为1mm2，长度为10mm的圆柱状晶体在拉应力作用下，a)与圆柱体轴线成45的晶面上若有一个位错线运动，它穿过
24、试样从另一面穿出，问试样将发生多大的伸长量（设b=210-10m）？b)若晶体中位错密度为1014m-2，当这些位错在应力作用下，全部运动并走出晶体，试计算由此而发生的总变形量（假定没有新的位错产生）。c)求相应的正应变。21. 有两个被钉扎住的刃型位错A-B和C-D，他们的长度x相等，且具有相同的b大小和方向（图3-2）。每个位错都可看作F-R位错源。试分析在其增值过程中两者间的交互作用。若能形成一个大的位错源，使其开动的tc多大？若两位错b相反，情况又如何？22. 如图3-3所示，在相距为h的滑移面上有两个相互平行的同号刃型位错A、B。试求出位错B滑移通过位错A上面所需的切应力表达式。23
25、. 已知金晶体的G=27GPa，且晶体上有一直刃位错b=0.2888nm，试作出此位错所产生的最大分切应力与距离关系图，并计算当距离为2mm时的最大分切应力。24. 两根刃位错的b大小相等且相互垂直（如图3-4所示），计算位错2从其滑移面上x=处移至x=a处所需的能量。25. 已知Cu晶体的点阵常数a=0.35nm，切变模量G=4104MPa，有一位错b ，其位错线方向为 ，试计算该位错的应变能。26. 在同一滑移面上有两根相平行的位错线，其柏氏矢量大小相等且相交成f角，假设两柏氏矢量相对位错线呈成对配置（图3-5），试从能量角度考虑，f在什么值时两根位错线相吸或相斥。27. 图3-6所示某晶
26、体滑移面上有一柏氏矢量为b的位错环并受到一均匀切应力t的作用，a)分析各段位错线所受力的大小并确定其方向；b)在t作用下，若要使它在晶体中稳定不动，其最小半径为多大？28. 试分析在fcc中，下列位错反应能否进行?并指出其中三个位错的性质类型？反应后生成的新位错能否在滑移面上运动？29. 试证明fcc中两个肖克莱不全位错之间的平衡距离ds可近似由下式给出 。30. 已知某fcc的堆垛层错g为0.01J/m2，G为71010Pa，a=0.3nm，v=0.3，试确定 和 两不全位错之间的平衡距离。31. 在三个平行的滑移面上有三根平行的刃型位错线A、B、C（图3-7）其柏氏矢量大小相等，AB被钉扎
27、不能动，a)若无其它外力，仅在A、B应力场作用下，位错C向哪个方向运动？b)指出位错向上述方向运动，最终在何处停下?32. 如图3-8所示，离晶体表面l处有一螺位错1，相对应的在晶体外有一符号相反的镜像螺位错2，如果在离表面l/2处加以同号螺位错3,试计算加至螺位错3上的力，并指出该力将使位错3向表面运动还是向晶体内部运动；如果位错3与位错1的符号相反，则结果有何不同（所有位错的柏氏矢量都为b）？33. 铜单晶的点阵常数a=0.36nm，当铜单晶样品以恒应变速率进行拉伸变形时，3秒后，试样的真应变为6%，若位错运动的平均速度为410-3cm/s，求晶体中的平均位错密度。34. 铜单晶中相互缠结
28、的三维位错网络结点间平均距离为D，a)计算位错增殖所需的应力t；b)如果此应力决定了材料的剪切强度,为达到G/100的强度值，且已知G=50GPa，a=0.36nm，D应为何值？c)计算当剪切强度为42MPa时的位错密度r。35. 试描述位错增殖的双交滑移机制。如果进行双交滑移的那段螺型位错长度为100nm，而位错的柏氏矢量为0.2nm，试求实现位错增殖所必需的切应力（G=40GPa）。36. 在Fe晶体中同一滑移面上有三根同号且b相等的直刃型位错线A、B、C，受到分切应力tx的作用，塞积在一个障碍物前（图3-9），试计算出该三根位错线的间距及障碍物受到的力（已知G=80GPa, tx=200
29、MPa，b=0.248nm）。37. 不对称倾斜晶界可看成由两组柏氏矢量相互垂直的刃位错b和b交错排列而构成的。试证明两组刃型位错距离为D ，D 。38. 证明公式 也代表形成扭转晶界的两个平行螺型位错之间的距离，这个扭转晶界是绕晶界的垂直线转动了 角而形成。39. 在铝试样中，测得晶粒内部密度为5109/cm2。假定位错全部集中在亚晶界上，每个亚晶粒的截面均为正六边形。亚晶间倾斜角为5，若位错全部为刃型位错， ，柏氏矢量的大小等于210-10m，试求亚晶界上的位错间距和亚晶的平均尺寸。40. Ni晶体的错排间距为2000nm，假设每一个错排都是由一个额外的（110）原子面所产生的，计算其小倾
30、角晶界的 角。41. 若由于嵌入一额外的（111）面，使得a-Fe内产生一个倾斜1的小角度晶界，试求错排间的平均距离。42. 设有两个a晶粒与一个相晶粒相交于一公共晶棱，并形成三叉晶界，已知相所张的两面角为100，界面能gaa为0.31Jm-2，试求a相与相的界面能ga。证明一维点阵的a-相界面错配可用一列刃型位错完全调节，位错列的间距为 ，式中a为相的点阵常数，d为错配度。习题答案2. 106个Nb中有47313个空位。 3. 4. 5.K=0.68456. x=0.03698. 1m3中含有氧离子数为1m3固溶体中含有阳离子空位数为(个)10. T=92811. L=20.25nm12. （倍）15. a) 扭折; b) 割阶。16. a) b) c)相应的正应变为 23. 24. 30. 专心-专注-专业