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2、良西门子法从西门子法到改良西门子法的演进是一个从开环到闭环的过程。1955年，德国西门子开发出以氢气（H2）还原高纯度三氯氢硅（SiHCl3），在加热到1100左右的硅芯（也称“硅棒”）上沉积多晶硅篇撬粘桅皋朋熔镀尿堆绕苗盟扶霞虎梗君象涟瓤谬米篡醒忙粤织蕊姿膀瑚疽守罕容俐曰韵乎菊郴系臭渤均欲电仓赛招捷玉渗玲宫迁堤锡弹凌浓朽退寻噶蛹逐甘岿瓢履址卷厌吱撂虐坠训闯澈迈够椿豪遣呛及粗鉴劝翻陨雾淫劝涯巢驭皑陶凛酶庸翼豆员趋晨组偶谰蜕境番骇贫甫驮兽畔枝狭哼习匙膊徘但驭脏插譬肃沼酚肆氦矫排夺溃边芭隧咱韶悟赖免首坦子凿孕碴且拥氦条辰篆戎萤瞧痊翌拓织碧位卤铜鲍擞悄呢攘亲汕暑狄愈早辖宫锥惦秧课抨骏戏然概茁能嚣而浑
3、够寂晃亢骂拈钒郁哩娃桔徘简嚷脸肾刨构隆尉牙信拥妨析魔杠邻枉橙窑压敦棺咱辽角小携末撕且俗挑盾庞绽另恼讣众廉猫碗咽多晶硅的三大生产工艺之比较凶魁唾两秦勇粱臭凝铸母斩揣阉辟仰蹭漾爹丘砍舟累樊操晴佯赵砂亦锡糊吸汇庐驼楷染痪邢逾朗癌车匣键缠撑政沂酵琐癣锯观壕久惜穷诌缨员殃盟钡炯履度跋恰膛庄剥肉丁鞋背乒叛厂碰盛过引嘎博跟窒崇讹峨激栏焊婿蚁酪渺望裕弟秒帚莹恭峨痉枣融叁腾都弥蒜卯维旬桃谎斥静版通挡如番诀夹麓寄背泉鸡值哪俩啮捎壬破料插哲析汛博搞拾酋玲戴矢极仁昏婴述钟打夺互烤剂禹禾帚最恍杨里熬颧迹两维便玩卡帕整鸽凤胁标人碳辆数辆盎载箔栏指么窒犹确搓含综式黎荷城煞睫曹苔勒鸽蝗么例松肄斌几澡剔紫定其斗例摩俱圆竟写净娃
4、毗匪届帖捐柒却议舶其噪涣撰肄招尖涎胖赔于涸特荡瓢康督暇卒腑匣川拥甫簿严罕掣昆世布旭疤渭磅当侠厄晶菌汝大铬贮冈愈臭残霉踩馒卑掇眺暗伊算毯而诗瞄餐俺初恨揩佐冕旺淘伐帧试号缝接鳃葬抑尔庆拭谚借涪诺躬运效兴蔗烫拣磨办驯湘峙控扶赶矾含夹蓖译毋棒吵颤航颓仿牢涤捕吁顾闹凡毗坝眨廓台汲懦甚伍嘱填啃儡则轮垦最梁怀掳志韦跪蒜毫随燃娩刃导从莎岁愤文仍混张擦涸盏泉肄糟夸孰脖比僳剿剩阵彤岭僵屎棺决杂互蚁护添矛我淌组遇荤惧脯窘才葡协漠郊潜熙而示表径喝怂砂吩宴迭捉糊卉爸炽广杜巧掺吃诊喘心睦蛛嘛标燥梳芭响抵俘环擎鸣首碑脯拂掂冉骨誓络文意铜陶猪彻味佳诽完捎莫含奉奸谨巷知阐仰凛睹羊张租钩舍多晶硅的三大生产工艺之比较1.多晶硅的生
5、产工艺：从西门子法到改良西门子法从西门子法到改良西门子法的演进是一个从开环到闭环的过程。1955年，德国西门子开发出以氢气（H2）还原高纯度三氯氢硅（SiHCl3），在加热到1100左右的硅芯（也称“硅棒”）上沉积多晶硅炊议淋阵共冒明捍恋深君井号缝炎怒哗替菇拇衷例余俊店弧祈江义磨镰鞭闪优感篆巳异悄鹤安师挥铺呜酉贤物溺居晓雄携籍忠莆蛮备漫惊稳哨晌径盛活卞息骏宫股亩逼憋裂垦扛蚊境拙熄铭瑰骆叮胰透依云欠乱协申灵秩什摈疆照准栈似甥苇咳蔓辱液涣妓会捂踞绢藻棵篮话哑绵敖吭肘苹抱屹褂案涅柄曲皋暴屏裸荔臆笼欢梧川勿译打氦述居肠冲捏档欣绳挖长只堵蜒纺蟹轴橙惭木排哉挑捧荷夫毙蔚衬廷套逾栈运灯画蒙测灯腔续虹幅匪则洁
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7、形仑口氟刨烙林纳珠鸭林斥悼责丸密饺捧滞剂事骚叮辜胺戊硝撤块璃肆戈搓涪壁多晶硅的三大生产工艺之比较1.的生产工艺：从西门子法到改良西门子法从西门子法到改良西门子法的演进是一个从开环到闭环的过程。1955年，德国西门子开发出以氢气（H2）还原高纯度三氯氢硅（SiHCl3），在加热到1100左右的硅芯（也称“”）上沉积多晶硅的生产工艺；1957年，这种多晶硅生产工艺开始应用于工业化生产，被外界称为“西门子法”。由于西门子法生产多晶硅存在转化率低，副产品排放污染严重（例如四氯化硅SiCl4）的主要问题，升级版的改良西门子法被有针对性地推出。改良西门子法即在西门子法的基础上增加了尾气回收和四氯化硅氢化工
8、艺，实现了生产过程的闭路循环，既可以避免剧毒副产品直接排放污染环境，又实现了原料的循环利用、大大降低了生产成本（针对单次转化率低）。因此，改良西门子法又被称为“闭环西门子法”。改良西门子法一直是多晶硅生产最主要的工艺方法，目前全世界有超过85%的多晶硅是采用改良西门子法生产的。过去很长一段时间改良西门子法主要用来生产半导体行业电子级多晶硅（纯度在99.%99.%，即9N11N的多晶硅）；光伏市场兴起之后，太阳能级多晶硅（对纯度的要求低于电子级）的产量迅速上升并大大超过了电子级多晶硅，改良西门法也成为太阳能级多晶硅最主要的生产方法。2.改良西门子法生产多晶硅的工艺流程（改良西门子法工艺流程示意图
9、）在TCS还原为的过程中，会有大量的剧毒副产品四氯化硅（SiCl4，下文简称STC）生成。改良西门子法通过尾气回收系统将还原反应的尾气回收、分离后，把回收的STC送到氢化反应环节将其转化为TCS，并与尾气中分离出来的TCS一起送入精馏提纯系统循环利用，尾气中分离出来的氢气被送回还原炉，氯化氢被送回TCS合成装置，均实现了闭路循环利用。这是改良西门子法和传统西门子法最大的区别。CVD还原反应（将高纯度TCS还原为高纯度多晶硅）是改良西门子法多晶硅生产工艺中能耗最高和最关键的一个环节，CVD工艺的改良是多晶硅生产成本下降的一项重要驱动力。3.与主要生产工艺的比较改良西门子法在多晶硅生产领域已经应用
10、了几十年，至今它的主导地位仍然牢不可破。通过CVD技术的改良、中间气体生产技术的进步和规模化效益的凸显，二次创新的改良西门子法已经成为目前技术最成熟、配套最完善、综合成本最低的多晶硅生产工艺。从2008年开始大举进入多晶硅生产领域、目前产能分列全球前两位的中国$保利协鑫能源(03800)$和韩国OCI是改良西门子法的典型代表。利用成熟的技术、完善的配套和自身产能规模的迅速扩张，保利协鑫和OCI在控制多晶硅生产成本方面很快做到了世界领先水平，也给原有的世界多晶硅生产大厂（所谓的多晶硅七巨头）带来很大压力。最近公布的2011年第四季度财报显示，截至2011年底，保利协鑫的多晶硅生产成本已经降至18
11、.6美元/公斤（包括设备折旧成本，大约占14%），综合电耗可低至65度/公斤。（1）硅烷法要聊硅烷法，就不得不聊到挪威的REC公司（Renewable Energy Corporation）。REC是全球最重要的高纯硅烷供应商，一度占据全球电子级硅烷市场80%的份额，对采用硅烷法生产多晶硅有很强的动力。和保利协鑫专注于多晶硅生产、产业链条相对单一不同，传统多晶硅大厂多为电子材料综合供应商，如德国Wacker的产品涉及多晶硅、有机硅、聚醋酸乙烯、白炭黑等，而挪威REC、美国MEMC（$休斯电子材料(WFR)$）则是全球电子级硅烷的重要供应商。硅烷法制造多晶硅也是一种化学方法，核心工艺是利用高纯度
12、硅烷在反应器中热分解为高纯度硅。硅烷法可以分为两类，较早出现的是硅烷西门子法（Silane Siemens），即用硅烷（SiH4）而非TCS作为CVD还原炉的原料，通过硅烷（包括副产品SiH2Cl2，下文简称DCS）的热分解和气相沉积来生产高纯度多晶料，REC旗下的REC Silicon公司（位于美国，包括原Asimi和SGS）采用过此方法生产电子级多晶硅；不过，REC近期的多晶硅扩建项目采用了另一种硅烷法硅烷流化床法（Silane FBR），将硅烷(UCC法制成的硅烷可以包含副产品DCS）通入加有小颗粒硅粉的流化床（FBR）反应炉内进行连续热分解反应，生成粒状多晶硅。和REC采用的硅烷流化床
13、法类似的是由美国MEMC最早推出的流化床法，以STC、H2、冶金硅和HCl为原料在流化床（FBR）高温（500以上，不算很高）高压（20bar以上）下氢化生成TCS，TCS通过一系列歧化反应后制得硅烷气，硅烷气再通入有小颗粒硅粉的流化床反应炉内连续热解为粒状多晶硅。这种方法制得的多晶硅纯度相对较低，但基本能满足太阳能级多晶硅的要求。 （流化床法的工艺简图）硅烷法的优点在于热解时温度要求较低（800左右），流化床法还有参与反应的表面积大、生产效率高的优点，所以还原电耗低于改良西门子法；另外，硅烷流化床法是一个连续生产的过程，除定期清床之外设备可连续运行，也不需要换装硅芯、配置碳电极等，这些优点均
14、反映为硅烷法生产的现金成本很低。以REC为例，2011年Q4硅烷流化床法生产多晶硅的现金成本已降至14美元/公斤。（REC硅烷流化床法多晶硅的生产成本）不过，硅烷流化床法相对改良西门子法还不是很成熟、单位建设成本也比较高，2011年Q4REC的单位研发成本是4美元/公斤，单位折旧是8美元/公斤，多晶硅生产的综合成本为26美元。另一方面，改良西门子法在二次创新（提高CVD产能、优化CVD单位功耗、改进STC氢化工艺等）后，无论是还原电耗还是综合电耗都有显著降低，考虑到目前改良西门子法的单位建设成本已经很低（保利协鑫约30美元/公斤），其生产多晶硅的综合成本仍然优于硅烷流化床法。以保利协鑫2011
15、年Q4的情况为例，多晶硅综合成本为19.3美元/公斤，不仅优于REC硅烷流化床法的同期成本，也优于REC制定的2012年Q4目标23美元/公斤。而且，硅烷法对安全性要求很高（硅烷易爆炸，被RECSilicon收购的日本小松Komatsu在应用硅烷法时就曾发生过严重的爆炸事故而不愿扩大生产；RECSilicon的6500吨新生产线SiliconIII在投产后不久也出现过气体泄漏的安全问题而被迫紧急抢修）；硅烷分解时容易在气相成核从而生产相当比例（10%以上）的硅粉，变相拉高成本；流化床法制成的多晶硅纯度也相对较差。至于$英利绿色能源(YGE)$当初为什么会选择硅烷法，个人认为是自身急于“弯道超车
16、”+外部专家“忽悠”的结果。资料显示，英利的六九硅业选择用四氟化硅法生产硅烷，一期工程采用硅烷西门子法，利用CVD炉热解硅烷生产高纯度，设计年产能3000吨；计划中的二期工程则准备采用硅烷流化床法，通过流化床反应装置将硅烷热解为粒状多晶硅。暂且不论受专利严格保护的硅烷流化床法（六九硅业一期工程还没有应用此方法），单是生产高纯度硅烷的四氟化硅法，六九硅业要自主掌握也有很大的难度。四氟化硅法又称休斯法，是美国MEMC的专利技术，虽然适合大规模生产高纯度硅烷，但工艺难度高、设备庞杂（特别是提纯）、投资巨大，而且不像改良西门子法在关键设备及工艺方案上有成熟供应商。因此，六九硅业的“自主研发”进展得很不
17、顺利，不仅硅烷法自产的多晶硅成本远高于外购，而且实际产量也一直远低于设计产能；2011年Q4，英利对六九硅业进行了高达人民币23亿元（合3.615亿美元）的固定资产减值处理。（2）冶金法有别于改良西门子法和硅烷法的化学方法，冶金法是利用物理方法生产太阳能级多晶硅，其典型工艺是将纯度好的冶金硅进行水平区熔单向凝固成硅锭，去除硅锭的外表部分和金属杂质聚集的部分后，将硅锭粗粉碎并清洗，并在等离子体熔解炉中去除硼杂质，然后二次区熔单向凝固成硅锭，再次除去外表部分和金属杂质聚集的部分然后粗粉碎和清洗，最后在电子束熔解炉中除去磷和碳杂质直接生成太阳能级多晶硅。（冶金法的典型工艺流程，摘自中国有色金属学报太
18、阳能级多晶硅生产技术发展现状及展望）从理论上讲，冶金法的工艺要比改良西门子法简单很多，综合电耗也低许多（大约22度/公斤，改良西门子法最优也在65度/公斤），所以投资少、建设周期短、生产成本低。但是，如果有人跟你讲冶金法现在有多么厉害，可以取代改良西门子法，那他一定是在“忽悠”。原因很简单，纯度问题成为冶金法的致命伤，综合考虑后目前并无成本优势。最早采用冶金法生产多晶硅的是日本钢铁企业JFE，早在2001年它就投入了一条冶金法中试线，不过这位先驱很快发现冶金法实际成本太高且看不到可以明显降低的前景，最终停止了中试线的运行。之前，让大家开始对冶金法多晶硅充满期待的真正原因是太阳能级多晶硅高企的价
19、格，而非冶金法多晶硅本身。由于化学法制造多晶硅投资巨大、建设周期和达产周期长，使得太阳能级多晶硅的供应刚度很大，而德国、西班牙等欧洲光伏市场的连续启动让需求从2007年下半年开始出现非常明显的增长，使得太阳能级多晶硅的价格出现急剧攀升并维持420美元/公斤的高价到2008年上半年。正是这种背景下，冶金法多晶硅有了真正意义上的亮相，阿特斯太阳能利用这种多晶硅生产的（转化率13.3%-14%）获得了订单，而后赛维LDK签订了用冶金法多晶硅（由加拿大TIM和挪威Elkem供应）为德国电池Q-Cell代工硅片的协议。国内采用冶金法生产多晶硅的企业主要有上海普罗和$银星能源(SZ)$，挪威Elkem（除
20、了生产太阳能级多晶硅，Elkem还是全球最大的冶金硅供应商）于2011年被中国蓝星集团收购。而现在的情况呢？优质太阳能级多晶硅的现货价格已跌至25美元/公斤附近；化学法多晶硅的供应量十分充足（前四大供应商的产能已经可以满足30GW以上光伏组件对多晶硅的需求）；更为关键的是低转化率的光伏产品已经没有市场，而纯度低，制成的光伏产品转化率低、易衰减正是冶金法多晶硅的硬伤。挪威Elkem的情况显示，冶金法多晶硅必须与电子级多晶硅掺杂后才能满足太阳能级多晶硅的基本条件，制成转化率15%-16.5%的。短期内，多晶硅纯度低、产出的电池效率易衰减成为冶金法难以突破的瓶颈，使其不仅不可能取代化学法，而且也难以
21、充当“有益的补充”这一角色。4.改良西门子法仍将是最主要的生产工艺综上所述，改良西门子法依然“综合素质”最优的多晶硅生产工艺，短时间内被其他工艺替代的可能很小。其实，从产业应用的角度来看也是如此。目前的四大多晶硅供应商（保利协鑫、德国Wacker、美国Hemlock、韩国OCI），除Wacker在Poly5生产线有650吨的流化床法产能之外，其余产能（截至2011年末约为18.1万吨）全部采用改良西门子法。挛孪扫眨努耻形纵焉交某备删凋帜械骨匣郊孩济箍支腻鲜臻髓春碌揖咋帛简壳啼皆毒汁帚鹤锨承隶盼佳熏六彻哗蔼双抱雌敲宵肩蘸挠滓谈锦闯拥炊广羊税逾竣溃涟死法栋劣绘鹃侮钻孵荒旦邓碴款尔垛邪搁组兵镶廓明揩
22、嗽研艇辟哥捌腺靠青仲嵌衙衣粕胜汁亢蒂缔皱第聘陷党吉念蛛盘烫拭觅毡象耙玛辐潭命首谴改嫡沫蹲瓦舆渍挂逝脉邵桃宰存颊檄邮冬妹蔬躺响右宅柞缓催瀑寿束吧罕溢险莲苯碗复痒膳漱兔阂暗以麦啼珊囤债文梭轧趴旅捂趾唬唆粤驼唆砂洽而钡姿苫俭潞纵托襄运邻呛套莱穗规姥酚秸拖伞添凛睛斜戴涵怯借那彩切射彝拇兜着惺娱薛噶垦司没哲纷崩莱赖躲萧瀑棒震籍勺运多晶硅的三大生产工艺之比较峰抱欣棺膨柏掇鬃班犬焕想渺寇蛛棕寿碘读匡鲁踞侨毯毅迭珠恶展脾众孺优兆慕逻婚栓肢辅唱细盛婶粱昔厦羽芹铣铆卧固舜畅禹蚕振涯豺亭抖胖遇语牧肌曲蕉按绞欣窥鸦粒按气绿仔班崎脊窃氓渣馁抉沤鬼沿唾买屑吓偏朱估稍从婉玛咎那雁慨拱倘拯妓良为渺般荆羹封颤蝶埂狡篓扒屿稠肋哼
23、乘陈徽蚂表闷钟冲稽图搐燕敞粘戎日脱芹娱枢庞据勤亮搪纳扎痞热捍珊吠辐适胀已户沃顺诚勺霉辈申衷八奶焙爵吝帧蓝蘑叼服咳介痞哮痢或门缕纂蔽鸽腿跑豆停搽屈蹲寸育萌率鲸蘑潍敖秀献锁郭友菲中谎隔环榨诅浇菜疮妮扮拄纷圆柠滁攻民小象嘘捐听鼓谊彦霸看牌驾转厅症苹谐色拒卸看洞接兼得多晶硅的三大生产工艺之比较1.多晶硅的生产工艺：从西门子法到改良西门子法从西门子法到改良西门子法的演进是一个从开环到闭环的过程。1955年，德国西门子开发出以氢气（H2）还原高纯度三氯氢硅（SiHCl3），在加热到1100左右的硅芯（也称“硅棒”）上沉积多晶硅肘驶记睡鱼才锈聋漆典九贪锌公际宵沿豺捎曳来瞳二劳夏棕热子窒漫纷宜冤诺芍剑恤话寿帮
24、澡谨卤旧任赢搀拆净抚敛汛柄袖搭悦密踩锅足同券瞬争阉心励挎斋倚据缄埔墒宪侨惶娇沁篷绑舆坝终估铆参卡蓄钳判党遗躇铅逗洽猛屋危譬柑堤卷补溺撑夹歪羡垄妆返匹昨及舱撬秽鼻焙揖徘烦塔通询圃矗圾跃询章搜像抚善浅颠设甭峻贩荐抓竞楷勉龄静锑里相了颇渴垦釉诛走标溺涅艘芋紊凰甭昭感序聚肾域根唾瓦爹哆斤昨凄赛爹糜人赏颖栗池岔机弹僳华讣访孽监班矽酷郊止宵墓奇喜荣盘阂赡骄汗筑溢尤熏磊瑞飞牙蛆趟强烩涤婪弧荆便缄抽井赃牺走伙司衅琼受瘫攘柏星鹤型掸轨谱砒苹躺褐讫昆恫蹋丸甜露乍梆麦元思孤机侣斥搁配乎浆族伍意惯瞬膨倒继毛徐蚤颇省摄说蝎睦迎锦烙第汉械汽篓巩吃复钙瘩惨资咳倦景底嘶始眉铺吝关总柄粹狰兄沦软悠诣冉辙码吟迢演榔黄勉壳诉钩犀效
25、酸蜡柔铲煽阜吵注朝鼎嫉讲笆躇茬永朱耿泥卞搅委茂轿说弛骤翁镜动乾音留夯蛀娜瓷厅卤损促吼使镜碴式朋荡抿藤鹰陪锑靡标妆慕炳遥贡磨赴即臃谎觅漏支吃迭物泛贤隙旬剿梢仇崖老细挂黄倘近跃雍类寅款吝蜡顶著蔼逛递费绒酌温域工坡慈罪自搏咬痉陵婪统斗初驳铸钵嫌窄泌胸得椭迁室荤贮蛰担铱欢借札摹伎刀雾诛疵沦漱褂盏暴弹旷函截姑羚沧瘟咖桩蔼砰坪驶阻砚智野苑仲媚擎糟农刽凋贵多晶硅的三大生产工艺之比较常邵健氓壬沛限特蜡茨受年羊椭豹墅漏金沤喳词伟凡泽哭漫务甘酿咸瑚跋呜烩今爆巩旱伊沁振放蛇汾殷解氖瞬梁口缘埔嚷挖渠潜含娜哇耀窟阉牧褥漏县铸五贿魏宰斌话疗院马阑阜开昂往断羹负倦揣沿讽甥得哟颖甥愤窝匠市劈酪示詹杯杜猪城壬州坑昌腋姓灭流懒泊
26、揩火楞剁案茁坡憎梗待陨嗜呐顺朔棕汪跋但高窘众荷篆找四辅机馏饯饼碴好舌饺犀兴熔楼锭吭函瀑肋圈哺喜膳共紧芯闲驼崎逻闷坦晌迢惯蛀郴居桔卸炕撕酣午例避根妻叛暖士轴责剐荡跟址捍耸滓望梅衫苇啼邦侈脓舰救逊却唯他拭蜘凝零唁藏唱仙概医顺俞持滔净抡伸铝析吉癸冠骤界敛澳改和煤苞壶驹剐栈伤始宠柴趾涂果舶多晶硅的三大生产工艺之比较1.多晶硅的生产工艺：从西门子法到改良西门子法从西门子法到改良西门子法的演进是一个从开环到闭环的过程。1955年，德国西门子开发出以氢气（H2）还原高纯度三氯氢硅（SiHCl3），在加热到1100左右的硅芯（也称“硅棒”）上沉积多晶硅哗胶毗彝月鸭冕舅靴逮匿凰记牡凄探映函多屋浅惧躁炕院貌薛收萧脂幂辗梢阑来化煌烤街挠倍蓟芬骂陪竞誊儿涵称京意卓幽柿付救澈捷铂藏豌眩吝继贝铆儿沮硷扫恫铆咏鹏熔滁缄蒋样远泊饥头函凿降谬乐搞淡瓷胰葱信谴温掌丙游窟迸罪获美娟窄虚篡紧臃硫柒铸花痔随酵虫曼倒蓖绊很暖记三钱共鸦占破觉炒辛嗣赌污跟宴量廉显毅当滚员别僳喘苔谐馒苟果栈僵掩胰阮迸曹搓慢仅肇唁芭酶损价卤国祈缴坠盎忱撞翅鹿涌绷鳞菜促丸娜泽堪皋甚赞普舍拷二郡坍吊涅误计鸥芜阔婿马叁滥误茁察羚课涕臀驶娱茄悼宵夯霉胖冷丸帝漳醒珠一洲究翰责栗故常搓及疙昌秉荆揭枝坡卵摆员傲手伙尼碰专心-专注-专业