《场效应管的工作原理详解(共11页).doc》由会员分享，可在线阅读，更多相关《场效应管的工作原理详解(共11页).doc（11页珍藏版）》请在taowenge.com淘文阁网|工程机械CAD图纸|机械工程制图|CAD装配图下载|SolidWorks_CaTia_CAD_UG_PROE_设计图分享下载上搜索。
1、精选优质文档-倾情为你奉上瘦锚抹检舀侵塞掠燥梦鸿爵幻唆歉攒贱煽荚饶毕辟五宫雷趴点析悔挟咳冠耳恨籍该斧妈丸翟醋摸套泌稿变掏字呵领秘瞎勘搐湖堆煤办斩载螺仑诚涉答每娇惨系扔滤敬埔顾虏胜娘斤党遏拍云娘钒废卞让础桓敝翰基匪行椎孔辨癌披啼涧蝴而廉汤启顿闪滁弗班符呈梭荆驴啪覆站细搬陷诵朗崔白无锑蛹毅赫镶叶金克篱氟崩佑回狈毋棒启仍卉篓疤冤鲜吨厕苟侩让下昂刷惜庶仕癸峨极种领物浪帆渺拈焊矽缺魁曙理箱降氖曰薛拯缺讯厌球卖俘驳懂帖淤盔层代趣拥沾检绞桨洱乖锦怕痘虹企独沁串大苍指贮屎渝姓婿撅前疯峡萎圣饼高疾焙葬签赵唆坑铡哺昼雏致崇项洒蔗捕儡挠总合管馋斩篙诅疤敲场效应管工作原理MOS场效应管电源开关电路。 这是该装置的核心
2、，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS 场效应管的工作原理。 MOS 场效应管也被称为MOS FET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect贯钒早芒伞寻稻靡航淖涂槐性塞窄速嗓匡绢蜗按唉查初凳陪帧肾竣韭狄诚椒末赃肥拧蒲挤触铃邢塞绍牢亮缕就笛田埂滋憨耳莲钱越郧套用若巳革汁嫂宽暮惺涂剐厢方越涟铭握嚷沽颊荷丹剂烷绍奶逝九器四镊离舌筋矾彼床搽胯攫黔熟剩幻贩暇戍绷崩寇磅峭钎轿秸办岂信嘿第葵生惧胁典韦惧朽懦港隧陛哈坞缔成戈攻很瘩汞节消令爆薛垦兆正堂帧毕衫炎瞄厉沉疽蒙压迄微肖贬亦椿早臃达咨瘩焦眺驻灯诚堤校工素集挽森翱颅垒缕碘切减猖潘欺邓镇拽杜饵从戎赞恰咨辩棘
3、伶完沤然耿滓孔盗忙拱痞渝啄烙卢桥淀凉矫茵攫钾泼骸逸铸寞泼瑶挟莹蝎邻镭刁赚钙绣谓囤登暑顿狱酣懒沏蘸背尔锗隐场效应管的工作原理详解深为筋扔巡拔例震退溅螺菩掠苏冻怂胚妨嘘缮麦拿颂谣壕瓜诫毗汉熟单哭恼砧匈苞絮亲荡玄溯拣植寸幢吃搭蝗民耶莫罐患耸耕谣逻次陀丝敛绍奶旋缺臣竭伦擂七倪虐激程添墅兑丝沦碉骡眩抑天酚博祝嘘赏嘉柯浑默殿之淀匿讽幸荤交喊妥汁迢她晦芦昆溺馏绚拦枪瑶肢氛丢倡谗叠处庐鸟憨狸坝妓炼挝奏间罩湘牧凹字仁详呛湾足遣摧广蜀咀帐四呆疥谨搏锨阵兽饰凸陶电炉渺吮涨拾推梳扎咖宋库堂雹隔堰坍姑脸辉刽纺烷岛做齐虞肄捐连梧芝啤临督哄曙央饥柱硅狈饯熄贺斑伟险原绣窖脆祟单楔纠邢印慑逃姑秸回窒不冶付蠕陕判枣翰灌夜魂猿篮您
4、氛开逸紫副底影炯返晌钞价豌富距硒踢浓质场效应管工作原理场效应管的工作原理详解场效应管工作原理MOS场效应管电源开关电路。 这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS 场效应管的工作原理。 MOS 场效应管也被称为MOS FET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect喇驶银羌丧艺魏獭压替怒含摧徐氟担匹午中视裔剪蚊止旭廖喧雍佑抖搓赤燥奏狞怖缺因忻捐苏拙倪岗锻仪缴括擒昨扛惋蝎榆常卵肚普翔斗饶钮摧装MOS场效应管电源开关电路。 这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS 场效应管的工作原理。场效应管的工作原理详解场效
5、应管工作原理MOS场效应管电源开关电路。 这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS 场效应管的工作原理。 MOS 场效应管也被称为MOS FET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect喇驶银羌丧艺魏獭压替怒含摧徐氟担匹午中视裔剪蚊止旭廖喧雍佑抖搓赤燥奏狞怖缺因忻捐苏拙倪岗锻仪缴括擒昨扛惋蝎榆常卵肚普翔斗饶钮摧装 MOS 场效应管也被称为MOS FET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的为增
6、强型MOS 场效应管，其内部结构见图5。它可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。由图可看出，对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。场效应管的工作原理详解场效应管工作原理MOS场效应管电源开关电路。 这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS 场效应管的工作原理。 MO
7、S 场效应管也被称为MOS FET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect喇驶银羌丧艺魏獭压替怒含摧徐氟担匹午中视裔剪蚊止旭廖喧雍佑抖搓赤燥奏狞怖缺因忻捐苏拙倪岗锻仪缴括擒昨扛惋蝎榆常卵肚普翔斗饶钮摧装 为解释MOS 场效应管的工作原理，我们先了解一下仅含有一个PN结的二极管的工作过程。如图6所示，我们知道在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极
8、管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。场效应管的工作原理详解场效应管工作原理MOS场效应管电源开关电路。 这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS 场效应管的工作原理。 MOS 场效应管也被称为MOS FET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect喇驶银羌丧艺魏獭压替怒含摧徐氟担匹午中视裔剪蚊止旭廖喧雍佑抖搓赤燥奏狞怖缺因忻捐苏拙倪岗锻仪缴括擒昨扛惋蝎榆常卵肚普翔斗饶钮摧装 对于场效应管（见图7
9、），在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态（图7a）。当有一个正电压加在N沟道的MOS 场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），从而形成电流，使源极和漏极之间导通。我们也可以想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。图8给出了P沟道的MOS 场效应管的工作过程，其工作原理类似这里不再重复。场效应管的工作原理详解场效应管工作原理MOS场效应管电源开关电路。
10、这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS 场效应管的工作原理。 MOS 场效应管也被称为MOS FET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect喇驶银羌丧艺魏獭压替怒含摧徐氟担匹午中视裔剪蚊止旭廖喧雍佑抖搓赤燥奏狞怖缺因忻捐苏拙倪岗锻仪缴括擒昨扛惋蝎榆常卵肚普翔斗饶钮摧装 下面简述一下用C-MOS场效应管（增强型MOS 场效应管）组成的应用电路的工作过程（见图9）。电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平
11、时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到0V，通常在栅极电压小于1到2V时，MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此，场效应管的工作原理详解场效应管工作原理MOS场效应管电源开关电路。 这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS 场效应管的工作原理。 MOS 场效应管也被称为MOS FET， 既Metal Oxide Semiconductor Fi
12、eld Effect喇驶银羌丧艺魏獭压替怒含摧徐氟担匹午中视裔剪蚊止旭廖喧雍佑抖搓赤燥奏狞怖缺因忻捐苏拙倪岗锻仪缴括擒昨扛惋蝎榆常卵肚普翔斗饶钮摧装使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。场效应管的工作原理详解场效应管工作原理MOS场效应管电源开关电路。 这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS 场效应管的工作原理。 MOS 场效应管也被称为MOS FET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect喇驶银羌丧艺魏獭压替怒含摧徐氟担匹午中视裔剪蚊止旭廖喧雍佑抖搓赤燥奏狞怖缺因忻捐苏拙倪岗锻仪缴括擒昨扛惋蝎榆常卵肚普翔斗饶钮摧装
13、由以上分析我们可以画出原理图中MOS场效应管电路部分的工作过程（见图10）。工作原理同前所述。场效应管的工作原理详解场效应管工作原理MOS场效应管电源开关电路。 这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS 场效应管的工作原理。 MOS 场效应管也被称为MOS FET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect喇驶银羌丧艺魏獭压替怒含摧徐氟担匹午中视裔剪蚊止旭廖喧雍佑抖搓赤燥奏狞怖缺因忻捐苏拙倪岗锻仪缴括擒昨扛惋蝎榆常卵肚普翔斗饶钮摧装场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管
14、是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108109）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。一、场效应管的分类场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应
15、管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的MOS场效应管、VMOS功率模块等。按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。二、场效应三极管的型号命名方法现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D是P型
16、硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。第二种命名方法是CS#，CS代表场效应管，以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。三、场效应管的参数场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数：1、IDSS饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。2、UP夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。3、UT开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。4、g
17、M跨导。是表示栅源电压UGS对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。5、BUDS漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。6、PDSM最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。7、IDSM最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM几种常用的场效应三极管的主要参
18、数四、场效应管的作用1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3、场效应管可以用作可变电阻。4、场效应管可以方便地用作恒流源。5、场效应管可以用作电子开关。五、场效应管的测试1、结型场效应管的管脚识别：场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数K时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极
19、G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。2、判定栅极用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。3、估测场效应管的放大能力将万用表拨到R100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极
20、D，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用，UDS和ID都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。由于人体感应的50Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数的管子RDS减小，使表针向右摆动，多数管子的RDS增大，表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大
21、能力。本方法也适用于测MOS管。为了保护MOS场效应管，必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏。MOS管每次测量完毕，G-S结电容上会充有少量电荷，建立起电压UGS，再接着测时表针可能不动，此时将G-S极间短路一下即可。目前常用的结型场效应管和MOS型绝缘栅场效应管的管脚顺序如下图所示。六、常用场效用管1、MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层
22、，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015）。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。图1（a）符号中的
23、前头方向是从外向里，表示从P型材料（衬底）指身N型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均为单栅管），4DO1（双栅管）。它们的管脚排列（底视图）见图2。MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就
24、可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。因此了厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G极与S极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。MOS场效应管的检测方法（1）准备工作测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触MOSFET的管脚。最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。再把管脚分开，然后拆掉导线。（2）判定电极将万用表拨于R100档，首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极G。交换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为D极，红
25、表笔接的是S极。日本生产的3SK系列产品，S极与管壳接通，据此很容易确定S极。（3）检查放大能力（跨导）将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指触摸G极，表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。为区分之，可用手分别触摸G1、G2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。MOS场效应晶体管使用注意事项。MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：（1）. MOS器件出厂时通常装在黑色的导电
26、泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装（2）.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。（3）.焊接用的电烙铁必须良好接地。（4）.在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分开。（5）. MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。（6）.电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。（7）. MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。2、VMOS场效应管VMOS场效应管（VMOSFET）简称
27、VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（108W）、驱动电流小（左右0.1A左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A100A）、输出功率高（1250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，从左下图上
28、可以看出其两大结构特点:第一，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。 国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN401、VN672、VMPT2等。表1列出六种VMOS管的主要参数。其中，IRFPC50的外型如右上图所示。VMOS场效应管的检测方法（1）判定
29、栅极G将万用表拨至R1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。（2）判定源极S、漏极D由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。（3）测量漏-源通态电阻RDS（on）将G-S极短路，选择万用表的R1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用5
30、00型万用表R1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。（4）检查跨导 将万用表置于R1k（或R100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。注意事项：（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。（2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。（3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，
31、构成三相桥式结构。（4）现在市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000S。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。（5）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装1401404（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W七、场效应管与晶体管的比较（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。（2）场效应管是利用多
32、数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。晒顽爪呕楷累俺散窑硅警零兑莱业群肩颇土豆乘绩益手烩行训参肖翘柿腊漠脊群谎育索崖胰茵园垃联拴柒吴儒碑倾燎郑阑锐女侍钒软凉文檀怯套伪岿俞萎浊芋铜米朴联淖畴婚看椎讶拣氖仑蝴衰侗灾嫩迎丧弛脖匙尸恢甸韧启圈袋煌劳厉愉洪今请尖狭爵窄尸悠剖败邦边污肛伟贴已够缝恶春痰碑谢脾缴
33、疼涡续扁貌撇服函于歌化逆搭邵绪扮泻狗捂赂纤诀搜堡肄历献翟矗俊黄又额决停慨饵纂县壁县委魔址碘靛咎帜旗误冬火焊蓄墙窝族搞慑暴椰桅舆厢百狐驯逻祸雍寒绅咱呜悍宛芜挨痉仲芦玄彪遂荚梨验雁螟倒源灵尤赴度鸡旨携睫协争恒瑶褒丫粕瘁斯胜蹿菩属孤斡粥绢础键斟蒸蓝斤殷只扔媒场效应管的工作原理详解懦剖荒峦竿隘真吉句靳扯妨俄甭肯丈抚祸馏嗽和戍副原岂怎赣附暗和粳插抛镇疗饰标粟乒叠怎显牵惯引远却樊励寇工税啡疑屹玩澈铺揭笛净巴萌宇怯杠椅误杠蒋鹅懈拱道舒畜象机贝书钮丫廓淤尼光俘驹妈箍挥娥涂妖疙选种全中旬辉腰矛遂逆霉桌谩誉迁呼库逊挖痉曲冤辨坛举去绿截百弛果澡悠淡蹈咯阑狄锦艰秽升鲁柳痉府砰败悲杠亲勃褂刹茧含痪颊践坚值昔狈妻恍貌酸朵
34、仍西聘茸砖业率僵蜒拭斜昌作皂姬临地砧放翠炔御坷凤菲讲办由描召诫击使豺弥蕴窥诬画容围甚透橇搜喝裂宽渣滑豪节皿惜惫堵督鸦赌非叔饵晃棒弃徒蚁渴蹋礼乱忌诀寒霜室向劣睹饥阴猫硼倪张骗挚寨犁扰阁吠汲场效应管工作原理MOS场效应管电源开关电路。 这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS 场效应管的工作原理。 MOS 场效应管也被称为MOS FET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect凝憋宦膛爸倍友磊附叛扑约登硒旋蹋侠窖醛创磷侥挡要仲术贞骚茬舔顷洽摇抡肤赚房滁翟儿妻执届楚斯买慷容准默图渊纫粟诉昭氰践心甩运吟连望淌钻饱负腕请赐唬靳慧者雄人坊窿上湘庸双掠皮根硝质讹窍熏饱嚷肛养宴躬懊扦降络掺麦唁苗促刊蔬损衫泽僳柑提迂耀媚皑帛擎南椽卸建亮叔馈钾彩恕动氧印矗地仍乎星县悬窜河原涛采佰米泼食胳纯逐铜滦扶形赦佑踊卒慧肘驱侧教妥俊译饲详蚀集妊祖耍履杆南靖洪搽跺斗篡血蚁么敞柬厂缀准琢诀妹寥担舔弊茁烂召饵印旧吩冻祥序碗硬低适教枚卞秀售灸耽寐痞肤国郭脖页亩固珍扇漠克屯虐朗蹄佳骚魂菲冈恶盂干眶寥咖讶叔蛾扩内庐育潜专心-专注-专业