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1、精选优质文档-倾情为你奉上1.己知某温度传感器为时间常数T =3s的一阶系统，当受到突变温度作用后，传感器输出指示温差的三分之一所需的时间为( C) sA、3 B、1 C、1.2 D、1/32.有一只温度传感器，其微分方程为式中，y为输出电压，mV；x为输入温度，C。则该传感器的时间常数为（D）。A、5s；B、8s；C、15s；D、10s；3.某温度传感器，其微分方程为式中，y为输出电压，mV；x为输入温度，C。则该传感器的灵敏度S为（B）。A、0.5s；B、0.05mv/C；C、15s；D、0.15mv/C；4.下列传感器中的不属于结构型传感器的是(A)A、扩散硅压阻式压力传感器。B、线绕电
2、位器式传感器。C、应变片式压力传感器。D、金属丝式传感器。5.下列不属于按传感器的工作原理进行分类的传感器是(B )。A、应变式传感器 B、化学型传感器C、压电式传感器 D、热电式传感器6.随着人们对各项产品技术含量要求的不断提高，传感器也朝向智能化方面发展。其中，典型的传感器智能化结构模式是(B )。A、传感器+通信技术B、传感器+微处理器C、传感器+多媒体技术D、传感器+计算机7.传感器主要完成两方面的功能检测和(D)。A、测量B、感知C、信号调节D、转换8.（本题为多选题）传感技术的作用主要体现在： (ABCD )。A、传感技术是产品检验和质量控制的重要手段B、传感技术在系统安全经济运行
3、监测中得到了广泛应用C、传感技术及装置是自动化系统不可缺少的组成部分D、传感技术的完善和发展推动着现代科学技术的进步9.传感技术的研究内容主要包括：(ABC)A、信息获取 B、信息转换 C、信息处理D、信息传输10.一阶传感器输出达到稳态值的10%到90%所需的时间是( B)。A、延迟时间B、上升时间C、峰值时间D、响应时间11.传感器的下列指标全部属于静态特性的是(C)。A、线性度、灵敏度、阻尼系数B、幅频特性、相频特性、稳态误差C、迟滞、重复性、漂移D、精度、时间常数、重复性12.传感器的下列指标全部属于动态特性的是(B )。A、迟滞、灵敏度、阻尼系数B、幅频特性、相频特性C、重复性、漂移
4、D、精度、时间常数、重复性13.利用霍尔片，我们可以测量一步到位哪些物理量（ ABCD）。A、磁场；B、电功率；C、载流子浓度；D、载流子类型。14.属于传感器动态特性指标的是( B)。A、重复性B、固有频率 C、灵敏度D、漂移15.在整个测量过程中，如果影响和决定误差大小的全部因素(条件)始终保持不变， 对同一被测量进行多次重复测量，这样的测量称为( C )。A、组合测量 . B、静态测量C、等精度测量D、零位式测量16.下列传感器中的物性型传感器的是(A)A、扩散硅压阻式压力传感器。B、线绕电位器式传感器。C、应变片式压力传感器。D、金属丝式传感器。17.影响金属导电材料应变灵敏度系数K的
5、主要因素是(B )。A、导电材料电阻率的变化 B、导电材料几何尺寸的变化C、导电材料物理性质的变化D、导电材料化学性质的变化20题图18.100的应变片在外力作用（0.05）下，电阻变化了1，则该应变片的灵敏系数K为(A )。A、2 B、1.5C、2.5D、419.电阻应变片的线路温度补偿方法有(B)。A、差动电桥补偿法B、补偿块粘贴补偿应变片电桥补偿法C、补偿线圈补偿法D、恒流源温度补偿电路法20.如图所示，对该压力传感器R1、R2的说法中正确的是（B）。A、R1是工作片、R2是补偿片；B、R2是工作片、R1是补偿片；C、R1、R2都是工作片；21.当应变片的主轴线方向与试件轴线方向一致，且
6、试件轴线上受一维应力作用时，应变片灵敏系数K的定义是(C)。A、应变片电阻相对变化与试件主应力之比B、应变片电阻与试件主应力方向的应变之比C、应变片电阻相对变化与试件主应力方向的应变之比D、应变片电阻相对变化与试件作用力之比22.由(A )、应变片以及一些附件(补偿元件、保护罩等)组成的装置称为应变式传感器。A、弹性元件B、调理电路C、信号采集电路D、敏感元件23.（本题为多选题）电阻应变式传感器具有悠久的历史，是应用最广泛的传感器之一。将电阻应变片粘贴到各种弹性敏感元件上，可构成测量各种参数的电阻应变式传感器，这些参数包括(ABCD)。A、位移B、加速度C、力D、力矩24.关于右图的电桥中的
7、说法正确的是（C）。A、 R1R2R,3R4时，电桥才为第二对称电桥；B、 R1R2R,3R4时，电桥为第二对称电桥；C、 R1R2R,3R4时，电桥为第二对称电桥；D、 R1R2R,3R4时，电桥才为第二对称电桥。25.如图所示，令，则关于此电桥说法正确的是（A）。A、 k1电桥输出非线性误差比等臂电桥大；B、 k1电桥输出非线性误差比等臂电桥大；C、 k1电桥输出非线性误差比等臂电桥大；D、 k1其非线性误差比等臂电桥小。26.本题为多选题）如图所示，令，则关于此电桥说法正确的是（BD）。A、 k1电桥输出非线性误差比等臂电桥小；B、 k1电桥输出非线性误差比等臂电桥小；C、 k1电桥输出
8、非线性误差比等臂电桥大；D、 k1其非线性误差等于等臂电桥。27.在金属于箔式应变片差动单桥测力实验中不需要的实验设备是(B )。A、直流稳压电源B、低通滤波器 C、差动放大器D、电压表28.为了减小电容式传感器的测量非线性误差，我们应该将两个相同的电容式传感器，联接成（D）形式。A、串联；B、并联；C混合联接；D、差动。29.（本题为多选题）引起电容传感器本身固有误差的原因有（ABC）。A、温度对结构尺寸的影响；B、电容电场边缘效应的影响；C、分布电容的影响；D、后继电路放大倍数的影响。A、串联；B、并联；C混合联接；D、差动。30.如将变面积型电容式传感器接成差动形式，其灵敏度将(B )。
9、A、保持不变B、增大为原来的一倍C、减小一倍D、增大为原来的两倍31.当变间隙式电容传感器两极板间的初始距离d增加时，将引起传感器的( B )。A、灵敏度增加B、灵敏度减小C、非线性误差增加D、非线性误差不变32.用电容式传感器测量固体或液体物位时，应该选用（ C）。A、变间隙式B、变面积式C、变介电常数式D、空气介质变间隙式33.（本题为多选题）电容式传感器中输入量与输出量的关系为线性的有（ AB）。A、变面积型电容传感器B、变介质型电容传感器C、变电荷型电容传感器D、变极距型电容传感器34.（本题为多选题）关于差动脉冲宽度调制电路的说法正确的是( BD)。A、适用于变极板距离和变介质型差动
10、电容传感器B、适用于变极板距离差动电容传感器且为线性特性C、适用于变极板距离差动电容传感器且为非线性特性D、适用于变面积型差动电容传感器且为线性特性35.关于运算放大电路的说法正确的是( D)。A、适用于单个变极板距离电容传感器，输出为非线性B、适用于变面积型差动电容传感器且输出为线性特性C、适用于变极板距离差动电容传感器且输出为非线性特性D、适用于单个变极板距离差动电容传感器且输出为线性特性36.交流电桥的平衡条件为( B)。A、相邻桥臂阻抗值乘积相等B、相对桥臂阻抗值乘积相等C、相对桥臂阻抗值比值相等D、相邻桥臂阻抗值之和相等37.（本题为多选题）以平行板电容器为例，我们可以利用原理做成（
11、 ABC ）型传感器。A、变间距；B、变介质介电常数；C、变面积；变D、变电阻。38.下列说法正确的是(D )。A、差动整流电路可以消除零点残余电压，但不能判断衔铁的位置。B、差动整流电路可以判断衔铁的位置和运动方向。C、相敏检波电路可以判断位移的大小，但不能判断位移的方向。D、相敏检波电路可以判断位移的大小和位移的方向。39.（本题为多选题）下列说法正确的是(AD )。A、变气隙式电感传感器不宜作为大移位测量。B、变气隙式电感传感器可以作为大移位测量。C、螺管式电感传感器不宜作为大移位测量。D、螺管式电感传感器宜作为大移位测量。40.（本题为多选题）电感式传感器可以对(ABCD)等物理量进行
12、测量。A、位移B、振动C、压力D、流量41.（本题为多选题）下列说法正确的是(AD )。A、变气隙式电感传感器不宜作为大移位测量。B、变气隙式电感传感器可以作为大移位测量。C、螺管式电感传感器不宜作为大移位测量。D、螺管式电感传感器宜作为大移位测量。42.对变压器式电感传感器而言，要使非线性误差减小，应该使两个副线圈（B）。A、正向串联；B、反向串联；C、正向并联；D、反向并联。43.（本题为多选题）电涡流式传感器有如下何种工作形式（AB）。A、高频反射式；B、低频透射式；C、直流反射式；D、直接接触式。44.对电感变压器式传感器，为了得到与衔铁位移大小和方向相关的信息，我们应该（B）。A、将
13、两个副线圈同向串联；B、将两个副线圈反向串联；C、将两个互线圈并联；D、将两个互线圈并联后接入相敏检波电路。45.电感式传感器的常用测量电路不包括(C )。A、交流电桥B、变压器式交流电桥C、脉冲宽度调制电路D、谐振式测量电路46.对电感变压器式传感器，为了得到与衔铁位移大小和方向相关的信息，我们应该（B）。A、将两个副线圈同向串联；B、将两个副线圈反向串联；C、将两个互线圈并联；D、将两个互线圈并联后接入相敏检波电路。47.聚偏二氟乙烯薄膜之所以能作为人造皮肤是因为（ A）A、 其阻抗与人的皮肤阻抗相接近；B、 它是晶体；C、 它具有完全各向异性的特性；D、完全各向同性的特性。48.关于压电
14、式传感器的下列说法正确的是（C）。A、测量频率越高，压电式传感器测量精度越高；B、测量频率越低，压电式传感器测量精度越高；C、我们期望压电式传感器测量测量精度与测量的工作频率无关；D、测量频率可以无限提高。49.对石英晶体，下列说法正确的是( A)。A、沿光轴方向施加作用力，不会产生压电效应，也没有电荷产生B、沿光轴方向施加作用力，不会产生压电效应，但会有电荷产生C、沿光轴方向施加作用力，会产生压电效应，但没有电荷产生D、沿光轴方向施加作用力，会产生压电效应，也会有电荷产生50.石英晶体和压电陶瓷的压电效应对比正确的是( B )。A、压电陶瓷比石英晶体的压电效应明显，稳定性也比石英晶体好B、压
15、电陶瓷比石英晶体的压电效应明显，稳定性不如石英晶体好C、石英晶体比压电陶瓷的压电效应明显，稳定性也比压电陶瓷好D、石英晶体比压电陶瓷的压电效应明显，稳定性不如压电陶瓷好51.用于厚度测量的压电陶瓷器件利用了(C )原理。A、磁阻效应B、压阻效应 C、正压电效应D、逆压电效应52.石英晶体在沿电轴X方向的力作用下会( D )。A、不产生压电效应B、产生逆向压电效应 C、产生横向压电效应D、产生纵向压电效应53.（本题为多选题）以下因素在选择合适的压电材料时必须考虑的有( ABCD )。A、转换性能B、电性能C、时间稳定性D、温度稳定性54.为了得到尽可能大的电荷输出，我们应该将多个压电晶片（B
16、）使用。A、串联；B、并联；C、后接电荷放大电路；C、后接电压放大电路；55.如果将3个单片电压为U、电荷为q的压电晶片并联使用后，关于输出电压与输出电荷的说法中，正确的是（C）。A、U3U，q3q；B、UU/3，qq/3；C、UU，q3q；D、UU，qq/3；56.在运算放大器放大倍数很大时，压电传感器输入电路中的电荷放大器的输出电压与(A )成正比。 A、输入电荷B、反馈电容 C、电缆电容D、放大倍数 57.压电式传感器不能用于静态力的测量，是因为（ D）。A、静态的力不能产生压电效应；B、压电晶体的压电效应丧失了；C、因为后继放大电路的输入阻抗太大了；D、因为产生的电荷通过后继放大电路放
17、电了。58.关于石英晶体的结构下列说法正确的是（C）。A、 石英晶体具有完全各向异性的特性；B、 石英晶体具有完全各向同性的特性；C、 石英晶体是介于各向异性和石英晶体具有完全各向异性的晶体；以上说法都不对。59.热电偶的最基本组成部分是( A )。 A、热电极 B、保护管 C、绝缘管 D、接线盒 60.为了减小热电偶测温时的测量误差，需要进行的温度补偿方法不包括(D )。 A、补偿导线法B、电桥补偿法C、冷端恒温法D、差动放大法 61.热电偶测量温度时(D )。 A、需加正向电压B、需加反向电压 C、加正向、反向电压都可以D、不需加电压 62.在实际的热电偶测温应用中，引用测量仪表而不影响测
18、量结果是利用了热电偶的哪 个基本定律(A )。 A、 中间导体定律 B、中间温度定律C、标准电极定律 D、均质导体定律 63（本题为多选题）热电偶近年来被广泛采用，以下属于热电偶具有的优点有( ABCD)。 A、结构简单B、精度高 C、热惯性小D、可测局部温度、便于远距离传送与集中检测 64（本题为多选题）半导体热敏电阻包括: ( ABC) A、正温度系数热敏电阻B、负温度系数热敏电阻 C、临界温度系数热敏电阻D、非温度系数热敏电阻65、要形成测温热电偶的下列哪个条件可以不要（C）。A、必须使用两种不同的金属材料；B、热电偶的两端温度必须不同；C、热电偶的冷端温度一定要是零；D、热电偶的冷端温
19、度没有固定要求。66、下列关于测温传感器的选择中合适的是（B）。A、要想快速测温，应该选用利用PN结形成的集成温度传感器；B、要想快速测温，应该选用热电偶温度传感器；C、要想快速测温，应该选用热电阻式温度传感器；D、没有固定要求。67、用热电阻测温时，热电阻在电桥中采用三线制接法的目的是(C )。 A、接线方便B、减小引线电阻变化产生的测量误差 C、减小桥路中其他电阻对热电阻的影响 D、减小桥路中电源对热电阻的影响68、在分析热电偶直接插入热水中测温过程中，我们得出一阶传感器的实例，其中用到了（D）。A、动量守恒；B、能量守恒；C、机械能守恒；D、电荷量守恒；69、下列光电器件中，基于光电导效
20、应工作的是( B)。 A、光电管B、光敏电阻 C、光电倍增管D、光电池 70、构成CCD的基本单元是( D)。 A、 P型硅B、PN结 C、光敏二极管D、MOS电容器 70、（本题为多选题）下列说法正确的是（CD）：A、要产生外光电效应，应该使入射光子的能量小于逸出功； B、若入射光能产生光电效应，则入射光强度相同的条件下，入射光的频率越高，打出的光电子数越多；C、要形成光电流，光电倍增管的阴极应该接电源的负极。D、若入射光能产生光电效应，则入射光强度相同的条件下，入射光的频率越高，打出的光电子数越少；73、（本题为多选题）下列关于电荷耦合器件的说法正确的是（ABD）。A、没有物质的光电效应就
21、没有电荷耦合器件；B、电荷耦合器件工作过程之一就是电荷定向转移；C、电荷耦合器件的信号输出必须要有光电管；D、电荷耦合器件的信号输出不要光电管。74、下列关于光敏二极管和光敏晶体管的对比不正确的是(D )。 A、光敏二极管的光电流很小，光敏晶体管的光电流则较大 B、光敏二极管与光敏晶体管的暗电流相差不大 C、工作频率较高时，应选用光敏二极管；工作频率较低时，应选用光敏晶体管 D、光敏二极管的线性特性较差，而光敏晶体管有很好的线性特性 75、制作霍尔元件最合适的材料是（D）。A、铜；B、石英晶体；C、镍；D、半导体76、空霍尔片不等位电势是产生的原因是（C）。A、由于高频交流的作用；B、霍尔传感
22、器没有放在中间位置；C、霍尔电极不能焊接在同一等位面上；D、导线焊接不牢固；77、（本题为多选题）减小不等位电势可以采用的方法是（ABC）。A、机械修磨；B、化学腐蚀；C、补偿网络进行补偿；D、无法解决。78、在使用霍尔片时，减小霍尔片不等位电势通常最行之有效采用的方法是（ C）。A、机械修磨；B、化学腐蚀；C、补偿网络进行补偿；D、无法解决。79、（本题为多选题）利用霍尔片，我们可以测量一步到位哪些物理量（ ABCD）。A、磁场；B、电功率；C、载流子浓度；D、载流子类型。80、（本题为多选题）光纤传感器中常用的光探测器有以下哪几种? ( ABC) A、光敏二极管B、光电倍增管C、光敏晶体管
23、D、固体激光器 81、关于光电池的最合适的说法是（C）。A、光电池是基于外光电效应原理工作的；B、光电池是基于光在PN结上产生光生电子对工作的；C、光电池是基于内光电效应原理工作的；D、光电池是基于光电管原理工作的。82、在做霍尔传感器位移实验时，为了减小测量误差，应该使霍尔片与磁场强度（A）。A、垂直；B、平行；C、可以成任意角度；D没有要求。83、当光电管的阳极和阴极之间所加电压一定时，光通量与光电流之间的关系称为光电管的(B )。 A、伏安特性B、光照特性C、光谱特性D、频率特性 84、在测量某物理量（如位移）时，我们可以采用的传感器是（C）。A、只能用该物理量对应名称的传感器；B、可以
24、采用多种的传感器，但这些传感器必须直接敏感于该物理量；C、可以采用多种的传感器，但这些传感器不必直接敏感于该物理量；D、任何一种传感器都可以。85、光纤传感器一般由三部分组成，除光纤之外，还必须有光源和( D)两个重要部件 A、反射镜B、透镜C、光栅D、光探测器 86、（本题为多选题）光纤传感器用的光纤主要有两种：( AB) A、单模光纤B、多模光纤C、单晶光纤D、多晶光纤 87、为了测量金属内部裂纹，我们可以采用（ A）传感器。A、涡流式；B、压电式；C、光电式；D、压阻式。88、（本题为多选题）测量绝缘材料薄膜的厚度，我们可以使用（ AD）传感器。A、涡流式；B、压电式；C、光纤式；D、电容式。89、光纤传感器的工作原理是基于（B）。A、入射光的频谱与光电流的关系；B、光的折射定律；C、光的衍射；D、光的强度与光电流的关系。 专心-专注-专业