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1、精选优质文档-倾情为你奉上习题3-16一根细长的硅梁受到纵向张应力的作用。力的大小为1mN，横截面积为20um*1um。纵向的杨氏模量为120GPa。求出梁的相对伸长量（百分比）。如果硅的断裂应变为0.3%，那么要加多大力梁才会断裂？答：伸长量 相对伸长量 极限力 习题3-19求出下面所示悬臂梁的惯性矩。材料是单晶硅。悬臂梁纵向的杨氏模量为140GPa。答：惯性矩 习题11-4答：a:结构层牺牲层LPCVD氧化硅光刻胶蒸金薄膜LPCVD氮化硅可以。LPCVD氧化硅可以采用液体腐蚀剂移除不可以，对于光刻胶而言沉积温度过高不可以。蒸金无法承受LPCVD氮化硅时的高温LPCVD氧化硅不可以。结构层和
2、牺牲层会同时被腐蚀不可以，对于光刻胶而言沉积温度过高不可以。蒸金无法承受LPCVD氧化硅时的高温蒸金薄膜可以。某些氧化物腐蚀剂可能会侵蚀蒸金可以。但是蒸金会使硅片的温度增加并且导致聚合物熔化不可以。相同金属会同时被腐蚀b：牺牲层结构层LPCVD多晶硅LPCVD氮化硅、高温生长二氧化硅光刻胶聚对二甲苯金薄膜聚对二甲苯、聚二甲基硅氧烷、二氧化硅、氮化硅、单晶硅铝薄膜聚对二甲苯、聚二甲基硅氧烷、二氧化硅、氮化硅、单晶硅聚对二甲苯金薄膜、铝薄膜LPCVD氮化硅LPCVD多晶硅、高温生长二氧化硅、单晶硅高温生长二氧化硅LPCVD多晶硅、单晶硅、LPCVD氮化硅、聚对二甲苯聚二甲基硅氧烷光刻胶下面是北京大
3、学微系统所给出的MEMS标准工艺，以一个MEMS中最主要的结构梁为例介绍MEMS表面加工工艺的具体流程。1.硅片准备2.热氧生长二氧化硅(SiO2)作为绝缘层3.LPCVD淀积氮化硅(Si3N4)作为绝缘及抗蚀层4.LPCVD淀积多晶硅1(POLY1)作为底电极5.多晶硅掺杂及退火6.光刻及腐蚀POLY1，图形转移得到POLY1图形7.LPCVD磷硅玻璃(PSG)作为牺牲层8.光刻及腐蚀PSG，图形转移得到BUMP图形9.光刻及腐蚀PSG形成锚区10.LPCVD淀积多晶硅2(POLY2)作为结构层11.多晶硅掺杂及退火12.光刻及腐蚀POLY2，图形转移得到POLY2结构层图形13.溅射铝金属(Al)层14.光刻及腐蚀铝层，图形转移得到金属层图形15.释放得到活动的结构专心-专注-专业