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1、精选优质文档-倾情为你奉上文章的中文标题(小2号，黑体，加粗，居中)作者1中文名，作者2中文名，作者3中文名，作者4中文名收稿日期： 2007 - 07 - 21；修回日期： 2008 - 03 - 15基金项目：部省级以上基金或项目名称(编号)1；部省级以上基金或项目名称(编号)2 作者简介：第一作者姓名(1964 - )，性别，学历，职称，主要从事方面的研究.(单位 单位所在地 邮编)(6号宋体，Times New Roman)【摘要】中文摘要(200个中文字以上，中文是小5号，楷体，英文是Times New Roman) 。关 键 词 中文关键词1; 中文关键词2; 中文关键词3; 中文
2、关键词4; 中文关键词4(47个)中图分类号 (我刊网站上可查询) 文献标识码 A文章的英文标题(3号，Times New Roman，加粗，居中)作者1英文名, 作者2英文名, 作者3英文名, and作者4英文名(姓在前名在后，姓全部大写)(单位的英文翻译 英文地址 邮编) (6号宋体，Times New Roman) Abstract 英文摘要(与中文摘要相对应，5号，Times New Roman). Key words 英文关键词1; 英文关键词2; 英文关键词3; 英文关键词4; 英文关键词5(与中文关键词相对应，5号，楷体，Times New Roman)专心-专注-专业引言部分(
3、中文：5号宋体，英文：Times New Roman)1 一级标题(4号黑体) 正文部分(中文：5号宋体，英文：Times New Roman)2 一级标题(4号黑体)2.1 二级标题(5号黑体)正文部分(中文：5号宋体，英文：Times New Roman)2.2 二级标题(5号黑体)正文部分(中文：5号宋体，英文：Times New Roman)3 一级标题(4号黑体)3.1 二级标题(5号黑体)正文部分(中文：5号宋体，英文：Times New Roman)3.2 二级标题(5号黑体)正文部分(中文：5号宋体，英文：Times New Roman)3.3 二级标题(5号黑体)正文部分(中
4、文：5号宋体，英文：Times New Roman)4 一级标题(4号黑体)4.1 二级标题(5号黑体)正文部分(中文：5号宋体，英文：Times New Roman)4.2 二级标题(5号黑体)正文部分(中文：5号宋体，英文：Times New Roman)5 结 论或结 束 语(4号黑体)正文部分(中文：5号宋体，英文：Times New Roman)参 考 文 献(中文：小5号楷体，英文：Times New Roman，10条以上)1SONG B S, GRAY P R. A precision curvature-compensated CMOS bandgap referenceJ.
5、 IEEE Journal of Solid-State Circuits, 1983, 18(6): 634-643.2AVOINNE C, RASHID T, CHOWDHURY V, et al. Second-order compensated bandgap reference with convex correctionJ. Electronic Letters, 2005, 41(5): 276-277.3KER Ming-dou, CHEN Jung-sheng, CHU Ching-yun. New curvature-compensation technique for C
6、MOS bandgap reference with sub-1-V operationC/The 2005 IEEE International Symposium on Circuits and Systems. Newyork: IEEE, 2005, 4: 3861-3864. 4秦 波, 贾 晨, 陈志良, 等. 1 V电源非线性补偿的高温度稳定性电压带隙基准源J. 半导体学报, 2006, 27(11): 2035-2039. QIN Bo, JIA Cheng, CHEN Zhi-liang. A 1 V MNC bandgap reference with high tempe
7、rature stabilityJ. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(11): 2035-2039.5姜 韬, 杨华中. 多点曲率补偿的带隙基准电压源设计方法J. 半导体学报, 2007, 28(4): 490-495. JIANG Tao, YANG Hua-zhong. Bandgap reference design by means of multiple point curvature compensationJ. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(4): 490-495.6
8、LEUNQ C Y, LEUNQ K N, MOK P K T. Design of a 1.5-V high-order curvature-compensated CMOS bandgap referenceJ. Circuit and System, 2004, 1: 49-52.7LEE I, KIM G. Exponential curvature-compensated BiCMOS bandgap referencesJ. IEEE Journal of Solid-state Circuits, 1994, 29: l396-1403.8拉扎维. 模拟CMOS集成电路设计M.
9、陈贵灿, 译. 西安: 西安交通大学出版社, 2002, 12: 312-326. RAZAVI B. Design of analog CMOS integrated circuitsM. CHEN Gui-can. Xian Jiaotong University Press, 2002, 12: 312-326.9BANBA H, SHIGA H, UMEZAWA A, et al. A CMOS bandgap reference circuit with Sub-1-V operationJ. IEEE Journal of Solid-state Circuits, 1999, 34(5): 670-674.10TSIVIDIS Y. Accurate analyzes of temperature effects in IC-VBE characteristics with application to bandgap reference sourcesJ. IEEE Journal Solid-State Circuits, 2001, 15(6): 1076-1084.编 辑