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1、精品学习资源化学气相沉积技术的应用与进展一、化学气相沉积技术的进呈现状精细化工是当今化学工业中最具活力的新兴领域之一，是新材料的重要组成部分，现代科学和技术需要使用大量功能各异的无机新材料，这些功能材料必需是高纯的，或者是在高纯度材料中有意地掺人某种杂质形成的掺杂材料；但是，我们过去所熟识的很多制备方法如高温熔炼、水溶液中沉淀和结晶等往往难以满意这些要 求，也难以保证得到高纯度的产品；因此，无机新材料的合成就成为现代材料科学中的主要课题；化学气相沉积技术 Chemical vapor deposition，简称 CVD 是近几十年进展起来的制备无机材料的新技术；化学气相沉积法已经广泛用于提纯物
2、质、研制新晶体、沉积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料；这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是二元或多元的元素间化合物，而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的沉积过程精确掌握；目前，用CVD 技术所制备的材料不仅应用于宇航工业上的特别复合材料、原子反应堆材料、刀具材 料、耐热耐磨耐腐蚀及生物医用材料等领域，而且仍被应用于制备与合成各种粉体料、新晶体材料、陶瓷纤维及金刚石薄膜等；二、化学气相沉积技术的工作原理化学气相沉积是指利用气体原料在气相中通过化学反应形成基 本粒子并经过成核、生长两个阶段合成薄膜、粒子、晶须或晶体等 固体材料的工艺过程；它包括5 个主要阶段：反应气体向材料表面
3、欢迎下载精品学习资源扩散；反应气体吸附于材料的表面；在材料表面发生化学反应；生成物从材料的表面脱附； 5产物脱离材料表面；目前 CVD 技术的工业应用有两种不同的沉积反应类型即热分解反应和化学合成反应；它们的共同点是：基体温度应高于气体混合物；在工件达处处理温度之前气体混合物不能被加热到分解温度以防止在气相中进行反应；三、化学气相沉积技术的特点化学气相沉积法之所以得以快速进展，是和它本身的特点分不 开的，与其他沉积方法相比，CVD 技术除了具有设备简洁、操作保护便利、敏捷性强的优点外，仍具有以下优势：(1) 沉积物众多，它可以沉积金属、碳化物、氮化物、氧化物和硼化物等，这是其他方法无法做到的；
4、(2) 能匀称涂覆几何外形复杂的零件,这是由于化学气相沉积过程有高度的分散性；(3) 涂层和基体结合坚固；(4) 镀层的化学成分可以转变 , 从而获得梯度沉积物或者得到混合镀层；(5) 可以掌握镀层的密度和纯度；(6) 设备简洁，操作便利；随着工业生产要求的不断提高， CVD 的工艺及设备得到不断改进，但是在实际生产过程中 CVD 技术也仍存在一些缺陷：(1) 反应温度较高，沉积速率较低，难以局部沉积；欢迎下载精品学习资源(2) 参加沉积反应的气源和反应后的余气都有肯定的毒性； 3镀层很薄，已镀金属不能再磨削加工，如何防止热处理畸变是一个很大的难题，这也限制了 CVD 法在钢铁材料上的应用 ,
5、 而多用于硬质合金；四、化学气相沉积技术的应用1、制备超细陶瓷材料超细粉表面积大 , 烧结温度降低，可以使其成为一种有效的烧结添加剂；如氮化铝是一种特别重要的高导热陶瓷，做成集成元件的 基板取代现有的基板材料，可以提高导热率，从而可以解决当集成 元件的集成度提高时所带来的热难以快速散发出去的问题；但是， 氮化铝的稠密烧结特别困难，需靠添加氧化物烧结剂来使氮化铝稠 密烧结，大量添加氧化物会使氮化铝中其次相增多，反而降低整体 的导热率；添加 5%10%的氮化铝超细粉，一方面可以利用烧结驱动力大的特点促进氮化铝烧结，另一方面也可以削减其次相，对提 高氮化铝的导热率有较好的成效；除此之外；像碳化钨，碳
6、化硅， 氮化硅等都可以通过添加这些物质的纳M 粉的方法来促进烧结；2、制备晶体或晶体薄膜由于现代科学技术对无机新材料的迫切需求，晶体生长领域的进展特别快速；化学气相沉积法不仅能极大改善某些晶体或晶体薄膜的性能，而且仍能制备出很多其他方法无法制备的晶体，由于化学气相沉积法具有设备相对简洁，操作便利，适应性强的特点， 因而成为无机新晶体主要的制备方法之一，广泛应用于新晶体的讨论欢迎下载精品学习资源与探究； CVD 最主要的应用之一是在肯定的单晶基体上沉积外延单晶层；最早的气相外延工艺是硅外延生长，其后又制备出外延化合 物半导体层；气体外延技术亦广泛用于制备金属单晶薄膜及一些化 合物单晶薄膜；3、制
7、备梯度功能材料梯度功能材料是为了适应将来新技术、新设备进展的需要，在 80 岁月后期进展起来的一类组成、结构与性能呈连续变化的高性能材料；第一在航空、航天领域中获得了系统的讨论和实际应用；随 着科学技术的进步及相关工业的进展，在机械工程的设计、制造中 也普遍采纳了梯度功能材料；目前的梯度功能材料制备方法有粉末 铺层法、薄膜沉积法、 CVD 法、等离子喷涂法、自扩散燃烧法等；在这些方法中，由于 CVD 能按设计要求精确地掌握材料的组成、结构和外形，并能使组成、结构与外形从一种组分到另一种组分连续 变化，无需烧结等处理即可制备出致密的、性能优异的梯度功能材料，因而倍受人们的重视；目前，已用CVD
8、方法胜利地制备出碳 碳化硅、碳碳化钛、碳化钛碳化硅等体系的梯度功能材料；五、几种新型化学气相沉积技术1、金属有机化合物化学沉积技术 MOCVDMOCVD的进展是半导体外延沉积的需要；它是把金属烷基化合物 或配位化合物与其它组分 主要是氢化物 送入反应室，然后金属有机化合物分解沉积出金属或化合物；MOCVD 的主要优点是沉积温度低，这对某些不能承担常规 CVD 的高温基体是很有用的，如可以沉欢迎下载精品学习资源积在钢这样一类的基体上；其缺点是沉积速率低，晶体缺陷度高， 膜中杂质多；且某些金属有机化合物具有高度的活性，必需加倍当心；2、激光化学气相沉积技术 LCVDLCVD是一种在化学气相沉积过程
9、中利用激光束的光子能量激 发和促进化学反应的薄膜沉积方法；激光作为一种强度高、单色性 好和方向性好的光源，在 CVD 中发挥着热效应和光效应；一方面激光能量对基体加热，可以促进基体表面的化学反应，从而达到化学 气相沉积的目的；另一方面高能量光子可以直接促进反应物气体分 子的分解；利用激光的上述效应可以实现在基体表面的挑选性沉积，即只在需要沉积的地方才用激光光束照耀，就可以获得所需的沉积图形；另外，利用激光帮助CVD 沉积技术，可以获得快速非平稳的薄膜，膜层成分敏捷，并能有效地降低CVD 过程的衬底温度；如利用激光，在衬底温度为50 时也可以实现二氧化硅薄膜的沉积；目前， LCVD技术广泛用于激
10、光光刻、大规模集成电路掩膜的 修正、激光蒸发沉积以及金属化等领域；LCVD法氮化硅薄膜已达到工业应用的水平，其平均硬度可达2200HK；氮化钛、碳化硅 及碳化钛膜正处于研发阶段；3、等离子增强化学气相沉积技术 PECVD近年来进展的等离子体增强化学气相沉积法也是一种很好的方法，最早用于半导体材料的加工，即利用有机硅在半导体材料的基片上沉积二氧化硅，该方法利用等离子中的电子动能来激发化学气欢迎下载精品学习资源相反应； PECVD 将沉积温度从 1000降低到 600以下，最低的只有 300左右；由于 PECVD 利用了等离子体环境诱发载体分解形成沉积物，这样就削减了对热能的大量需要，从而大大扩展
11、了沉积材料及基体材料的范畴；目前，等离子增强化学气相沉积技术除了用于半导体材料外，在刀具、模具等领域也获得胜利的应用；如利用PECVD 在钢件上沉积出氮化钛等多种薄膜不仅提高了模具的工作温度，也使模具的寿命大大提高；六、化学气相沉积技术的进展趋势随着工业生产要求的不断提高，CVD 的工艺及设备得到不断改进，不仅启用了各种新型的加热源，仍充分利用等离子体、激光、电子束等帮助方法降低了反应温度，使其应用的范畴更加广阔；与此同时交叉、综合地使用复合的方法，不仅启用了各种新型的加热源，仍充分运用了各种化学反应、高频电磁 脉冲、射频、微波等 及等离子体等效应来激活沉积离子，成为技术创新的重要途径；但是，目前 CVD 工艺中常用的 NH3、H2S 等气体，或有毒性、腐蚀性，或对空气、湿度较为敏锐；因此，查找更为安全、环保的生产工艺以及加强尾气处理的讨论在环境问题日益突出的今日有着特别重要的意义；欢迎下载