《EBSD入门简介-ppt课件.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《EBSD入门简介-ppt课件.ppt（44页珍藏版）》请在taowenge.com淘文阁网|工程机械CAD图纸|机械工程制图|CAD装配图下载|SolidWorks_CaTia_CAD_UG_PROE_设计图分享下载上搜索。
1、第六章第六章 EBSDEBSD技术入门简介技术入门简介2010.11.102010.11.101. EBSD的原理及应用的原理及应用2. EBSD数据处理演示数据处理演示清华大学清华大学博士生开题报告博士生开题报告博士论文选题报告博士论文选题报告 2007.1.92EBSD术语术语荧光屏荧光屏样品样品电子束电子束背散射电子背散射电子A花样中心花样中心 (PC)L (探测距离探测距离 - DD)工作距离(WD Z)70 degreesL = N / tan20 N is the distance in pixels on screen between 114 and 001 zone axis
2、in a 001 silicon pattern精品资料清华大学清华大学博士生开题报告博士生开题报告博士论文选题报告博士论文选题报告 2007.1.9 你怎么称呼老师？ 如果老师最后没有总结一节课的重点的难点，你是否会认为老师的教学方法需要改进？ 你所经历的课堂，是讲座式还是讨论式？ 教师的教鞭 “不怕太阳晒，也不怕那风雨狂，只怕先生骂我笨，没有学问无颜见爹娘 ” “太阳当空照，花儿对我笑，小鸟说早早早”清华大学清华大学博士生开题报告博士生开题报告博士论文选题报告博士论文选题报告 2007.1.95什么是背散射电子什么是背散射电子背散射电子是入射电子与样品相互作用作用后而又逃离背散射电子是入射
3、电子与样品相互作用作用后而又逃离样品表面的那部分电子通常是弹性散射的结果背散样品表面的那部分电子通常是弹性散射的结果背散射通常用背散射效率描述：射通常用背散射效率描述： n nBSE BSE / n/ nB B = i = iBSE BSE / i/ iB (1)B (1)n nBSEBSE: : 背散射电子数，背散射电子数， n nB B：入射电子数：入射电子数, i, iBSEBSE: : 背散射背散射电流电流, i, iB B : : 入射电流入射电流 背散射电子的效率背散射电子的效率清华大学清华大学博士生开题报告博士生开题报告博士论文选题报告博士论文选题报告 2007.1.96 入射电
4、子在样品中经过弹性和非弹性散射后，再逸出试样表面的部分高能电子入射电子在样品中经过弹性和非弹性散射后，再逸出试样表面的部分高能电子。能量：能量： 50 eV E 50 eV E0 0；溢出深度：几百；溢出深度：几百nmnm 入射电子使样品原子较外层电子（价带或导带电子）电离产生的电子子。 能量： crit则画出晶界则画出晶界 (3) 将所有大于设定值的界线连接起来形成晶界。将所有大于设定值的界线连接起来形成晶界。直接反映了微观组织结构晶体取直接反映了微观组织结构晶体取向差的变化情况向差的变化情况清华大学清华大学博士生开题报告博士生开题报告博士论文选题报告博士论文选题报告 2007.1.943花样质量重构的取向图花样质量重构的取向图 反映了晶体的完整程度，衬度高表明晶体完整性好，反之，组织结构扭反映了晶体的完整程度，衬度高表明晶体完整性好，反之，组织结构扭曲严重，其局部发生了塑性变形，以此间接反映微观组织结构。曲严重，其局部发生了塑性变形，以此间接反映微观组织结构。 清华大学清华大学博士生开题报告博士生开题报告博士论文选题报告博士论文选题报告 2007.1.944数据演示数据演示 FCC、BCC取向成像图分析-Tango 极图及反极图 取向分布函数