《广元碳化硅衬底项目招商引资方案_范文.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《广元碳化硅衬底项目招商引资方案_范文.docx(124页珍藏版)》请在taowenge.com淘文阁网|工程机械CAD图纸|机械工程制图|CAD装配图下载|SolidWorks_CaTia_CAD_UG_PROE_设计图分享下载上搜索。
1、泓域咨询/广元碳化硅衬底项目招商引资方案广元碳化硅衬底项目招商引资方案xxx投资管理公司目录第一章 项目总论9一、 项目名称及投资人9二、 编制原则9三、 编制依据10四、 编制范围及内容10五、 项目建设背景11六、 结论分析12主要经济指标一览表14第二章 项目背景分析16一、 宽禁带半导体材料简介16二、 行业发展态势及面临的机遇18三、 持续增强经济发展动力活力20四、 全面推动产业转型升级,努力打造区域经济发展高地24五、 项目实施的必要性28第三章 建设内容与产品方案30一、 建设规模及主要建设内容30二、 产品规划方案及生产纲领30产品规划方案一览表30第四章 选址可行性分析32
2、一、 项目选址原则32二、 建设区基本情况32三、 持续增强经济发展动力活力34四、 积极融入新发展格局,奋力打造重要门户枢纽35五、 项目选址综合评价39第五章 建筑技术分析40一、 项目工程设计总体要求40二、 建设方案41三、 建筑工程建设指标42建筑工程投资一览表42第六章 运营管理模式44一、 公司经营宗旨44二、 公司的目标、主要职责44三、 各部门职责及权限45四、 财务会计制度48第七章 发展规划分析56一、 公司发展规划56二、 保障措施62第八章 SWOT分析64一、 优势分析(S)64二、 劣势分析(W)66三、 机会分析(O)66四、 威胁分析(T)68第九章 节能方案
3、73一、 项目节能概述73二、 能源消费种类和数量分析74能耗分析一览表74三、 项目节能措施75四、 节能综合评价76第十章 工艺技术设计及设备选型方案78一、 企业技术研发分析78二、 项目技术工艺分析80三、 质量管理81四、 设备选型方案82主要设备购置一览表83第十一章 进度实施计划84一、 项目进度安排84项目实施进度计划一览表84二、 项目实施保障措施85第十二章 投资方案分析86一、 投资估算的依据和说明86二、 建设投资估算87建设投资估算表89三、 建设期利息89建设期利息估算表89四、 流动资金91流动资金估算表91五、 总投资92总投资及构成一览表92六、 资金筹措与投
4、资计划93项目投资计划与资金筹措一览表94第十三章 经济收益分析95一、 基本假设及基础参数选取95二、 经济评价财务测算95营业收入、税金及附加和增值税估算表95综合总成本费用估算表97利润及利润分配表99三、 项目盈利能力分析100项目投资现金流量表101四、 财务生存能力分析103五、 偿债能力分析103借款还本付息计划表104六、 经济评价结论105第十四章 项目风险评估106一、 项目风险分析106二、 项目风险对策108第十五章 总结110第十六章 附表112营业收入、税金及附加和增值税估算表112综合总成本费用估算表112固定资产折旧费估算表113无形资产和其他资产摊销估算表11
5、4利润及利润分配表115项目投资现金流量表116借款还本付息计划表117建设投资估算表118建设投资估算表118建设期利息估算表119固定资产投资估算表120流动资金估算表121总投资及构成一览表122项目投资计划与资金筹措一览表123报告说明常见的半导体材料包括硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体及砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等化合物半导体材料。从被研究和规模化应用的时间先后顺序来看,上述半导体材料被业内通俗地划分为三代。第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体为代表,其典型应用是集成电路,主要应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中。硅基半导体材料是目前产量最大、应用
6、最广的半导体材料,90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。第二代半导体材料是以砷化镓为代表,砷化镓材料的电子迁移率约是硅的6倍,具有直接带隙,故其器件相对硅基器件具有高频、高速的光电性能,因此被广泛应用于光电子和微电子领域,是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,与前两代半导体材料相比,第三代半导体材料禁带宽度大,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势,因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行,适用于高电压、高频率场景,此外,还能以较少的电能消耗,获得更高的运行能力。值得注
7、意的是,前述三代半导体材料各有利弊,并无绝对的替代关系,而是在特定的应用场景中存在各自的比较优势。根据谨慎财务估算,项目总投资6407.98万元,其中:建设投资4919.50万元,占项目总投资的76.77%;建设期利息54.14万元,占项目总投资的0.84%;流动资金1434.34万元,占项目总投资的22.38%。项目正常运营每年营业收入13200.00万元,综合总成本费用10975.93万元,净利润1623.86万元,财务内部收益率17.66%,财务净现值2270.63万元,全部投资回收期6.07年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。综上所述,本项目能够充分利
8、用现有设施,属于投资合理、见效快、回报高项目;拟建项目交通条件好;供电供水条件好,因而其建设条件有明显优势。项目符合国家产业发展的战略思想,有利于行业结构调整。本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 项目总论一、 项目名称及投资人(一)项目名称广元碳化硅衬底项目(二)项目投资人xxx投资管理公司(三)建设地点本期项目选址位于xx(以选址意见书为准)。二、 编制原则坚持以经济效益为中心,社会效益和不境效益为重点指导思想,以技术先进、经济可行为原则,立足本地、面向全国、着眼未来,实现企业高质量、可持续发展。1
9、、优化规划方案,尽可能减少工程项目的投资额,以求得最好的经济效益。2、结合厂址和装置特点,总图布置力求做到布置紧凑,流程顺畅,操作方便,尽量减少用地。3、在工艺路线及公用工程的技术方案选择上,既要考虑先进性,又要确保技术成熟可靠,做到先进、可靠、合理、经济。4、结合当地有利条件,因地制宜,充分利用当地资源。5、根据市场预测和当地情况制定产品方向,做到产品方案合理。6、依据环保法规,做到清洁生产,工程建设实现“三同时”,将环境污染降低到最低程度。7、严格执行国家和地方劳动安全、企业卫生、消防抗震等有关法规、标准和规范。做到清洁生产、安全生产、文明生产。三、 编制依据1、中华人民共和国国民经济和社
10、会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要;2、中国制造2025;3、建设项目经济评价方法与参数及使用手册(第三版);4、项目公司提供的发展规划、有关资料及相关数据等。四、 编制范围及内容报告是以该项目建设单位提供的基础资料和国家有关法令、政策、规程等以及该项目相关内外部条件、城市总体规划为基础,针对项目的特点、任务与要求,对该项目建设工程的建设背景及必要性、建设内容及规模、市场需求、建设内外部条件、项目工程方案及环境保护、项目实施进度计划、投资估算及资金筹措、经济效益及社会效益、项目风险等方面进行全面分析、测算和论证,以确定该项目建设的可行性、效益的合理性。五、 项目建设背景由于宽禁带半
11、导体的军事用途使得国外对中国实行技术禁运和封锁,国内碳化硅产业的持续发展对核心技术国产自主化、实现供应链安全可控提出了迫切的需求。自主可控趋势加速了宽禁带半导体器件的国产化替代进程,为宽禁带半导体行业带来了发展新机遇。在宽禁带半导体领域,下游应用企业已在调整供应链,支持国内企业。数家国内宽禁带半导体企业的上中游产品陆续获得了下游用户验证机会,进入了多个关键厂商供应链,逐步开始了以销促产的良性发展。展望二三五年,我市经济综合实力实现大幅跃升,科技创新成为经济增长的主要动力,现代产业体系基本形成,经济总量和城乡居民人均可支配收入再上新台阶,城市竞争力、承载力、吸附力全面提升,区域发展更加均衡协调。
12、生态环境更加优美,绿色发展优势更加明显。交通强市基本建成,更高水平参与区域经济合作,对外开放新优势明显增强。治理体系和治理能力现代化基本实现,法治广元、法治政府、法治社会基本建成,平安广元建设达到更高水平。国民素质和社会文明程度达到新高度,社会事业发展水平显著提升,基本公共服务实现均等化,人民生活更加美好,人的全面发展、人民共同富裕取得实质性进展,川陕甘结合部现代化中心城市基本建成。六、 结论分析(一)项目选址本期项目选址位于xx(以选址意见书为准),占地面积约17.00亩。(二)建设规模与产品方案项目正常运营后,可形成年产xxx吨碳化硅衬底的生产能力。(三)项目实施进度本期项目建设期限规划1
13、2个月。(四)投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资6407.98万元,其中:建设投资4919.50万元,占项目总投资的76.77%;建设期利息54.14万元,占项目总投资的0.84%;流动资金1434.34万元,占项目总投资的22.38%。(五)资金筹措项目总投资6407.98万元,根据资金筹措方案,xxx投资管理公司计划自筹资金(资本金)4198.27万元。根据谨慎财务测算,本期工程项目申请银行借款总额2209.71万元。(六)经济评价1、项目达产年预期营业收入(SP):13200.00万元。2、年综合总成本费用(TC):10975.93万元
14、。3、项目达产年净利润(NP):1623.86万元。4、财务内部收益率(FIRR):17.66%。5、全部投资回收期(Pt):6.07年(含建设期12个月)。6、达产年盈亏平衡点(BEP):5344.29万元(产值)。(七)社会效益项目产品应用领域广泛,市场发展空间大。本项目的建立投资合理,回收快,市场销售好,无环境污染,经济效益和社会效益良好,这也奠定了公司可持续发展的基础。本项目实施后,可满足国内市场需求,增加国家及地方财政收入,带动产业升级发展,为社会提供更多的就业机会。另外,由于本项目环保治理手段完善,不会对周边环境产生不利影响。因此,本项目建设具有良好的社会效益。(八)主要经济技术指
15、标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积11333.00约17.00亩1.1总建筑面积18111.491.2基底面积6346.481.3投资强度万元/亩269.102总投资万元6407.982.1建设投资万元4919.502.1.1工程费用万元4074.012.1.2其他费用万元724.472.1.3预备费万元121.022.2建设期利息万元54.142.3流动资金万元1434.343资金筹措万元6407.983.1自筹资金万元4198.273.2银行贷款万元2209.714营业收入万元13200.00正常运营年份5总成本费用万元10975.936利润总额万元2165.157净利润万
16、元1623.868所得税万元541.299增值税万元490.9910税金及附加万元58.9211纳税总额万元1091.2012工业增加值万元3822.5713盈亏平衡点万元5344.29产值14回收期年6.0715内部收益率17.66%所得税后16财务净现值万元2270.63所得税后第二章 项目背景分析一、 宽禁带半导体材料简介常见的半导体材料包括硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体及砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等化合物半导体材料。从被研究和规模化应用的时间先后顺序来看,上述半导体材料被业内通俗地划分为三代。第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体为代表,其典型应用是集成电
17、路,主要应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料,90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。第二代半导体材料是以砷化镓为代表,砷化镓材料的电子迁移率约是硅的6倍,具有直接带隙,故其器件相对硅基器件具有高频、高速的光电性能,因此被广泛应用于光电子和微电子领域,是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,与前两代半导体材料相比,第三代半导体材料禁带宽度大,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势,因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定
18、运行,适用于高电压、高频率场景,此外,还能以较少的电能消耗,获得更高的运行能力。值得注意的是,前述三代半导体材料各有利弊,并无绝对的替代关系,而是在特定的应用场景中存在各自的比较优势。1、碳化硅根据中国战略性新兴产业:新材料(第三代半导体材料),与硅相比,碳化硅拥有更为优越的电气特性:耐高压:击穿电场强度大,是硅的10倍,用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度,并大大降低器件的导通损耗。耐高温:半导体器件在较高的温度下,会产生载流子的本征激发现象,造成器件失效。禁带宽度越大,器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍,可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件
19、的极限工作温度一般不能超过300,而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600以上。同时,碳化硅的热导率比硅更高,高热导率有助于碳化硅器件的散热,在同样的输出功率下保持更低的温度,碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低,有助于实现设备的小型化。实现高频的性能:碳化硅的饱和电子漂移速率大,是硅的2倍,这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。基于这些优良的特性,碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底,可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求,已应用于射频器件及功率器件。2、氮化镓氮化镓具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、耐辐照等突出优点。氮化镓器件已有
20、众多应用:在光电子器件领域,氮化镓器件作为LED照明光源已广泛应用,还可制备成氮化镓基激光器;在微波射频器件方面,氮化镓器件可用于有源相控阵雷达、无线电通信、基站、卫星等军事或者民用领域;氮化镓也可用于功率器件,其比传统器件具有更低的电源损耗。二、 行业发展态势及面临的机遇1、碳化硅市场需求旺盛,全球迎来扩产潮随着碳化硅器件在5G通信、电动汽车、光伏新能源、轨道交通、智能电网等行业的应用,碳化硅器件市场需求迅速增长,全球碳化硅行业呈现产能供给不足的情况。为了保证衬底供给,满足以电动汽车为代表的客户未来的增长需求,各大厂商纷纷开始扩产。据CASAResearch整理,2019年有6家国际巨头宣布
21、了12项扩产,主要为衬底产能的扩张,其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划,分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。随着下游市场的超预期发展,产业链的景气程度有望持续向好,碳化硅衬底产业也将直接受益于行业发展。2、碳化硅器件成本降低,行业应用的替代前景向好2019年是碳化硅产业快速发展的关键年份。与同类硅基产品相比,虽然碳化硅基器件价格仍然较高,但是由于其优越的性能及价格持续走低,其综合成本优势逐渐显现,客户认可度持续提高。行业正在通过多种措施降低碳化硅器件成本:在衬底方面,通过增大碳化硅衬底尺寸、升级制备技术、扩大衬底产能等,共同推动碳
22、化硅衬底成本的降低;在制造方面,随着市场的开启,各大器件供应商扩产制造,随着规模扩大和制造技术不断成熟,也带来制造成本的降低;在市场方面,主要的产品供应商与大客户通过签订长期合作合同对市场进行锁定,供需双方共同推进市场渗透并形成良性循环。未来碳化硅器件的价格有望持续下降,其行业应用将快速发展。3、国外对宽禁带半导体实行严格的技术保护,自主可控势在必行由于宽禁带半导体的军事用途使得国外对中国实行技术禁运和封锁,国内碳化硅产业的持续发展对核心技术国产自主化、实现供应链安全可控提出了迫切的需求。自主可控趋势加速了宽禁带半导体器件的国产化替代进程,为宽禁带半导体行业带来了发展新机遇。在宽禁带半导体领域
23、,下游应用企业已在调整供应链,支持国内企业。数家国内宽禁带半导体企业的上中游产品陆续获得了下游用户验证机会,进入了多个关键厂商供应链,逐步开始了以销促产的良性发展。4、积极的宽禁带半导体产业政策近年来从国家到地方相继制定了一系列产业政策来推动宽禁带半导体产业的发展。2020年8月,国务院印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策,提出聚焦高端芯片、集成电路装备等关键核心技术研发,在新一代半导体技术等领域推动各类创新平台建设;2021年3月,十三届全国人大四次会议通过的中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要,提出要大力发展碳化硅、氮化镓等宽禁带半导
24、体产业。此外,上海、广东、湖南、山东等多省市均出台了相关政策支持碳化硅等半导体产业发展。我国宽禁带半导体行业迎来了前所未有的发展契机,有助于我国宽禁带半导体行业技术水平的提高和规模的快速发展。三、 持续增强经济发展动力活力坚持把深化改革作为加快发展的根本动力,强化创新在现代化建设中的核心地位,推进创造型、引领型、市场化改革,推动创新链产业链融合发展,使一切有利于高质量发展的力量源泉充分涌流。深化经济领域重点改革。建设高标准市场体系,健全市场体系基础制度,坚持平等准入、公正监管、开放有序、诚信守法,形成高效规范、公平竞争的统一市场。加强产权保护,健全产权执法司法保护制度。深化要素市场化配置改革,
25、健全要素市场运行机制,完善要素交易规则和服务体系。深化土地管理制度改革,建立健全城乡统一的建设用地市场,推动不同产业用地类型合理转换。盘活存量建设用地,主动参与建设用地、补充耕地指标跨区域交易。推进户籍便捷迁徙、居住证互通互认和流动人口信息共享,健全劳动力和人才社会性流动体制机制。探索经济区和行政区适度分离改革。加快推进现代财税金融体制建设。推进财政支出标准化,强化预算约束和绩效管理。健全财政体制,增强基层公共服务保障能力。加强政府债务管理。深化投融资体制改革,构建金融有效支持实体经济的体制机制,积极争取政策性金融支持,持续推动普惠金融发展。健全金融风险预防、预警、处置、问责制度,对违法违规行
26、为零容忍。激发各类市场主体活力。加快实施国有企业改革三年行动,推动国有企业整合重组,培养壮大市、县区国有企业,打造AA+信用平台,提高融资能力、降低融资成本。完善现代企业制度,健全市场化经营机制,完善国有资产监管体制,积极稳妥推进国有企业混合所有制改革。优化民营经济发展环境,落实支持民营经济发展各类政策,加强对民营企业全生命周期服务,坚决破除制约民营企业发展的各种壁垒,促进非公有制经济健康发展和非公有制经济人士健康成长。健全政企协商制度,加大民营企业困难问题化解力度,依法平等保护民营企业产权和企业家权益。弘扬企业家精神,培育具有较强竞争力的一流企业。打造一流营商环境。加快政府职能转变,深化“放
27、管服”改革。坚持以“一件事”“一网通办”“一窗分类受理”改革为重点,持续推进“最多跑一次”,全面提升12345服务热线办理质效。积极推进工程建设项目联合审批改革,全面推行“一窗通办”。加快政务服务标准化、规范化、便利化,大力推行“互联网+政务服务”,建设一体化在线政务综合服务平台,推行指尖办、掌上办,持续深化政务公开。实施涉企经营许可事项清单管理,推进审批制向备案制承诺制转变,加强事中事后监管,实行创新包容审慎监管。实施高标准市场体系建设行动,提高市场综合监管能力。健全重大政策事前评估和事后评价制度,畅通参与政策制定渠道。加快社会信用体系建设,健全信用评价奖惩体制机制。深化行业协会、商会和中介
28、机构改革。构建亲清新型政商关系。建设高水平创新平台。针对食品饮料、铝基材料、电子信息和装备制造等特色优势产业,积极探索县区差异创新发展机制,打造主导产业突出、企业集聚、特色鲜明的科技创新示范载体,加快布局建设一批工程技术研究中心、重点实验室、产业技术研究院,探索创新平台技术攻关清单制度,促进高质量创新成果产出,推动现有创新平台上档升级。加强与相关科研机构合作,推动成立广元食品产业研究院,建好川陕甘食品药品检验监测中心,增强食品饮料、生物医药产业发展支撑。加强国家技术转移西南中心广元分中心等技术转移平台和孵化器、众创空间等孵化平台建设,提升服务科技创新能力水平。培育建设一批国、省农业科技园区。培
29、育高质量创新主体。强化企业创新主体地位,支持有条件的企业牵头建设重大科技创新平台、实施重大科技项目,推动企业成为科技创新决策主体、投入主体和受益主体。深化产学研合作,支持企业利用国内外创新资源,打造跨区域创新链,推进创新平台共建、创新成果共享、创新人才共用,主动融入成渝地区双城经济圈科技创新走廊建设和全球创新网络,形成企业为主导的区域协同创新发展新格局。探索建立科技型企业梯次培育机制,培育孵化一批高成长性的高新技术企业。打造高效率创新生态。推进职务科技成果改革,鼓励高校、科研院所科技人员来广创办领办科技型企业。探索科技创新券制度,提高科技成果转化实效。深化科技计划管理改革,优化科研项目资金配置
30、,提升创新绩效。加大研发投入,构建多元化投入机制。加强创新金融支撑,推动科技金融融合发展。加强创新政策措施制定和落实,充分发挥研发费用加计扣除和自主创新税收政策效应,推动知识产权保护和科研诚信建设,营造良好创新环境。弘扬科学家精神和工匠精神,加强科学技术普及,激发全社会创新创造活力,推动大众创业、万众创新。四、 全面推动产业转型升级,努力打造区域经济发展高地坚持把发展经济着力点放在实体经济上,推动数字经济和实体经济深度融合,推进产业基础高级化、产业链现代化,实现产业提质增效、延链集群,提高经济质量效益和竞争力。畅通区域产业链供应链。抢抓全国产业链供应链重构机遇,促进域内特色优势产业集群化发展,
31、推动产业链供应链上下游企业协同分工、联动发展,积极嵌入区域性生产网络,提升产业链供应链稳定性和竞争力。高质量承接先发地区产业转移,推进特色优势产业与区域产业体系供需适配,实施产业基础再造和产业链提升工程,加快打造新兴产业链。统筹推进现代流通体系建设,围绕大宗商品物流、消费物流、智慧物流、应急物流等领域引进和培育具有顶级供应链运营能力的龙头流通企业,引导企业开展供应链安全风险评估。整合利用“三线建设”战略资源,提升军工电子和新材料领域发展优势。加强与成渝西等重点地区协作,争取重大战略性基础设施和生产力布局。围绕产业链部署创新链,深入实施质量提升行动和品牌创建行动。推动制造业高质量发展。以特色优势
32、产业和战略性新兴产业为主攻方向,着力构建资源互补、链式关联、梯次发展的制造业生态圈,打造千亿级铝产业集群、五百亿绿色家居产业集群和西部地区知名的绿色农副产品加工基地,发展壮大新材料、新一代信息技术、生物医药等新兴产业。实施高水平技改升级,推动制造业与互联网、大数据、人工智能等深度融合,提升电子信息、机械制造等产业发展能级。推动制造业向服务型制造、平台化经营方向转型。实施绿色制造工程,创建一批绿色工厂、绿色企业、绿色园区。壮大制造业企业群体,强化大企业培育,促进大中小企业融通发展。实施亩均效益评价,全面提升园区发展质效。推动智能建造与建筑工业化协同发展,加快发展建筑业总部经济,促进建筑业转型升级
33、。发展壮大现代服务业。推动生产性服务业向专业化和价值链高端延伸、生活性服务业向高品质和多样化升级,建设川陕甘结合部服务业强市。推动支柱型服务业提质增效,突破发展现代物流,转型发展商业贸易,培育发展金融服务。促进科技信息、商务会展、人力资源、特色餐饮、家庭社区五大成长型服务业提速增量。推动现代服务业同先进制造业、现代农业深度融合发展,加快服务业聚集区建设,加强公益性、基础性服务业供给。推进服务业标准化、品牌化建设。建设中国生态康养旅游名市。以建设天府旅游名县和全域旅游为引领,加快建设大蜀道国际旅游目的地和生态康养旅游目的地,推动文化旅游业转型升级。进一步促进文化、旅游及相关产业深度融合,形成新的
34、文化旅游业态,丰富文旅产品供给,提升剑门蜀道剑门关旅游区品质,建成曾家山国家级旅游度假区,建设一批国家级、省级文化产业和文旅融合产业园区,争创一批天府旅游名县、名镇、名村和国家、省全域旅游示范区。打造白龙湖、亭子湖、栖凤湖等滨水旅游产品,开发工业旅游、体育旅游、生态旅游、低空旅游、研学旅游等旅游业态,促进红色旅游、乡村旅游提质升级,建设“大蜀道”“大熊猫”知名文旅精品。完善“快进慢游”旅游交通网络,建设黑石坡至曾家山快速旅游通道,全面提升剑昭旅游公路。推进旅游酒店多元化、主题化、品质化发展,打造特色主题旅游演艺,提升文旅公共服务水平。壮大文旅市场主体,培育一批文旅优秀骨干企业。打造精品旅游线路
35、,开展精准宣传推广,做靓广元女儿节、大蜀道文化旅游节等节会,提升“剑门蜀道、女皇故里、熊猫家园、红色广元”文旅品牌影响力。深入实施“康养+”战略,打造集健康养生、医疗养老、康养旅游、健身休闲、生态美容、健康教育于一体的现代生态康养产业,加快建成大稻坝、天曌山等一批医养融合、生态康养示范基地和中医养生保健基地。实施康养产业关键技术创新工程,构建“互联网+康养”产业发展模式,建设智慧医养康养信息平台。推动医疗、养老机构资源互动融合,打造医养结合广元品牌。加大康养领军企业培育扶持力度。创新健身休闲运动推广普及方式,打造特色健身休闲产业带。大力发展高质高效农业。持续深化农业供给侧结构性改革,加快建设“
36、7+3”现代特色农业,积极构建特色农业“一区两带七集群”,全面提升中国特色农产品优势区、国家农产品质量安全市建设水平,加快建设特色农业强市。落实最严格的耕地保护制度,实施藏粮于地、藏粮于技战略,推进高标准农田建设,强化现代农业科技、种业和现代装备支撑,加强动植物疫病防控体系建设,巩固提升农业综合生产和收储调控能力,保障粮食安全和重要农产品供给。开展粮食节约行动。强化绿色导向、有机生产、标准引领和质量安全监管,推进“一控两减三基本”,加强地理标志产品保护,积极开展有机农产品认证,增强“广元七绝”品牌影响力和市场竞争力。高标准建设现代农(林)业园区,推动农业现代化示范区创建。打造农旅文融合新产品、
37、新业态,延展农业产业链价值链增收链。推进清洁能源开发利用。构建安全、绿色、经济现代能源体系,建设集天然气、水电、风电为主,新能源兼备的区域性清洁能源供给中心。推进天然气勘探开发、输气管网、储气调峰、终端市场等产供储销体系建设。坚持以气引企、以气聚企,在苍溪、剑阁、青川和广元经济技术开发区积极发展以天然气为燃料和原料的高载能产业,拓展清洁能源高效利用途径,打造中国西部重要的天然气清洁能源利用基地。有序发展风电,清洁高效发展火电。完善电力输送通道布局,加强智能电网建设,推进城市输配电网络建设和农村电网改造升级,推动跨区域电力调剂通道建设。推进充电桩、换电站等基础设施建设。积极培育发展数字经济。推进
38、新一轮智慧广元建设,统筹布局5G、大数据中心、工业互联网、物联网和人工智能等新型基础设施建设,加快推进5G商用规模化。推动川北云计算大数据中心、川北云计算中心、川北枢纽数据中心等规模化、一体化、绿色化、智能化发展,实施智能算力基础设施建设行动,形成连接成渝、辐射川陕甘的区域性信息枢纽。大力培育发展数字经济,抢抓四川创建国家数字经济创新发展试验区机遇,深入推进数字产业化和产业数字化,加强数字政府、数字惠民、智慧社会建设,提升公共服务与社会治理数字化水平,形成有较强竞争力的数字经济生态体系。推动数字经济与实体经济深度融合,积极推动企业上云,支持铝产业等特色优势产业开展工业互联网示范试点,形成一批面
39、向中小企业可推广的典型应用。推动数据资源社会化、市场化应用。五、 项目实施的必要性(一)提升公司核心竞争力项目的投资,引入资金的到位将改善公司的资产负债结构,补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力,降低公司财务费用水平,提升公司盈利能力,促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持,提高公司核心竞争力。第三章 建设内容与产品方案一、 建设规模及主要建设内容(一)项目场地规模该项目总占地面积11333.00(折合约17.00亩),预计场区规划总建筑面积18111.49。(二)产能规模根据国内外市场需求和xxx投资管理公司建设能力分析,
40、建设规模确定达产年产xxx吨碳化硅衬底,预计年营业收入13200.00万元。二、 产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整,各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平,并参考市场需求预测情况确定,同时,把产量和销量视为一致,本报告将按照初步产品方案进行测算。产品规划方案一览表序号产品(服务)名称单位单价(元)年设计产量产值1碳化硅衬底吨xx2碳化硅衬底吨xx3碳化硅衬底吨xx4.吨5.吨6.吨合计xxx13200.0
41、0由于晶体生长速率慢、制备技术难度较大,大尺寸、高品质碳化硅衬底生产成本依旧较高,碳化硅衬底较低的供应量和较高的价格一直是制约碳化硅基器件大规模应用的主要因素之一,限制了产品在下游行业的应用和推广。虽然碳化硅衬底和器件工艺逐渐成熟,衬底和器件的价格呈一定下降趋势,但是目前碳化硅功率器件的价格仍数倍于硅基器件,下游应用领域仍需平衡碳化硅器件的高价格与碳化硅器件优越性能带来的综合成本下降间的关系,短期内一定程度上限制了碳化硅器件在功率器件领域的渗透率,使得碳化硅材料即使在部分相对优势领域的大规模应用仍存较大挑战。第四章 选址可行性分析一、 项目选址原则1、符合城乡规划和相关标准规范的原则。2、符合
42、产业政策、环境保护、耕地保护和可持续发展的原则。3、有利于产业发展、城乡功能完善和城乡空间资源合理配置与利用的原则。4、保障公共利益、改善人居环境的原则。5、保证城乡公共安全和项目建设安全的原则。6、经济效益、社会效益、环境效益相互协调的原则。二、 建设区基本情况广元市位于四川省北部,北与甘肃省、陕西省交界,南与南充市为邻,西与绵阳市相连,东与巴中市接壤,幅员面积16319平方公里。1985年经批准成立地级市,辖苍溪、旺苍、剑阁、青川4县和利州、昭化、朝天3区,23个乡、112个镇、7个街道。广元市有国家级经济技术开发区广元经济技术开发区。广元市人民政府驻地利州区。2020年年末全市常住人口2
43、67.5万人,其中,城镇人口126.26万人,乡村人口141.24万人。全市登记的户籍人口为298.9万人。2020年,全年地区生产总值达1008.01亿元,增长4.2%,增速居全省第5位。当前和今后一个时期,我国发展仍然处于重要战略机遇期,但机遇和挑战都有新的发展变化。当今世界正经历百年未有之大变局,新冠肺炎疫情全球大流行使大变局加速演变,新一轮科技革命和产业变革深入发展,和平与发展仍然是时代主题,同时世界进入动荡变革期,不稳定性不确定性明显增加。我国正处于实现中华民族伟大复兴的关键时期,已转向高质量发展阶段,经济稳中向好、长期向好的基本趋势没有改变。我省加快推动成渝地区双城经济圈建设成势见
44、效,发展的战略动能将更加强劲、战略位势将更加凸显、战略支撑将更加有力。今后五年,广元发展将处于全面建设社会主义现代化夯基筑底起步期、高质量发展加速期、城市能级提升突破期、大开放促大发展关键期,转型发展、创新发展、跨越发展具有多方面优势和条件。以国内大循环为主体、国内国际双循环相互促进的新发展格局加快构建,将为广元发展提供新支撑;“一带一路”建设、长江经济带发展、新时代西部大开发、成渝地区双城经济圈建设、川陕革命老区振兴发展等重大战略深入实施,将为广元发展提供新动能;我省“一干多支、五区协同”“四向拓展、全域开放”新态势加快形成,将为广元发展创造新空间;国家推动经济社会发展全面绿色转型,将为广元
45、发展创造新优势。同时,我市发展滞后的基本市情仍然没有根本改变,发展不充分不平衡问题依然突出,发展约束和不确定性增加,主导产业支撑乏力,市场机制不活,开放程度不深,科技创新能力薄弱,内生增长动能不足,巩固拓展脱贫攻坚成果任务艰巨,基础设施、新型城镇化、民生保障等领域还有短板弱项,自然灾害易发多发、社会治理任务繁重等带来一系列风险挑战。面向未来,全市上下必须胸怀两个大局,辩证看待新发展阶段面临的新机遇新挑战,深刻认识社会主要矛盾变化带来的新特征新要求,切实增强机遇意识和风险意识,强化使命担当,把握发展规律,保持战略定力,努力在危机中育先机、于变局中开新局。三、 持续增强经济发展动力活力培育高质量创
46、新主体。强化企业创新主体地位,支持有条件的企业牵头建设重大科技创新平台、实施重大科技项目,推动企业成为科技创新决策主体、投入主体和受益主体。深化产学研合作,支持企业利用国内外创新资源,打造跨区域创新链,推进创新平台共建、创新成果共享、创新人才共用,主动融入成渝地区双城经济圈科技创新走廊建设和全球创新网络,形成企业为主导的区域协同创新发展新格局。探索建立科技型企业梯次培育机制,培育孵化一批高成长性的高新技术企业。打造高效率创新生态。推进职务科技成果改革,鼓励高校、科研院所科技人员来广创办领办科技型企业。探索科技创新券制度,提高科技成果转化实效。深化科技计划管理改革,优化科研项目资金配置,提升创新绩效。加大研发投入,构建多元化投入机制。加强创新金融支撑,推动科技金融融合发展。加强创新政策措施制定和落实,充分发挥研发费用加计扣除和自主创新税收政策效应,推动知识产权保护和科研诚信建设,营造良好创新环境。弘扬科学家精神和工匠精神,加强科学技术普及,激发全社会创新创造活力,推动大众创业、万众创新。四、 积极融入新发展格局,奋力打造重要门户枢纽