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1、泓域咨询/常德碳化硅衬底项目投资计划书常德碳化硅衬底项目投资计划书xxx投资管理公司目录第一章 行业发展分析7一、 碳化硅材料产业链7二、 面临的挑战12第二章 绪论15一、 项目名称及投资人15二、 编制原则15三、 编制依据16四、 编制范围及内容16五、 项目建设背景17六、 结论分析18主要经济指标一览表19第三章 项目背景分析22一、 碳化硅半导体行业的战略意义22二、 半导体材料行业概述23三、 行业发展态势及面临的机遇23四、 建设区域领先的国家创新型城市25五、 项目实施的必要性29第四章 选址分析31一、 项目选址原则31二、 建设区基本情况31三、 营造开放包容大环境35四
2、、 提升融合创新水平37五、 项目选址综合评价37第五章 建设内容与产品方案39一、 建设规模及主要建设内容39二、 产品规划方案及生产纲领39产品规划方案一览表39第六章 SWOT分析说明41一、 优势分析（S）41二、 劣势分析（W）42三、 机会分析（O）43四、 威胁分析（T）44第七章 发展规划分析48一、 公司发展规划48二、 保障措施52第八章 组织架构分析55一、 人力资源配置55劳动定员一览表55二、 员工技能培训55第九章 原辅材料分析57一、 项目建设期原辅材料供应情况57二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理57第十章 进度规划方案59一、 项目进度安排59项目实施进度
3、计划一览表59二、 项目实施保障措施60第十一章 技术方案分析61一、 企业技术研发分析61二、 项目技术工艺分析63三、 质量管理64四、 设备选型方案65主要设备购置一览表66第十二章 项目投资计划68一、 投资估算的依据和说明68二、 建设投资估算69建设投资估算表71三、 建设期利息71建设期利息估算表71四、 流动资金73流动资金估算表73五、 总投资74总投资及构成一览表74六、 资金筹措与投资计划75项目投资计划与资金筹措一览表76第十三章 经济收益分析77一、 基本假设及基础参数选取77二、 经济评价财务测算77营业收入、税金及附加和增值税估算表77综合总成本费用估算表79利润
4、及利润分配表81三、 项目盈利能力分析81项目投资现金流量表83四、 财务生存能力分析84五、 偿债能力分析85借款还本付息计划表86六、 经济评价结论86第十四章 风险防范88一、 项目风险分析88二、 项目风险对策90第十五章 总结分析93第十六章 附表95主要经济指标一览表95建设投资估算表96建设期利息估算表97固定资产投资估算表98流动资金估算表99总投资及构成一览表100项目投资计划与资金筹措一览表101营业收入、税金及附加和增值税估算表102综合总成本费用估算表102固定资产折旧费估算表103无形资产和其他资产摊销估算表104利润及利润分配表105项目投资现金流量表106借款还本
5、付息计划表107建筑工程投资一览表108项目实施进度计划一览表109主要设备购置一览表110能耗分析一览表110本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 行业发展分析一、 碳化硅材料产业链1、下游产业链情况以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场。在碳化硅衬底上，主要使用化学气相沉积法（CVD法）在衬底表面生成所需的薄膜材料，即形成外延片，进一步制成器件。（1）半绝缘型碳化硅衬底半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生
6、长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成氮化镓射频器件。（2）导电型碳化硅衬底导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片，并在外延层上制造各类功率器件。2、半绝缘型碳化硅衬底在射频器件上的应用（1）主要应用情况及其优势射频器件在无线通讯中扮演信号转换的角色，是无线通信设备的基础性零部件，主要包括功率放大器、滤波器、开关、低噪声放大器、双工器等。半绝缘型碳化硅衬底制备的氮化镓射频器件主要为面向通信基站以及雷达应用的功率放大器。目前主流的射频器件有砷化镓、硅基LDMO
7、S、碳化硅基氮化镓等不同类型。根据AnalogDialogue，砷化镓器件已在功率放大器上得到广泛应用；硅基LDMOS器件也已在通讯领域应用多年，但其主要应用于小于4GHz的低频率领域；碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势，有望开启其广泛应用。氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件，因此成为4G/5G移动通讯系统、新一代有源相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。氮化镓射频器件正在取代LDMOS在通信宏基站、雷达及其他宽带领域的应用。随着信息技术产业对数据流量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长，氮化镓器件在基站中应用越来越广泛。根据Yole预测，至2025年，功
8、率在3W以上的射频器件市场中，砷化镓器件市场份额基本维持不变的情况下，氮化镓射频器件有望替代大部分硅基LDMOS份额，占据射频器件市场约50%的份额。目前，氮化镓射频器件主要基于碳化硅、硅等异质衬底外延材料制备的，并在未来一段时期也是主要选择。相比较硅基氮化镓，碳化硅基氮化镓外延主要优势在其材料缺陷和位错密度低。碳化硅基氮化镓材料外延生长技术相对成熟，且碳化硅衬底导热性好，适合于大功率应用，同时衬底电阻率高降低了射频损耗，因此碳化硅基氮化镓射频器件成为目前市场的主流。根据Yole报告，90%左右的氮化镓射频器件采用碳化硅衬底制备。（2）主要应用领域的发展情况碳化硅基氮化镓射频器件已成功应用于众
9、多领域，以无线通信基础设施和国防应用为主。无线通信基础设施方面，5G具有大容量、低时延、低功耗、高可靠性等特点，要求射频器件拥有更高的线性和更高的效率。相比砷化镓和硅基LDMOS射频器件，以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能，成为5G基站功率放大器的主流选择。在国防军工领域，碳化硅基氮化镓射频器件已经代替了大部分砷化镓和部分硅基LDMOS器件，占据了大部分市场。对于需要高频高输出的卫星通信应用，氮化镓器件也有望逐步取代砷化镓的解决方案。根据Yole报告，随着通信基础建设和军事应用的需求发展
10、，全球氮化镓射频器件市场规模将持续增长，预计从2019年的7.4亿美元增长至2025年的20亿美元，期间年均复合增长率达到18%。半绝缘型碳化硅衬底的需求量有望因此获益而持续增长。3、导电型碳化硅衬底在功率器件上的应用（1）主要应用情况及其优势功率器件又被称为电力电子器件，是构成电力电子变换装置的核心器件。功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有
11、高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大地提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，对高效能源转换领域产生重大而深远的影响，主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。（2）主要应用领域的发展情况电动汽车行业是未来市场空间巨大的新兴市场，全球范围内新能源车的普及趋势明朗。随着电动汽车的发展，对功率半导体器件需求量日益增加，成为功率半导体器件新的经济增长点。得益于碳化硅功率器件的高可靠性及高效率特性，在车载级的电机驱动器、OBC及DC/DC部分，碳化硅器件的使用已经比较普遍。对于非车载充电桩产品，由于成本的原因，目前使用比例还相对较低，但部分厂商已开始利用碳化硅
12、器件的优势，通过降低冷却等系统的整体成本找到了利基市场。目前，碳化硅功率器件已被国际知名车企应用在其电动汽车上。电动驱动系统中，主逆变器负责控制电动机，是汽车的关键元器件，特斯拉Model3的主逆变器采用了意法半导体生产的24个碳化硅MOSFET功率模块，是全球第一家将碳化硅MOSFET应用于商用车主逆变器的OEM厂商。2020年12月，丰田汽车推出并公开发售“Mirai”燃料电池电动汽车，是丰田汽车首次开始使用碳化硅功率器件。根据碳化硅器件特点和电动汽车的发展趋势，碳化硅器件是未来电动汽车的必然之选。光伏逆变器曾普遍采用硅器件，经过40多年的发展，转换效率和功率密度等已接近理论极限。碳化硅器
13、件具有低损耗、高开关频率、高适用性、降低系统散热要求等优点，将在光伏新能源领域得到广泛应用。例如，在住宅和商业设施光伏系统中的组串逆变器里，碳化硅器件在系统级层面带来成本和效能的好处。阳光电源等光伏逆变器龙头企业已将碳化硅器件应用至其组串式逆变器中。碳化硅功率器件在轨道交通行业得到重要应用。未来轨道交通对电力电子装置，比如牵引变流器、电力电子电压器等提出了更高的要求。采用碳化硅功率器件可以大幅度提高这些装置的功率密度和工作效率，将有助于明显减轻轨道交通的载重系统。目前，受限于碳化硅功率器件的电流容量，碳化硅混合模块将首先开始替代部分硅IGBT模块。未来随着碳化硅器件容量的提升，全碳化硅模块将在
14、轨道交通领域发挥更大的作用。目前碳化硅器件已经在中低压配电网开始了应用。未来更高电压、更大容量、更低损耗的柔性输变电将对万伏级以上的碳化硅功率器件具有重大需求。碳化硅功率器件在智能电网的主要应用包括高压直流输电换流阀、柔性直流输电换流阀、灵活交流输电装置、高压直流断路器、电力电子变压器等装置中。根据Yole报告，2019年碳化硅功率器件的市场规模为5.41亿美元，受益于电动汽车/充电桩、光伏新能源等市场需求驱动，预计2025年将增长至25.62亿美元，复合年增长率约30%。碳化硅衬底的需求有望因此获益并取得快速增长。二、 面临的挑战1、碳化硅衬底制备成本高由于晶体生长速率慢、制备技术难度较大，
15、大尺寸、高品质碳化硅衬底生产成本依旧较高，碳化硅衬底较低的供应量和较高的价格一直是制约碳化硅基器件大规模应用的主要因素之一，限制了产品在下游行业的应用和推广。虽然碳化硅衬底和器件工艺逐渐成熟，衬底和器件的价格呈一定下降趋势，但是目前碳化硅功率器件的价格仍数倍于硅基器件，下游应用领域仍需平衡碳化硅器件的高价格与碳化硅器件优越性能带来的综合成本下降间的关系，短期内一定程度上限制了碳化硅器件在功率器件领域的渗透率，使得碳化硅材料即使在部分相对优势领域的大规模应用仍存较大挑战。2、国内的高端技术和人才的缺乏半导体材料行业属于典型技术密集型行业，对于技术人员的知识背景、研发能力及操作经验积累均有较高要求
16、，国内在高端技术和人才方面与国外龙头企业尚存在差距。缩小技术差距，需要靠国内企业和研究机构持续投入研发，完成前期技术积累工作。国际巨头科锐公司成立于1987年，于1993年在美国纳斯达克上市，贰陆公司成立于1971年，于1987年在美国纳斯达克上市，相比于国际巨头具有数十年的研发和产业化经验，中国由于研发起步较晚，业内人才和技术水平仍然较为缺乏，在一定程度上制约了行业的快速发展。3、通过外延收购方式进行发展的难度较大宽禁带半导体的军事用途使得国外对中国实行技术和产品禁运和封锁。宽禁带半导体是有源相控阵雷达、毫米波通信设备、激光武器、“航天级”固态探测器、耐超高辐射装置等军事装备中的核心组件，因
17、而受到国际上瓦森纳协定的出口管制，并且对外收购相关企业也会受到西方发达国家的严格审查。国内行业通过外延式收购的方式进行发展的难度较大。第二章 绪论一、 项目名称及投资人（一）项目名称常德碳化硅衬底项目（二）项目投资人xxx投资管理公司（三）建设地点本期项目选址位于xx园区。二、 编制原则1、坚持科学发展观，采用科学规划，合理布局，一次设计，分期实施的建设原则。2、根据行业未来发展趋势，合理制定生产纲领和技术方案。3、坚持市场导向原则，根据行业的现有格局和未来发展方向，优化设备选型和工艺方案，使企业的建设与未来的市场需求相吻合。4、贯彻技术进步原则，产品及工艺设备选型达到目前国内领先水平。同时合
18、理使用项目资金，将先进性与实用性有机结合，做到投入少、产出多，效益最大化。5、严格遵守“三同时”设计原则，对项目可能产生的污染源进行综合治理，使其达到国家规定的排放标准。三、 编制依据1、中国制造2025；2、“十三五”国家战略性新兴产业发展规划；3、工业绿色发展规划(2016-2020年)；4、促进中小企业发展规划（20162020年）；5、中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要；6、关于实现产业经济高质量发展的相关政策；7、项目建设单位提供的相关技术参数；8、相关产业调研、市场分析等公开信息。四、 编制范围及内容1、确定生产规模、产品方案；2、调研产品市场
19、；3、确定工程技术方案；4、估算项目总投资，提出资金筹措方式及来源；5、测算项目投资效益，分析项目的抗风险能力。五、 项目建设背景相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。到二三五年，经济和科技实力、城市影响力大幅提升，地区生产总值和城乡居民收入迈上新台阶，GDP迈入万亿俱乐部，全面建设成为现代化区域中心城市，基本实现社会主义现代化。经济比较优势进一步增强，三次产业形态发生巨大变化，建成现代化经济体系。思想和制度开放程度达到新高度，交通组
20、织形式发生重大改变，营商环境位居中部地区前列，成为中部地区开放型经济战略支点。全市城镇化率达到70%，中心城区人口达到160万人，生产生活生态三大空间相生相融；城市管理更加精明，万物互联的信息化技术广泛应用，建成新型智慧城市。美丽乡村普遍建成，成为休闲度假重要目的地。社会文明程度达到新的高度，城市文化软实力显著增强。城乡居民收入水平和生活质量大幅提高，中等收入群体比例逐步提升，橄榄型社会结构形成雏形。法治城市、法治政府、法治社会加快构建，各方面制度更加完善，市域治理体系和治理能力现代化加快推进。人民平等参与、平等发展权利得到充分保障，人们更加注重自身价值实现，全体人民共同富裕取得明显的实质性进
21、展。六、 结论分析（一）项目选址本期项目选址位于xx园区，占地面积约78.00亩。（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形成年产xx吨碳化硅衬底的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划24个月。（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资30719.69万元，其中：建设投资24979.54万元，占项目总投资的81.31%；建设期利息692.16万元，占项目总投资的2.25%；流动资金5047.99万元，占项目总投资的16.43%。（五）资金筹措项目总投资30719.69万元，根据资金筹措方案，xxx投资管理公司计划自筹资金（资本金）
22、16594.01万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额14125.68万元。（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：55900.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：46590.73万元。3、项目达产年净利润（NP）：6793.89万元。4、财务内部收益率（FIRR）：15.83%。5、全部投资回收期（Pt）：6.54年（含建设期24个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：24607.02万元（产值）。（七）社会效益本项目生产所需的原辅材料来源广泛，产品市场需求旺盛，潜力巨大；本项目产品生产技术先进，产品质量、成本具有较强的竞争力，三废排放少，能够达到国家排放标准；本
23、项目场地及周边环境经考察适合本项目建设；项目产品畅销，经济效益好，抗风险能力强，社会效益显著，符合国家的产业政策。本项目实施后，可满足国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级发展，为社会提供更多的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积52000.00约78.00亩1.1总建筑面积95356.371.2基底面积30160.001.3投资强度万元/亩309.952总投资万元30719.692.1建设投资万元24979.542.1.1工程费用万元214
24、37.942.1.2其他费用万元2881.402.1.3预备费万元660.202.2建设期利息万元692.162.3流动资金万元5047.993资金筹措万元30719.693.1自筹资金万元16594.013.2银行贷款万元14125.684营业收入万元55900.00正常运营年份5总成本费用万元46590.736利润总额万元9058.527净利润万元6793.898所得税万元2264.639增值税万元2089.5510税金及附加万元250.7511纳税总额万元4604.9312工业增加值万元15881.1413盈亏平衡点万元24607.02产值14回收期年6.5415内部收益率15.83%所
25、得税后16财务净现值万元5932.83所得税后第三章 项目背景分析一、 碳化硅半导体行业的战略意义碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。目前，碳化硅半导体主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，在民用、军用领域均具有明确且可观的市场前景。同时，我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，随着国家“新基建”战略的实施，碳化硅半导体将在5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨
26、道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心等新基建领域发挥重要作用。因此，以碳化硅为代表的宽禁带半导体是面向经济主战场、面向国家重大需求的战略性行业。全球宽禁带半导体行业目前总体处于发展初期阶段，相比硅和砷化镓等半导体而言，在宽禁带半导体领域我国和国际巨头公司之间的整体技术差距相对较小。另外，由于宽禁带半导体的下游工艺制程具有更高的包容性和宽容度，下游制造环节对设备的要求相对较低，投资额相对较小，制约宽禁带半导体行业快速发展的关键之一在上游材料端。因此，我国若能在宽禁带半导体行业上游衬底材料行业实现突破，将有望在半导体行业实现换道超车。二、 半导体材料行业概述半导体是指在常温下导电性能介于绝缘体与导
27、体之间的材料。常见的半导体包括硅、锗等元素半导体及砷化镓、碳化硅、氮化镓等化合物半导体。半导体可以分为四类产品，分别是集成电路、光电子器件、分立器件和传感器。半导体是电子产品的核心，是信息产业的基石，亦被称为现代工业的“粮食”。半导体产品广泛应用于移动通信、计算机、电力电子、医疗电子、工业电子、军工航天等行业。半导体行业是现代经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业，具有技术难度高、投资规模大、产业链环节长、产品种类多、更新迭代快、下游应用广泛的特点。半导体制造产业链包含设计、制造和封装测试环节，半导体材料和设备属于芯片制造、封测的支撑性行业。三、 行业发展态势及面临的机遇1、碳化硅市场需求旺
28、盛，全球迎来扩产潮随着碳化硅器件在5G通信、电动汽车、光伏新能源、轨道交通、智能电网等行业的应用，碳化硅器件市场需求迅速增长，全球碳化硅行业呈现产能供给不足的情况。为了保证衬底供给，满足以电动汽车为代表的客户未来的增长需求，各大厂商纷纷开始扩产。据CASAResearch整理，2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产，主要为衬底产能的扩张，其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划，分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。随着下游市场的超预期发展，产业链的景气程度有望持续向好，碳化硅衬底产业也将直接受益于行业发展。2、碳化硅器件成本降低，行业
29、应用的替代前景向好2019年是碳化硅产业快速发展的关键年份。与同类硅基产品相比，虽然碳化硅基器件价格仍然较高，但是由于其优越的性能及价格持续走低，其综合成本优势逐渐显现，客户认可度持续提高。行业正在通过多种措施降低碳化硅器件成本：在衬底方面，通过增大碳化硅衬底尺寸、升级制备技术、扩大衬底产能等，共同推动碳化硅衬底成本的降低；在制造方面，随着市场的开启，各大器件供应商扩产制造，随着规模扩大和制造技术不断成熟，也带来制造成本的降低；在市场方面，主要的产品供应商与大客户通过签订长期合作合同对市场进行锁定，供需双方共同推进市场渗透并形成良性循环。未来碳化硅器件的价格有望持续下降，其行业应用将快速发展。
30、3、国外对宽禁带半导体实行严格的技术保护，自主可控势在必行由于宽禁带半导体的军事用途使得国外对中国实行技术禁运和封锁，国内碳化硅产业的持续发展对核心技术国产自主化、实现供应链安全可控提出了迫切的需求。自主可控趋势加速了宽禁带半导体器件的国产化替代进程，为宽禁带半导体行业带来了发展新机遇。在宽禁带半导体领域，下游应用企业已在调整供应链，支持国内企业。数家国内宽禁带半导体企业的上中游产品陆续获得了下游用户验证机会，进入了多个关键厂商供应链，逐步开始了以销促产的良性发展。4、积极的宽禁带半导体产业政策近年来从国家到地方相继制定了一系列产业政策来推动宽禁带半导体产业的发展。2020年8月，国务院印发新
31、时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策，提出聚焦高端芯片、集成电路装备等关键核心技术研发，在新一代半导体技术等领域推动各类创新平台建设；2021年3月，十三届全国人大四次会议通过的中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要，提出要大力发展碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体产业。此外，上海、广东、湖南、山东等多省市均出台了相关政策支持碳化硅等半导体产业发展。我国宽禁带半导体行业迎来了前所未有的发展契机，有助于我国宽禁带半导体行业技术水平的提高和规模的快速发展。四、 建设区域领先的国家创新型城市坚持创新在现代化建设全局中的核心地位，面向科技前沿、经济主战场、国家
32、需求和人民生命健康，推动创新平台、主体、项目、人才、服务“五创”联动，促进产业链、创新链、资金链、服务链“四链”融合，建成国家创新型城市和区域科技创新中心、科技金融中心、科技服务中心、科技人才中心。（一）强化企业创新主体地位（1）发挥产业链龙头企业创新骨干作用，支持建设行业研究院和牵头组建产业技术创新联盟，重点聚焦工程机械、新能源汽车、军民融合等领域实施一批重大科技攻关和成果转化与产业化项目。（2）加强小微科创企业孵化，大力支持具有创新精神的“小人物”、具有市场前景的“小项目”，到2025年力争科技型中小企业当年入库达到800家。（3）引导区县市、科技园区、孵化器制定高新技术企业培育计划，建立
33、高新技术企业储备库，到2025年力争高新技术企业达到550家以上。（4）支持企业自建研发机构，支持龙头企业创建国家级研发机构和海外研发机构，鼓励大中型企业申报省级以上工程技术研究中心、重点实验室，到2025年高新技术企业研发机构基本覆盖，规上工业企业自建研发机构达到50%以上。（二）加强重大科技平台建设（1）着力培育国家级研发平台。依托重点龙头企业，加强高校和科研院所合作，重点支持甾体生物医药国家重点实验室（筹）、省部共建水产生物与环境国家重点实验室（筹）建设，力争实现国家级研发平台零的突破。（2）构建“4+4+N”产业链创新平台体系。以四大千亿产业、四条新兴产业链为重点，数字经济、物联网、人
34、工智能、共享经济、平台经济、海绵城市治理等N个新兴业态为突破，形成“一链一平台”格局。（3）建设高层次科研创新平台。支持中科多源电力融合技术研究院、湖南新合新生物医药华东理工大学协同创新研究院、湖南文理学院人工智能与生物医药和农业生物大分子研究中心建成综合性集成性创新中心。（4）加强与市内重点企业总部对接，力争布局一批细分领域的重点实验室、鉴定中心。（5）大力发展研究院经济，吸引集聚专家院士、科创团队来常开展科创活动。（6）积极争取国家桃花种质资源库落户常德。（三）提升科技创新服务能力（1）建设科技创新服务中心，依托常德创新孵化基地，建设潇湘（常德）科技要素（技术交易）市场。（2）支持企业、科
35、研院所在岳麓山国家大学科技城、广深港澳科技创新走廊、北京中关村等创新资源集聚地设立离岸科创平台。引导园区、企业对接知名高校、科研院所，培育一批省级技术转移机构，建立一批高校、科研院所技术转移基地和科技成果转化平台。（3）实施“双创”载体倍增计划，支持中国科技开发院创新孵化园及优质省级科技企业孵化器升级为国家孵化器，支持“德创工坊”升级为国家级产业发展专业化众创空间，新增省级、市级“双创”载体100家以上。（4）支持津澧两地联合申建国家级高新区、石门经开区转型省级高新区、安乡县创建省级农业科技园区。（5）发展和引进一批民营科技服务机构，提供全链条全方位科技服务。（6）探索设立常德科创天使基金、科
36、技成果转化基金，以股权、债权投资促进一批技术成果转化、产业化，走“基金+园区”路子。支持符合条件的创新企业上市、挂牌交易以及发行企业债、公司债和票据，争取发行基础设施领域不动产投资信托基金（REITs）。（7）加大企业研发投入奖补。（8）加强“高、专、尖、缺”人才引育，培育常德企业科技特派员团队，评选200名以上市级科技创新人才。（9）创新科普工作思路，大力开展科普宣传活动，提升全民科学素养。（四）推动科技成果转化与应用（1）推进“政产学研金用”深度融合。创新“智汇洞庭科创常德”活动形式，推动“教授博士沅澧行”活动纵深发展，持续推进“三名”工程，积极争取省科创金融服务分中心试点，建立完善科技贷
37、款风险补偿、贴息贴费、科技保险政策体系，到2025年全市技术合同成交额达到60亿元。（2）实施企业专利提质增量行动，大力培育高价值专利，推进专利导航产业发展，开展专利微导航试点。（3）加强知识产权运用、转化和保护，加快知识产权转化加速器建设。（4）推进知识产权投融资试点、专利保险试点，整合建设知识产权质押融资服务平台，强化知识产权全链条保护。（5）引进具备贯标服务、专利信息分析运用和知识产权运营服务机构，推动知识产权交易、孵化和产业化，建成区域性产权交易枢纽。五、 项目实施的必要性（一）现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业，公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度，产品销售形
38、势良好，产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展，公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段，不断挖掘产能潜力，但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设，公司将有效克服产能不足对公司发展的制约，为公司把握市场机遇奠定基础。（二）公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级，公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动，不断研发新产品，提升产品精密化程度，将产品质量水平提升到同类产品的领先水准，提高生产的灵活性和适应性，契合关键零部件国产化的需求，才能在与国外企业的竞
39、争中获得优势，保持公司在领域的国内领先地位。第四章 选址分析一、 项目选址原则所选场址应避开自然保护区、风景名胜区、生活饮用水源地和其他特别需要保护的环境敏感性目标。项目建设区域地理条件较好，基础设施等配套较为完善，并且具有足够的发展潜力。二、 建设区基本情况常德，古称“武陵”、“朗州”，湖南省辖地级市。位于湖南北部，江南洞庭湖西侧，武陵山下，史称“川黔咽喉，云贵门户”，是长江经济带、长江中游城市群、环洞庭湖生态经济圈的重要城市。全市总面积1.82万平方千米。根据2020年第七次人口普查数据，全市常住人口527.91万人。常德城名源自老子“为天下溪，常德不离”；历史故事“刘海砍樵”、“孟姜女哭
40、长城”以及陶渊明笔下的桃花源记等浪漫主义情结贯穿常德城二千多年的历史，开创了常德独有的“善德文化”。常德先后荣获全国文明城市、中国优秀旅游城市、国家卫生城市、国家园林城市、中国首届魅力城市、国际湿地城市、国际花园城市、全国交通管理模范城市、国家环境保护模范城市、中华诗词之市等称号。2017年，常德市复查确认继续保留全国文明城市荣誉称号。2018年重新确认国家卫生城市（区）。深入推进开放强市产业立市，把握发展脉络和战略重点，依靠开放汇聚生产要素，依靠产业打牢发展根基，推动经济社会发展更具活力、更有效率、更可持续，探索走出一条大湖地区高质量发展的新路子。重点把握以下要求：明确“一个中心”发展目标。
41、大力提升城市资源集成力、城市辐射力，积极承担全省对接成渝地区双城经济圈桥头堡、泛湘西北地区核心增长极职能，围绕区域产业中心、消费中心、科技创新中心、教育中心、医疗中心和金融中心，致力建设现代化区域中心城市。构建“两个枢纽”发展优势。强化铁路、公路、水运、航空交通体系支撑，着力建设高铁“一枢纽四通道”、高速“五通道四连线”、水运“一港两区三航道”。强化物流设施支撑，打造标志性平台，畅通内畅外联网络。建设区域性现代综合交通枢纽和现代物流枢纽，全力提升区域竞争力。打造“三个基地”发展平台。落实湖南打造国家重要先进制造业高地战略要求，立足常德制造业基础和优势，全力打造全国重要先进制造业基地；围绕保障国
42、家粮食安全、推进乡村振兴，立足常德传统优势，大力发展农产品精深加工，提升“洞庭鱼米之乡”美誉，全力打造全国生态农产品基地；顺应人民群众健康生活新期待，发挥常德区位、生态、文化优势，布局发展以医疗、康养、文旅、度假为主体的大健康产业，全力打造全国大健康产业基地。当前和今后一个时期，世情、国情、省情、市情发生深刻变化，经济社会发展呈现新的阶段性特征，我市面临的机遇与挑战出现了新的变化。处于世界动荡变革期。当今世界正经历百年未有之大变局，国内外形势正在发生深刻复杂变化。特别是新冠肺炎疫情影响广泛深远，经济全球化遭遇逆流，进一步增加“十四五”时期经济增长的不确定性。常德开放型经济总量小、增速慢、结构不
43、优，进一步扩大对外开放、利用外资将面临新的挑战。处于重大战略机遇期。时代大变局、经济大循环、区域和城市发展版图的大洗牌，为常德“十四五”时期实现高质量发展提供了机遇和条件。从中央布局来看，“一带一路”、长江经济带、中部崛起、成渝地区双城经济圈、洞庭湖生态经济区等重大战略红利，将在未来五年进一步释放。常德作为长江经济带、长江中游城市群、洞庭湖生态经济区的重要节点城市，作为湖南对接成渝地区双城经济圈的桥头堡，打造现代化区域中心城市和区域交通、物流枢纽，将迎来新的重大机遇和利好政策。处于发展优势叠加期。近年来，常德深入推进开放强市产业立市，为“十四五”时期发展厚植了诸多比较优势。就产业基础而言，工程
44、机械、烟草、生物医药等支柱产业发展壮大，为先进制造业加快发展提供了有力支撑。就交通区位而言，随着黔张常铁路的建成通车，常益长高铁、安慈高速、炉慈高速的加快建设，呼南高铁、常岳九高铁、武贵高铁、益常高速复线的有序推进，打造区域性现代综合交通枢纽和现代物流枢纽指日可待。就发展格局而言，中央提出加快形成以国内大循环为主体、国内国际双循环相互促进的新发展格局，常德农业农村基础好、外贸依存度低、扩大内需潜力大，积极融入新发展格局还有广阔空间。处于转型升级攻关期。“十四五”期间，科技创新、结构性改革将成为推动发展的主要动能。中央强调要坚持创新在现代化建设全局中的核心地位，把科技自立自强作为国家发展的战略支
45、撑，湖南着力打造具有核心竞争力的科技创新高地，必将为推动创新发展和转型升级增添强劲动能。常德物质基础厚实、人力资源丰富，认真贯彻国、省战略部署，紧盯科技创新和产业变革的前沿，加强高新技术研究开发，加快高新技术产业发展，不仅能培育新的经济增长点，更能推动实现更高质量、更有效率、更可持续的发展。处于民生需求提质期。当前，随着社会主要矛盾的变化，人民群众需求将加快从温饱型、一般型向改善型、提质型升级，需要更加积极回应人民关切，更好解决人民群众普遍关心的就业、就学、就医、养老、住房、生态、社会治安、食品安全等方面问题，切实增强常德人民的获得感、幸福感和安全感。综合判断，“十四五”期间，我市发展机遇与挑
46、战并存，但机遇大于挑战，仍处于发展的战略机遇期。需要辩证认识和把握发展大势，增强机遇意识和风险意识，在危机中育先机、于变局中开新局。三、 营造开放包容大环境坚持营商环境就是生产力，树立“做好政府的事，让市场选择”理念，聚焦市场主体关切，为投资兴业、创新创业创造更好环境。（一）营造一流营商环境（1）清理简并多部门、多层级重复审批，推动下放区县（市）和园区经济社会管理权限落地。（2）持续推进“一件事一次办”和“证照分离”全覆盖试点，进一步融合线上线下服务，推进“一网通办”“一次办好”“掌上可办”。（3）加快清理妨碍市场公平的政策规定，全面落实减税降费政策，精准实施“暖企行动”，完善领导干部联系重点企业制度，持续降低企业用地、用工、用气、物流成本，有针对性破解企业资金、人才、技术要素瓶颈。（4）完善常德智慧信用平台，建立权威、统一、可查询市场主体信用信息库，强化跨行业、跨领域、跨部门守信联合激励和失信联合惩戒，探索建立信用修复机制，退出常德个人信用积分，拓展信易+惠民便企应用，积极创建全国社会信用体系建设示范城市。（5）积极创建区块链示范城市，发挥区块链在优化业务流程、降低运营成本、提升协同效率、建设诚信体系中的作用。（6）实施“双随机一公开”监管，健全跨部门随机抽查事项清