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1、泓域咨询/丽水碳化硅衬底项目商业计划书目录第一章 绪论7一、 项目概述7二、 项目提出的理由9三、 项目总投资及资金构成10四、 资金筹措方案10五、 项目预期经济效益规划目标11六、 项目建设进度规划11七、 环境影响11八、 报告编制依据和原则12九、 研究范围13十、 研究结论14十一、 主要经济指标一览表14主要经济指标一览表14第二章 行业发展分析16一、 宽禁带半导体材料简介16二、 碳化硅材料产业链18第三章 项目背景及必要性24一、 碳化硅衬底类型24二、 半导体材料行业概述24三、 面临的挑战25四、 合作开放26第四章 项目选址方案29一、 项目选址原则29二、 建设区基本
2、情况29三、 扩能升级，建立现代化生态经济体系33四、 畅通循环，主动融入新发展格局35五、 项目选址综合评价36第五章 产品方案37一、 建设规模及主要建设内容37二、 产品规划方案及生产纲领37产品规划方案一览表37第六章 法人治理结构39一、 股东权利及义务39二、 董事44三、 高级管理人员49四、 监事51第七章 SWOT分析53一、 优势分析（S）53二、 劣势分析（W）54三、 机会分析（O）55四、 威胁分析（T）56第八章 运营管理模式60一、 公司经营宗旨60二、 公司的目标、主要职责60三、 各部门职责及权限61四、 财务会计制度64第九章 人力资源配置68一、 人力资源
3、配置68劳动定员一览表68二、 员工技能培训68第十章 原材料及成品管理71一、 项目建设期原辅材料供应情况71二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理71第十一章 进度规划方案73一、 项目进度安排73项目实施进度计划一览表73二、 项目实施保障措施74第十二章 劳动安全分析75一、 编制依据75二、 防范措施78三、 预期效果评价80第十三章 投资计划方案82一、 投资估算的依据和说明82二、 建设投资估算83建设投资估算表85三、 建设期利息85建设期利息估算表85四、 流动资金87流动资金估算表87五、 总投资88总投资及构成一览表88六、 资金筹措与投资计划89项目投资计划与资金筹措一
4、览表90第十四章 经济效益91一、 经济评价财务测算91营业收入、税金及附加和增值税估算表91综合总成本费用估算表92固定资产折旧费估算表93无形资产和其他资产摊销估算表94利润及利润分配表96二、 项目盈利能力分析96项目投资现金流量表98三、 偿债能力分析99借款还本付息计划表100第十五章 风险防范102一、 项目风险分析102二、 项目风险对策104第十六章 总结分析107第十七章 附表附件109主要经济指标一览表109建设投资估算表110建设期利息估算表111固定资产投资估算表112流动资金估算表113总投资及构成一览表114项目投资计划与资金筹措一览表115营业收入、税金及附加和增
5、值税估算表116综合总成本费用估算表116利润及利润分配表117项目投资现金流量表118借款还本付息计划表120报告说明半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成氮化镓射频器件。根据谨慎财务估算，项目总投资27598.66万元，其中：建设投资22636.83万元，占项目总投资的82.02%；建设期利息509.59万元，占项目总投资的1.85%；流动资金4452.24万元，占项目总投资的16.13%。项目正常运营每年营业收入54800.00万元，综合总成本费用44442.29万元，净利润7570.28万元，财
6、务内部收益率20.33%，财务净现值6626.89万元，全部投资回收期5.96年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。综上所述，该项目属于国家鼓励支持的项目，项目的经济和社会效益客观，项目的投产将改善优化当地产业结构，实现高质量发展的目标。本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 绪论一、 项目概述（一）项目基本情况1、项目名称：丽水碳化硅衬底项目2、承办单位名称：xxx有限公司3、项目性质：扩
7、建4、项目建设地点：xxx5、项目联系人：肖xx（二）主办单位基本情况公司依据公司法等法律法规、规范性文件及公司章程的有关规定，制定并由股东大会审议通过了董事会议事规则，董事会议事规则对董事会的职权、召集、提案、出席、议事、表决、决议及会议记录等进行了规范。 当前，国内外经济发展形势依然错综复杂。从国际看，世界经济深度调整、复苏乏力，外部环境的不稳定不确定因素增加，中小企业外贸形势依然严峻，出口增长放缓。从国内看，发展阶段的转变使经济发展进入新常态，经济增速从高速增长转向中高速增长，经济增长方式从规模速度型粗放增长转向质量效率型集约增长，经济增长动力从物质要素投入为主转向创新驱动为主。新常态对
8、经济发展带来新挑战，企业遇到的困难和问题尤为突出。面对国际国内经济发展新环境，公司依然面临着较大的经营压力，资本、土地等要素成本持续维持高位。公司发展面临挑战的同时，也面临着重大机遇。随着改革的深化，新型工业化、城镇化、信息化、农业现代化的推进，以及“大众创业、万众创新”、中国制造2025、“互联网+”、“一带一路”等重大战略举措的加速实施，企业发展基本面向好的势头更加巩固。公司将把握国内外发展形势，利用好国际国内两个市场、两种资源，抓住发展机遇，转变发展方式，提高发展质量，依靠创业创新开辟发展新路径，赢得发展主动权，实现发展新突破。公司在发展中始终坚持以创新为源动力，不断投入巨资引入先进研发
9、设备，更新思想观念，依托优秀的人才、完善的信息、现代科技技术等优势，不断加大新产品的研发力度，以实现公司的永续经营和品牌发展。未来，在保持健康、稳定、快速、持续发展的同时，公司以“和谐发展”为目标，践行社会责任，秉承“责任、公平、开放、求实”的企业责任，服务全国。（三）项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xxx，占地面积约83.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）产品规划方案根据项目建设规划，达产年产品规划设计方案为：xxx吨碳化硅衬底/年。二、 项目提出的理由常见的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）等元素半
10、导体及砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等化合物半导体材料。从被研究和规模化应用的时间先后顺序来看，上述半导体材料被业内通俗地划分为三代。第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体为代表，其典型应用是集成电路，主要应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。第二代半导体材料是以砷化镓为代表，砷化镓材料的电子迁移率约是硅的6倍,具有直接带隙，故其器件相对硅基器件具有高频、高速的光电性能，因此被广泛应用于光电子和微电子领域，是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。第三代半导体材料是指
11、以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，此外，还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力。值得注意的是，前述三代半导体材料各有利弊，并无绝对的替代关系，而是在特定的应用场景中存在各自的比较优势。三、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资27598.66万元，其中：建设投资22636.83万元，占项目总投资的82.02%；建设期
12、利息509.59万元，占项目总投资的1.85%；流动资金4452.24万元，占项目总投资的16.13%。四、 资金筹措方案（一）项目资本金筹措方案项目总投资27598.66万元，根据资金筹措方案，xxx有限公司计划自筹资金（资本金）17198.86万元。（二）申请银行借款方案根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额10399.80万元。五、 项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入（SP）：54800.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：44442.29万元。3、项目达产年净利润（NP）：7570.28万元。4、财务内部收益率（FIRR）：20.33%。5、全部投资回收期（
13、Pt）：5.96年（含建设期24个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：22445.37万元（产值）。六、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需24个月的时间。七、 环境影响项目建设区域生态及自然环境良好，该项目建设及生产必须严格按照环保批复的控制性指标要求进行建设，不要在企业创造经济效益的同时对当地环境造成破坏。本项目如能在项目的建设和运营过程中落实以上针对主要污染物的防止措施，那么污染物的排放就能达到国家标准的要求，从而保证不对环境产生影响，从环保角度确保项目可行。项目建设不会对当地环境造成影响。从环保角度上，本项目的选址与建设是可行的。八、 报告编制
14、依据和原则（一）编制依据1、中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要；2、中国制造2025；3、建设项目经济评价方法与参数及使用手册（第三版）；4、项目公司提供的发展规划、有关资料及相关数据等。（二）编制原则1、项目建设必须遵循国家的各项政策、法规和法令，符合国家产业政策、投资方向及行业和地区的规划。2、采用的工艺技术要先进适用、操作运行稳定可靠、能耗低、三废排放少、产品质量好、安全卫生。3、以市场为导向，以提高竞争力为出发点，产品无论在质量性能上，还是在价格上均应具有较强的竞争力。4、项目建设必须高度重视环境保护、工业卫生和安全生产。环保、消防、安全设施和劳动
15、保护措施必须与主体装置同时设计，同时建设，同时投入使用。污染物的排放必须达到国家规定标准，并保证工厂安全运行和操作人员的健康。5、将节能减排与企业发展有机结合起来，正确处理企业发展与节能减排的关系，以企业发展提高节能减排水平，以节能减排促进企业更好更快发展。6、按照现代企业的管理理念和全新的建设模式进行规划建设，要统筹考虑未来的发展，为今后企业规模扩大留有一定的空间。7、以经济救益为中心，加强项目的市场调研。按照少投入、多产出、快速发展的原则和项目设计模式改革要求，尽可能地节省项目建设投资。在稳定可靠的前提下，实事求是地优化各成本要素，最大限度地降低项目的目标成本，提高项目的经济效益，增强项目
16、的市场竞争力。8、以科学、实事求是的态度，公正、客观的反映本项目建设的实际情况，工程投资坚持“求是、客观”的原则。九、 研究范围报告是以该项目建设单位提供的基础资料和国家有关法令、政策、规程等以及该项目相关内外部条件、城市总体规划为基础,针对项目的特点、任务与要求，对该项目建设工程的建设背景及必要性、建设内容及规模、市场需求、建设内外部条件、项目工程方案及环境保护、项目实施进度计划、投资估算及资金筹措、经济效益及社会效益、项目风险等方面进行全面分析、测算和论证，以确定该项目建设的可行性、效益的合理性。十、 研究结论此项目建设条件良好，可利用当地丰富的水、电资源以及便利的生产、生活辅助设施，项目
17、投资省、见效快；此项目贯彻“先进适用、稳妥可靠、经济合理、低耗优质”的原则，技术先进，成熟可靠，投产后可保证达到预定的设计目标。十一、 主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积55333.00约83.00亩1.1总建筑面积98806.971.2基底面积34859.791.3投资强度万元/亩268.452总投资万元27598.662.1建设投资万元22636.832.1.1工程费用万元20127.672.1.2其他费用万元1994.962.1.3预备费万元514.202.2建设期利息万元509.592.3流动资金万元4452.243资金筹措万元27598.663.1自筹
18、资金万元17198.863.2银行贷款万元10399.804营业收入万元54800.00正常运营年份5总成本费用万元44442.296利润总额万元10093.717净利润万元7570.288所得税万元2523.439增值税万元2200.0410税金及附加万元264.0011纳税总额万元4987.4712工业增加值万元16686.6413盈亏平衡点万元22445.37产值14回收期年5.9615内部收益率20.33%所得税后16财务净现值万元6626.89所得税后第二章 行业发展分析一、 宽禁带半导体材料简介常见的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）等元素半导体及砷化镓（GaAs）、碳化硅（Si
19、C）、氮化镓（GaN）等化合物半导体材料。从被研究和规模化应用的时间先后顺序来看，上述半导体材料被业内通俗地划分为三代。第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体为代表，其典型应用是集成电路，主要应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。第二代半导体材料是以砷化镓为代表，砷化镓材料的电子迁移率约是硅的6倍,具有直接带隙，故其器件相对硅基器件具有高频、高速的光电性能，因此被广泛应用于光电子和微电子领域，是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材
20、料，与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，此外，还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力。值得注意的是，前述三代半导体材料各有利弊，并无绝对的替代关系，而是在特定的应用场景中存在各自的比较优势。1、碳化硅根据中国战略性新兴产业：新材料（第三代半导体材料），与硅相比，碳化硅拥有更为优越的电气特性：耐高压：击穿电场强度大，是硅的10倍，用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度，并大大降低器件的导通损耗。耐高温：
21、半导体器件在较高的温度下，会产生载流子的本征激发现象，造成器件失效。禁带宽度越大，器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍，可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度一般不能超过300，而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600以上。同时，碳化硅的热导率比硅更高，高热导率有助于碳化硅器件的散热，在同样的输出功率下保持更低的温度，碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低，有助于实现设备的小型化。实现高频的性能：碳化硅的饱和电子漂移速率大，是硅的2倍，这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。基于这些优良的特性，碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底，可以满足高
22、温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，已应用于射频器件及功率器件。2、氮化镓氮化镓具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、耐辐照等突出优点。氮化镓器件已有众多应用：在光电子器件领域，氮化镓器件作为LED照明光源已广泛应用，还可制备成氮化镓基激光器；在微波射频器件方面，氮化镓器件可用于有源相控阵雷达、无线电通信、基站、卫星等军事或者民用领域；氮化镓也可用于功率器件，其比传统器件具有更低的电源损耗。二、 碳化硅材料产业链1、下游产业链情况以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场。在碳化硅衬底上，主要使用化学气相沉积法
23、（CVD法）在衬底表面生成所需的薄膜材料，即形成外延片，进一步制成器件。（1）半绝缘型碳化硅衬底半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成氮化镓射频器件。（2）导电型碳化硅衬底导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片，并在外延层上制造各类功率器件。2、半绝缘型碳化硅衬底在射频器件上的应用（1）主要应用情况及其优势射频器件在无线通讯中扮演信号转换的角色，是无线通信设备的基础性零部件，主要包括
24、功率放大器、滤波器、开关、低噪声放大器、双工器等。半绝缘型碳化硅衬底制备的氮化镓射频器件主要为面向通信基站以及雷达应用的功率放大器。目前主流的射频器件有砷化镓、硅基LDMOS、碳化硅基氮化镓等不同类型。根据AnalogDialogue，砷化镓器件已在功率放大器上得到广泛应用；硅基LDMOS器件也已在通讯领域应用多年，但其主要应用于小于4GHz的低频率领域；碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势，有望开启其广泛应用。氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件，因此成为4G/5G移动通讯系统、新一代有源相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。氮化镓射频器件正在取代LDMOS
25、在通信宏基站、雷达及其他宽带领域的应用。随着信息技术产业对数据流量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长，氮化镓器件在基站中应用越来越广泛。根据Yole预测，至2025年，功率在3W以上的射频器件市场中，砷化镓器件市场份额基本维持不变的情况下，氮化镓射频器件有望替代大部分硅基LDMOS份额，占据射频器件市场约50%的份额。目前，氮化镓射频器件主要基于碳化硅、硅等异质衬底外延材料制备的，并在未来一段时期也是主要选择。相比较硅基氮化镓，碳化硅基氮化镓外延主要优势在其材料缺陷和位错密度低。碳化硅基氮化镓材料外延生长技术相对成熟，且碳化硅衬底导热性好，适合于大功率应用，同时衬底电阻率高降低了射频损耗，因
26、此碳化硅基氮化镓射频器件成为目前市场的主流。根据Yole报告，90%左右的氮化镓射频器件采用碳化硅衬底制备。（2）主要应用领域的发展情况碳化硅基氮化镓射频器件已成功应用于众多领域，以无线通信基础设施和国防应用为主。无线通信基础设施方面，5G具有大容量、低时延、低功耗、高可靠性等特点，要求射频器件拥有更高的线性和更高的效率。相比砷化镓和硅基LDMOS射频器件，以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能，成为5G基站功率放大器的主流选择。在国防军工领域，碳化硅基氮化镓射频器件已经代替了大部分砷化镓和
27、部分硅基LDMOS器件，占据了大部分市场。对于需要高频高输出的卫星通信应用，氮化镓器件也有望逐步取代砷化镓的解决方案。根据Yole报告，随着通信基础建设和军事应用的需求发展，全球氮化镓射频器件市场规模将持续增长，预计从2019年的7.4亿美元增长至2025年的20亿美元，期间年均复合增长率达到18%。半绝缘型碳化硅衬底的需求量有望因此获益而持续增长。3、导电型碳化硅衬底在功率器件上的应用（1）主要应用情况及其优势功率器件又被称为电力电子器件，是构成电力电子变换装置的核心器件。功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFE
28、T相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大地提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，对高效能源转换领域产生重大而深远的影响，主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。（2）主要应用领域的发展情况电动汽车行业是未来市场空间巨大的新兴市场，全球范围内新能源车的普及趋势明朗。随着电动汽车的发展，对功率半导体器件需求量日益增加，成为功率半导体器件新的经济增长点。得益于碳化硅功率器件的高可靠性及高效
29、率特性，在车载级的电机驱动器、OBC及DC/DC部分，碳化硅器件的使用已经比较普遍。对于非车载充电桩产品，由于成本的原因，目前使用比例还相对较低，但部分厂商已开始利用碳化硅器件的优势，通过降低冷却等系统的整体成本找到了利基市场。目前，碳化硅功率器件已被国际知名车企应用在其电动汽车上。电动驱动系统中，主逆变器负责控制电动机，是汽车的关键元器件，特斯拉Model3的主逆变器采用了意法半导体生产的24个碳化硅MOSFET功率模块，是全球第一家将碳化硅MOSFET应用于商用车主逆变器的OEM厂商。2020年12月，丰田汽车推出并公开发售“Mirai”燃料电池电动汽车，是丰田汽车首次开始使用碳化硅功率器
30、件。根据碳化硅器件特点和电动汽车的发展趋势，碳化硅器件是未来电动汽车的必然之选。光伏逆变器曾普遍采用硅器件，经过40多年的发展，转换效率和功率密度等已接近理论极限。碳化硅器件具有低损耗、高开关频率、高适用性、降低系统散热要求等优点，将在光伏新能源领域得到广泛应用。例如，在住宅和商业设施光伏系统中的组串逆变器里，碳化硅器件在系统级层面带来成本和效能的好处。阳光电源等光伏逆变器龙头企业已将碳化硅器件应用至其组串式逆变器中。碳化硅功率器件在轨道交通行业得到重要应用。未来轨道交通对电力电子装置，比如牵引变流器、电力电子电压器等提出了更高的要求。采用碳化硅功率器件可以大幅度提高这些装置的功率密度和工作效
31、率，将有助于明显减轻轨道交通的载重系统。目前，受限于碳化硅功率器件的电流容量，碳化硅混合模块将首先开始替代部分硅IGBT模块。未来随着碳化硅器件容量的提升，全碳化硅模块将在轨道交通领域发挥更大的作用。目前碳化硅器件已经在中低压配电网开始了应用。未来更高电压、更大容量、更低损耗的柔性输变电将对万伏级以上的碳化硅功率器件具有重大需求。碳化硅功率器件在智能电网的主要应用包括高压直流输电换流阀、柔性直流输电换流阀、灵活交流输电装置、高压直流断路器、电力电子变压器等装置中。根据Yole报告，2019年碳化硅功率器件的市场规模为5.41亿美元，受益于电动汽车/充电桩、光伏新能源等市场需求驱动，预计2025
32、年将增长至25.62亿美元，复合年增长率约30%。碳化硅衬底的需求有望因此获益并取得快速增长。第三章 项目背景及必要性一、 碳化硅衬底类型衬底电学性能决定了下游芯片功能与性能的优劣，为使材料能满足不同芯片的功能要求，需要制备电学性能不同的碳化硅衬底。按照电学性能的不同，碳化硅衬底可分为两类：根据工信部发布的重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版），一类是具有高电阻率（电阻率105cm）的半绝缘型碳化硅衬底，另一类是低电阻率（电阻率区间为1530mcm）的导电型碳化硅衬底。二、 半导体材料行业概述半导体是指在常温下导电性能介于绝缘体与导体之间的材料。常见的半导体包括硅、锗等元素半导体及砷
33、化镓、碳化硅、氮化镓等化合物半导体。半导体可以分为四类产品，分别是集成电路、光电子器件、分立器件和传感器。半导体是电子产品的核心，是信息产业的基石，亦被称为现代工业的“粮食”。半导体产品广泛应用于移动通信、计算机、电力电子、医疗电子、工业电子、军工航天等行业。半导体行业是现代经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业，具有技术难度高、投资规模大、产业链环节长、产品种类多、更新迭代快、下游应用广泛的特点。半导体制造产业链包含设计、制造和封装测试环节，半导体材料和设备属于芯片制造、封测的支撑性行业。三、 面临的挑战1、碳化硅衬底制备成本高由于晶体生长速率慢、制备技术难度较大，大尺寸、高品质碳化硅衬底
34、生产成本依旧较高，碳化硅衬底较低的供应量和较高的价格一直是制约碳化硅基器件大规模应用的主要因素之一，限制了产品在下游行业的应用和推广。虽然碳化硅衬底和器件工艺逐渐成熟，衬底和器件的价格呈一定下降趋势，但是目前碳化硅功率器件的价格仍数倍于硅基器件，下游应用领域仍需平衡碳化硅器件的高价格与碳化硅器件优越性能带来的综合成本下降间的关系，短期内一定程度上限制了碳化硅器件在功率器件领域的渗透率，使得碳化硅材料即使在部分相对优势领域的大规模应用仍存较大挑战。2、国内的高端技术和人才的缺乏半导体材料行业属于典型技术密集型行业，对于技术人员的知识背景、研发能力及操作经验积累均有较高要求，国内在高端技术和人才方
35、面与国外龙头企业尚存在差距。缩小技术差距，需要靠国内企业和研究机构持续投入研发，完成前期技术积累工作。国际巨头科锐公司成立于1987年，于1993年在美国纳斯达克上市，贰陆公司成立于1971年，于1987年在美国纳斯达克上市，相比于国际巨头具有数十年的研发和产业化经验，中国由于研发起步较晚，业内人才和技术水平仍然较为缺乏，在一定程度上制约了行业的快速发展。3、通过外延收购方式进行发展的难度较大宽禁带半导体的军事用途使得国外对中国实行技术和产品禁运和封锁。宽禁带半导体是有源相控阵雷达、毫米波通信设备、激光武器、“航天级”固态探测器、耐超高辐射装置等军事装备中的核心组件，因而受到国际上瓦森纳协定的
36、出口管制，并且对外收购相关企业也会受到西方发达国家的严格审查。国内行业通过外延式收购的方式进行发展的难度较大。四、 合作开放（一）全面深度融入长三角一体化发展加强优质生态共建共享。开展“丽水山耕”农产品对接行动，加强与长三角地区蔬菜集团、农贸市场、大型企业等主体合作，畅通农产品进入长三角销售渠道，建设长三角生态安全农产品供应地。深度融入长三角生态文化旅游圈，构建长三角一体化旅游合作机制，联合打造长三角自驾游、高铁游、康养休闲游等旅游精品路线，面向长三角地区游客推出旅游优惠政策。在上海、杭州等地设立旅游推广中心，定期策划举办“丽水周”等系列宣传推介活动，借助新媒体新渠道推介丽水生态旅游资源。积极
37、吸引长三角地区优质资本、高端人才参与国家公园、“康养600”小镇、“山系”品牌基地等重大平台建设。推进优势产业协作共赢。坚持全域融入、战略协同、重点突破，主动对接长三角地区重点平台、企业集团，支持和推动各县（市、区）与上海各区开展紧密合作。聚焦健康医药、集成电路、信息技术、人工智能等重大战略性新兴产业，积极参与长三角产业链补链强链固链行动，吸引企业落户丽水，打造集研发、生产、孵化为一体的长三角生态工业产业基地。借力长三角资本市场服务基地联盟，争取上海、杭州等发达城市的金融机构在丽设立分支机构。鼓励行业组织、商会、产学研联盟等开展多领域跨区域合作。（二）打造山海协作工程升级版升级产业协作。高标准
38、建设莲都-义乌等山海协作工业类产业园，深入推进园区数字化、智能化改造。推进丽水-宁波（九龙湿地）等山海协作生态旅游文化产业园建设，打造大花园建设标志性平台。力争各县（市、区）与大湾区新区、省级高能级平台共建产业飞地，着力引进产业链高端龙头项目。充分借助发达地区先进理念和资本，加快推进山海协作乡村振兴产业示范点建设，打通山海消费协作通道，实施一批群众增收和社会事业合作项目。（三）加强“一带一路”国际合作交流全面深化国际合作。加强与“一带一路”沿线国家、国际友城的紧密务实合作，提升合作交流水平。实施国际合作五大行动，精心打造一批国际开放交流平台，与欧美日、“一带一路”沿线国家在农业、园林建设和标准
39、化生产等方面深度合作。深化与中国老挝磨憨磨丁经济合作区合作。发挥龙泉“海丝之路”内陆起始地的优势，复兴“丽水三宝”等非遗产业。加强对外文化交流，弘扬发掘轩辕黄帝文化、刘基文化、汤显祖文化、巴比松文化等丽水特色人文资源，深化友城合作。第四章 项目选址方案一、 项目选址原则节约土地资源，充分利用空闲地、非耕地或荒地，尽可能不占良田或少占耕地；应充分利用天然地形，选择土地综合利用率高、征地费用少的场址。二、 建设区基本情况丽水地处浙江省西南部，古名处州。据明代名胜志记载，“隋开皇九年，处士星见于分野，因置处州”。市域面积1.73万平方公里，是全省陆域面积最大的地级市（占全国的1/600，全省的1/6
40、），辖9个县（市、区）（莲都区、龙泉市和青田、云和、庆元、缙云、遂昌、松阳、景宁县），总人口270万。丽水是美不胜收的生态绿谷。丽水是“浙江绿谷”，是华东地区重要生态屏障，有着无与伦比的生态优势，素有“中国生态第一市”的美誉。山是江浙之巅，水是六江之源。瓯江、钱塘江、闽江、飞云江、灵江和福安江的源头都在丽水。全市森林覆盖率高达81.7%。水和空气质量常年居全省前列，是全国空气质量十佳城市中唯一的非沿海、低海拔城市。生态环境状况指数连续17年全省第一，是首批国家生态文明先行示范区、国家森林城市、中国气候养生之乡、中国天然氧吧城市。当前和今后一个时期，我国发展仍然处于重要战略机遇期，但机遇和挑战都
41、有新的发展变化。从国际看，当今世界正经历百年未有之大变局，新一轮科技革命和产业变革深入发展，经济全球化遭遇逆流，不稳定性不确定性明显增加。从国内看，我国已经进入新发展阶段，制度优势显著，治理效能提升，发展韧性强、潜力大，新发展格局加快构建，长三角一体化发展、革命老区振兴发展等国家战略深入实施。从省内看，我省忠实践行“八八战略”、奋力打造“重要窗口”，争创社会主义现代化先行省，全力推动山区跨越式高质量发展和革命老区振兴。综合判断，我市发展处于大有可为而且必须大有作为的战略机遇期，是国家实施新时代支持革命老区振兴发展战略和全省实施加快山区跨越式发展战略的重点地区，高质量绿色发展态势向好，要着眼“两
42、个大局”，深刻认识错综复杂的国际环境带来的新矛盾新挑战，深刻把握新发展阶段的新特征新要求，深刻理解危和机并存、危中有机、危可转机的新判断，牢固树立“没有实现加快发展也是一种风险，没有追求实现加快跨越式发展的意识、决心和胆略更是极端危险”的理念，立足“生态是最大优势、发展是最重任务”的基本市情，保持生态优先、绿色发展的核心战略定力，奋发有为办好自己的事，努力在危机中育先机、于变局中开新局，以新气象新作为创造新业绩。诗画浙江大花园最美核心区全面建成，高质量绿色发展取得决定性成果，成为全面展示浙江高水平生态文明建设和高质量绿色发展两方面成果和经验的重要窗口，成为创新实践“绿水青山就是金山银山”理念的
43、全国标杆，人民物质富裕、精神富足、文化富有、生态富丽，基本实现以人为核心的现代化。生态环境质量、生态价值转化效率、美丽经济发展全面处于国内领先、率先达到国际先进水平，建成世界一流生态旅游目的地，打造华东地区生物多样性基因库，建成长三角地区康养基地，率先走出人与自然和谐共生的现代化之路，成为新时代美丽中国先行示范区。山区跨越式发展迈上大台阶，“一带三区”发展格局全面形成，人均生产总值达到中等发达国家水平，基本实现新型工业化、信息化、城镇化、农业农村现代化，建成具有丽水鲜明特色的现代化生态经济体系和区域创新体系。现代化的市域治理体系全面形成，建成法治政府、法治社会，基本实现市域治理现代化。社会主义
44、精神文明和物质文明全面协调发展，国民素质和社会文明程度达到新高度，文化创造力、传播力、服务力、竞争力显著增强。安全保障体系不断健全，共建共治共享的社会治理格局更加完善，高水平建成平安浙江示范区、全国最平安城市。建成现代化公共服务体系，实现教育现代化、卫生健康现代化，城乡居民收入持续快速增长，城乡区域发展差距和居民生活水平均衡度显著提高，人民生活更加美好，人的全面发展、人民共同富裕取得更为明显的实质性进展。全市生产总值跃上1500亿元新台阶，年均增长6.7%，高于全省0.2个百分点，人均生产总值达到1万美元；生态经济蓬勃发展，装备制造业、高新技术产业、战略性新兴产业提质扩量，“丽水山耕”“丽水山
45、居”“丽水山景”等现代乡村产业风生水起，国家5A级景区实现“零”的突破，以“生态经济化、经济生态化”为显著特征的现代化生态经济体系初现成型；大花园核心区建设全面推进，国家公园创建取得突破性进展，生态环境状况指数保持全省第一；城乡发展协同推进，基础设施不断完善，丽水机场动工建设，衢宁铁路建成通车，成功创建全国文明城市，成为中国美丽乡村建设示范地区；改革开放持续深化，国家生态文明先行示范区、生态产品价值实现机制国家试点、绿色发展综合改革创新区和国家级扶贫改革试验区建设取得显著成效；全方位融入长三角一体化发展的开放格局基本形成；民生福祉持续改善，实现“两不愁三保障”突出问题、年总收入10万元且经营性
46、收入5万元以下集体经济薄弱村、年人均收入8000元以下家庭、低收入农户零就业家庭存量“四个清零”，农村居民人均可支配收入增幅、低收入农户人均可支配收入增幅均持续位居全省第一。三、 扩能升级，建立现代化生态经济体系坚持生产力最高标准，坚定生态经济化、经济生态化发展方向，聚焦产业扩能升级，持续推动经济发展质量变革、效率变革、动力变革，提高经济发展质量效益和核心竞争力，加快建设现代化生态经济体系。（一）全力主攻生态工业打造具有核心竞争力的现代产业链和产业集群。积极融入全省建设全球先进制造业基地战略布局，举全市之力实施生态工业高质量发展倍增行动，稳步提高制造业比重，创成生态工业高质量发展示范区，打造制造业绿色发展标杆地。实施现代产业集群培育升级工程，创新高端产业植入路径，发展壮大五大现代产业集群，力争到2025年产值超2000亿元、占规上工业总产值比重超过70%，形成标志性全产业链10条，培育县（市、区）百亿级“新星”产业集群10个以上。（二）加快发展现代特色服务业加快生产性服务业融合化发展。以服务制造业高质量发展为导向，推进生产性服务业向专业化和价值链高端延伸，加快发展研发设计、现代物流、产业金融、节能环保、法律服务、中介咨询、会展经济、检验检测、软件与信息等生产性服务业。大力发展商务会展业，积极发展商务培训