《怀化碳化硅衬底项目建议书（范文模板）.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《怀化碳化硅衬底项目建议书（范文模板）.docx（126页珍藏版）》请在taowenge.com淘文阁网|工程机械CAD图纸|机械工程制图|CAD装配图下载|SolidWorks_CaTia_CAD_UG_PROE_设计图分享下载上搜索。
1、泓域咨询/怀化碳化硅衬底项目建议书目录第一章 行业发展分析8一、 行业发展态势及面临的机遇8二、 宽禁带半导体材料简介10三、 碳化硅材料产业链12第二章 项目总论19一、 项目概述19二、 项目提出的理由21三、 项目总投资及资金构成22四、 资金筹措方案22五、 项目预期经济效益规划目标23六、 项目建设进度规划23七、 环境影响23八、 报告编制依据和原则24九、 研究范围24十、 研究结论25十一、 主要经济指标一览表25主要经济指标一览表25第三章 项目建设背景、必要性27一、 面临的挑战27二、 碳化硅衬底类型28三、 半导体材料行业概述28四、 加快构建现代产业体系，着力壮大实体
2、经济29五、 坚持创新引领，建设国家创新型城市31第四章 建设内容与产品方案35一、 建设规模及主要建设内容35二、 产品规划方案及生产纲领35产品规划方案一览表36第五章 选址方案分析37一、 项目选址原则37二、 建设区基本情况37三、 全面融入新发展格局41四、 项目选址综合评价41第六章 发展规划分析42一、 公司发展规划42二、 保障措施43第七章 法人治理45一、 股东权利及义务45二、 董事47三、 高级管理人员52四、 监事54第八章 项目节能分析56一、 项目节能概述56二、 能源消费种类和数量分析57能耗分析一览表57三、 项目节能措施58四、 节能综合评价58第九章 工艺
3、技术说明60一、 企业技术研发分析60二、 项目技术工艺分析62三、 质量管理64四、 设备选型方案65主要设备购置一览表66第十章 组织机构、人力资源分析67一、 人力资源配置67劳动定员一览表67二、 员工技能培训67第十一章 环境保护分析70一、 编制依据70二、 环境影响合理性分析71三、 建设期大气环境影响分析72四、 建设期水环境影响分析74五、 建设期固体废弃物环境影响分析75六、 建设期声环境影响分析76七、 建设期生态环境影响分析76八、 清洁生产77九、 环境管理分析79十、 环境影响结论82十一、 环境影响建议83第十二章 投资方案分析84一、 投资估算的依据和说明84二
4、、 建设投资估算85建设投资估算表87三、 建设期利息87建设期利息估算表87四、 流动资金89流动资金估算表89五、 总投资90总投资及构成一览表90六、 资金筹措与投资计划91项目投资计划与资金筹措一览表92第十三章 经济效益分析93一、 基本假设及基础参数选取93二、 经济评价财务测算93营业收入、税金及附加和增值税估算表93综合总成本费用估算表95利润及利润分配表97三、 项目盈利能力分析97项目投资现金流量表99四、 财务生存能力分析100五、 偿债能力分析101借款还本付息计划表102六、 经济评价结论102第十四章 风险防范104一、 项目风险分析104二、 项目风险对策106第
5、十五章 总结评价说明108第十六章 补充表格110主要经济指标一览表110建设投资估算表111建设期利息估算表112固定资产投资估算表113流动资金估算表114总投资及构成一览表115项目投资计划与资金筹措一览表116营业收入、税金及附加和增值税估算表117综合总成本费用估算表117固定资产折旧费估算表118无形资产和其他资产摊销估算表119利润及利润分配表120项目投资现金流量表121借款还本付息计划表122建筑工程投资一览表123项目实施进度计划一览表124主要设备购置一览表125能耗分析一览表125报告说明氮化镓具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、耐辐照等突出
6、优点。氮化镓器件已有众多应用：在光电子器件领域，氮化镓器件作为LED照明光源已广泛应用，还可制备成氮化镓基激光器；在微波射频器件方面，氮化镓器件可用于有源相控阵雷达、无线电通信、基站、卫星等军事或者民用领域；氮化镓也可用于功率器件，其比传统器件具有更低的电源损耗。根据谨慎财务估算，项目总投资26262.20万元，其中：建设投资20509.90万元，占项目总投资的78.10%；建设期利息503.41万元，占项目总投资的1.92%；流动资金5248.89万元，占项目总投资的19.99%。项目正常运营每年营业收入50600.00万元，综合总成本费用41118.72万元，净利润6926.45万元，财务
7、内部收益率19.32%，财务净现值6276.46万元，全部投资回收期6.14年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。综上所述，本项目能够充分利用现有设施，属于投资合理、见效快、回报高项目；拟建项目交通条件好；供电供水条件好，因而其建设条件有明显优势。项目符合国家产业发展的战略思想，有利于行业结构调整。本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 行业发展分析一、 行业发展态势及面临的机遇1、碳化硅市场需求旺盛，全球迎来扩产潮随着碳化硅器件在5G通信、电动汽车、光伏新能源、轨道交通、
8、智能电网等行业的应用，碳化硅器件市场需求迅速增长，全球碳化硅行业呈现产能供给不足的情况。为了保证衬底供给，满足以电动汽车为代表的客户未来的增长需求，各大厂商纷纷开始扩产。据CASAResearch整理，2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产，主要为衬底产能的扩张，其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划，分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。随着下游市场的超预期发展，产业链的景气程度有望持续向好，碳化硅衬底产业也将直接受益于行业发展。2、碳化硅器件成本降低，行业应用的替代前景向好2019年是碳化硅产业快速发展的关键年份。与同类硅基产品相
9、比，虽然碳化硅基器件价格仍然较高，但是由于其优越的性能及价格持续走低，其综合成本优势逐渐显现，客户认可度持续提高。行业正在通过多种措施降低碳化硅器件成本：在衬底方面，通过增大碳化硅衬底尺寸、升级制备技术、扩大衬底产能等，共同推动碳化硅衬底成本的降低；在制造方面，随着市场的开启，各大器件供应商扩产制造，随着规模扩大和制造技术不断成熟，也带来制造成本的降低；在市场方面，主要的产品供应商与大客户通过签订长期合作合同对市场进行锁定，供需双方共同推进市场渗透并形成良性循环。未来碳化硅器件的价格有望持续下降，其行业应用将快速发展。3、国外对宽禁带半导体实行严格的技术保护，自主可控势在必行由于宽禁带半导体的
10、军事用途使得国外对中国实行技术禁运和封锁，国内碳化硅产业的持续发展对核心技术国产自主化、实现供应链安全可控提出了迫切的需求。自主可控趋势加速了宽禁带半导体器件的国产化替代进程，为宽禁带半导体行业带来了发展新机遇。在宽禁带半导体领域，下游应用企业已在调整供应链，支持国内企业。数家国内宽禁带半导体企业的上中游产品陆续获得了下游用户验证机会，进入了多个关键厂商供应链，逐步开始了以销促产的良性发展。4、积极的宽禁带半导体产业政策近年来从国家到地方相继制定了一系列产业政策来推动宽禁带半导体产业的发展。2020年8月，国务院印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策，提出聚焦高端芯片、集成电
11、路装备等关键核心技术研发，在新一代半导体技术等领域推动各类创新平台建设；2021年3月，十三届全国人大四次会议通过的中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要，提出要大力发展碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体产业。此外，上海、广东、湖南、山东等多省市均出台了相关政策支持碳化硅等半导体产业发展。我国宽禁带半导体行业迎来了前所未有的发展契机，有助于我国宽禁带半导体行业技术水平的提高和规模的快速发展。二、 宽禁带半导体材料简介常见的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）等元素半导体及砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等化合物半导体材料。从被研究和规模化应用的
12、时间先后顺序来看，上述半导体材料被业内通俗地划分为三代。第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体为代表，其典型应用是集成电路，主要应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。第二代半导体材料是以砷化镓为代表，砷化镓材料的电子迁移率约是硅的6倍,具有直接带隙，故其器件相对硅基器件具有高频、高速的光电性能，因此被广泛应用于光电子和微电子领域，是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿
13、电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，此外，还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力。值得注意的是，前述三代半导体材料各有利弊，并无绝对的替代关系，而是在特定的应用场景中存在各自的比较优势。1、碳化硅根据中国战略性新兴产业：新材料（第三代半导体材料），与硅相比，碳化硅拥有更为优越的电气特性：耐高压：击穿电场强度大，是硅的10倍，用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度，并大大降低器件的导通损耗。耐高温：半导体器件在较高的温度下，会产生载流子的本征激发现象，造成器件失
14、效。禁带宽度越大，器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍，可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度一般不能超过300，而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600以上。同时，碳化硅的热导率比硅更高，高热导率有助于碳化硅器件的散热，在同样的输出功率下保持更低的温度，碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低，有助于实现设备的小型化。实现高频的性能：碳化硅的饱和电子漂移速率大，是硅的2倍，这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。基于这些优良的特性，碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，已应用于射频器件及功率
15、器件。2、氮化镓氮化镓具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、耐辐照等突出优点。氮化镓器件已有众多应用：在光电子器件领域，氮化镓器件作为LED照明光源已广泛应用，还可制备成氮化镓基激光器；在微波射频器件方面，氮化镓器件可用于有源相控阵雷达、无线电通信、基站、卫星等军事或者民用领域；氮化镓也可用于功率器件，其比传统器件具有更低的电源损耗。三、 碳化硅材料产业链1、下游产业链情况以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场。在碳化硅衬底上，主要使用化学气相沉积法（CVD法）在衬底表面生成所需的薄膜材料，即形成外延片，进一步制
16、成器件。（1）半绝缘型碳化硅衬底半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成氮化镓射频器件。（2）导电型碳化硅衬底导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片，并在外延层上制造各类功率器件。2、半绝缘型碳化硅衬底在射频器件上的应用（1）主要应用情况及其优势射频器件在无线通讯中扮演信号转换的角色，是无线通信设备的基础性零部件，主要包括功率放大器、滤波器、开关、低噪声放大器、双工器等。半绝缘型碳化硅
17、衬底制备的氮化镓射频器件主要为面向通信基站以及雷达应用的功率放大器。目前主流的射频器件有砷化镓、硅基LDMOS、碳化硅基氮化镓等不同类型。根据AnalogDialogue，砷化镓器件已在功率放大器上得到广泛应用；硅基LDMOS器件也已在通讯领域应用多年，但其主要应用于小于4GHz的低频率领域；碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势，有望开启其广泛应用。氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件，因此成为4G/5G移动通讯系统、新一代有源相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。氮化镓射频器件正在取代LDMOS在通信宏基站、雷达及其他宽带领域的应用。随着信息技术产业对数据流
18、量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长，氮化镓器件在基站中应用越来越广泛。根据Yole预测，至2025年，功率在3W以上的射频器件市场中，砷化镓器件市场份额基本维持不变的情况下，氮化镓射频器件有望替代大部分硅基LDMOS份额，占据射频器件市场约50%的份额。目前，氮化镓射频器件主要基于碳化硅、硅等异质衬底外延材料制备的，并在未来一段时期也是主要选择。相比较硅基氮化镓，碳化硅基氮化镓外延主要优势在其材料缺陷和位错密度低。碳化硅基氮化镓材料外延生长技术相对成熟，且碳化硅衬底导热性好，适合于大功率应用，同时衬底电阻率高降低了射频损耗，因此碳化硅基氮化镓射频器件成为目前市场的主流。根据Yole报告，9
19、0%左右的氮化镓射频器件采用碳化硅衬底制备。（2）主要应用领域的发展情况碳化硅基氮化镓射频器件已成功应用于众多领域，以无线通信基础设施和国防应用为主。无线通信基础设施方面，5G具有大容量、低时延、低功耗、高可靠性等特点，要求射频器件拥有更高的线性和更高的效率。相比砷化镓和硅基LDMOS射频器件，以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能，成为5G基站功率放大器的主流选择。在国防军工领域，碳化硅基氮化镓射频器件已经代替了大部分砷化镓和部分硅基LDMOS器件，占据了大部分市场。对于需要高频高输出的卫
20、星通信应用，氮化镓器件也有望逐步取代砷化镓的解决方案。根据Yole报告，随着通信基础建设和军事应用的需求发展，全球氮化镓射频器件市场规模将持续增长，预计从2019年的7.4亿美元增长至2025年的20亿美元，期间年均复合增长率达到18%。半绝缘型碳化硅衬底的需求量有望因此获益而持续增长。3、导电型碳化硅衬底在功率器件上的应用（1）主要应用情况及其优势功率器件又被称为电力电子器件，是构成电力电子变换装置的核心器件。功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原
21、来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大地提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，对高效能源转换领域产生重大而深远的影响，主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。（2）主要应用领域的发展情况电动汽车行业是未来市场空间巨大的新兴市场，全球范围内新能源车的普及趋势明朗。随着电动汽车的发展，对功率半导体器件需求量日益增加，成为功率半导体器件新的经济增长点。得益于碳化硅功率器件的高可靠性及高效率特性，在车载级的电机驱动器、OBC及DC/DC部分，碳化硅器件
22、的使用已经比较普遍。对于非车载充电桩产品，由于成本的原因，目前使用比例还相对较低，但部分厂商已开始利用碳化硅器件的优势，通过降低冷却等系统的整体成本找到了利基市场。目前，碳化硅功率器件已被国际知名车企应用在其电动汽车上。电动驱动系统中，主逆变器负责控制电动机，是汽车的关键元器件，特斯拉Model3的主逆变器采用了意法半导体生产的24个碳化硅MOSFET功率模块，是全球第一家将碳化硅MOSFET应用于商用车主逆变器的OEM厂商。2020年12月，丰田汽车推出并公开发售“Mirai”燃料电池电动汽车，是丰田汽车首次开始使用碳化硅功率器件。根据碳化硅器件特点和电动汽车的发展趋势，碳化硅器件是未来电动
23、汽车的必然之选。光伏逆变器曾普遍采用硅器件，经过40多年的发展，转换效率和功率密度等已接近理论极限。碳化硅器件具有低损耗、高开关频率、高适用性、降低系统散热要求等优点，将在光伏新能源领域得到广泛应用。例如，在住宅和商业设施光伏系统中的组串逆变器里，碳化硅器件在系统级层面带来成本和效能的好处。阳光电源等光伏逆变器龙头企业已将碳化硅器件应用至其组串式逆变器中。碳化硅功率器件在轨道交通行业得到重要应用。未来轨道交通对电力电子装置，比如牵引变流器、电力电子电压器等提出了更高的要求。采用碳化硅功率器件可以大幅度提高这些装置的功率密度和工作效率，将有助于明显减轻轨道交通的载重系统。目前，受限于碳化硅功率器
24、件的电流容量，碳化硅混合模块将首先开始替代部分硅IGBT模块。未来随着碳化硅器件容量的提升，全碳化硅模块将在轨道交通领域发挥更大的作用。目前碳化硅器件已经在中低压配电网开始了应用。未来更高电压、更大容量、更低损耗的柔性输变电将对万伏级以上的碳化硅功率器件具有重大需求。碳化硅功率器件在智能电网的主要应用包括高压直流输电换流阀、柔性直流输电换流阀、灵活交流输电装置、高压直流断路器、电力电子变压器等装置中。根据Yole报告，2019年碳化硅功率器件的市场规模为5.41亿美元，受益于电动汽车/充电桩、光伏新能源等市场需求驱动，预计2025年将增长至25.62亿美元，复合年增长率约30%。碳化硅衬底的需
25、求有望因此获益并取得快速增长。第二章 项目总论一、 项目概述（一）项目基本情况1、项目名称：怀化碳化硅衬底项目2、承办单位名称：xx有限责任公司3、项目性质：技术改造4、项目建设地点：xxx（待定）5、项目联系人：廖xx（二）主办单位基本情况公司不断推动企业品牌建设，实施品牌战略，增强品牌意识，提升品牌管理能力，实现从产品服务经营向品牌经营转变。公司积极申报注册国家及本区域著名商标等，加强品牌策划与设计，丰富品牌内涵，不断提高自主品牌产品和服务市场份额。推进区域品牌建设，提高区域内企业影响力。公司始终坚持“人本、诚信、创新、共赢”的经营理念，以“市场为导向、顾客为中心”的企业服务宗旨，竭诚为国
26、内外客户提供优质产品和一流服务，欢迎各界人士光临指导和洽谈业务。公司自成立以来，坚持“品牌化、规模化、专业化”的发展道路。以人为本，强调服务，一直秉承“追求客户最大满意度”的原则。多年来公司坚持不懈推进战略转型和管理变革，实现了企业持续、健康、快速发展。未来我司将继续以“客户第一，质量第一，信誉第一”为原则，在产品质量上精益求精，追求完美，对客户以诚相待，互动双赢。本公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。公司坚持“责任+爱心”的服务理念，将诚信经营、诚信服务作为企业立世之本，在服务社会、方便大众中赢得信誉、赢得市场。“满足社会和业主的需要，是
27、我们不懈的追求”的企业观念，面对经济发展步入快车道的良好机遇，正以高昂的热情投身于建设宏伟大业。（三）项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xxx（待定），占地面积约68.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）产品规划方案根据项目建设规划，达产年产品规划设计方案为：xxx吨碳化硅衬底/年。二、 项目提出的理由随着碳化硅器件在5G通信、电动汽车、光伏新能源、轨道交通、智能电网等行业的应用，碳化硅器件市场需求迅速增长，全球碳化硅行业呈现产能供给不足的情况。为了保证衬底供给，满足以电动汽车为代表的客户未来的增长需求，各大
28、厂商纷纷开始扩产。据CASAResearch整理，2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产，主要为衬底产能的扩张，其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划，分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。随着下游市场的超预期发展，产业链的景气程度有望持续向好，碳化硅衬底产业也将直接受益于行业发展。从全球看，当今世界正经历百年未有之大变局，新一轮科技革命和产业变革深入发展，和平与发展仍然是时代主题，人类命运共同体理念深入人心，同时新冠肺炎疫情加剧了大变局的演变，国际环境日趋复杂，不稳定性不确定性明显增加，经济全球化遭遇逆流，世界进入动荡变革期。从国内
29、看，我国已转向高质量发展阶段，具有全球最完整、规模最大的工业体系，有强大的生产能力、完善的配套能力，有超大规模内需市场，制度优势显著，治理效能提升，经济稳中向好、长期向好，潜力足、韧性大、活力强、回旋空间大，社会大局稳定，继续发展具有多方面优势和条件。从怀化看，我市有独特的生态、区位、交通、文化优势，“一带一路”、长江经济带发展、中部地区崛起、湖南自贸区等国省战略提供区域发展新机遇，新一轮科技革命和产业变革带来产业升级新动力，新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化同步发展创造经济增长新空间，强大内需市场成为高质量发展新支撑，我市发展面临难得机遇、蕴含巨大潜能。同时，我市发展不平衡不充分问题仍然
30、突出，经济结构质量不优、农业农村发展不足、科技创新支撑高质量发展的动能不强，生态环保、民生保障、风险防控等方面依然存在较大压力，高质量发展能力有待进一步提升。综合判断，“十四五”期间，我市发展仍然处于重要战略机遇期，机遇和挑战都有新的发展变化。我们要辩证认识和把握发展大势，增强机遇意识和风险意识，善于在危机中育新机、于变局中开新局，为全面建设社会主义现代化开好局、起好步。三、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资26262.20万元，其中：建设投资20509.90万元，占项目总投资的78.10%；建设期利息503.41万元，占项目总
31、投资的1.92%；流动资金5248.89万元，占项目总投资的19.99%。四、 资金筹措方案（一）项目资本金筹措方案项目总投资26262.20万元，根据资金筹措方案，xx有限责任公司计划自筹资金（资本金）15988.58万元。（二）申请银行借款方案根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额10273.62万元。五、 项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入（SP）：50600.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：41118.72万元。3、项目达产年净利润（NP）：6926.45万元。4、财务内部收益率（FIRR）：19.32%。5、全部投资回收期（Pt）：6.14年（含建设期
32、24个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：21548.02万元（产值）。六、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需24个月的时间。七、 环境影响该项目在建设过程中，必须严格按照国家有关建设项目环保管理规定，建设项目须配套建设的环境保护设施必须与主体工程同时设计、同时施工、同时投产使用。各类污染物的排放应执行环保行政管理部门批复的标准。八、 报告编制依据和原则（一）编制依据1、国家建设方针，政策和长远规划；2、项目建议书或项目建设单位规划方案；3、可靠的自然，地理，气候，社会，经济等基础资料；4、其他必要资料。（二）编制原则1、立足于本地区产业发展的客观条
33、件，以集约化、产业化、科技化为手段，组织生产建设，提高企业经济效益和社会效益，实现可持续发展的大目标。2、因地制宜、统筹安排、节省投资、加快进度。九、 研究范围本报告对项目建设的背景及概况、市场需求预测和建设的必要性、建设条件、工程技术方案、项目的组织管理和劳动定员、项目实施计划、环境保护与消防安全、项目招投标方案、投资估算与资金筹措、效益评价等方面进行综合研究和分析，为有关部门对工程项目决策和建设提供可靠和准确的依据。十、 研究结论项目产品应用领域广泛，市场发展空间大。本项目的建立投资合理，回收快，市场销售好，无环境污染，经济效益和社会效益良好，这也奠定了公司可持续发展的基础。十一、 主要经
34、济指标一览表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积45333.00约68.00亩1.1总建筑面积74173.671.2基底面积27199.801.3投资强度万元/亩279.302总投资万元26262.202.1建设投资万元20509.902.1.1工程费用万元16911.402.1.2其他费用万元3122.892.1.3预备费万元475.612.2建设期利息万元503.412.3流动资金万元5248.893资金筹措万元26262.203.1自筹资金万元15988.583.2银行贷款万元10273.624营业收入万元50600.00正常运营年份5总成本费用万元41118.726利润总额
35、万元9235.277净利润万元6926.458所得税万元2308.829增值税万元2050.1210税金及附加万元246.0111纳税总额万元4604.9512工业增加值万元15294.6713盈亏平衡点万元21548.02产值14回收期年6.1415内部收益率19.32%所得税后16财务净现值万元6276.46所得税后第三章 项目建设背景、必要性一、 面临的挑战1、碳化硅衬底制备成本高由于晶体生长速率慢、制备技术难度较大，大尺寸、高品质碳化硅衬底生产成本依旧较高，碳化硅衬底较低的供应量和较高的价格一直是制约碳化硅基器件大规模应用的主要因素之一，限制了产品在下游行业的应用和推广。虽然碳化硅衬底
36、和器件工艺逐渐成熟，衬底和器件的价格呈一定下降趋势，但是目前碳化硅功率器件的价格仍数倍于硅基器件，下游应用领域仍需平衡碳化硅器件的高价格与碳化硅器件优越性能带来的综合成本下降间的关系，短期内一定程度上限制了碳化硅器件在功率器件领域的渗透率，使得碳化硅材料即使在部分相对优势领域的大规模应用仍存较大挑战。2、国内的高端技术和人才的缺乏半导体材料行业属于典型技术密集型行业，对于技术人员的知识背景、研发能力及操作经验积累均有较高要求，国内在高端技术和人才方面与国外龙头企业尚存在差距。缩小技术差距，需要靠国内企业和研究机构持续投入研发，完成前期技术积累工作。国际巨头科锐公司成立于1987年，于1993年
37、在美国纳斯达克上市，贰陆公司成立于1971年，于1987年在美国纳斯达克上市，相比于国际巨头具有数十年的研发和产业化经验，中国由于研发起步较晚，业内人才和技术水平仍然较为缺乏，在一定程度上制约了行业的快速发展。3、通过外延收购方式进行发展的难度较大宽禁带半导体的军事用途使得国外对中国实行技术和产品禁运和封锁。宽禁带半导体是有源相控阵雷达、毫米波通信设备、激光武器、“航天级”固态探测器、耐超高辐射装置等军事装备中的核心组件，因而受到国际上瓦森纳协定的出口管制，并且对外收购相关企业也会受到西方发达国家的严格审查。国内行业通过外延式收购的方式进行发展的难度较大。二、 碳化硅衬底类型衬底电学性能决定了
38、下游芯片功能与性能的优劣，为使材料能满足不同芯片的功能要求，需要制备电学性能不同的碳化硅衬底。按照电学性能的不同，碳化硅衬底可分为两类：根据工信部发布的重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版），一类是具有高电阻率（电阻率105cm）的半绝缘型碳化硅衬底，另一类是低电阻率（电阻率区间为1530mcm）的导电型碳化硅衬底。三、 半导体材料行业概述半导体是指在常温下导电性能介于绝缘体与导体之间的材料。常见的半导体包括硅、锗等元素半导体及砷化镓、碳化硅、氮化镓等化合物半导体。半导体可以分为四类产品，分别是集成电路、光电子器件、分立器件和传感器。半导体是电子产品的核心，是信息产业的基石，亦被称为
39、现代工业的“粮食”。半导体产品广泛应用于移动通信、计算机、电力电子、医疗电子、工业电子、军工航天等行业。半导体行业是现代经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业，具有技术难度高、投资规模大、产业链环节长、产品种类多、更新迭代快、下游应用广泛的特点。半导体制造产业链包含设计、制造和封装测试环节，半导体材料和设备属于芯片制造、封测的支撑性行业。四、 加快构建现代产业体系，着力壮大实体经济坚持把发展经济着力点放在实体经济上，加快产业转型升级，构建市域制造业集聚发展“C”型走廊，着力推进电子信息、生物医药、先进桥隧装备制造、新材料（精细化工）、装配式建筑制造、军民融合特色产业“六大基地”建设，做大做强
40、产业集群，提升产业发展质量效益和竞争力，建设武陵山片区高质量发展示范区。（一）推动制造业高质量发展稳步提升制造业比重，巩固壮大实体经济根基。实施战略性新兴产业培育工程，重点培育电子信息产业链和电子信息材料及元器件、光电子、智能终端等产业集群，建设湖南重要电子信息产业基地；推进中药材精深加工，加快中医药先进制造业和现代服务业融合发展，支持侗苗医药研究和开发，引入知名医药企业，建设五省边区生物医药产业基地；发展桥梁及隧道挖掘成套装备、铁路养护设备、特大型桥梁设备、混凝土机械、轨道交通等装备产业，建设湖南先进桥隧装备制造产业基地；加快发展3D打印材料、生态板材、高精密超平铝板、镁合金、电极材料、钙基
41、材料等新材料产业，建设新材料（精细化工）产业基地；发展混凝土结构、钢结构等装配式建筑，拓展装配式建筑应用范围，培育集研发、生产、施工为一体的产业集群，建设装配式建筑制造产业基地；支持怀化企业与军工企业在新材料、智能制造等领域开展合作，促进“军转民、民参军”协同发展，推动驻军后勤物资供应本地化，建设军民融合特色产业基地。提质改造传统产业，推动能源、矿冶、食品加工、森工、化工、建材等传统产业智能化改造、生态化转型。（二）提升产业链供应链现代化水平聚焦先进制造业，以工业新兴优势产业链建设为重点，分行业做好产业链供应链战略设计和精准施策，围绕产业链部署创新链、围绕创新链布局产业链，安排资金链、吸引人才
42、链、提升价值链，大力建链补链延链强链，建设自主可控、安全高效的产业链供应链。优化区域产业链布局，提升主导产业本地配套率。制定重点产业链企业梯次培育计划，鼓励龙头企业建立全国性交易平台，促进产业链大中小企业融通发展，培育一批产业链细分领域专精特新“小巨人”和制造业单项冠军企业。推进产业链战略联盟建设，优化产业链供应链发展环境，强化要素支撑，提升产业链质量。制定实施园区产业发展规划和基础设施、公共服务设施扩能增效计划，推动产业园区专业化发展。（三）推动数字化发展推进数字产业化和产业数字化，推动数字经济和实体经济深度融合。实施数字科技+文旅融合样板工程，加快建设科技+文旅资源融合全国数据基地，推动工
43、业制造、交通、商贸物流等典型应用场景的深度覆盖。深化智慧怀化建设，加快城市管理基础设施数字化和民生服务领域智慧化应用，加快建成数字社会和数字政府。扩大基础公共信息数据有序开放共享，加强数据资源开发利用。强化数字经济信息安全。五、 坚持创新引领，建设国家创新型城市坚持创新在现代化建设全局中的核心地位，深入实施创新驱动发展战略，推进以科技创新为核心的全面创新，着力推进关键技术攻关和成果转化、创新主体增量提质、创新平台建设、五溪人才行动、创新生态优化“五大计划”，加快科技创新体系建设。（一）加强关键技术攻关和成果转化坚持需求导向和问题导向，实施“新一轮加大全社会研发经费投入行动计划”“重大科技创新与
44、成果转化专项”，发挥院士工作站和国省创新平台的创新引领作用，实施重点领域关键技术研发工程，力争在生物医药、种子种苗、绿色食品、电子信息、桥隧工程装备、新能源、新材料（精细化工）、智能制造等领域取得突破。强化“政产学研金用”一体化，支持创办科技成果转化基地和产业孵化基地，出台科技成果转化激励政策，提高本地转化率，引导更多科技成果实现产业化、资本化、效益化。（二）提升企业创新能力强化企业创新主体地位，发挥企业家在技术创新中的重要作用。鼓励企业加大研发投入，加大财税金融政策支持力度，推动规模以上工业企业研发机构、科技活动全覆盖。实施“高新技术企业、高成长性企业、科技型中小微企业培育计划”“发明专利倍
45、增计划”。引导市外高新技术企业在怀化建立研发基地、实训基地，支持怀化企业在长沙、深圳等城市建立“科创飞地”。加大区域科技协同创新力度，深入推进科研院所、高校、企业科研力量优化配置和资源共享。促进产业链上中下游、大中小企业融通创新，加快科技开放和技术开源，建设潇湘科技要素大市场怀化分中心。 （三）加快创新平台建设实施创新平台建设计划，加大平台要素整合力度，在争取政策、资源和带动产业发展上发挥更大作用。以国家高新区为龙头，以院士工作站、企业研发中心、科研院所、高校等各类创新平台为重要支点，构建层次分明、布局合理、功能齐全的全域科技创新平台体系。突出抓好国家高新区高质量发展，着力推动国家广告产业园、
46、国家农业科技园区、国家火炬特色产业基地、国家文化和科技融合示范基地建设和提质升级。鼓励龙头企业与高校院所建立一批产业研究院，推动市级研究机构、技术平台等向省级和国家级升级。培育建设一批创新型县市区。（四）激发人才创新活力坚持不求所有但求所用，健全完善柔性引才机制，提档升级“五溪人才行动计划”，编制全市中长期人才发展规划。建立关键技术人才需求清单和靶向引才、专家荐才等机制，培育引进一批科技领军人才、产业技术创新人才、青年科技人才和创新团队，壮大高水平工程师和高技能人才队伍。完善高层次人才管理机制，探索建立年薪制度、竞争性人才使用机制、高端创新人才资源信息库和人才供需动态数据库。健全以创新能力、质量、实效、贡献为导向的科技人才评价体系。优化人才发展环境。大力弘扬科学家精神和工匠精神、劳模精神。加强学风建设，做好科普工作，提升公民科学素养和创新意识。（五）健全创新体制机制实施创新生态优化计划，推动重点领域项目、基地、人才、资金一体化配置，营造一流创新环境，推动创新资源进一步集聚。改进科技项目组织管理方式，实行“揭榜挂帅”等制度。调整和优化科研投入结构，健全政府投入为引导、企业投入为主体、社会多渠道投入的机制。发展科技金融，完善金融支持创新体系。深化科研放权赋能改革，赋予高校、科研机构更大自主权。加强